JPH05101472A - 光磁気記録再生方式 - Google Patents
光磁気記録再生方式Info
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- JPH05101472A JPH05101472A JP3262364A JP26236491A JPH05101472A JP H05101472 A JPH05101472 A JP H05101472A JP 3262364 A JP3262364 A JP 3262364A JP 26236491 A JP26236491 A JP 26236491A JP H05101472 A JPH05101472 A JP H05101472A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10506—Recording by modulating only the light beam of the transducer
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- G11B11/10515—Reproducing
Abstract
(57)【要約】
【目的】 超解像度再生と記録消去過程を採らない光磁
気記録とを行うことができるようにする。 【構成】 少なくとも再生層１と、メモリ層２と、記録
層３を有する光磁気記録媒体５に対する情報の記録を低
光強度照射で、再生層１と、メモリ層２とに、記録層３
の磁化状態を転写し、高光強度照射で外部記録磁界によ
って再生層１と、メモリ層２と、記録層３の３層を磁化
する記録方法をとり、記録情報の再生は、再生光スポッ
ト内における温度分布による高温領域において限定的に
メモリ層の情報を再生層１に転写しながら読み出す。
気記録とを行うことができるようにする。 【構成】 少なくとも再生層１と、メモリ層２と、記録
層３を有する光磁気記録媒体５に対する情報の記録を低
光強度照射で、再生層１と、メモリ層２とに、記録層３
の磁化状態を転写し、高光強度照射で外部記録磁界によ
って再生層１と、メモリ層２と、記録層３の３層を磁化
する記録方法をとり、記録情報の再生は、再生光スポッ
ト内における温度分布による高温領域において限定的に
メモリ層の情報を再生層１に転写しながら読み出す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録再生方式に
係わる。
係わる。
【０００２】
【従来の技術】光照射、例えばレーザ光照射によって情
報記録ピット即ちバブル磁区を形成し、この記録情報を
光磁気相互作用、即ちカー効果或いはファラデー効果に
よって読み出す光磁気記録再生方式による場合、その記
録密度を上げるには、記録ピットの微小化をはかること
になるが、この場合、その再生時の解像度は、その読み
出し光の波長λと、対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．によっ
て決まる。
報記録ピット即ちバブル磁区を形成し、この記録情報を
光磁気相互作用、即ちカー効果或いはファラデー効果に
よって読み出す光磁気記録再生方式による場合、その記
録密度を上げるには、記録ピットの微小化をはかること
になるが、この場合、その再生時の解像度は、その読み
出し光の波長λと、対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．によっ
て決まる。
【０００３】このような制約を超えて解像度の向上をは
かるもの（以下これを超解像という）として、本出願人
の出願に係る特開平３−９３０５８号において例えば再
生層と記録層の積層による多層磁性膜構造を有する光磁
気記録媒体を用い、これに記録された情報の読み出し
を、その読み出し光の光磁気記録媒体との相対的移行に
基づく媒体の読み出し光スポット内の温度分布を利用し
て、光スポット内での更に局部的な高温領域でのみ限定
的に、記録層の情報ピット即ち記録磁化を再生層に転写
してこれを読み出すという（以下この方法をＲＡＤ−Ｍ
ＳＲという）方法を採るものである。ところが、この場
合、その記録に関しては、特段の考慮がなされていてい
ないものであり、このため通常一般の方法が採られれ
ば、先に書き込まれている記録を一旦消去するという過
程を採ることになって再記録の所要時間、装置の複雑性
に問題が生じて来る。
かるもの（以下これを超解像という）として、本出願人
の出願に係る特開平３−９３０５８号において例えば再
生層と記録層の積層による多層磁性膜構造を有する光磁
気記録媒体を用い、これに記録された情報の読み出し
を、その読み出し光の光磁気記録媒体との相対的移行に
基づく媒体の読み出し光スポット内の温度分布を利用し
て、光スポット内での更に局部的な高温領域でのみ限定
的に、記録層の情報ピット即ち記録磁化を再生層に転写
してこれを読み出すという（以下この方法をＲＡＤ−Ｍ
ＳＲという）方法を採るものである。ところが、この場
合、その記録に関しては、特段の考慮がなされていてい
ないものであり、このため通常一般の方法が採られれ
ば、先に書き込まれている記録を一旦消去するという過
程を採ることになって再記録の所要時間、装置の複雑性
に問題が生じて来る。
【０００４】即ち、光磁気記録における情報の記録、即
ち情報ピット（磁区）の形成は、磁気記録媒体に対し、
磁化の方向を磁性膜面に垂直な一方向に予め揃える消去
作業を必要とし、この磁化方向と反対向きの垂直磁化を
有する情報ビットをレーザ光照射等の局部的加熱により
形成することによって、２値化された情報記録を行って
いる。
ち情報ピット（磁区）の形成は、磁気記録媒体に対し、
磁化の方向を磁性膜面に垂直な一方向に予め揃える消去
作業を必要とし、この磁化方向と反対向きの垂直磁化を
有する情報ビットをレーザ光照射等の局部的加熱により
形成することによって、２値化された情報記録を行って
いる。
【０００５】この光磁気記録方法では、情報の書き換え
に先立って先に記録された情報の消去過程を要すること
から、短時間での情報の書き換えが実現できない。
