JPH05102778A - 圧電部品 - Google Patents
圧電部品Info
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- JPH05102778A JPH05102778A JP22869791A JP22869791A JPH05102778A JP H05102778 A JPH05102778 A JP H05102778A JP 22869791 A JP22869791 A JP 22869791A JP 22869791 A JP22869791 A JP 22869791A JP H05102778 A JPH05102778 A JP H05102778A
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- Japan
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- piezoelectric
- substrate
- vibration
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- Pending
Links
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 12
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Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、セラミック圧電基板からセラミ
ック封止基板への不要振動の伝播を抑え、これによりエ
ネルギー閉じ込め効果を発揮できる圧電部品を提供する
ことにある。 【構成】 セラミック圧電基板2とセラミック封止基板
4,4の端面電極11,11をセラミックよりヤング率
の低い導電接着剤により形成したものであり、該導電接
着剤の部分で不要振動が減衰され、封止基板4,4には
伝わらないので、例えばディスクリミネータの復調歪率
特性の向上、フィルタの高域側のスプリアスの低減、あ
るいはトラップの映像帯域内G.D.Tの向上などを図
ることができるなど、電気特性が向上する。
ック封止基板への不要振動の伝播を抑え、これによりエ
ネルギー閉じ込め効果を発揮できる圧電部品を提供する
ことにある。 【構成】 セラミック圧電基板2とセラミック封止基板
4,4の端面電極11,11をセラミックよりヤング率
の低い導電接着剤により形成したものであり、該導電接
着剤の部分で不要振動が減衰され、封止基板4,4には
伝わらないので、例えばディスクリミネータの復調歪率
特性の向上、フィルタの高域側のスプリアスの低減、あ
るいはトラップの映像帯域内G.D.Tの向上などを図
ることができるなど、電気特性が向上する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、各種電子回路に組み
込んで使用される圧電部品に関し、詳しくはエネルギー
閉じ込め形の圧電共振子における制振構造に関するもの
である。
込んで使用される圧電部品に関し、詳しくはエネルギー
閉じ込め形の圧電共振子における制振構造に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来の厚みすべりエネルギー閉じ込め形
の圧電共振子は、例えばセラミック製圧電基板の両面に
対向電極を形成してなる圧電共振子をセラミック封止基
板により封止すると共に、上記対向電極を封止基板の端
面電極に導通させたものが知られており、上記セラミッ
ク封止基板を用いることにより、圧電チップ部品の耐熱
性の向上が図られるようになっている。
の圧電共振子は、例えばセラミック製圧電基板の両面に
対向電極を形成してなる圧電共振子をセラミック封止基
板により封止すると共に、上記対向電極を封止基板の端
面電極に導通させたものが知られており、上記セラミッ
ク封止基板を用いることにより、圧電チップ部品の耐熱
性の向上が図られるようになっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
如く、セラミック圧電基板をセラミック封止基板で挟ん
だ構成では、圧電共振子の不要振動による弊害が生じ
る。即ち、チップの長短辺のサイズで決定される長さ方
向の高周波や輪郭振動等により、圧電基板の不要振動が
セラミック封止基板に伝播して、圧電基板と封止基板と
が共振し、電気特性が劣化する。また、圧電体基板2の
メインの漏れ振動による弊害、即ち、チップの振動部分
の両端において減衰されるべき振動が減衰されずに、該
振動部分に反射することによって、メインの振動に悪影
響を与える。
如く、セラミック圧電基板をセラミック封止基板で挟ん
だ構成では、圧電共振子の不要振動による弊害が生じ
る。即ち、チップの長短辺のサイズで決定される長さ方
向の高周波や輪郭振動等により、圧電基板の不要振動が
