JPH05102223A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05102223A JPH05102223A JP3259324A JP25932491A JPH05102223A JP H05102223 A JPH05102223 A JP H05102223A JP 3259324 A JP3259324 A JP 3259324A JP 25932491 A JP25932491 A JP 25932491A JP H05102223 A JPH05102223 A JP H05102223A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- electrode pad
- capillary
- semiconductor device
- wires
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07521—Aligning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07531—Techniques
- H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
- H10W72/07533—Ultrasonic bonding, e.g. thermosonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
- H10W72/5473—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to a common bond pad
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】ワイヤを供給する機構を複数有した半導体製造
装置を用い、キャピラリに設けた並列した複数個の貫通
孔のそれぞれにワイヤを通す。 【効果】ワイヤボンディング所要時間の短縮をすること
により半導体装置製造原価の低減、又、電極パッド上に
ワイヤを接合する際の位置精度安定性向上、ループ形状
安定性向上を実現する。
装置を用い、キャピラリに設けた並列した複数個の貫通
孔のそれぞれにワイヤを通す。 【効果】ワイヤボンディング所要時間の短縮をすること
により半導体装置製造原価の低減、又、電極パッド上に
ワイヤを接合する際の位置精度安定性向上、ループ形状
安定性向上を実現する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の表面
に形成された電極パッドと中継点とを導電性細線にて接
続するワイヤボンディング方法に関するものである。
に形成された電極パッドと中継点とを導電性細線にて接
続するワイヤボンディング方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路表面に形成された電極パ
ッドとリードフレームのリードやセラミック基板あるい
は樹脂基板表面に形成された配線パターンとを導電性細
線3(以下ワイヤと呼ぶ)を用いて接続することをワイ
ヤボンディングと言う。
ッドとリードフレームのリードやセラミック基板あるい
は樹脂基板表面に形成された配線パターンとを導電性細
線3(以下ワイヤと呼ぶ)を用いて接続することをワイ
ヤボンディングと言う。
【0003】ここでは、ワイヤボンディングの方法の一
つであるボールボンディングの説明をする。まず先端の
尖った貫通孔を持つ筒状のツール(以下キャピラリと呼
ぶ)にワイヤを通してそのワイヤ先端をキャピラリ下端
よりわずかに突出させ、その突出端を電気放電により加
熱溶融することにより球状にし、電極パッド上にキャピ
ラリを移動させ、加圧,超音波振動により接合する。次
に、ワイヤを送りながら外部接続端子上にキャピラリを
移動させ加圧,超音波振動により接合しながら、ワイヤ
を切断する。以上の動作を電極パッドと外部接続端子と
の接続本数分繰り返される方法である。
つであるボールボンディングの説明をする。まず先端の
尖った貫通孔を持つ筒状のツール(以下キャピラリと呼
ぶ)にワイヤを通してそのワイヤ先端をキャピラリ下端
よりわずかに突出させ、その突出端を電気放電により加
熱溶融することにより球状にし、電極パッド上にキャピ
ラリを移動させ、加圧,超音波振動により接合する。次
に、ワイヤを送りながら外部接続端子上にキャピラリを
移動させ加圧,超音波振動により接合しながら、ワイヤ
を切断する。以上の動作を電極パッドと外部接続端子と
の接続本数分繰り返される方法である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体集積回路
は、多機能化、高機能化が著しく進み、それに伴ない電
極パッド数や外部接続端子数も増加の一途をたどる一方
である。それとあいまって半導体集積回路の小型化に伴
ない電極パッドピッチの微細化も進んでいるが、外部接
続端子側の微細化は遅れており、半導体集積回路から遠
い位置に、外部接続端子を配置しなくてはならず、半導
体集積回路表面の電極パッドと外部接続端子間を長いワ
イヤを用いて接続しなくてはならない。
は、多機能化、高機能化が著しく進み、それに伴ない電
極パッド数や外部接続端子数も増加の一途をたどる一方
である。それとあいまって半導体集積回路の小型化に伴
ない電極パッドピッチの微細化も進んでいるが、外部接
続端子側の微細化は遅れており、半導体集積回路から遠
い位置に、外部接続端子を配置しなくてはならず、半導
体集積回路表面の電極パッドと外部接続端子間を長いワ
イヤを用いて接続しなくてはならない。
【0005】しかし、ワイヤボンディング装置精度によ
るキャピラリ軌跡コントロールのばらつきや、ワイヤの
きず、ねじれ等により生ずる、ワイヤの曲がり、たるみ
はワイヤが長くなる程発生しやすくなる。
るキャピラリ軌跡コントロールのばらつきや、ワイヤの
きず、ねじれ等により生ずる、ワイヤの曲がり、たるみ
はワイヤが長くなる程発生しやすくなる。
【0006】そこで、ワイヤ長さをおさえる為、電極パ
ッドと外部接続端子との間に配線パターンを形成した基
板等の中継点を設けた半導体装置も発明されている。
ッドと外部接続端子との間に配線パターンを形成した基
板等の中継点を設けた半導体装置も発明されている。
【0007】本発明の目的は、上記のような電極パッド