に先立って先に記録された情報の消去過程を要すること
から、短時間での情報の書き換えが実現できない。
【０００６】これに対し、このような独立の消去過程が
不要の記録方法いわゆるオーバーライトの提案もなされ
ている。
不要の記録方法いわゆるオーバーライトの提案もなされ
ている。
【０００７】このオーバーライトによる記録方法の中で
有望視されている方法は、例えば媒体に対する外部磁場
の極性を情報信号に応じて切換反転する外部磁場変調法
と、記録用のヘッドの他に消去用のヘッドを設ける２ヘ
ッド法とが知られている。
有望視されている方法は、例えば媒体に対する外部磁場
の極性を情報信号に応じて切換反転する外部磁場変調法
と、記録用のヘッドの他に消去用のヘッドを設ける２ヘ
ッド法とが知られている。
【０００８】外部磁場変調法とは、例えば特開昭６０−
４８８０６号公報等に開示されているように、膜面に垂
直な磁化容易軸を有する非晶質フェリ磁性薄膜記録媒体
に対する昇温用ビームの照射領域に入力デジタル信号の
状態に対応する極性の磁場を印加することにより記録を
行うものである。
４８８０６号公報等に開示されているように、膜面に垂
直な磁化容易軸を有する非晶質フェリ磁性薄膜記録媒体
に対する昇温用ビームの照射領域に入力デジタル信号の
状態に対応する極性の磁場を印加することにより記録を
行うものである。
【０００９】ところがこのような外部磁場変調法によっ
て情報転送レートの高い高速記録を行おうとすると、例
えばＭＨｚオーダで動作する電磁石が必要となり、この
ような電磁石の作製は困難であるのみならず、仮にこれ
が作製できたとしても消費電力及び発熱が大きく実用的
でない。
て情報転送レートの高い高速記録を行おうとすると、例
えばＭＨｚオーダで動作する電磁石が必要となり、この
ような電磁石の作製は困難であるのみならず、仮にこれ
が作製できたとしても消費電力及び発熱が大きく実用的
でない。
【００１０】また、２ヘッド法によるときは、余分なヘ
ッドを必要とし、２つのヘッドを離して設置しなければ
ならず、ドライブシステムへの負担が大きく、経済性が
悪く、量産性にも向かない等の欠点を有している。
ッドを必要とし、２つのヘッドを離して設置しなければ
ならず、ドライブシステムへの負担が大きく、経済性が
悪く、量産性にも向かない等の欠点を有している。
【００１１】このような問題点を解決するものとして、
先に書き込まれた記録上に、次の情報を書き換えるいわ
ゆるオーバーライトを行うことのできる記録方法の提案
もなされているところである。
先に書き込まれた記録上に、次の情報を書き換えるいわ
ゆるオーバーライトを行うことのできる記録方法の提案
もなされているところである。
【００１２】このオーバーライトによる記録方法として
は、例えば本出願人の出願に係る特開昭６３−５２３５
４号に提案されている。
は、例えば本出願人の出願に係る特開昭６３−５２３５
４号に提案されている。
【００１３】この記録方法では、上述の再生層のキュリ
ー温度ＴC1以上でかつ記録層の磁気モーメントに反転を
生じない温度Ｔ1 に加熱する第１の加熱状態と、上記温
度Ｔ C1以上でかつ上記記録層の磁気モーメントを反転さ
せるのに充分な温度Ｔ2 に加熱する第２の加熱状態と
を、記録しようとする情報信号に応じて生じさせるよう
に記録光を記録情報に応じて光強度変調して熱（光）磁
気記録媒体を加熱し、上記それぞれの加熱状態からの冷
却過程で２種の磁化状態を形成して２値情報の記録を行
うものである。
ー温度ＴC1以上でかつ記録層の磁気モーメントに反転を
生じない温度Ｔ1 に加熱する第１の加熱状態と、上記温
度Ｔ C1以上でかつ上記記録層の磁気モーメントを反転さ
せるのに充分な温度Ｔ2 に加熱する第２の加熱状態と
を、記録しようとする情報信号に応じて生じさせるよう
に記録光を記録情報に応じて光強度変調して熱（光）磁
気記録媒体を加熱し、上記それぞれの加熱状態からの冷
却過程で２種の磁化状態を形成して２値情報の記録を行
うものである。
【００１４】この記録方法によれば、記録光、例えばレ
ーザ光を記録情報に応じて光強度変調することでオーバ
ーライトが可能である。
ーザ光を記録情報に応じて光強度変調することでオーバ
ーライトが可能である。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述のＲＡ
Ｄ−ＭＳＲによる再生態様を採り、記録については、オ
ーバーライト方式を採ることによって、超解像再生と能
率の良い記録を行うことができるようにし、特に両記録
及び再生を合理的に、つまり簡易な構成を採って行うこ
とができるようにする。
Ｄ−ＭＳＲによる再生態様を採り、記録については、オ
ーバーライト方式を採ることによって、超解像再生と能
率の良い記録を行うことができるようにし、特に両記録
及び再生を合理的に、つまり簡易な構成を採って行うこ
とができるようにする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明においては、図１
に略線的断面図を示すように、少なくとも再生層１と、
メモリ層２と、記録層３の各層が順次磁気的に結合して
積層された多層磁性膜４を有する磁気記録媒体５が用い
られる。
に略線的断面図を示すように、少なくとも再生層１と、
メモリ層２と、記録層３の各層が順次磁気的に結合して
積層された多層磁性膜４を有する磁気記録媒体５が用い
られる。
【００１７】そして、この光磁気記録媒体５に対する情
報の記録は、光強度変調記録を採り、低光強度照射で、
再生層１とメモリ層２とが、記録層３の磁化状態の転写
による磁化によって行う第１の記録と、高光強度照射
で、再生層１とメモリ層２と記録層３の３層の磁化を外
部記録磁界によって行う第２の記録とによりなす。
報の記録は、光強度変調記録を採り、低光強度照射で、
再生層１とメモリ層２とが、記録層３の磁化状態の転写
による磁化によって行う第１の記録と、高光強度照射
で、再生層１とメモリ層２と記録層３の３層の磁化を外
部記録磁界によって行う第２の記録とによりなす。
【００１８】そして、記録情報の再生は、再生光スポッ
