JPH05101447A - 光学式記録媒体 - Google Patents
光学式記録媒体Info
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- JPH05101447A JPH05101447A JP3255028A JP25502891A JPH05101447A JP H05101447 A JPH05101447 A JP H05101447A JP 3255028 A JP3255028 A JP 3255028A JP 25502891 A JP25502891 A JP 25502891A JP H05101447 A JPH05101447 A JP H05101447A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 繰り返し記録による記録材料の物質移動を低
減することにより繰り返し記録に対して信頼性の高い光
学式記録媒体を提供することを目的とする。 【構成】 溝３１を回折限界の空間波長λ1で蛇行させ
る。記録時に溝３１上に形成された相変化材料は溶融す
るが、溝３１が蛇行しているために記録材料の物質移動
は顕著に低減され、繰り返し回数が増大する。
減することにより繰り返し記録に対して信頼性の高い光
学式記録媒体を提供することを目的とする。 【構成】 溝３１を回折限界の空間波長λ1で蛇行させ
る。記録時に溝３１上に形成された相変化材料は溶融す
るが、溝３１が蛇行しているために記録材料の物質移動
は顕著に低減され、繰り返し回数が増大する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、収束された光ビームを
照射し、光ビームの熱で情報を記録する光学式記録媒体
に関するものである。
照射し、光ビームの熱で情報を記録する光学式記録媒体
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光学式記録媒体において、限られ
た記録面に大容量の情報を記憶させるために様々な高密
度化検討が行われている。
た記録面に大容量の情報を記憶させるために様々な高密
度化検討が行われている。
【０００３】従来、凹または凸状の案内溝がスパイラル
状または同心円状に形成された円盤状の基板表面上にス
パッタリングあるいは蒸着等の手法で、例えばＴｅーＧ
ｅーＳｂを主成分とした３元系の相変化型記録材料の薄
膜を形成し、その薄膜上に保護層を設けた光学式記録媒
体が知られている。この案内溝の幅は０．６マイクロメ
−タ、ピッチ１．５マイクロメ−タ程度である。
状または同心円状に形成された円盤状の基板表面上にス
パッタリングあるいは蒸着等の手法で、例えばＴｅーＧ
ｅーＳｂを主成分とした３元系の相変化型記録材料の薄
膜を形成し、その薄膜上に保護層を設けた光学式記録媒
体が知られている。この案内溝の幅は０．６マイクロメ
−タ、ピッチ１．５マイクロメ−タ程度である。
【０００４】相変化型記録材料は、加熱した後に徐冷す
ると結晶質となり、溶融した後に急冷すると非晶質とな
る性質を持っている。この性質を利用して、相変化型記
録媒体は結晶状態と非晶状態を可逆的に変化させ、フロ
ッピーディスクあるいはハードディスク等の磁気記録媒
体と同じように、同じ場所に何回でも情報を重ね書きで
きる。記録媒体上に情報を記録する場合、記録媒体を所
定の速度で回転させ、案内溝上に光ビームが位置するよ
うにトラッキング制御しながら、記録する信号に応じて
光ビームの強度を非晶化レベルと結晶化レベルの間で強
弱に変調して行う。例えば記録マークが非晶状態となる
ように記録する場合には、薄膜を溶融する程度の光量の
光ビームを照射して非晶状態のマークを形成し、記録マ
ーク以外の期間は溶融しない程度の光量の光ビームを照
射して結晶化する。従って、記録マーク以外の期間は、
以前の状態が非晶質であろうと結晶質であろうと結晶状
態となり、情報が既に記録されている場所であってもオ
ーバライトできる。
ると結晶質となり、溶融した後に急冷すると非晶質とな
る性質を持っている。この性質を利用して、相変化型記
録媒体は結晶状態と非晶状態を可逆的に変化させ、フロ
ッピーディスクあるいはハードディスク等の磁気記録媒
体と同じように、同じ場所に何回でも情報を重ね書きで
きる。記録媒体上に情報を記録する場合、記録媒体を所
