JPH0510831A - 温度検知素子 - Google Patents
温度検知素子Info
- Publication number
- JPH0510831A JPH0510831A JP18360391A JP18360391A JPH0510831A JP H0510831 A JPH0510831 A JP H0510831A JP 18360391 A JP18360391 A JP 18360391A JP 18360391 A JP18360391 A JP 18360391A JP H0510831 A JPH0510831 A JP H0510831A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- film
- substrate
- hydrogen
- detecting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】測定対象物を汚染せずに特定温度を検知するこ
とができる温度検知素子を提供することを目的とする。 【構成】石英やガラスで形成された基板１と、その上に
プラズマＣＶＤで成膜されたアモルファス水素化シリコ
ン膜２とで温度検知素子を構成する。そして、ある一定
温度に達するとアモルファス水素化シリコン膜２の水素
が脱離し、膜２の色相が変化し、これにより温度を検知
することができる。
とができる温度検知素子を提供することを目的とする。 【構成】石英やガラスで形成された基板１と、その上に
プラズマＣＶＤで成膜されたアモルファス水素化シリコ
ン膜２とで温度検知素子を構成する。そして、ある一定
温度に達するとアモルファス水素化シリコン膜２の水素
が脱離し、膜２の色相が変化し、これにより温度を検知
することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ある特定の温度を検
知するための温度検知素子に関する。
知するための温度検知素子に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
特定温度を検知することを目的として、サ−モラベルが
用いられている。このサ−モラベルは、温度により変色
する色素等の示温材料を用いたラベルであり、直接温度
検知対象物に貼り付けて用いられる。このようなサ−モ
ラベルの利点は、外部から視覚的に温度を検知できるこ
とにある。
特定温度を検知することを目的として、サ−モラベルが
用いられている。このサ−モラベルは、温度により変色
する色素等の示温材料を用いたラベルであり、直接温度
検知対象物に貼り付けて用いられる。このようなサ−モ
ラベルの利点は、外部から視覚的に温度を検知できるこ
とにある。
【０００３】しかしながら、測定対象物によっては、サ
−モラベルに用いられる接着剤及びその他の材料がその
測定対象物を汚染してしまうおそれがある。
−モラベルに用いられる接着剤及びその他の材料がその
測定対象物を汚染してしまうおそれがある。
【０００４】この発明は、このような実情に鑑みてなさ
れたものであって、測定対象物を汚染せずに特定温度を
検知することができる温度検知素子を提供することを目
的とする。
れたものであって、測定対象物を汚染せずに特定温度を
検知することができる温度検知素子を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、アモルファス水素化シリコン膜を該膜と
密着性の良い基板上に成膜してなり、前記アモルファス
水素化シリコン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈと表わす）膜の水
素の脱離に伴うその膜の色相の変化により温度を検知す
ることを特徴とする温度検知素子を提供する。
成するために、アモルファス水素化シリコン膜を該膜と
密着性の良い基板上に成膜してなり、前記アモルファス
水素化シリコン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈと表わす）膜の水
素の脱離に伴うその膜の色相の変化により温度を検知す
ることを特徴とする温度検知素子を提供する。
【０００６】
【作用】基板上に成膜されたａ−Ｓｉ：Ｈ膜中の水素
は、特定の温度（例えば４５０℃）で脱離する。この水
素の脱離に伴って膜の屈折率が変化する。すなわち、水
素を含んでいる膜では屈折率が３．１程度であるが、温
度が上昇して水素が脱離すると屈折率は３．７程度に大
幅に増大する。この屈折率の変化は人間の視覚により容
易に膜の色の変化として把握することができる。従っ
て、膜の色の変化により特定温度（例えば４５０℃）を
超えたことを検知することができる。
は、特定の温度（例えば４５０℃）で脱離する。この水
素の脱離に伴って膜の屈折率が変化する。すなわち、水
素を含んでいる膜では屈折率が３．１程度であるが、温
度が上昇して水素が脱離すると屈折率は３．７程度に大
幅に増大する。この屈折率の変化は人間の視覚により容
易に膜の色の変化として把握することができる。従っ
て、膜の色の変化により特定温度（例えば４５０℃）を
超えたことを検知することができる。
【０００７】
【実施例】以下、添付図面を参照して、この発明の実施
例について説明する。
例について説明する。
【０００８】図１は、この発明の実施例に係る温度検知
素子を示す概略構成図である。この実施例では、基板と