と外部接続端子との間に中継点を有する半導体装置のワ
イヤボンディング所要時間を短縮することにより半導体
装置製造原価の低減を実現することにある。
と外部接続端子との間に中継点を有する半導体装置のワ
イヤボンディング所要時間を短縮することにより半導体
装置製造原価の低減を実現することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、キャピラリ1に並列した複数個の貫通孔2を
設け、複数本のワイヤを通し、一度に複数本のワイヤボ
ンディングを行なうことを特徴とする。
造方法は、キャピラリ1に並列した複数個の貫通孔2を
設け、複数本のワイヤを通し、一度に複数本のワイヤボ
ンディングを行なうことを特徴とする。
【0009】
【作用】本発明の上記の構造により、一度に複数本のワ
イヤボンディングを行なうことができ、ループ形状の安
定性、電極パッドのワイヤ接合位置の安定性を向上させ
ることができる。
イヤボンディングを行なうことができ、ループ形状の安
定性、電極パッドのワイヤ接合位置の安定性を向上させ
ることができる。
【0010】
【実施例】図1は本発明に用いるキャピラリの模式図で
あり、図1(a)は平面図、図1(b)は側面図であ
る。本発明に用いるキャピラリの形状は、キャピラリ製
造用金型の新規製作を行ない、先端加圧接合部は従来の
キャピラリと同一、並列した貫通孔のピッチは電極パッ
ドのピッチと同一にすることにより得られる。
あり、図1(a)は平面図、図1(b)は側面図であ
る。本発明に用いるキャピラリの形状は、キャピラリ製
造用金型の新規製作を行ない、先端加圧接合部は従来の
キャピラリと同一、並列した貫通孔のピッチは電極パッ
ドのピッチと同一にすることにより得られる。
【0011】図2から図5は、本発明の実施例を示す説
明図である。キャピラリの並列した複数個の貫通孔のそ
れぞれにワイヤを通し、そのワイヤ先端を電気放電によ
り球状にし、キャピラリを従来と同様の方法で移動さ
せ、電極パッド、中継点に加圧、超音波振動により接合
を行ない、ワイヤを切断する。
明図である。キャピラリの並列した複数個の貫通孔のそ
れぞれにワイヤを通し、そのワイヤ先端を電気放電によ
り球状にし、キャピラリを従来と同様の方法で移動さ
せ、電極パッド、中継点に加圧、超音波振動により接合
を行ない、ワイヤを切断する。
【0012】この様に、ワイヤボンディング方法は、従
来と同様のままで、キャピラリの並列した貫通孔のピッ
チを電極パッドのピッチと同一にすることにより一度に
複数本のワイヤボンディングを行なうことができるよう
になる。
来と同様のままで、キャピラリの並列した貫通孔のピッ
チを電極パッドのピッチと同一にすることにより一度に
複数本のワイヤボンディングを行なうことができるよう
になる。
【0013】又、キャピラリ貫通孔のピッチは固定とな
っている為、電極パッド上にワイヤを接合する際の位置
精度の安定性向上、その他、一度に複数本のワイヤボン
ディグを行なうことにより、ワイヤボンディング装置の
繰り返し再現性精度によるキャピラリ軌跡コントロール
のばらつきの為に発生するループ形状のばらつきの低減
させることができるという特徴をもっている。
っている為、電極パッド上にワイヤを接合する際の位置
精度の安定性向上、その他、一度に複数本のワイヤボン
ディグを行なうことにより、ワイヤボンディング装置の
繰り返し再現性精度によるキャピラリ軌跡コントロール
のばらつきの為に発生するループ形状のばらつきの低減
させることができるという特徴をもっている。
【0014】
【発明の効果】以上述べた様に本発明によれば、キャピ
ラリに並列した複数個の貫通孔を設けることにより、一
度に複数本のワイヤボンディングを行なうことができ
る。
ラリに並列した複数個の貫通孔を設けることにより、一
度に複数本のワイヤボンディングを行なうことができ
る。
【0015】又、従来の一本ずつワイヤボンディングを
する方法では、ワイヤボンディング装置の繰り返し再現
性精度によるキャピラリ軌跡コントロール精度のばらつ
きによるループ形状のばらつきや電極パッド上にワイヤ
を接合する際のワイヤボンディング位置のばらつきが発
生することがあったが、一度に複数本ワイヤボンディン
グを行なうことにより上記不具合の発生頻度を低減する
ことができる。
する方法では、ワイヤボンディング装置の繰り返し再現
性精度によるキャピラリ軌跡コントロール精度のばらつ
きによるループ形状のばらつきや電極パッド上にワイヤ
を接合する際のワイヤボンディング位置のばらつきが発
生することがあったが、一度に複数本ワイヤボンディン
グを行なうことにより上記不具合の発生頻度を低減する
ことができる。
【図1】本発明に用いるキャピラリの模式図であり、
(a)は平面図、(b)は側面図である。
(a)は平面図、(b)は側面図である。
【図2】本発明の実施例のワイヤボンディングの順序を
示す側面図である。
示す側面図である。
【図3】本発明の実施例のワイヤボンディングの順序を
示す側面図である。
示す側面図である。
【図4】本発明の実施例のワイヤボンディングの順序を
示す側面図である。
示す側面図である。
【図5】本発明の実施例のワイヤボンディングの順序を
示す側面図である。
示す側面図である。
【図6】本発明に用いる半導体装置であり,(a)は平
面図、(b)は側面図である。
面図、(b)は側面図である。
1 キャピラリ 2 貫通孔 3 ワイヤ 4 半導体集積回路 5 電極パッド 6 中継点 7 外部接続端子
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体集積回路4の表面に形成された電
極パッド5と、リードフレーム等の外部接続端子7との
間に、前記電極パッドのピッチと同一ピッチに配列され
た導電性を有する中継点6(以下中継点と呼ぶ)が形成
された半導体装置において、電極パッドと中継点とを貫
通孔を持つボンディングツールに導電性細線を通し接続
する際、前記ボンディングツールに並列した複数個の孔
を設け、複数の導電性細線を通すことにより、一度に複