ト内における温度分布による高温領域において限定的に
メモリ層２の情報を再生層１に転写しながらその読み出
しを行う。
ト内における温度分布による高温領域において限定的に
メモリ層２の情報を再生層１に転写しながらその読み出
しを行う。
【００１９】
【作用】本発明方式では、情報の再生を読み出し光のス
ポット内の一部で行うので超解像再生が可能となり、そ
の情報記録は、記録光の光強度変調による２値の光強
度、即ち２値の加熱温度Ｔ1 及びＴ2 によって、記録層
３の磁化を再生層１及びメモリ層２に転写する態様によ
る第１の記録と、再生層１メモリ層２及び記録層３を記
録外部磁場によって磁化する第２の記録によることによ
ってオーバーライトが可能となる。
ポット内の一部で行うので超解像再生が可能となり、そ
の情報記録は、記録光の光強度変調による２値の光強
度、即ち２値の加熱温度Ｔ1 及びＴ2 によって、記録層
３の磁化を再生層１及びメモリ層２に転写する態様によ
る第１の記録と、再生層１メモリ層２及び記録層３を記
録外部磁場によって磁化する第２の記録によることによ
ってオーバーライトが可能となる。
【００２０】
【実施例】本発明方式の実施例を説明する。先ず、図１
を参照してこの一実施例に用いる光磁気記録媒体５につ
いて説明する。
を参照してこの一実施例に用いる光磁気記録媒体５につ
いて説明する。
【００２１】この光磁気記録媒体５は、例えば透明基板
６上に、誘電体膜７、多層磁性膜４、保護膜８が順次被
着されて成る。
６上に、誘電体膜７、多層磁性膜４、保護膜８が順次被
着されて成る。
【００２２】誘電体膜７は、例えばＳｉＮ膜等より成
り、多層磁性膜４の保護、カーエンハンスメント等の目
的をもって形成される。
り、多層磁性膜４の保護、カーエンハンスメント等の目
的をもって形成される。
【００２３】保護膜８もＳｉＮ等によって形成し得る。
【００２４】多層磁性膜４は、それぞれ希土類−遷移金
属の遷移金属優勢（ＴＭリッチ）であるか、希土類金属
優勢（ＲＥリッチ）の場合は、補償温度が、使用時の温
度以下、即ち少なくとも室温より充分低い温度にある組
成以上にＲＥリッチな組成、つまり、動作（使用）温度
内に補償温度を持たない垂直磁化膜とする。
属の遷移金属優勢（ＴＭリッチ）であるか、希土類金属
優勢（ＲＥリッチ）の場合は、補償温度が、使用時の温
度以下、即ち少なくとも室温より充分低い温度にある組
成以上にＲＥリッチな組成、つまり、動作（使用）温度
内に補償温度を持たない垂直磁化膜とする。
【００２５】図２に、この光磁気記録媒体５に対する情
報の記録及び読み出し（再生）を行うドライブ装置の一
例を示す。光磁気記録媒体５は、例えばディスク状に構
成され、その中心を回転中心として回転駆動モータ９に
よって回転駆動するようになされる。そして、このディ
スク状の光磁気記録媒体５に対してレーザ光Ｒをその透
明基板６側から照射する光記録再生ヘッド１０を設け
る。
報の記録及び読み出し（再生）を行うドライブ装置の一
例を示す。光磁気記録媒体５は、例えばディスク状に構
成され、その中心を回転中心として回転駆動モータ９に
よって回転駆動するようになされる。そして、このディ
スク状の光磁気記録媒体５に対してレーザ光Ｒをその透
明基板６側から照射する光記録再生ヘッド１０を設け
る。
【００２６】この光記録再生ヘッド１０は、図示しない
がアクチューエータによって、ディスク状の光磁気記録
媒体５の半径方向にレーザ光Ｒの照射位置を移動できる
ように、即ち、レーザ光Ｒの光磁気記録媒体５上の照射
軌跡が、媒体５の中心を中心とする螺旋状、または同心
円を描くようになされる。
がアクチューエータによって、ディスク状の光磁気記録
媒体５の半径方向にレーザ光Ｒの照射位置を移動できる
ように、即ち、レーザ光Ｒの光磁気記録媒体５上の照射
軌跡が、媒体５の中心を中心とする螺旋状、または同心
円を描くようになされる。
【００２７】また、レーザ光Ｒの、光磁気記録媒体５に
対する照射部に、所定の記録磁界Ｈ rec を印加する第１
の磁界発生手段１１と、他の位置において所定の初期化
磁界Ｈini を印加する第２の磁界発生手段１２とを設け
る。これら第１及び第２の磁界発生手段１１及び１２
は、永久磁石または電磁石によって構成することができ
る。
対する照射部に、所定の記録磁界Ｈ rec を印加する第１
の磁界発生手段１１と、他の位置において所定の初期化
磁界Ｈini を印加する第２の磁界発生手段１２とを設け
る。これら第１及び第２の磁界発生手段１１及び１２
は、永久磁石または電磁石によって構成することができ
る。
【００２８】そして、この光磁気記録媒体５に対する記
録は、オーバーライトが可能な２値の光強度変調記録、
即ち、２値のスポット加熱Ｔ1 及びＴ2 によって、すで
に記録されている情報記録ピットの有無に拘わらず、新
たに記録情報の書き換えを行うことができる方法が採ら
れる。
録は、オーバーライトが可能な２値の光強度変調記録、
即ち、２値のスポット加熱Ｔ1 及びＴ2 によって、すで
に記録されている情報記録ピットの有無に拘わらず、新
たに記録情報の書き換えを行うことができる方法が採ら
れる。
【００２９】実施例１ この例においては上述した再生層１、メモリ層２、記録
層３の３層構造による多層磁性膜４より成る光磁気記録
媒体５を用いた場合である。この場合の再生、記録の各
動作、これに伴う初期化動作の各原理と、各層１〜３に
要求される諸条件を説明する。図３は、再生動作と、こ
れに先立って行われる初期化動作の説明のための、再生
層１、メモリ層２及び記録層３の磁化状態を各層中に付
した矢印をもって模式的に示した図である。
層３の３層構造による多層磁性膜４より成る光磁気記録
媒体５を用いた場合である。この場合の再生、記録の各
動作、これに伴う初期化動作の各原理と、各層１〜３に
要求される諸条件を説明する。図３は、再生動作と、こ
れに先立って行われる初期化動作の説明のための、再生
層１、メモリ層２及び記録層３の磁化状態を各層中に付
した矢印をもって模式的に示した図である。
【００３０】先ず、図２に示した第２の磁界発生手段１
