JPH05109045A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH05109045A JPH05109045A JP29759291A JP29759291A JPH05109045A JP H05109045 A JPH05109045 A JP H05109045A JP 29759291 A JP29759291 A JP 29759291A JP 29759291 A JP29759291 A JP 29759291A JP H05109045 A JPH05109045 A JP H05109045A
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- Japan
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- magnetic recording
- recording medium
- magnetic
- recording layer
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】
【構成】 磁気記録層が下記組成式
Ｃｏ（１００−ｘ−ｙ−ｚ）ＣｒｘＴａｙＰｔｚ
（但し、ｘ、ｙ及びｚは、それぞれ原子％で３．０≦ｘ
≦１７．０、０．５≦ｙ≦６．５、０．０＜ｚ≦１８．
０である。） で表される４元素よりなる合金薄膜であることを特徴と
する磁気記録媒体 【効果】 成膜する直前の真空槽内到達真空度が低
くても、高保磁力を有する磁気記録媒体を製造すること
ができるので、生産性を著しく向上させることができ
る。
≦１７．０、０．５≦ｙ≦６．５、０．０＜ｚ≦１８．
０である。） で表される４元素よりなる合金薄膜であることを特徴と
する磁気記録媒体 【効果】 成膜する直前の真空槽内到達真空度が低
くても、高保磁力を有する磁気記録媒体を製造すること
ができるので、生産性を著しく向上させることができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュ−タ等の外部
記憶装置（磁気ディスク装置）において、磁気記憶体と
して用いられる磁気ディスク等に使用される高密度記録
用の磁気記録媒体に関するものである。
記憶装置（磁気ディスク装置）において、磁気記憶体と
して用いられる磁気ディスク等に使用される高密度記録
用の磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、コンピュ−タ等の記憶媒体として
は磁性粉を塗布したテ−プ等が広く用いられている。し
かし、この記憶テ−プ方式では記憶密度が小さくアクセ
ス時間が長いなどの欠点がある。このため、最近では、
ランダムアクセスが可能な円板状の磁気ディスクが広く
用いられており、なかでも、基板にアルミ合金等を用い
た磁気ディスク、いわゆるハ−ドディスクが使用される
ようになってきている。
は磁性粉を塗布したテ−プ等が広く用いられている。し
かし、この記憶テ−プ方式では記憶密度が小さくアクセ
ス時間が長いなどの欠点がある。このため、最近では、
ランダムアクセスが可能な円板状の磁気ディスクが広く
用いられており、なかでも、基板にアルミ合金等を用い
た磁気ディスク、いわゆるハ−ドディスクが使用される
ようになってきている。
【０００３】この磁気ディスクは、一般に、２ｍｍ程度
の堅い基板上に、厚さ１μｍ程度の磁気記録層を形成す
ることにより構成され、磁気記録層としては、一般にγ
−Ｆｅ２Ｏ３等の磁性粉をバインダと混合し、これをデ
ィスク基板上にスピンコ−ト等の手法で塗布したものが
用いられてきた。しかし、この方法で得られる磁気ディ
スクは、飽和磁化の大きさに限界があり、高密度記録媒
体としてはほぼ限界に達してきている。そこで、より高
密度記録が可能な媒体を得るために、高保磁力を有する
コバルト−白金等の合金薄膜、あるいは高ＳＮ比を有す
るコバルト−クロム−タンタル等の合金薄膜を真空蒸
着、スパッタリング等の真空成膜技術により、ディスク
基板上あるいは基板上に形成された下地層上に形成した
ものが使用され始めている。
の堅い基板上に、厚さ１μｍ程度の磁気記録層を形成す
ることにより構成され、磁気記録層としては、一般にγ
−Ｆｅ２Ｏ３等の磁性粉をバインダと混合し、これをデ
ィスク基板上にスピンコ−ト等の手法で塗布したものが
用いられてきた。しかし、この方法で得られる磁気ディ
スクは、飽和磁化の大きさに限界があり、高密度記録媒