して石英を用いており、石英基板１上にａ−Ｓｉ：Ｈ膜
２が形成されている。このａ−Ｓｉ：Ｈ膜２はプラズマ
ＣＶＤ法により容易に形成することができる。この際の
成膜条件は、例えば以下のように設定される。
素子を示す概略構成図である。この実施例では、基板と
して石英を用いており、石英基板１上にａ−Ｓｉ：Ｈ膜
２が形成されている。このａ−Ｓｉ：Ｈ膜２はプラズマ
ＣＶＤ法により容易に形成することができる。この際の
成膜条件は、例えば以下のように設定される。
【０００９】 反応ガス： ＳｉＨ4 （流量２０ｃｃｍ） Ｈ2 （流量１８０ｃｃｍ） 圧力： ０．８Torr ＲＦパワ−： ０．０６Ｗ／cm2 成膜温度： １００℃ 膜厚： ０．２ミクロン このような条件で石英基板１上に成膜されたａ−Ｓｉ：
Ｈ膜２は、成膜ままではその屈折率が３．１程度であ
る。この基板を加熱していくと、４５０℃において膜中
の水素が脱離するため、膜の屈折率が３．７程度に上昇
する。０．２ミクロン程度の膜厚の場合には、膜の色が
薄い黄褐色からこげ茶色に変化する。この色の変化によ
り温度が４５０℃を超えたことを検知することができ
る。
Ｈ膜２は、成膜ままではその屈折率が３．１程度であ
る。この基板を加熱していくと、４５０℃において膜中
の水素が脱離するため、膜の屈折率が３．７程度に上昇
する。０．２ミクロン程度の膜厚の場合には、膜の色が
薄い黄褐色からこげ茶色に変化する。この色の変化によ
り温度が４５０℃を超えたことを検知することができ
る。
【００１０】基板として、上述した石英やガラスを用い
た場合には膜が剥離せず、ダストが発生しない。従っ
て、測定対象物を汚染することなく温度を検知すること
ができる。しかもこの温度検知素子は、半導体プロセス
で使用されている汚染のない材料のみで構成されてお
り、また水素を発生するだけであるので、特に半導体プ
ロセスでの温度検知に有効である。
た場合には膜が剥離せず、ダストが発生しない。従っ
て、測定対象物を汚染することなく温度を検知すること
ができる。しかもこの温度検知素子は、半導体プロセス
で使用されている汚染のない材料のみで構成されてお
り、また水素を発生するだけであるので、特に半導体プ
ロセスでの温度検知に有効である。
【００１１】また、基板として石英やガラスのような透
明な材質のものを用いた場合には、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜２の
色相変化を、膜の反射光あるいは透過光のいずれによっ
ても判別できるという利点もある。
明な材質のものを用いた場合には、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜２の
色相変化を、膜の反射光あるいは透過光のいずれによっ
ても判別できるという利点もある。
【００１２】
【発明の効果】この発明によれば、測定対象物を汚染す
ることなく特定温度を検知することができる温度検知素
子が提供される。従って、特に不純物元素による汚染が
問題となる半導体プロセスの温度モニタとして有効であ
る。
ることなく特定温度を検知することができる温度検知素
子が提供される。従って、特に不純物元素による汚染が
問題となる半導体プロセスの温度モニタとして有効であ
る。
【図１】この発明の実施例に係る温度検知素子を示す構
成図。
成図。
１；基板、２；ａ−Ｓｉ：Ｈ膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 アモルファス水素化シリコン膜を該膜と
密着性の良い基板上に成膜してなり、前記アモルファス
水素化シリコン膜の水素の脱離に伴うその膜の色相の変
化により温度を検知することを特徴とする温度検知素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18360391A JPH0510831A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 温度検知素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18360391A JPH0510831A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 温度検知素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0510831A true JPH0510831A (ja) | 1993-01-19 |
Family
ID=16138699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18360391A Pending JPH0510831A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 温度検知素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0510831A (ja) |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP18360391A patent/JPH0510831A/ja active Pending
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