JPH05109606A - Ｘ線マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法Info
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- JPH05109606A JPH05109606A JP3265692A JP26569291A JPH05109606A JP H05109606 A JPH05109606 A JP H05109606A JP 3265692 A JP3265692 A JP 3265692A JP 26569291 A JP26569291 A JP 26569291A JP H05109606 A JPH05109606 A JP H05109606A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｘ線（露光用）マスクの製造方法、特にメン
ブレン支持材料のバックエッチング方法に関し、シリコ
ン支持枠を形成するためのシリコン基板の選択的なバッ
クエッチングを容易に且つ簡単に行う方法を提供し、Ｘ
線マスクの製造工程を簡略化することを目的とする。 【構成】 支持枠に加工されるシリコン基板１の上面に
メンブレン材料膜２を形成する工程、該シリコン基板１
の下面にエッチングマスク材料膜３を形成する工程、該
シリコン基板１の透光窓形成領域４下面に接する領域の
エッチングマスク材料膜３に、選択的に、該シリコン基
板１面が露出する深さの削り溝５を一様な密度で形成す
る工程、該エッチングマスク材料膜３をマスクにし、ウ
ェットエッチング手段によるバックエッチング６により
該シリコン基板１を選択的に除去し、該シリコン基板１
に該メンブレン材料膜２の下面を表出させる透光窓７を
形成する工程を含み構成する。
ブレン支持材料のバックエッチング方法に関し、シリコ
ン支持枠を形成するためのシリコン基板の選択的なバッ
クエッチングを容易に且つ簡単に行う方法を提供し、Ｘ
線マスクの製造工程を簡略化することを目的とする。 【構成】 支持枠に加工されるシリコン基板１の上面に
メンブレン材料膜２を形成する工程、該シリコン基板１
の下面にエッチングマスク材料膜３を形成する工程、該
シリコン基板１の透光窓形成領域４下面に接する領域の
エッチングマスク材料膜３に、選択的に、該シリコン基
板１面が露出する深さの削り溝５を一様な密度で形成す
る工程、該エッチングマスク材料膜３をマスクにし、ウ
ェットエッチング手段によるバックエッチング６により
該シリコン基板１を選択的に除去し、該シリコン基板１
に該メンブレン材料膜２の下面を表出させる透光窓７を
形成する工程を含み構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＸ線（露光用）マスクの
製造方法、特にメンブレン支持材料のバックエッチング
方法に関する。
製造方法、特にメンブレン支持材料のバックエッチング
方法に関する。
【０００２】ＶＬＳＩ等の高密度集積化に伴って、より
一層の微細加工が望まれており、この要望に答えるため
にＸ線露光技術の開発が急がれている。Ｘ線露光技術に
おいて用いられるＸ線マスクは、その構造上、通常の紫
外線露光に用いられるフォトマスクに比べて製造方法が
複雑であり、その製造方法を簡略化することが上記Ｘ線
露光を実施する際の一つの課題となっている。
一層の微細加工が望まれており、この要望に答えるため
にＸ線露光技術の開発が急がれている。Ｘ線露光技術に
おいて用いられるＸ線マスクは、その構造上、通常の紫
外線露光に用いられるフォトマスクに比べて製造方法が
複雑であり、その製造方法を簡略化することが上記Ｘ線
露光を実施する際の一つの課題となっている。
【０００３】
【従来の技術】図３はＸ線マスクの模式図で、(a) は平
面図、(b)はＡ−Ａ矢視断面図である。 この図に示す
ようにＸ線マスクは、第１の透光窓57を有するシリコン
支持枠51上にＸ線吸収体パターン（マスクパターン）58
を有するメンブレン52が張設され、このシリコン支持枠