体としてはほぼ限界に達してきている。そこで、より高
密度記録が可能な媒体を得るために、高保磁力を有する
コバルト−白金等の合金薄膜、あるいは高ＳＮ比を有す
るコバルト−クロム−タンタル等の合金薄膜を真空蒸
着、スパッタリング等の真空成膜技術により、ディスク
基板上あるいは基板上に形成された下地層上に形成した
ものが使用され始めている。
【０００４】しかしながら、上記のコバルト−白金系あ
るいはコバルト−クロム−タンタル系合金薄膜を用いる
磁気記録媒体は、高密度記録を達成するために必要な高
保磁力、高ＳＮ比を得るためには、成膜直前の真空槽内
の到達真空度を１０−７ｔｏｒｒ台以下に制御しなけれ
ばならず、また、磁気特性の到達真空度依存性が強いこ
とから、生産性を安定して向上させるのが困難となると
いう問題点がある。
るいはコバルト−クロム−タンタル系合金薄膜を用いる
磁気記録媒体は、高密度記録を達成するために必要な高
保磁力、高ＳＮ比を得るためには、成膜直前の真空槽内
の到達真空度を１０−７ｔｏｒｒ台以下に制御しなけれ
ばならず、また、磁気特性の到達真空度依存性が強いこ
とから、生産性を安定して向上させるのが困難となると
いう問題点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点に鑑み、成膜前の到達真空度が低い状態で成膜し
ても、高保磁力、高ＳＮ比を達成できる生産性に優れた
磁気記録媒体を提供することにある。
問題点に鑑み、成膜前の到達真空度が低い状態で成膜し
ても、高保磁力、高ＳＮ比を達成できる生産性に優れた
磁気記録媒体を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討を行った結果、磁気記録層
に、下記組成式、 Ｃｏ（１００−ｘ−ｙ−ｚ）ＣｒｘＴａｙＰｔｚ（但
し、ｘ、ｙ及びｚは、それぞれ原子％で３．０≦ｘ≦１
７．０、０．５≦ｙ≦６．５、０．０＜ｚ≦１８．０で
ある。） で表される４元素よりなる合金薄膜を用いることによ
り、成膜前の到達真空度が低くても高保磁力を有する生
産性に優れた磁気記録媒体を得ることができることを見
出だし、本発明を完成するに至った。
を解決するために鋭意検討を行った結果、磁気記録層
に、下記組成式、 Ｃｏ（１００−ｘ−ｙ−ｚ）ＣｒｘＴａｙＰｔｚ（但
し、ｘ、ｙ及びｚは、それぞれ原子％で３．０≦ｘ≦１
７．０、０．５≦ｙ≦６．５、０．０＜ｚ≦１８．０で
ある。） で表される４元素よりなる合金薄膜を用いることによ
り、成膜前の到達真空度が低くても高保磁力を有する生
産性に優れた磁気記録媒体を得ることができることを見
出だし、本発明を完成するに至った。
【０００７】すなわち本発明は、非磁性基板上に非磁性
下地層を介して、磁性金属薄膜からなる磁気記録層及び
該磁気記録層を保護するための保護層を設けてなる磁気
記録媒体において、磁気記録層の組成が、前記のごとき
組成で表される４元素よりなる合金薄膜からなる磁気記
録媒体に関する。
下地層を介して、磁性金属薄膜からなる磁気記録層及び
該磁気記録層を保護するための保護層を設けてなる磁気
記録媒体において、磁気記録層の組成が、前記のごとき
組成で表される４元素よりなる合金薄膜からなる磁気記
録媒体に関する。
【０００８】以下、図面に基づき本発明を詳細に説明す
る。
る。
【０００９】図１は、本発明による磁気記録媒体の一実
施態様を示す部分断面図である。下地体１としては、ニ
ッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキ膜、陽極酸化アルマイ
ト膜等を被覆したアルミ合金、窒化硅素焼結体、酸化ア
ルミ焼結体等のセラミックス、ステンレス、チタン合金
等の金属、ガラス、プラスチック等が用いられる。ま
た、下地層２としてクロム等の非磁性薄膜を５００〜５
０００オングストロームの厚さに成膜する。
施態様を示す部分断面図である。下地体１としては、ニ
ッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキ膜、陽極酸化アルマイ
ト膜等を被覆したアルミ合金、窒化硅素焼結体、酸化ア
ルミ焼結体等のセラミックス、ステンレス、チタン合金
等の金属、ガラス、プラスチック等が用いられる。ま
た、下地層２としてクロム等の非磁性薄膜を５００〜５
０００オングストロームの厚さに成膜する。
【００１０】この下地層２上に本発明による、コバルト
−クロム−タンタル−白金（以下、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−