定の速度で回転させ、案内溝上に光ビームが位置するよ
うにトラッキング制御しながら、記録する信号に応じて
光ビームの強度を非晶化レベルと結晶化レベルの間で強
弱に変調して行う。例えば記録マークが非晶状態となる
ように記録する場合には、薄膜を溶融する程度の光量の
光ビームを照射して非晶状態のマークを形成し、記録マ
ーク以外の期間は溶融しない程度の光量の光ビームを照
射して結晶化する。従って、記録マーク以外の期間は、
以前の状態が非晶質であろうと結晶質であろうと結晶状
態となり、情報が既に記録されている場所であってもオ
ーバライトできる。
【０００５】記録媒体上に記録されている情報を再生す
るには、非晶状態と結晶状態で反射率または透過率が異
なることを利用して行う。例えば、弱い一定の光ビーム
を照射し、記録媒体からの反射光を光検出器で受光し
て、反射光量の変化で情報の再生を行う。
るには、非晶状態と結晶状態で反射率または透過率が異
なることを利用して行う。例えば、弱い一定の光ビーム
を照射し、記録媒体からの反射光を光検出器で受光し
て、反射光量の変化で情報の再生を行う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の相
変化型記録媒体は、非晶質にするために記録材料を溶融
するので、同じ場所に何回も繰り返して情報を記録する
と材料の物質的な移動が徐々に進行し、情報が記録でき
なくなるという課題を有していた。
変化型記録媒体は、非晶質にするために記録材料を溶融
するので、同じ場所に何回も繰り返して情報を記録する
と材料の物質的な移動が徐々に進行し、情報が記録でき
なくなるという課題を有していた。
【０００７】本発明は上記問題点に鑑み、繰り返して同
じ場所に記録しても物質移動が少なく、繰り返し記録に
対して信頼性の高い光学式記録媒体を提供することであ
る。
じ場所に記録しても物質移動が少なく、繰り返し記録に
対して信頼性の高い光学式記録媒体を提供することであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の光学式記録媒体は、基板上に形成されている
凹凸状の溝を照射光ビームの回折限界よりも小さい空間
波長で蛇行させるあるいは溝幅を変化させるまたは溝深
さを変化させたものである。
に本発明の光学式記録媒体は、基板上に形成されている
凹凸状の溝を照射光ビームの回折限界よりも小さい空間
波長で蛇行させるあるいは溝幅を変化させるまたは溝深
さを変化させたものである。
【０００９】
【作用】本発明は上記した構成によって、照射光ビーム
の回折限界よりも小さい空間波長で溝を蛇行させるある
いは溝幅を変化させるまたは溝深さを変化させているの
で、記録材料の物質移動を止めることができ、繰り返し
回数が増大すると共に、照射光ビームの回折限界よりも
小さい空間波長の蛇行、溝幅変化あるいは溝深さ変化で
あるので再生信号に現れることはなく、良質な再生信号
を得ることができる。
の回折限界よりも小さい空間波長で溝を蛇行させるある
いは溝幅を変化させるまたは溝深さを変化させているの
で、記録材料の物質移動を止めることができ、繰り返し
回数が増大すると共に、照射光ビームの回折限界よりも
小さい空間波長の蛇行、溝幅変化あるいは溝深さ変化で
あるので再生信号に現れることはなく、良質な再生信号
を得ることができる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の一実施例の相変化型記録媒体に
ついて、図面を参照しながら説明する。
ついて、図面を参照しながら説明する。
【００１１】図２は本発明の実施例における相変化型記
録媒体の概観図を示したものである。図２（ａ）は記録
媒体１の平面図であり、２１はターンテーブルに記録媒
体１を取り付けるためのセンターホール、２２は溝が設
けられている領域を示している。
録媒体の概観図を示したものである。図２（ａ）は記録
媒体１の平面図であり、２１はターンテーブルに記録媒
体１を取り付けるためのセンターホール、２２は溝が設
けられている領域を示している。
【００１２】図２（ｂ）は図２（ａ）に示した一点鎖線
２３で切断した断面図である。ポリカーボネイト等の基
板２４の表面２５上には、幅約０．６マイクロメ−タ、
ピッチ約１．５マイクロメ−タのスパイラル状あるいは