２による初期化磁界Ｈini による初期化について説明す
る。
２による初期化磁界Ｈini による初期化について説明す
る。
【００３１】初期化 この場合、再生層１と記録層３とが、初期化磁界Ｈini
の方向（図３においては下向き）に磁化される。このた
めには、下記（数１）〜（数５）の条件を満たすことが
必要である。
の方向（図３においては下向き）に磁化される。このた
めには、下記（数１）〜（数５）の条件を満たすことが
必要である。
【００３２】
【数１】ＨC1＋ＨW1＜Ｈini
【数２】ＨC1＞ＨW1
【数３】ＨC2−ＨW21 −ＨW23 ＞Ｈini
【数４】ＨC3＋ＨW3＜Ｈini
【数５】ＨC3＞ＨW3
【００３３】但し、ここで、ＨW1はメモリ層２が再生層
１に及ぼす交換結合力、ＨW21 は再生層１がメモリ層２
に及ぼす交換結合力、ＨW23 は記録層３がメモリ層２に
及ぼす交換結合力、ＨW3はメモリ層２が記録層３に及ぼ
す交換結合力で、それぞれ下記（数６）〜（数９）で与
えられる。
１に及ぼす交換結合力、ＨW21 は再生層１がメモリ層２
に及ぼす交換結合力、ＨW23 は記録層３がメモリ層２に
及ぼす交換結合力、ＨW3はメモリ層２が記録層３に及ぼ
す交換結合力で、それぞれ下記（数６）〜（数９）で与
えられる。
【００３４】
【数６】
【数７】
【数８】
【数９】 Ｍｓ，Ｈｃ，ｈ及びσW はそれぞれの飽和磁化、保磁
力、膜厚及び界面磁壁エネルギーで、添字の１，２，３
はそれぞれ再生層１、メモリ層２、記録層３を表す。
力、膜厚及び界面磁壁エネルギーで、添字の１，２，３
はそれぞれ再生層１、メモリ層２、記録層３を表す。
【００３５】つまり、上記（数１）及び（数４）は、そ
れぞれ再生層１、記録層３が初期化磁界Ｈini によって
初期化するために必要な条件であり、（数２）及び（数
５）は、この初期化状態を維持するために必要な条件で
あり、（数３）はメモリ層２に記録されている記録ピッ
ト２１（図３において上向き磁化部）が消去されないた
めに必要な条件である。
れぞれ再生層１、記録層３が初期化磁界Ｈini によって
初期化するために必要な条件であり、（数２）及び（数
５）は、この初期化状態を維持するために必要な条件で
あり、（数３）はメモリ層２に記録されている記録ピッ
ト２１（図３において上向き磁化部）が消去されないた
めに必要な条件である。
【００３６】再生 この再生は、上記初期化動作の後に行われる。この再生
は、後述する記録時の高光強度レーザパワーＰｈはもと
より、この記録時の低光強度レーザパワーＰｌより更に
低い下記（数１０）の関係にあるパワーＰｒによるレー
ザ光Ｒの照射によって行われる。
は、後述する記録時の高光強度レーザパワーＰｈはもと
より、この記録時の低光強度レーザパワーＰｌより更に
低い下記（数１０）の関係にあるパワーＰｒによるレー
ザ光Ｒの照射によって行われる。
【００３７】
【数１０】Ｐｒ＜Ｐｌ＜Ｐｈ
【００３８】尚、レーザ光Ｒに対し相対的に移行する光
磁気記録媒体５上では、このレーザ光Ｒの照射による温
度分布が生じる。即ち、図４に示すように、媒体５がレ
ーザ光ＲのスポットＳｐに対し、例えば矢印２２で示す
方向に移行している場合、媒体５上のスポットＳｐの先
方側で或る温度Ｔａ以上の温度を示す高温領域Ｉが生じ
ることから、媒体５においてスポットＳｐ内で、温度Ｔ
ａ以上の高温領域Ｉと、これ以下の低温領域IIとが存在
する。
磁気記録媒体５上では、このレーザ光Ｒの照射による温
度分布が生じる。即ち、図４に示すように、媒体５がレ
ーザ光ＲのスポットＳｐに対し、例えば矢印２２で示す
方向に移行している場合、媒体５上のスポットＳｐの先
方側で或る温度Ｔａ以上の温度を示す高温領域Ｉが生じ
ることから、媒体５においてスポットＳｐ内で、温度Ｔ
ａ以上の高温領域Ｉと、これ以下の低温領域IIとが存在
する。
【００３９】本発明では、スポットＳｐ内での上述の低
温領域II、即ち所定温度Ｔａより低い温度では、（数１
１）〜（数１３）が成立させる。
温領域II、即ち所定温度Ｔａより低い温度では、（数１
１）〜（数１３）が成立させる。
【００４０】
【数１１】ＨC1＞ＨW1
【数１２】ＨC2＞ＨW21 ＋ＨW23
【数１３】ＨC3＞ＨW3
【００４１】ここで上記（数１１）〜（数１３）は、前
述の初期化が保たれていてメモリ層２には、記録ピット
２１が潜像として残されているための条件である。
述の初期化が保たれていてメモリ層２には、記録ピット
２１が潜像として残されているための条件である。
【００４２】一方、このとき温度Ｔａ以上の高温領域Ｉ
では、再生層１の保磁力ＨC1が減少し、相対的にメモリ
層２との交換結合力ＨW1が大きくなるようにし、メモリ
層２の記録ピット２１が再生層１に転写されてスポット
Ｓｐ即ちレーザ光Ｒの光磁気相互作用によって、この記
録ピット２１が再生可能状態となるようにする。
では、再生層１の保磁力ＨC1が減少し、相対的にメモリ
層２との交換結合力ＨW1が大きくなるようにし、メモリ
層２の記録ピット２１が再生層１に転写されてスポット
Ｓｐ即ちレーザ光Ｒの光磁気相互作用によって、この記
録ピット２１が再生可能状態となるようにする。
【００４３】即ち、下記（数１４）〜（数１６）の条件
が温度Ｔａ以上で得られるようにする。
が温度Ｔａ以上で得られるようにする。
【００４４】
【数１４】ＨC1＜ＨW1
【数１５】ＨC2＞ＨW23 ＋ＨW21
【数１６】ＨC3＞ＨW3
【００４５】このようにして、レーザ光ＲのスポットＳ
ｐ内の限定された高温領域Ｉ内においてのみ、即ち、図
４で示すスポットＳｐと領域Ｉとが重なる斜線を付して
示した領域においてのみ記録ピット２１が再生層１に現
出し、これを読み出すことができるので、此処に１個の
ピット２１が存在することができるように記録ピット２
１の空間周波数、媒体５の温度特性、レーザパワーＰｒ
等の選定を行うことによって、光学系の開口数Ｎ．Ａ．
レーザ光Ｒの波長λに制約されずに超解像度をもって１
個の記録ビット２１の読み出しを行うことができる。
ｐ内の限定された高温領域Ｉ内においてのみ、即ち、図
４で示すスポットＳｐと領域Ｉとが重なる斜線を付して