Ｐｔと略す）系合金薄膜からなる磁気記録層３を形成す
る。磁気記録層をＣｏ（１００−ｘ−ｙ−ｚ）ＣｒｘＴ
ａｙＰｔｚと表せば、ｘ（原子％）は、３．０≦ｘ≦１
７．０、好ましくは、５．０≦ｘ≦１５．０であり、ｙ
（原子％）は、０．５≦ｙ≦６．５、好ましくは、１．
０≦ｙ≦５．０であり、ｚ（原子％）は、０．０＜ｚ≦
１８．０、好ましくは、４．０≦ｚ≦１５．０である。
これら４元素の添加量が前記範囲より少ない場合には、
本発明による効果が得られないか、もしくは得られる媒
体の保磁力が悪くなるおそれがあり、一方、添加量が前
記範囲より多い場合には、本発明による効果が得られな
いか、もしくは得られる媒体の保磁力及び飽和磁化が低
下するおそれがある。なかでも、白金の含有量を多くし
た場合には、著しくコスト高となるため、実用的ではな
い。
−クロム−タンタル−白金（以下、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−
Ｐｔと略す）系合金薄膜からなる磁気記録層３を形成す
る。磁気記録層をＣｏ（１００−ｘ−ｙ−ｚ）ＣｒｘＴ
ａｙＰｔｚと表せば、ｘ（原子％）は、３．０≦ｘ≦１
７．０、好ましくは、５．０≦ｘ≦１５．０であり、ｙ
（原子％）は、０．５≦ｙ≦６．５、好ましくは、１．
０≦ｙ≦５．０であり、ｚ（原子％）は、０．０＜ｚ≦
１８．０、好ましくは、４．０≦ｚ≦１５．０である。
これら４元素の添加量が前記範囲より少ない場合には、
本発明による効果が得られないか、もしくは得られる媒
体の保磁力が悪くなるおそれがあり、一方、添加量が前
記範囲より多い場合には、本発明による効果が得られな
いか、もしくは得られる媒体の保磁力及び飽和磁化が低
下するおそれがある。なかでも、白金の含有量を多くし
た場合には、著しくコスト高となるため、実用的ではな
い。
【００１１】磁気記録層の厚さは、１００〜２０００オ
ングストローム、より好ましくは３００〜１５００オン
グストロームである。
ングストローム、より好ましくは３００〜１５００オン
グストロームである。
【００１２】この磁気記録層の上に、炭素、酸化アルミ
ニウム、酸化ジルコニウム等の無機物質からなる保護層
５を形成する。この厚みは５０〜４００オングストロー
ムが適当である。また、必要に応じて磁気記録層３と保
護層５の間に表面層４を加えてもよい。この表面層は、
クロム、チタン、バナジウム等の金属薄膜からなりその
厚みは、５０〜２００オングストロームが適当である。
ニウム、酸化ジルコニウム等の無機物質からなる保護層
５を形成する。この厚みは５０〜４００オングストロー
ムが適当である。また、必要に応じて磁気記録層３と保
護層５の間に表面層４を加えてもよい。この表面層は、
クロム、チタン、バナジウム等の金属薄膜からなりその
厚みは、５０〜２００オングストロームが適当である。
【００１３】以上のようにして得られた磁気記録ディス
クの使用にあたっては、必要に応じて保護層５の上に液
体潤滑剤、または固体潤滑剤、あるいはこれらの複合潤
滑剤を塗布して潤滑層６を形成して使用することができ
る。
クの使用にあたっては、必要に応じて保護層５の上に液
体潤滑剤、または固体潤滑剤、あるいはこれらの複合潤
滑剤を塗布して潤滑層６を形成して使用することができ
る。
【００１４】２〜５の各層はスパッタ、真空蒸着等の真
空成膜技術等により成膜され、潤滑層６はスパッタ、真
空蒸着、スピンコ−ト、ディッピング等の方法を用いる
ことができる。
空成膜技術等により成膜され、潤滑層６はスパッタ、真
空蒸着、スピンコ−ト、ディッピング等の方法を用いる
ことができる。
【００１５】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体によれば、特定の
元素比率を有したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ系合金薄膜を
磁気記録層として用いることにより、成膜直前の真空槽
内の到達真空度が低くても高保磁力を有する磁気記録媒
体を製造することができるので、生産性を著しく向上さ
せることができる。
元素比率を有したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ系合金薄膜を
磁気記録層として用いることにより、成膜直前の真空槽
内の到達真空度が低くても高保磁力を有する磁気記録媒
体を製造することができるので、生産性を著しく向上さ
せることができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき、更に詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。
【００１７】実施例１ 本発明の磁気記録媒体を次のようにして製造した。下地
体として、平均表面粗さ１００オングストロームに研磨
したニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキ膜被覆のアルミ
ニウム合金を用いた。この下地体の上に下地層として厚
さ３０００オングストロームのクロム膜および、磁気記
録層として、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金薄膜（但し、
Ｃｒの含有量を１２原子％、Ｔａの含有量を２原子％、
Ｐｔの含有量を５原子％とし、残部Ｃｏからなるものと
する）６００オングストロームを、共にＤＣスパッタリ
ング法により、連続的に同一チャンバ−内で成膜した。
更にこの層の上に、保護層として炭素膜をＤＣスパッタ
法により３００オングストロームの厚みに形成し、磁気
記録ディスクを製造した。ここで下地層を成膜する直前
の真空槽内の到達真空度を変化させた時の保磁力の変化
を図２に示す。図２によれば保磁力は到達真空度によら
ずほぼ一定となる。
体として、平均表面粗さ１００オングストロームに研磨
したニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキ膜被覆のアルミ
ニウム合金を用いた。この下地体の上に下地層として厚
さ３０００オングストロームのクロム膜および、磁気記
録層として、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金薄膜（但し、
Ｃｒの含有量を１２原子％、Ｔａの含有量を２原子％、
Ｐｔの含有量を５原子％とし、残部Ｃｏからなるものと
する）６００オングストロームを、共にＤＣスパッタリ
ング法により、連続的に同一チャンバ−内で成膜した。
更にこの層の上に、保護層として炭素膜をＤＣスパッタ
法により３００オングストロームの厚みに形成し、磁気
記録ディスクを製造した。ここで下地層を成膜する直前
の真空槽内の到達真空度を変化させた時の保磁力の変化
を図２に示す。図２によれば保磁力は到達真空度によら
ずほぼ一定となる。
【００１８】実施例２ 到達真空度を、５×１０−７Ｔｏｒｒ、５×１０−６Ｔ
ｏｒｒとし、磁気記録層Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ膜のＴ
ａ含有量を２原子％、Ｐｔの含有量を５原子％とし、Ｃ
ｒの含有量を変化させた以外は、実施例２と同様の方法
で磁気ディスクを得た。表１に保磁力のＣｒ含有量依存
性を示す。
ｏｒｒとし、磁気記録層Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ膜のＴ
ａ含有量を２原子％、Ｐｔの含有量を５原子％とし、Ｃ
ｒの含有量を変化させた以外は、実施例２と同様の方法
で磁気ディスクを得た。表１に保磁力のＣｒ含有量依存
性を示す。
【００１９】実施例３ 磁気記録層Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ膜のＣｒ含有量を１
２原子％、Ｐｔの含有量を５原子％とし、Ｔａの含有量
を変化させた以外は、実施例２と同様の方法で磁気ディ
スクを得た。表２に保磁力のＴａ含有量依存性を示す。
２原子％、Ｐｔの含有量を５原子％とし、Ｔａの含有量
を変化させた以外は、実施例２と同様の方法で磁気ディ
スクを得た。表２に保磁力のＴａ含有量依存性を示す。
【００２０】実施例４ 磁気記録層Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ膜のＣｒの含有量を
１２原子％，Ｔａの含有量を２原子％とし、Ｐｔの含有
量を変化させた以外は、実施例１と同様の方法で磁気デ
ィスクを得た。表３に保磁力のＰｔ含有量依存性を示
す。
１２原子％，Ｔａの含有量を２原子％とし、Ｐｔの含有
量を変化させた以外は、実施例１と同様の方法で磁気デ
ィスクを得た。表３に保磁力のＰｔ含有量依存性を示
す。
【００２１】比較例１ 磁気記録層をＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金薄膜（但し、Ｃｒの
含有量を１２原子％、Ｔａの含有量を２原子％、残部Ｃ