同心円状の蛇行した溝が設けられている。また、この領
域には溝位置を識別するための番地信号が記録されてい
るが、本発明と直接関係しないので説明を省略する。記
録媒体１は、基板２４の表面２５上に、後に詳細に説明
する記録材料等の薄膜を形成し、さらに保護基板２６を
接着したものである。
２３で切断した断面図である。ポリカーボネイト等の基
板２４の表面２５上には、幅約０．６マイクロメ−タ、
ピッチ約１．５マイクロメ−タのスパイラル状あるいは
同心円状の蛇行した溝が設けられている。また、この領
域には溝位置を識別するための番地信号が記録されてい
るが、本発明と直接関係しないので説明を省略する。記
録媒体１は、基板２４の表面２５上に、後に詳細に説明
する記録材料等の薄膜を形成し、さらに保護基板２６を
接着したものである。
【００１３】図３は、図２（ｂ）の断面図に示した破線
枠２７の部分を拡大した図であり、実際には基板２４の
厚さ約１．２ｍｍに対して記録材料等の薄膜の厚さはそ
の千分の１あるいは一万分の１程度であるが、説明を容
易にするために誇張して描かれている。基板２４の表面
上には３１のような溝が設けられている。溝３１の深さ
は光ビームの波長をλ、基板の屈折率をｎとすると約λ
／８ｎである。記録媒体１は、基板２４、基板２４の表
面に形成されている溝３１上に設けられているＳｉＯ2
等の保護層３２、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂの３元素より成る記
録層３３、ＳｉＯ2 等の保護層３４、Ａｌ合金等の反射
層３５、接着するための接着剤３６及び保護基板２６よ
り構成されている。
枠２７の部分を拡大した図であり、実際には基板２４の
厚さ約１．２ｍｍに対して記録材料等の薄膜の厚さはそ
の千分の１あるいは一万分の１程度であるが、説明を容
易にするために誇張して描かれている。基板２４の表面
上には３１のような溝が設けられている。溝３１の深さ
は光ビームの波長をλ、基板の屈折率をｎとすると約λ
／８ｎである。記録媒体１は、基板２４、基板２４の表
面に形成されている溝３１上に設けられているＳｉＯ2
等の保護層３２、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂの３元素より成る記
録層３３、ＳｉＯ2 等の保護層３４、Ａｌ合金等の反射
層３５、接着するための接着剤３６及び保護基板２６よ
り構成されている。
【００１４】記録媒体１上に情報を記録するには、光ビ
ームを矢印３７の方向より入射して溝３１上に光ビーム
が位置するようにトラッキング制御しながら、記録する
情報に応じて光ビームの強度を変調し、溝３１上の記録
層３３に記録する。この時、記録層の温度は瞬時ではあ
るが数百度Ｃにもなり、この温度上昇による基板２４の
変形あるいは破損等を防ぐために保護層３２が設けられ
ている。
ームを矢印３７の方向より入射して溝３１上に光ビーム
が位置するようにトラッキング制御しながら、記録する
情報に応じて光ビームの強度を変調し、溝３１上の記録
層３３に記録する。この時、記録層の温度は瞬時ではあ
るが数百度Ｃにもなり、この温度上昇による基板２４の
変形あるいは破損等を防ぐために保護層３２が設けられ
ている。
【００１５】また、記録時に記録材料は溶融するが、保
護層３２と３４で挟み込むことにより物質移動を防止し
ている。さらに保護層３２と３４は酸化による記録材料
の劣化を防止する役割も果たしている。反射膜３５は、
記録層３３を透過した光ビームを反射させ、再び記録層
３３に照射するために設けられている。反射光を記録層
３３に照射させると、光ビームの記録エネルギーを有効
に活用することができ、少ない光量の光ビームで情報を
記録することができる。
護層３２と３４で挟み込むことにより物質移動を防止し
ている。さらに保護層３２と３４は酸化による記録材料
の劣化を防止する役割も果たしている。反射膜３５は、
記録層３３を透過した光ビームを反射させ、再び記録層
３３に照射するために設けられている。反射光を記録層
３３に照射させると、光ビームの記録エネルギーを有効
に活用することができ、少ない光量の光ビームで情報を
記録することができる。
【００１６】図１は図２（ａ）の平面図に示した破線枠
２８の部分を拡大した図であり、２は溝と溝の間の溝
間、一点鎖線３は溝のセンターを示している。Ｗ1は溝