示した領域においてのみ記録ピット２１が再生層１に現
出し、これを読み出すことができるので、此処に１個の
ピット２１が存在することができるように記録ピット２
１の空間周波数、媒体５の温度特性、レーザパワーＰｒ
等の選定を行うことによって、光学系の開口数Ｎ．Ａ．
レーザ光Ｒの波長λに制約されずに超解像度をもって１
個の記録ビット２１の読み出しを行うことができる。
【００４６】尚、この再生時の、メモリ層２の記録ピッ
ト２１を再生層１に転写させる際に、磁壁の移動を助成
するために、補助磁界Ｈｒを図３において、初期化磁界
Ｈin i とは逆向きに、例えば第１の磁界発生手段１１に
よって与えるようにすることもでき、この場合には、前
述の条件、（数１１）〜（数１６）は、それぞれ下記
（数１７）〜（数２２）に置き換えられる。
ト２１を再生層１に転写させる際に、磁壁の移動を助成
するために、補助磁界Ｈｒを図３において、初期化磁界
Ｈin i とは逆向きに、例えば第１の磁界発生手段１１に
よって与えるようにすることもでき、この場合には、前
述の条件、（数１１）〜（数１６）は、それぞれ下記
（数１７）〜（数２２）に置き換えられる。
【００４７】
【数１７】ＨC1＞ＨW1＋Ｈｒ
【数１８】ＨC2＞ＨW21 ＋ＨW23 −Ｈｒ
【数１９】ＨC3＞ＨW3＋Ｈｒ
【数２０】ＨC1＜ＨW1＋Ｈｒ
【数２１】ＨC2＞ＨW21 ＋ＨW23 −Ｈｒ
【数２２】ＨC3＞ＨW3＋Ｈｒ
【００４８】記録 磁気記録媒体５に対する記録は、前記（数１０）による
低光強度レーザパワー（以下ローパワーという）Ｐｌ
と、高光強度レーザパワー（以下ハイパワーという）Ｐ
ｈとによる２値記録がなされる。
低光強度レーザパワー（以下ローパワーという）Ｐｌ
と、高光強度レーザパワー（以下ハイパワーという）Ｐ
ｈとによる２値記録がなされる。
【００４９】先ずローパワーＰｌによる記録について説
明する。このローパワーＰｌ照射によって、高温領域Ｉ
で、第１の温度Ｔ1 となるようにする。再生層１はこの
温度Ｔ1 で、その保磁力ＨC1が、交換結合力ＨW1に比べ
て充分小さい値を示す組成とされていて、これによって
メモリ層２と再生層１の磁化の向きは同一となるように
なされる。したがって、メモリ層２と、再生層１の動作
は、これらの平均の物理量で記述できる。Ｈcav 及びＭ
sav を、それぞれその平均の保磁力及び飽和磁化とする
と、ローパワーＰｌのレーザ光Ｒを照射したときの温度
Ｔ1 では次の条件を満たすことが必要である。
明する。このローパワーＰｌ照射によって、高温領域Ｉ
で、第１の温度Ｔ1 となるようにする。再生層１はこの
温度Ｔ1 で、その保磁力ＨC1が、交換結合力ＨW1に比べ
て充分小さい値を示す組成とされていて、これによって
メモリ層２と再生層１の磁化の向きは同一となるように
なされる。したがって、メモリ層２と、再生層１の動作
は、これらの平均の物理量で記述できる。Ｈcav 及びＭ
sav を、それぞれその平均の保磁力及び飽和磁化とする
と、ローパワーＰｌのレーザ光Ｒを照射したときの温度
Ｔ1 では次の条件を満たすことが必要である。
【００５０】
【数２３】Ｈcav ＜Ｈwav −Ｈrec
【数２４】ＨC3＞ＨW3＋Ｈrec
【００５１】但し、
【数２５】
【数２６】
【数２７】
【００５２】また、ここで、Ｈrec は図２で説明した第
１の磁界発生手段１１から得る記録磁界で、Ｈwav は再
生層１とメモリ層２がそれぞれ受ける交換結合力の平均
を示す。
１の磁界発生手段１１から得る記録磁界で、Ｈwav は再
生層１とメモリ層２がそれぞれ受ける交換結合力の平均
を示す。
【００５３】そして、実際には、Ｈwav ≫Ｈrec とされ
ているものであり、これによって（数２３）の条件によ
ってメモリ層１と再生層２の平均保磁力Ｈcav が、交換
結合力Ｈwav より充分小さくなり、図５で示すように、
記録磁界Ｈrec が逆向きに与えられていても磁化が反転
することつまり消去されることになる。一方、このと
き、（数２４）の条件によって、記録層３は、記録磁界
Ｈrec の印加にもかかわらず初期化状態が保たれてい
る。
ているものであり、これによって（数２３）の条件によ
ってメモリ層１と再生層２の平均保磁力Ｈcav が、交換
結合力Ｈwav より充分小さくなり、図５で示すように、
記録磁界Ｈrec が逆向きに与えられていても磁化が反転
することつまり消去されることになる。一方、このと
き、（数２４）の条件によって、記録層３は、記録磁界
Ｈrec の印加にもかかわらず初期化状態が保たれてい
る。
【００５４】このように、ローパワーＰ１レーザ光照射
によって第１の記録例えば“０”の記録がなされる。
によって第１の記録例えば“０”の記録がなされる。
【００５５】これに対し、ハイパワーＰｈによるレーザ
光照射によって、再生層１及び記録層３を、前述の初期
化状態の磁化とは逆向きの磁化を、メモリ層２と共に生
じさせて、第２の記録例えば“１”の記録を行う。
光照射によって、再生層１及び記録層３を、前述の初期
化状態の磁化とは逆向きの磁化を、メモリ層２と共に生
じさせて、第２の記録例えば“１”の記録を行う。
【００５６】即ち、このハイパワーＰｈのレーザ光によ
って全ての層、即ち再生層１、メモリ層２、記録層３の
キュリー温度を越えるか、或いはその近傍の保磁力が充
分小さくなる第２の温度Ｔ2 を与える。この場合、少な
くともメモリ層２は、そのキュリー温度を越えているの
で、その磁化は、図６に示すように先に記録ピット２１
が潜像として存在している場合、これと同じ向きに、即
ちそのままに、また潜像の記録ピット２１が存在しない
場合は、新たに記録磁界Ｈrec の向きに記録がなされた
記録ピット２１の形成、即ち例えば“１”としての第２
の記録を行う。
って全ての層、即ち再生層１、メモリ層２、記録層３の
キュリー温度を越えるか、或いはその近傍の保磁力が充
分小さくなる第２の温度Ｔ2 を与える。この場合、少な
くともメモリ層２は、そのキュリー温度を越えているの
で、その磁化は、図６に示すように先に記録ピット２１
が潜像として存在している場合、これと同じ向きに、即