数本のワイヤボンディングを行なうことを特徴とした半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3259324A JPH05102223A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3259324A JPH05102223A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102223A true JPH05102223A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17332509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3259324A Pending JPH05102223A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05102223A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5839640A (en) * | 1996-10-23 | 1998-11-24 | Texas Instruments Incorporated | Multiple-tool wire bonder |
| KR100685869B1 (ko) * | 2001-04-12 | 2007-02-23 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 범핑과 압착을 동시에 행하는 와이어본더 |
| US8008183B2 (en) * | 2007-10-04 | 2011-08-30 | Texas Instruments Incorporated | Dual capillary IC wirebonding |
-
1991
- 1991-10-07 JP JP3259324A patent/JPH05102223A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5839640A (en) * | 1996-10-23 | 1998-11-24 | Texas Instruments Incorporated | Multiple-tool wire bonder |
| KR100685869B1 (ko) * | 2001-04-12 | 2007-02-23 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 범핑과 압착을 동시에 행하는 와이어본더 |
| US8008183B2 (en) * | 2007-10-04 | 2011-08-30 | Texas Instruments Incorporated | Dual capillary IC wirebonding |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7160759B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| US7176570B2 (en) | Method for forming bump, semiconductor element having bumps and method of manufacturing the same, semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment | |
| US5574311A (en) | Device having pins formed of hardened mixture of conductive metal particle and resin | |
| US5960262A (en) | Stitch bond enhancement for hard-to-bond materials | |
| US6921016B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment | |
| JP2002280414A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US20030209815A1 (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
| JPH05102228A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05102223A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09232499A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05102232A (ja) | 半導体製造装置 | |
| WO2006112393A1 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP4007917B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| EP1069608B1 (en) | Wire bonding method, semiconductor device and wire bonding device | |
| JP2954108B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2000323515A (ja) | Icチップと回路基板との接続方法 | |
| JPH11224915A (ja) | 半導体接続用基板 | |
| JPH1140728A (ja) | リードフレーム及びそのリードフレームを用いた電子部品並びにその電子部品の製造方法 | |
| JPH05102225A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0582586A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| CN101447438B (zh) | 半导体器件的制造方法 | |
| JPH1126502A (ja) | バンプのレベリング方法 | |
| JPH07321142A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS60144944A (ja) | 熱圧着ボンデイング方法 | |
| JP2002164379A (ja) | ワイヤボンディング装置及び方法、及び半導体装置 |