３１の幅、Ｗ2は溝間２の幅、ＰTは溝ピッチを示してい
る。溝３１は蛇行しており、λ 1は蛇行の空間波長、Ｗ0
は蛇行量を示している。記録媒体１上に収束して照射し
ている光ビームでは識別できないようにするために、蛇
行の空間波長λ1の値は光ビームの回折限界すなわち読
み取り最小分解能よりも小さい値に設定している。ここ
で言う回折限界とは、光ビームの波長をλ、開口率をＮ
Ａとしたときに、λ／２ＮＡで表記される長さを言う。
また、記録マークが溝３１上の記録層３３に正しく形成
されるために、蛇行量Ｗ0は溝幅Ｗ1の１／２以下にする
ことが望ましい。
２８の部分を拡大した図であり、２は溝と溝の間の溝
間、一点鎖線３は溝のセンターを示している。Ｗ1は溝
３１の幅、Ｗ2は溝間２の幅、ＰTは溝ピッチを示してい
る。溝３１は蛇行しており、λ 1は蛇行の空間波長、Ｗ0
は蛇行量を示している。記録媒体１上に収束して照射し
ている光ビームでは識別できないようにするために、蛇
行の空間波長λ1の値は光ビームの回折限界すなわち読
み取り最小分解能よりも小さい値に設定している。ここ
で言う回折限界とは、光ビームの波長をλ、開口率をＮ
Ａとしたときに、λ／２ＮＡで表記される長さを言う。
また、記録マークが溝３１上の記録層３３に正しく形成
されるために、蛇行量Ｗ0は溝幅Ｗ1の１／２以下にする
ことが望ましい。
【００１７】前述したように、記録媒体１上に情報を記
録する場合、記録媒体１を所定の速度で回転させ、溝３
１上に光ビームが位置するようにトラッキング制御しな
がら、記録する信号に応じて光ビームの強度を結晶化レ
ベルと非晶化レベルの間で強弱に変調して行う。この
時、非晶化レベルの光量で図３に示した記録層３３が溶
融するが、図１に示すように溝３１を蛇行させているの
で、同じ場所に繰り返して記録した時の記録材料の物質
移動を低減させることができ、繰り返し記録に対する信
頼性が著しく向上する。
録する場合、記録媒体１を所定の速度で回転させ、溝３
１上に光ビームが位置するようにトラッキング制御しな
がら、記録する信号に応じて光ビームの強度を結晶化レ
ベルと非晶化レベルの間で強弱に変調して行う。この
時、非晶化レベルの光量で図３に示した記録層３３が溶
融するが、図１に示すように溝３１を蛇行させているの
で、同じ場所に繰り返して記録した時の記録材料の物質
移動を低減させることができ、繰り返し記録に対する信
頼性が著しく向上する。
【００１８】本発明の相変化型記録媒体を適応する装置
に関して図４を参照しながら簡単に説明する。
に関して図４を参照しながら簡単に説明する。
【００１９】図４において、記録媒体１はモ−タ４１の
回転軸に取り付けられて所定の回転数で回転されてい
る。半導体レ−ザ等の光源４２より発生した光ビ−ム
は、カップリングレンズ４３で平行光にされた後に、偏
光ビ−ムスプリッタ−４４、１／４波長板４５を通過
し、全反射鏡４６で反射され、収束レンズ４７により記
録媒体１上に収束して照射されている。記録媒体１によ
り反射された反射光は、収束レンズ４７を通過して全反
射鏡４６で反射され、１／４波長板４５を通過した後に
偏光ビ−ムスプリッタ−４４で反射され、光検出器４８
上に照射される。収束レンズ４７はアクチュエ−タ４９
の可動部に取り付けられている。
回転軸に取り付けられて所定の回転数で回転されてい
る。半導体レ−ザ等の光源４２より発生した光ビ−ム
は、カップリングレンズ４３で平行光にされた後に、偏
光ビ−ムスプリッタ−４４、１／４波長板４５を通過
し、全反射鏡４６で反射され、収束レンズ４７により記
録媒体１上に収束して照射されている。記録媒体１によ
り反射された反射光は、収束レンズ４７を通過して全反
射鏡４６で反射され、１／４波長板４５を通過した後に
偏光ビ−ムスプリッタ−４４で反射され、光検出器４８
上に照射される。収束レンズ４７はアクチュエ−タ４９
の可動部に取り付けられている。
【００２０】アクチュエ−タ４９は可動部に設けられて
いるトラッキング用のコイルと固定部に取り付けられて
いる永久磁石より構成されている。従ってこのコイルに
電流を流すと、コイルが受ける電気磁気力によって収束
レンズ４７は記録媒体１の半径方向、すなわち記録媒体
１上の溝を横切るように移動する。また、アクチュエ−
タの可動部にはフォ−カス用のコイルも取り付けられて
おり、このコイルに電流を流すとコイルが受ける電気磁