ちそのままに、また潜像の記録ピット２１が存在しない
場合は、新たに記録磁界Ｈrec の向きに記録がなされた
記録ピット２１の形成、即ち例えば“１”としての第２
の記録を行う。
【００５７】この場合、微小の記録ピット２１の形成を
行うために、図４で説明したレーザ光ＲのスポットＳｐ
内の斜線が付された高温領域より更に狭い領域でのみ上
述の第２の温度Ｔ2 が生じて記録ピット１が生じるよう
にする。
行うために、図４で説明したレーザ光ＲのスポットＳｐ
内の斜線が付された高温領域より更に狭い領域でのみ上
述の第２の温度Ｔ2 が生じて記録ピット１が生じるよう
にする。
【００５８】このように、記録に当たっては、レーザ光
Ｒのパワーの２値をもって２値記録を行うものであり、
図２に示すように、記録再生手段１０において、記録信
号に応じてレーザパワーを変調する光変調器１３が設け
られる。
Ｒのパワーの２値をもって２値記録を行うものであり、
図２に示すように、記録再生手段１０において、記録信
号に応じてレーザパワーを変調する光変調器１３が設け
られる。
【００５９】上述の実施例１における温度、即ちレーザ
光Ｒのパワーと、各保磁力は、図７に示すように関係に
選ばれる。
光Ｒのパワーと、各保磁力は、図７に示すように関係に
選ばれる。
【００６０】尚、上述の再生、第１の記録、第２の記録
の各レーザ光ＲのパワーＰｒ，Ｐｌ，Ｐｈは、例えばＰ
ｒが２．５〜３．５ｍＷ、Ｐｌが６〜８ｍＷ、Ｐｈが１
５〜２０ｍＷに選び得る。
の各レーザ光ＲのパワーＰｒ，Ｐｌ，Ｐｈは、例えばＰ
ｒが２．５〜３．５ｍＷ、Ｐｌが６〜８ｍＷ、Ｐｈが１
５〜２０ｍＷに選び得る。
【００６１】上述したところから明らかなように本発明
方式によれば、オーバーライトが可能でしかも超解像度
再生を可能にしたものであるが、その初期化磁界Ｈini
を、その再生及び記録について共用できるので、記録・
再生ドライブ装置の構成の簡略化がはかられるものであ
る。
方式によれば、オーバーライトが可能でしかも超解像度
再生を可能にしたものであるが、その初期化磁界Ｈini
を、その再生及び記録について共用できるので、記録・
再生ドライブ装置の構成の簡略化がはかられるものであ
る。
【００６２】尚、上述の実施例１においては、多層磁性
膜４が、再生層１、メモリ層２、記録層３の３層構造と
した基本構造について説明したが、実際上この３層構造
とする場合、各層の特性、したがって材料組成、膜厚等
の選定が厳しくなるとか、充分な磁気光学効果を得難い
などの問題があることから、工業的には、上述の再生層
１を、図８に示すように、いわば本来の再生層１Ａと、
再生補助層１Ｂとによって構成し、両者の総合的特性に
よって再生層として必要な特性が得られるようにし、更
にこれとメモリ層２との間、メモリ層２と記録層３との
間にそれぞれ第１及び第２の中間層３１及び３２を設け
るようにした６層構造とすることが望ましい。この場合
の一例を次の実施例２として説明する。
膜４が、再生層１、メモリ層２、記録層３の３層構造と
した基本構造について説明したが、実際上この３層構造
とする場合、各層の特性、したがって材料組成、膜厚等
の選定が厳しくなるとか、充分な磁気光学効果を得難い
などの問題があることから、工業的には、上述の再生層
１を、図８に示すように、いわば本来の再生層１Ａと、
再生補助層１Ｂとによって構成し、両者の総合的特性に
よって再生層として必要な特性が得られるようにし、更
にこれとメモリ層２との間、メモリ層２と記録層３との
間にそれぞれ第１及び第２の中間層３１及び３２を設け
るようにした６層構造とすることが望ましい。この場合
の一例を次の実施例２として説明する。
【００６３】実施例２ この場合、再生層１ＡはＧｄＦｅＣｏ、再生補助層１Ｂ
はＴｂＦｅＣｏ、第１の中間層３１はＧｄＦｅＣｏ、メ
モリ層２はＴｂＦｅＣｏ、第２の中間層３２はＧｄＦｅ
Ｃｏ、記録層３はＧｄＴｂＦｅＣｏによって構成した。
これら各層は非晶質層による。
はＴｂＦｅＣｏ、第１の中間層３１はＧｄＦｅＣｏ、メ
モリ層２はＴｂＦｅＣｏ、第２の中間層３２はＧｄＦｅ
Ｃｏ、記録層３はＧｄＴｂＦｅＣｏによって構成した。
これら各層は非晶質層による。
【００６４】再生層１Ａは、光磁気効果による再生を担
うのでキュリー温度ＴC1が高く、光磁気相互作用の大き
い材料、即ちＧｄ，Ｆｅ，Ｃｏを主成分とする材料より
構成する。そして、その組成比は、室温で補償組成付近
のＴＭリッチの組成とする。この場合、再生層１Ａは、
垂直磁気異方性がないか極めて小さく、また保磁力Ｈ
C1A も図７で示すような特性は示さない。そしてこの再
生層１Ａの膜厚ｈ1Aは、再生光（記録読み出し光）の浸
透深さいわゆるスキンデプス以上とすることが望まし
い。この厚さｈ1Aは、再生光の波長が７８０ｎｍの半導
体レーザを用いるときｈ1A≧３０ｎｍとなる。
うのでキュリー温度ＴC1が高く、光磁気相互作用の大き
い材料、即ちＧｄ，Ｆｅ，Ｃｏを主成分とする材料より
構成する。そして、その組成比は、室温で補償組成付近
のＴＭリッチの組成とする。この場合、再生層１Ａは、
垂直磁気異方性がないか極めて小さく、また保磁力Ｈ
C1A も図７で示すような特性は示さない。そしてこの再
生層１Ａの膜厚ｈ1Aは、再生光（記録読み出し光）の浸
透深さいわゆるスキンデプス以上とすることが望まし
い。この厚さｈ1Aは、再生光の波長が７８０ｎｍの半導
体レーザを用いるときｈ1A≧３０ｎｍとなる。
【００６５】そして、この再生層１Ａは、上述したよう
に、高い光磁気効果が得られる組成とするとき、垂直磁
気異方性、保磁力が小さく、また図７で示した特性を示
さないことから、再生補助層１Ｂによってこの特性を補
償させる。
に、高い光磁気効果が得られる組成とするとき、垂直磁
気異方性、保磁力が小さく、また図７で示した特性を示
さないことから、再生補助層１Ｂによってこの特性を補
償させる。
【００６６】この再生補助層１Ｂは、保磁力及び垂直磁
気異方性が大きいＴｂ，Ｆｅ，Ｃｏを主成分とする組成
とする。そして、これら再生層１Ａ及び再生補助層１Ｂ
は、再生温度（再生光パワーＰｒ）以下ではそれぞれの