セラミック封止基板に伝播して、圧電基板と封止基板と
が共振し、電気特性が劣化する。また、圧電体基板2の
メインの漏れ振動による弊害、即ち、チップの振動部分
の両端において減衰されるべき振動が減衰されずに、該
振動部分に反射することによって、メインの振動に悪影
響を与える。
【0004】上記のように振動エネルギーの閉じ込め効
果が悪化することにより、例えばディスクリミネータに
おいては復調歪率波形に不要振動によるリップルが現れ
て、復調歪率特性が低下するなどの欠点が生じる。
果が悪化することにより、例えばディスクリミネータに
おいては復調歪率波形に不要振動によるリップルが現れ
て、復調歪率特性が低下するなどの欠点が生じる。
【0005】この発明は、上記従来の課題を解消するた
めになされたもので、セラミック封止基板への不要振動
等の伝播を抑えることができ、これにより閉じ込め効果
を発揮できる圧電部品を提供することを目的とする。
めになされたもので、セラミック封止基板への不要振動
等の伝播を抑えることができ、これにより閉じ込め効果
を発揮できる圧電部品を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は、セラミック圧電基板の両面に対向電極
を設けた圧電共振子をセラミック封止基板により封止す
ると共に、上記対向電極を封止基板の端面電極に導通さ
せた圧電部品であり、上記端面電極をセラミックよりも
ヤング率の低い導電接着剤により形成したことを特徴と
するものである。
に、この発明は、セラミック圧電基板の両面に対向電極
を設けた圧電共振子をセラミック封止基板により封止す
ると共に、上記対向電極を封止基板の端面電極に導通さ
せた圧電部品であり、上記端面電極をセラミックよりも
ヤング率の低い導電接着剤により形成したことを特徴と
するものである。
【0007】
【作用】この発明によれば、セラミック圧電基板をセラ
ミック封止基板で挟んだ構造において、両基板の端面電
極をセラミックよりもヤング率の低い導電接着剤により
形成して、端面電極そのものに制振効果を持たせるよう
にしたので、圧電基板の不要振動やメインの漏れ振動が
導電接着剤の部分で効率良く減衰され、封止基板には伝
わらない。従って、振動エネルギーの閉じ込め効果が向
上し、不要振動等による悪影響を極力抑えることができ
る。
ミック封止基板で挟んだ構造において、両基板の端面電
極をセラミックよりもヤング率の低い導電接着剤により
形成して、端面電極そのものに制振効果を持たせるよう
にしたので、圧電基板の不要振動やメインの漏れ振動が
導電接着剤の部分で効率良く減衰され、封止基板には伝
わらない。従って、振動エネルギーの閉じ込め効果が向
上し、不要振動等による悪影響を極力抑えることができ
る。
【0008】
【実施例】以下、この発明の一実施例を添付図面に従っ
て説明する。
て説明する。
【0009】図1及び図2において、1は厚みすべりエ
ネルギー閉じ込め形圧電共振子で、セラミック圧電基板
2の両面がセラミック封止基板4,4により封止されて
いる。10は外部電極で、端面電極11と、この端面電
極11に導通する上下電極12,12と、該端面電極1
1と上下電極12,12とを全面に亘って被覆する金属
メッキ層13とで構成されている。
ネルギー閉じ込め形圧電共振子で、セラミック圧電基板
2の両面がセラミック封止基板4,4により封止されて
いる。10は外部電極で、端面電極11と、この端面電
極11に導通する上下電極12,12と、該端面電極1
1と上下電極12,12とを全面に亘って被覆する金属
メッキ層13とで構成されている。
【0010】上記端面電極11,11は、セラミック圧
電基板2とセラミック封止基板4,4の両端面にそれぞ
れ形成されると共に、セラミック圧電基板2の対向電極
1a,1bに個別に導通している。この端面電極11
は、セラミックよりもヤング率の低い電極材料の導電接
着剤により形成されている。通常のセラミックのヤング
率は1011N/m2 程度であり、これと比較して導電接
着剤のヤング率は、102 N/m2 程度と非常に低い。
この導電接着剤は、圧電基板2と封止基板4,4の両端
面のみ塗布されて、封止基板4,4への不要振動の伝播
を抑える働きをする。このような導電接着剤としては、
活性化タイプのものが使用され、これにより、端面電極
11の全体を金属メッキ処理することが可能である。
電基板2とセラミック封止基板4,4の両端面にそれぞ
れ形成されると共に、セラミック圧電基板2の対向電極
1a,1bに個別に導通している。この端面電極11
は、セラミックよりもヤング率の低い電極材料の導電接
着剤により形成されている。通常のセラミックのヤング
率は1011N/m2 程度であり、これと比較して導電接
着剤のヤング率は、102 N/m2 程度と非常に低い。
この導電接着剤は、圧電基板2と封止基板4,4の両端
面のみ塗布されて、封止基板4,4への不要振動の伝播
を抑える働きをする。このような導電接着剤としては、