気力によって収束レンズ４７は記録媒体１の面と垂直な
方向に移動できるように構成されている。収束レンズ４
７は記録媒体１上に照射されている光ビ−ムが常に所定
の収束状態となるようにフォ−カス制御されている。
いるトラッキング用のコイルと固定部に取り付けられて
いる永久磁石より構成されている。従ってこのコイルに
電流を流すと、コイルが受ける電気磁気力によって収束
レンズ４７は記録媒体１の半径方向、すなわち記録媒体
１上の溝を横切るように移動する。また、アクチュエ−
タの可動部にはフォ−カス用のコイルも取り付けられて
おり、このコイルに電流を流すとコイルが受ける電気磁
気力によって収束レンズ４７は記録媒体１の面と垂直な
方向に移動できるように構成されている。収束レンズ４
７は記録媒体１上に照射されている光ビ−ムが常に所定
の収束状態となるようにフォ−カス制御されている。
【００２１】移送台５０には、光源４２、カップリング
レンズ４３、偏光ビ−ムスプリッタ−４４、１／４波長
板４５、全反射鏡４６、光検出器４８及びアクチュエ−
タ４９の固定部が取り付けられており、移送台５０はリ
ニアモータ５１によって記録媒体１の半径方向に移動す
るように構成されている。光検出器４８は２分割構造に
なっており、この出力は電流を電圧に変換するＩ／Ｖ変
換器５２、５３にそれぞれ入力されている。Ｉ／Ｖ変換
器５２、５３の出力信号は差動増幅器５４に入力されて
おり、差動増幅器５４は両信号の差に応じた信号を出力
する。この差動増幅器５４の出力信号は、記録媒体１上
に収束されている光ビ−ムと溝の位置ずれを表わす信
号、即ちトラックずれ信号である。
レンズ４３、偏光ビ−ムスプリッタ−４４、１／４波長
板４５、全反射鏡４６、光検出器４８及びアクチュエ−
タ４９の固定部が取り付けられており、移送台５０はリ
ニアモータ５１によって記録媒体１の半径方向に移動す
るように構成されている。光検出器４８は２分割構造に
なっており、この出力は電流を電圧に変換するＩ／Ｖ変
換器５２、５３にそれぞれ入力されている。Ｉ／Ｖ変換
器５２、５３の出力信号は差動増幅器５４に入力されて
おり、差動増幅器５４は両信号の差に応じた信号を出力
する。この差動増幅器５４の出力信号は、記録媒体１上
に収束されている光ビ−ムと溝の位置ずれを表わす信
号、即ちトラックずれ信号である。
【００２２】差動増幅器５４の信号は、トラッキング制
御系の位相を補償するための位相補償回路５５及び電力
増幅するための駆動回路５６を介してアクチュエ−タ４
９のトラッキング用コイルに加えられ、記録媒体１上に
収束されている光ビ−ムが常に溝上に位置するようにト
ラッキング制御されている。また、差動増幅器５４の信
号は、位相補償回路５５、５７及び電力増幅するための
駆動回路５８を介してリニアモータ５１に加えられ、収
束レンズ４７が自然の状態を中心に移動するように移送
制御されている。５９は加算回路であり、Ｉ／Ｖ変換器
５２と５３の信号を加算した信号を出力する。この加算
回路５９は、非晶状態と結晶状態の反射率の差に応じた
信号を出力し、この信号より記録媒体１上に記録されて
いる情報を読み取る。
御系の位相を補償するための位相補償回路５５及び電力
増幅するための駆動回路５６を介してアクチュエ−タ４
９のトラッキング用コイルに加えられ、記録媒体１上に
収束されている光ビ−ムが常に溝上に位置するようにト
ラッキング制御されている。また、差動増幅器５４の信
号は、位相補償回路５５、５７及び電力増幅するための
駆動回路５８を介してリニアモータ５１に加えられ、収
束レンズ４７が自然の状態を中心に移動するように移送
制御されている。５９は加算回路であり、Ｉ／Ｖ変換器
５２と５３の信号を加算した信号を出力する。この加算
回路５９は、非晶状態と結晶状態の反射率の差に応じた
信号を出力し、この信号より記録媒体１上に記録されて
いる情報を読み取る。
【００２３】情報を記録する場合に、光源４２より発生
する光ビームの強度を記録する情報に応じて変調する
が、これについて図５と共に説明する。図５は、縦軸を
光ビームの光量、横軸を時間として表したものであり、
Ｐ0は記録媒体１上に記録されている情報を読み取る時
の再生光量、Ｐ1は相変化材料を結晶状態にする結晶化
光量、Ｐ2は相変化材料を非晶状態にする非晶化光量で
ある。非晶化光量Ｐ2が照射された部分の記録材料は溶