保磁力よりも強い交換結合力で結合しているものであっ
て、このため磁気的動作については、これらは一体で動
作する。したがって再生温度以下では、これらの動作を
表わす保磁力や交換結合力は、２層の平均値の値で表わ
される。そして、この平均の保磁力ＨC1、交換結合力Ｈ
W1は、図９中の曲線９１及び９２にＨC1＋ＨW1及びＨC1
−ＨW1の特性を示すようになるが、再生補助層１Ｂのキ
ュリー点は、再生温度（レーザパワーＰｒ）より稍高い
ところにあってこれ以上の温度ではメモリ層２からの交
換結合力が切断されることからここで曲線９１及び９２
は一致する。しかし、再生温度付近では、保磁力、交換
結合力が図７と同様の特性を示すものであって、これに
よって実施例１で説明したと同様の再生態様、即ち超解
像度再生を行うことができる。
気異方性が大きいＴｂ，Ｆｅ，Ｃｏを主成分とする組成
とする。そして、これら再生層１Ａ及び再生補助層１Ｂ
は、再生温度（再生光パワーＰｒ）以下ではそれぞれの
保磁力よりも強い交換結合力で結合しているものであっ
て、このため磁気的動作については、これらは一体で動
作する。したがって再生温度以下では、これらの動作を
表わす保磁力や交換結合力は、２層の平均値の値で表わ
される。そして、この平均の保磁力ＨC1、交換結合力Ｈ
W1は、図９中の曲線９１及び９２にＨC1＋ＨW1及びＨC1
−ＨW1の特性を示すようになるが、再生補助層１Ｂのキ
ュリー点は、再生温度（レーザパワーＰｒ）より稍高い
ところにあってこれ以上の温度ではメモリ層２からの交
換結合力が切断されることからここで曲線９１及び９２
は一致する。しかし、再生温度付近では、保磁力、交換
結合力が図７と同様の特性を示すものであって、これに
よって実施例１で説明したと同様の再生態様、即ち超解
像度再生を行うことができる。
【００６７】そして、このように、再生温度（レーザパ
ワーＰｒ）を越えるところで再生層１Ａに対する交換結
合力ＨW1が失われることからこの実施例２の構成では、
メモリ層の特性の設計の自由度が広がる。
ワーＰｒ）を越えるところで再生層１Ａに対する交換結
合力ＨW1が失われることからこの実施例２の構成では、
メモリ層の特性の設計の自由度が広がる。
【００６８】第１の中間層３１は常温で磁壁を安定に保
持するための層であって、小さな垂直磁気異方性、保磁
力を有するＧｄ，Ｆｅ，Ｃｏを主成分として成る。そし
て、その膜厚及び組成を変えることにより、この第１の
中間層３１の中にできる界面磁壁エネルギーσW12 、交
換結合力ＨW1を制御することができる。因みに、この中
間層３１を設けずして図９に示す特性を得るには、再生
層１Ａや再生補助層１Ｂは、（数６）をみても明らかな
ように、その厚さを可成り大とする必要があり、このよ
うにその厚さを大とすると、記録時のレーザパワーを大
きくする必要が生じる。即ち感度の低下を来すという問
題が生じて来る。
持するための層であって、小さな垂直磁気異方性、保磁
力を有するＧｄ，Ｆｅ，Ｃｏを主成分として成る。そし
て、その膜厚及び組成を変えることにより、この第１の
中間層３１の中にできる界面磁壁エネルギーσW12 、交
換結合力ＨW1を制御することができる。因みに、この中
間層３１を設けずして図９に示す特性を得るには、再生
層１Ａや再生補助層１Ｂは、（数６）をみても明らかな
ように、その厚さを可成り大とする必要があり、このよ
うにその厚さを大とすると、記録時のレーザパワーを大
きくする必要が生じる。即ち感度の低下を来すという問
題が生じて来る。
【００６９】また、メモリ層２は、実施例１の説明で明
らかなように、記録ピットを保持するための層となるも
のであり、常温では、初期化磁界Ｈini 以上の保磁力が
必要である。そして、記録時の第１の記録でのローパワ
ーＰｌの温度領域では保磁力が減少して記録層３の保磁
力及び記録層３との交換結合力ＨW23 よりも小さくなる
ようにされるものであり、このメモリ層２としては、Ｔ
ｂ，Ｆｅ，Ｃｏを主成分とし、常温より稍々低い補償温
度を有する組成とする。このようにしてこのメモリ層２
は、図５で説明したと同様に、ローパワーＰｌの温度領
域で磁化が記録層３に揃うように動作させるものであ
る。
らかなように、記録ピットを保持するための層となるも
のであり、常温では、初期化磁界Ｈini 以上の保磁力が
必要である。そして、記録時の第１の記録でのローパワ
ーＰｌの温度領域では保磁力が減少して記録層３の保磁
力及び記録層３との交換結合力ＨW23 よりも小さくなる
ようにされるものであり、このメモリ層２としては、Ｔ
ｂ，Ｆｅ，Ｃｏを主成分とし、常温より稍々低い補償温
度を有する組成とする。このようにしてこのメモリ層２
は、図５で説明したと同様に、ローパワーＰｌの温度領
域で磁化が記録層３に揃うように動作させるものであ
る。
【００７０】尚、このローパワーＰｌの温度領域で、上
述したように再生補助層１Ｂは、キュリー点を越えるよ
うにされているものであるが、これが仮りに、キュリー
点を越えていないとすると、再生層１Ａ、再生補助層１
Ｂ、第１の中間層３１、メモリ層２の４層が一体になっ
て記録層３の磁化の方向に揃うように膜設計が必要とな
るが、上述したように再生補助層１Ｂがキュリー点を越
えるようにしたことによって、第１の中間層３１とメモ
リ層２のみの設計でよい。
述したように再生補助層１Ｂは、キュリー点を越えるよ
うにされているものであるが、これが仮りに、キュリー
点を越えていないとすると、再生層１Ａ、再生補助層１
Ｂ、第１の中間層３１、メモリ層２の４層が一体になっ
て記録層３の磁化の方向に揃うように膜設計が必要とな
るが、上述したように再生補助層１Ｂがキュリー点を越
えるようにしたことによって、第１の中間層３１とメモ
リ層２のみの設計でよい。
【００７１】また、第２の中間層３２も、第１の中間層
３１と同様に、界面磁壁エネルギー、交換結合力を制御
するための層で、第１の中間層３１とほぼ同じ材料によ
って構成する。
３１と同様に、界面磁壁エネルギー、交換結合力を制御
するための層で、第１の中間層３１とほぼ同じ材料によ
って構成する。
【００７２】記録層３は、初期化磁界Ｈini によって初