活性化タイプのものが使用され、これにより、端面電極
11の全体を金属メッキ処理することが可能である。
【0011】また、セラミック封止基板4,4の上下面
に形成される上下電極12,12は、ヤング率よりも導
電性を重視して、銀等の半田付け性の良い材料が使用さ
れており、例えばスパッタリングあるいは蒸着により被
着される。
に形成される上下電極12,12は、ヤング率よりも導
電性を重視して、銀等の半田付け性の良い材料が使用さ
れており、例えばスパッタリングあるいは蒸着により被
着される。
【0012】さらに、上記端面電極11と上下電極1
2,12を被覆する金属メッキ層13は、両電極11,
12をそれぞれ保護する電極層になっている。
2,12を被覆する金属メッキ層13は、両電極11,
12をそれぞれ保護する電極層になっている。
【0013】上記圧電部品を製造するにあたっては、図
3に示すように、セラミック圧電基板2をセラミック封
止基板4,4にて封止した後に、両者2,4の両端面に
エポキシ樹脂を塗布して端面電極11を形成すると共
に、セラミック封止基板4,4の上下面に銀をスパッタ
あるいは蒸着により被着して端面電極11に導通した上
下電極12,12を形成する。さらに、図4に示すよう
に、端面電極11及び上下電極12,12の外表面全体
に亘って半田付け性に優れた金属をメッキ処理して金属
メッキ層13を形成した後、リード線やボンディングワ
イヤなどを基板に半田付けする。
3に示すように、セラミック圧電基板2をセラミック封
止基板4,4にて封止した後に、両者2,4の両端面に
エポキシ樹脂を塗布して端面電極11を形成すると共
に、セラミック封止基板4,4の上下面に銀をスパッタ
あるいは蒸着により被着して端面電極11に導通した上
下電極12,12を形成する。さらに、図4に示すよう
に、端面電極11及び上下電極12,12の外表面全体
に亘って半田付け性に優れた金属をメッキ処理して金属
メッキ層13を形成した後、リード線やボンディングワ
イヤなどを基板に半田付けする。
【0014】上記構成によれば、端面電極11,11を
エポキシ樹脂のようにセラミックより低ヤング率の導電
接着剤により形成して、端面電極11そのものに制振効
果を持たせたから、セラミック圧電基板2の不要振動や
メインの漏れ振動の伝播が端面電極11,11の部分で
十分に減衰されてセラミック封止基板4,4には伝わら
ないので、振動エネルギーの閉じ込め効果が向上する。
エポキシ樹脂のようにセラミックより低ヤング率の導電
接着剤により形成して、端面電極11そのものに制振効
果を持たせたから、セラミック圧電基板2の不要振動や
メインの漏れ振動の伝播が端面電極11,11の部分で
十分に減衰されてセラミック封止基板4,4には伝わら
ないので、振動エネルギーの閉じ込め効果が向上する。
【0015】その結果、セラミック圧電基板2の電気特
性は劣化せず、良品率が向上するので、例えばディスク
リミネータにおいて復調歪率波形に不要振動によるリッ
プルが現れず、復調歪率特性の向上を図ることができ
る。さらにはフィルタの高域側スプリアスの低減や、ト
ラップの映像帯域内G.D.Tの向上を図ることができ
るなど、不要振動による悪影響を極力抑えることができ
る。
性は劣化せず、良品率が向上するので、例えばディスク
リミネータにおいて復調歪率波形に不要振動によるリッ
プルが現れず、復調歪率特性の向上を図ることができ
る。さらにはフィルタの高域側スプリアスの低減や、ト
ラップの映像帯域内G.D.Tの向上を図ることができ
るなど、不要振動による悪影響を極力抑えることができ
る。
【0016】尚、上記金属メッキ層13を省略し、図5
に示すように端面電極11と上下電極12,12のみで
外部電極10’を構成してもよい。
に示すように端面電極11と上下電極12,12のみで
外部電極10’を構成してもよい。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、セラミックよりヤング率の低い導電接着剤を端面電
極材料としたので、セラミック圧電基板をセラミック封
止基板で挟んだエネルギー閉じ込め形圧電共振子の構造
において、圧電体の不要振動やメインの漏れ振動が封止
基板に伝播されず、閉じ込め効果が向上する。その結
果、不要振動等による悪影響を極力小さくして、電気特
性の向上を図ることができる。
ば、セラミックよりヤング率の低い導電接着剤を端面電
極材料としたので、セラミック圧電基板をセラミック封
止基板で挟んだエネルギー閉じ込め形圧電共振子の構造
において、圧電体の不要振動やメインの漏れ振動が封止
基板に伝播されず、閉じ込め効果が向上する。その結
果、不要振動等による悪影響を極力小さくして、電気特
性の向上を図ることができる。
【図1】この発明の一実施例に係るエネルギー閉じ込め
形圧電共振子を示す斜視図。
形圧電共振子を示す斜視図。
【図2】図1のA−A線縦断面図。
【図3】端面電極と上下電極を形成した状態を示す工程
図。
図。
【図4】金属メッキ層を形成した状態を示す工程図。