融して、照射以前の状態が結晶状態であろうと非晶状態
であろうと非晶状態となる。また、結晶化光量Ｐ1が照
射された部分の記録材料は、照射以前の状態が結晶状態
であろうと非晶状態であろうと結晶状態となる。 な
お、図１に示されている溝３１の蛇行は三角状の形状で
表されているが、どのような形状であってもよく、例え
ば正弦波状、矩形波状であっても同様の効果がある。
する光ビームの強度を記録する情報に応じて変調する
が、これについて図５と共に説明する。図５は、縦軸を
光ビームの光量、横軸を時間として表したものであり、
Ｐ0は記録媒体１上に記録されている情報を読み取る時
の再生光量、Ｐ1は相変化材料を結晶状態にする結晶化
光量、Ｐ2は相変化材料を非晶状態にする非晶化光量で
ある。非晶化光量Ｐ2が照射された部分の記録材料は溶
融して、照射以前の状態が結晶状態であろうと非晶状態
であろうと非晶状態となる。また、結晶化光量Ｐ1が照
射された部分の記録材料は、照射以前の状態が結晶状態
であろうと非晶状態であろうと結晶状態となる。 な
お、図１に示されている溝３１の蛇行は三角状の形状で
表されているが、どのような形状であってもよく、例え
ば正弦波状、矩形波状であっても同様の効果がある。
【００２４】以下本発明の第２の実施例について図６を
参照しながら説明する。図６は本発明の相変化型記録媒
体の第２の実施例の平面拡大図である。６１は幅が空間
波長λ1で変化している溝、６２は溝と溝の間の溝間を
示している。Ｗ3は溝６１の幅の最小幅、Ｗ4は溝６１の
幅の最大幅、Ｗ5は溝間６２の平均的な幅、Ｗ6は溝６１
の平均的な幅を示している。溝６１の幅変化の空間波長
λ1は、図１と同様に記録媒体１上に収束して照射して
いる光ビームでは識別できないようにするために、光ビ
ームの回折限界よりも小さい値に設定している。
参照しながら説明する。図６は本発明の相変化型記録媒
体の第２の実施例の平面拡大図である。６１は幅が空間
波長λ1で変化している溝、６２は溝と溝の間の溝間を
示している。Ｗ3は溝６１の幅の最小幅、Ｗ4は溝６１の
幅の最大幅、Ｗ5は溝間６２の平均的な幅、Ｗ6は溝６１
の平均的な幅を示している。溝６１の幅変化の空間波長
λ1は、図１と同様に記録媒体１上に収束して照射して
いる光ビームでは識別できないようにするために、光ビ
ームの回折限界よりも小さい値に設定している。
【００２５】前述したように、記録媒体１上に情報を記
録する場合、記録媒体１を所定の速度で回転させ、溝６
１上に光ビームが位置するようにトラッキング制御しな
がら、記録する信号に応じて光ビームの強度を結晶化レ
ベルと非晶化レベルの間で強弱に変調して行う。この
時、非晶化レベルの光量で記録材料が溶融するが、図６
に示すように溝６１の幅が変化しているもで、同じ場所
に繰り返して記録した時の記録材料の物質移動を低減さ
せることができ、繰り返し記録に対する信頼性が著しく
向上する。
録する場合、記録媒体１を所定の速度で回転させ、溝６
１上に光ビームが位置するようにトラッキング制御しな
がら、記録する信号に応じて光ビームの強度を結晶化レ
ベルと非晶化レベルの間で強弱に変調して行う。この
時、非晶化レベルの光量で記録材料が溶融するが、図６
に示すように溝６１の幅が変化しているもで、同じ場所
に繰り返して記録した時の記録材料の物質移動を低減さ
せることができ、繰り返し記録に対する信頼性が著しく
向上する。
【００２６】なお、図６に示されている溝６１は幅が三
角状の形状で変化するように表されているが、どのよう
な形状であってもよく、例えば正弦波状、矩形波状であ
っても同様の効果が得られる。
角状の形状で変化するように表されているが、どのよう
な形状であってもよく、例えば正弦波状、矩形波状であ
っても同様の効果が得られる。
【００２７】以下本発明の第３の実施例について図７を
参照しながら説明する。図７（ａ）は基板２４の溝形状
の拡大図であり、溝７１の深さを三角波状に変化させて
いる。７２は溝と溝の間の溝間を示している。図７
（ｂ）は基板２４を溝に沿って切断した時の断面図であ
り、溝７１の深さは空間波長λ1で変化している。Ｄ1は
溝の深さの最小値、Ｄ2は溝の深さの最大値、Ｄ0は溝深
さの平均値を示している。溝７１の深さの変化の空間波
長λ1は、図１と同様に記録媒体１上に収束して照射し
ている光ビームでは識別できないようにするために、光
ビームの回折限界よりも小さい値に設定している。ま