期化される必要があり、このため常温での保磁力が、初
期化磁界Ｈini より小さいことが必要である。一方上述
のローパワーＰｌの温度領域では、この保磁力は、メモ
リ層３の保磁力より大きいことが必要でこのためそのキ
ュリー温度は高く、また保磁力の温度変化を少なくする
ために、記録層３は、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏを主成分
とするＴＭリッチとする。
期化される必要があり、このため常温での保磁力が、初
期化磁界Ｈini より小さいことが必要である。一方上述
のローパワーＰｌの温度領域では、この保磁力は、メモ
リ層３の保磁力より大きいことが必要でこのためそのキ
ュリー温度は高く、また保磁力の温度変化を少なくする
ために、記録層３は、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏを主成分
とするＴＭリッチとする。
【００７３】上述の実施例２におけるように多層磁性膜
４の構成を６層構成とすることによって、各層の特性の
設計、したがって材料の選定を比較的に容易にすること
ができるが、例えば上述のように、再生補助層１Ｂでの
交換結合の切断に代えて第１の中間層３１での切断が行
われるようにすることか、更にこの第１の中間層３１を
面内異方性の構成とするなど種々の変更を行うことがで
きる。
４の構成を６層構成とすることによって、各層の特性の
設計、したがって材料の選定を比較的に容易にすること
ができるが、例えば上述のように、再生補助層１Ｂでの
交換結合の切断に代えて第１の中間層３１での切断が行
われるようにすることか、更にこの第１の中間層３１を
面内異方性の構成とするなど種々の変更を行うことがで
きる。
【００７４】
【発明の効果】本発明は、超解像度再生と共に、その記
録はオーバーライト可能の記録態様を採るようにしたの
で、先の記録を一旦消去させる過程を採らないことか
ら、その消去のための所要時間を回避でき、また、再生
時と記録時の初期化磁界Ｈini を共通とした構成となし
得るので構成の簡略化も図ることができる。
録はオーバーライト可能の記録態様を採るようにしたの
で、先の記録を一旦消去させる過程を採らないことか
ら、その消去のための所要時間を回避でき、また、再生
時と記録時の初期化磁界Ｈini を共通とした構成となし
得るので構成の簡略化も図ることができる。
【図１】本発明方式に用いる光磁気記録媒体の一例の略
線的断面図である。
線的断面図である。
【図２】本発明方式に用いるドライブ装置の概略的構成
図である。
図である。
【図３】本発明方式の再生動作の説明図である。
【図４】レーザスポットと記録ピットの関係を示す模式
図である。
図である。
【図５】本発明方式の第１の記録動作の説明図である。
【図６】本発明方式の第２の記録動作の説明図である。
【図７】本発明方式の一例のレーザパワーと各層の保磁
力及び交換結合力の関係を示す図である。
力及び交換結合力の関係を示す図である。
【図８】本発明方式に用いる他の例の光磁気記録媒体の
多層磁性膜の略線的断面図である。
多層磁性膜の略線的断面図である。
【図９】本発明方式の他の例のレーザパワーと各層の保
磁力及び交換結合力の関係を示す図である。
磁力及び交換結合力の関係を示す図である。
１ 再生層 １Ａ 再生層 １Ｂ 再生補助層 ２ メモリ層 ３ 記録層 ４ 多層磁性膜 ３１ 第１の中間層 ３２ 第２の中間層
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも再生層と、メモリ層と、記録
層の各層が順次磁気的に結合して積層された多層磁性膜
を有する光磁気記録媒体が用いられ、 該光磁気記録媒体に対する情報の記録は、光強度変調記
録を採り、低光強度照射で、上記再生層とメモリ層とが
記録層の磁化状態の転写による磁化によって行われる第
１の記録と、高光強度照射で上記再生層とメモリ層と記
録層の３層の磁化が外部記録磁界によって行われる第２
の記録とによりなされ、 記録情報の再生は、再生光スポット内における温度分布
による高温領域において限定的に上記メモリ層の情報を
再生層に転写しながら読み出すことを特徴とする光磁気
記録再生方式。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3262364A JPH05101472A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 光磁気記録再生方式 |
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| EP92117309A EP0536780B1 (en) | 1991-10-09 | 1992-10-09 | Method of recording information on and reproducing information from magnetooptical recording medium |
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|---|---|---|---|
| JP3262364A JPH05101472A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 光磁気記録再生方式 |
Publications (1)
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|---|---|
| JPH05101472A true JPH05101472A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17374719
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Country Status (4)
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