【図5】この発明の他の実施例を示す縦断面図。
1 圧電共振子 2 セラミック圧電基板 4 セラミック封止基板 10.10’ 外部電極 11 端面電極 12 上下電極 13 金属メッキ
Claims (1)
- 【請求項1】 セラミック製圧電基板の両面に対向電極
を設けた圧電共振子をセラミック製封止基板により封止
すると共に、上記対向電極を封止基板の端面電極に導通
させてなる圧電部品において、上記端面電極をセラミッ
クよりもヤング率の低い導電接着剤により形成したこと
を特徴とする圧電部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22869791A JPH05102778A (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 圧電部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22869791A JPH05102778A (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 圧電部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102778A true JPH05102778A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=16880385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22869791A Pending JPH05102778A (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 圧電部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05102778A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012060628A (ja) * | 2010-08-07 | 2012-03-22 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス及びその製造方法 |
| US9446989B2 (en) | 2012-12-28 | 2016-09-20 | United Technologies Corporation | Carbon fiber-reinforced article and method therefor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6310594A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-18 | 日本電気株式会社 | 高熱伝導多層セラミツク配線基板 |
| JPS6432371U (ja) * | 1987-08-20 | 1989-02-28 | ||
| JPH03175711A (ja) * | 1989-12-04 | 1991-07-30 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型電子部品 |
-
1991
- 1991-08-13 JP JP22869791A patent/JPH05102778A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6310594A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-18 | 日本電気株式会社 | 高熱伝導多層セラミツク配線基板 |
| JPS6432371U (ja) * | 1987-08-20 | 1989-02-28 | ||
| JPH03175711A (ja) * | 1989-12-04 | 1991-07-30 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型電子部品 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012060628A (ja) * | 2010-08-07 | 2012-03-22 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス及びその製造方法 |
| US9446989B2 (en) | 2012-12-28 | 2016-09-20 | United Technologies Corporation | Carbon fiber-reinforced article and method therefor |
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