た、平均的な溝ふかさＤ0の値は、良質なトラックずれ
信号を得るためにλ／８ｎにすることが望ましい。
参照しながら説明する。図７（ａ）は基板２４の溝形状
の拡大図であり、溝７１の深さを三角波状に変化させて
いる。７２は溝と溝の間の溝間を示している。図７
（ｂ）は基板２４を溝に沿って切断した時の断面図であ
り、溝７１の深さは空間波長λ1で変化している。Ｄ1は
溝の深さの最小値、Ｄ2は溝の深さの最大値、Ｄ0は溝深
さの平均値を示している。溝７１の深さの変化の空間波
長λ1は、図１と同様に記録媒体１上に収束して照射し
ている光ビームでは識別できないようにするために、光
ビームの回折限界よりも小さい値に設定している。ま
た、平均的な溝ふかさＤ0の値は、良質なトラックずれ
信号を得るためにλ／８ｎにすることが望ましい。
【００２８】図７に示した基板２４の溝上に、図３に示
した保護層３２、記録層３３、保護層３４、反射層３５
を形成し、保護基板２６と反射層３５を接着して相変化
型記録媒体を構成すれば、溝７１の深さが変化している
もで、同じ場所に繰り返して記録した時の記録材料の物
質移動を低減させることができ、繰り返し記録に対する
信頼性が著しく向上する。
した保護層３２、記録層３３、保護層３４、反射層３５
を形成し、保護基板２６と反射層３５を接着して相変化
型記録媒体を構成すれば、溝７１の深さが変化している
もで、同じ場所に繰り返して記録した時の記録材料の物
質移動を低減させることができ、繰り返し記録に対する
信頼性が著しく向上する。
【００２９】なお、図７に示されている溝７１は深さが
三角状の形状で変化するように表されているが、どのよ
うな形状であってもよく、例えば正弦波状、矩形波状で
あっても同様の効果が得られる。
三角状の形状で変化するように表されているが、どのよ
うな形状であってもよく、例えば正弦波状、矩形波状で
あっても同様の効果が得られる。
【００３０】以上本発明を詳細に説明したが、本発明は
実施例により何等制限されるものではない。例えば、溝
を蛇行させると共に深さも変化させても良いし、溝幅を
変化させると共に深さも変化させてもよい。
実施例により何等制限されるものではない。例えば、溝
を蛇行させると共に深さも変化させても良いし、溝幅を
変化させると共に深さも変化させてもよい。
【００３１】また、本発明は光ビームで記録材料を溶融
させて記録する全ての記録媒体に適応できるものであ
り、溶融して結晶化させる相変化記録媒体にも適応でき
ることは言うまでもない。
させて記録する全ての記録媒体に適応できるものであ
り、溶融して結晶化させる相変化記録媒体にも適応でき
ることは言うまでもない。
【００３２】
【発明の効果】以上のように本発明は、照射光ビームの
回折限界よりも小さい空間波長で溝を蛇行させるあるい
は溝幅を変化させるまたは溝深さを変化させているの
で、相変化型記録材料の物質移動を止めることができ、
繰り返し回数が増大すると共に、照射光ビームの回折限
界よりも小さい空間波長で蛇行させあるいは溝幅を変化
させまたは溝深さを変化させているので再生信号に現れ
ることはなく、良質な再生信号を得ることができる。ま
た、ポリカーボネイトの熱伝導度は相変化材料のそれよ
りも小さく、本発明を適応すれば光ビームによる熱を封
じ込めることができるので、小さな記録マークが形成で
き、従って高密度に情報を記録することもできる。
回折限界よりも小さい空間波長で溝を蛇行させるあるい
は溝幅を変化させるまたは溝深さを変化させているの
で、相変化型記録材料の物質移動を止めることができ、
繰り返し回数が増大すると共に、照射光ビームの回折限
界よりも小さい空間波長で蛇行させあるいは溝幅を変化
させまたは溝深さを変化させているので再生信号に現れ
ることはなく、良質な再生信号を得ることができる。ま
た、ポリカーボネイトの熱伝導度は相変化材料のそれよ
りも小さく、本発明を適応すれば光ビームによる熱を封
じ込めることができるので、小さな記録マークが形成で
き、従って高密度に情報を記録することもできる。
【図１】本発明の第１の実施例における相変化記録媒体
の平面拡大図
の平面拡大図
【図２】（ａ）は同実施例における記録媒体の概観を説
明のための平面図 （ｂ）は同実施例における記録媒体の概観を説明のため
の断面図
明のための平面図 （ｂ）は同実施例における記録媒体の概観を説明のため