ｏとする）とした以外は実施例１と同様の方法で磁気デ
ィスクを製造した。成膜直前の到達真空度と保磁力との
関係を図３に示す。図３によれば、保磁力は到達真空度
が悪くなるのに伴い著しく低下する傾向にある。
含有量を１２原子％、Ｔａの含有量を２原子％、残部Ｃ
ｏとする）とした以外は実施例１と同様の方法で磁気デ
ィスクを製造した。成膜直前の到達真空度と保磁力との
関係を図３に示す。図３によれば、保磁力は到達真空度
が悪くなるのに伴い著しく低下する傾向にある。
【００２２】比較例２ 磁気記録層をＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（但し、Ｃｒの含有量を
１２原子％、Ｐｔの含有量を５原子％、残部Ｃｏとす
る）とした以外は実施例１と同様の方法で磁気ディスク
を製造した。成膜直前の到達真空度と保磁力との関係を
図４に示す。図４によれば、保磁力は到達真空度が悪く
なるのに伴い著しく低下する傾向にある。
１２原子％、Ｐｔの含有量を５原子％、残部Ｃｏとす
る）とした以外は実施例１と同様の方法で磁気ディスク
を製造した。成膜直前の到達真空度と保磁力との関係を
図４に示す。図４によれば、保磁力は到達真空度が悪く
なるのに伴い著しく低下する傾向にある。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【表２】
【００２５】
【表３】
【図１】 実施例１における磁気記録媒体の断面を示す
図である。
図である。
【図２】 実施例１における磁気記録媒体の成膜直前の
到達真空度と保磁力との関係を示す図である。
到達真空度と保磁力との関係を示す図である。
【図３】 比較例１における磁気記録媒体の成膜直前の
到達真空度と保磁力との関係を示す図である。
到達真空度と保磁力との関係を示す図である。
【図４】 比較例２における磁気記録媒体の成膜直前の
到達真空度と保磁力との関係を示す図である。
到達真空度と保磁力との関係を示す図である。
１ ： 下地体 ２ ： 下地層 ３ ： 磁気記録層 ４ ： 表面層 ５ ： 保護層 ６ ： 潤滑層
Claims (1)
- 【請求項１】 非磁性基板上に非磁性下地層を介して磁
性金属薄膜からなる磁気記録層及び該磁気記録層を保護
するための保護層を設けてなる磁気記録媒体において、
磁気記録層が下記組成式 Ｃｏ（１００−ｘ−ｙ−ｚ）ＣｒｘＴａｙＰｔｚ （但し、ｘ、ｙ及びｚは、それぞれ原子％で３．０≦ｘ
≦１７．０、０．５≦ｙ≦６．５、０．０＜ｚ≦１８．
０である。）で表される４元素よりなる合金薄膜である
ことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29759291A JPH05109045A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29759291A JPH05109045A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109045A true JPH05109045A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17848556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29759291A Pending JPH05109045A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109045A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0564096B1 (en) * | 1992-03-03 | 1996-07-10 | Pillarhouse International Limited | Soldering apparatus |
-
1991
- 1991-10-18 JP JP29759291A patent/JPH05109045A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0564096B1 (en) * | 1992-03-03 | 1996-07-10 | Pillarhouse International Limited | Soldering apparatus |
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