の断面図
【図３】同実施例における記録媒体の拡大断面図
【図４】本発明の記録媒体を適用するに好適な装置の概
略構成図
略構成図
【図５】本発明の記録媒体に情報を記録する際の光ビー
ムの光量波形図
ムの光量波形図
【図６】本発明の第２の実施例における相変化記録媒体
の平面拡大図
の平面拡大図
【図７】（ａ）は本発明の第３の実施例における基板の
拡大立体図 （ｂ）は同実施例における溝に沿って基板を切断した拡
大断面図
拡大立体図 （ｂ）は同実施例における溝に沿って基板を切断した拡
大断面図
１ 相変化記録媒体 ２ 溝間 ３ 溝センター ３１ 溝
Claims (10)
- 【請求項１】凹凸状の溝を有する基板上に溶融させて情
報を記録する記録薄膜を形成し、前記記録薄膜上に微小
に絞られた光ビームを照射して溝に沿って情報を記録し
て再生するように構成された記録媒体において、前記溝
を照射光ビームの回折限界よりも小さい空間波長で蛇行
させたことを特徴とする光学式記録媒体。 - 【請求項２】溝の蛇行量を溝幅の１／２よりも小さくし
たことを特徴とする請求項１に記載の光学式記録媒体。 - 【請求項３】照射光ビームの波長をλ、基板の屈折率を
ｎとすると、溝深さを略λ／８ｎとしたことを特徴とす
る請求項１に記載の光学式記録媒体。 - 【請求項４】溝の蛇行の空間波長を一定としたことを特
徴とする請求項１に記載の光学式記録媒体。 - 【請求項５】凹凸状の溝を有する基板上に溶融させて情
報を記録する記録薄膜を形成し、前記記録薄膜上に微小
に絞られた光ビームを照射して溝に沿って情報を記録し
て再生するように構成された記録媒体において、前記溝
幅を照射光ビームの回折限界よりも小さい空間波長で変
化させたことを特徴とする光学式記録媒体。 - 【請求項６】照射光ビームの波長をλ、基板の屈折率を
ｎとすると、溝深さを略λ／８ｎとしたことを特徴とす
る請求項５に記載の光学式記録媒体。 - 【請求項７】溝幅の変化の空間波長を一定としたことを
特徴とする請求項５に記載の光学式記録媒体。 - 【請求項８】凹凸状の溝を有する基板上に溶融させて情
報を記録する記録薄膜を形成し、前記記録薄膜上に微小
に絞られた光ビームを照射して溝に沿って情報を記録し
て再生するように構成された記録媒体において、前記溝
深さを照射光ビームの回折限界よりも小さい空間波長で
変化させたことを特徴とする光学式記録媒体。 - 【請求項９】照射光ビームの波長をλ、基板の屈折率を
ｎとすると、溝の平均的深さを略λ／８ｎとしたことを
特徴とする請求項８に記載の光学式記録媒体。 - 【請求項１０】溝深さ変化の空間波長を一定としたこと
を特徴とする請求項１に記載の光学式記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3255028A JPH05101447A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 光学式記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3255028A JPH05101447A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 光学式記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05101447A true JPH05101447A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17273180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3255028A Pending JPH05101447A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 光学式記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05101447A (ja) |
-
1991
- 1991-10-02 JP JP3255028A patent/JPH05101447A/ja active Pending
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