51が、第２の透光窓60を有する固定用のセラミック支持
枠59上に接着材61により固着された構造を有し、露光に
際しては吸収体パターン58を露光面に対向させて用いら
れる。
面図、(b)はＡ−Ａ矢視断面図である。 この図に示す
ようにＸ線マスクは、第１の透光窓57を有するシリコン
支持枠51上にＸ線吸収体パターン（マスクパターン）58
を有するメンブレン52が張設され、このシリコン支持枠
51が、第２の透光窓60を有する固定用のセラミック支持
枠59上に接着材61により固着された構造を有し、露光に
際しては吸収体パターン58を露光面に対向させて用いら
れる。
【０００４】このようなＸ線マスクを製造する際に、従
来は、図４の工程断面図を参照して以下に説明する方法
により形成されていた。 図４(a) 参照 即ち、先ずCVD 法により、シリコン支持枠51になるシリ
コン基板151 の、上面に例えばメンブレン用SiC 膜152
を形成し、下面に例えばエッチングマスク用SiC 膜53を
形成し、次いでメンブレン用SiC 膜152 上にスパッタ法
によりＸ線吸収層となる例えばタンタル(Ta)膜158 を形
成する。
来は、図４の工程断面図を参照して以下に説明する方法
により形成されていた。 図４(a) 参照 即ち、先ずCVD 法により、シリコン支持枠51になるシリ
コン基板151 の、上面に例えばメンブレン用SiC 膜152
を形成し、下面に例えばエッチングマスク用SiC 膜53を
形成し、次いでメンブレン用SiC 膜152 上にスパッタ法
によりＸ線吸収層となる例えばタンタル(Ta)膜158 を形
成する。
【０００５】図４(b) 参照 次いで、シリコン基板151 を反転し、エッチングマスク
膜53上にレジスト膜62を塗布し、露光現像を行って上記
レジスト膜62にシリコン基板151 に形成する第１の透光
窓に対応するエッチング窓63を形成する。54は第１の透
光窓形成領域を示す。
膜53上にレジスト膜62を塗布し、露光現像を行って上記
レジスト膜62にシリコン基板151 に形成する第１の透光
窓に対応するエッチング窓63を形成する。54は第１の透
光窓形成領域を示す。
【０００６】図４(c) 参照 次いで、上記レジスト膜62をマスクにしドライエッチン
グを行って、エッチングマスク膜53に前記第１の透光窓
に対応するエッチング窓55を形成する。
グを行って、エッチングマスク膜53に前記第１の透光窓
に対応するエッチング窓55を形成する。
【０００７】図４(d) 参照 次いでレジスト膜62を除去した後、上記シリコン基板15
1 をエッチングマスク膜53を下にして、第２の透光窓60
を有するセラミック支持枠59上に接着する。61は接着材
を示す。
1 をエッチングマスク膜53を下にして、第２の透光窓60
を有するセラミック支持枠59上に接着する。61は接着材
を示す。
【０００８】図４(e) 参照 次いで、セラミック支持枠59の第２の透光窓60を介し、
エッチングマスク用SiC 膜53をマスクにしそのエッチン
グ窓55を介して噴射する弗硝酸系の液によるシリコン基
板151 のバックエッチング56を行い、シリコン基板151
に第１の透光窓57を形成する。ここで、上面にメンブレ
ン用SiC 膜152 及びＸ線吸収体のTa膜158 が張設された
シリコン支持枠51がセラミック支持枠59上に固着されて
なるマスクブランクスが完成する。
エッチングマスク用SiC 膜53をマスクにしそのエッチン
グ窓55を介して噴射する弗硝酸系の液によるシリコン基
板151 のバックエッチング56を行い、シリコン基板151
に第１の透光窓57を形成する。ここで、上面にメンブレ
ン用SiC 膜152 及びＸ線吸収体のTa膜158 が張設された
シリコン支持枠51がセラミック支持枠59上に固着されて
なるマスクブランクスが完成する。
【０００９】図４(f) 参照 そして以後、通常の電子ビームリソグラフィ技術により
Ｘ線吸収体のTa膜158を選択的に除去して、SiC メンブ
レン52上に所定のＸ線吸収体のTaパターン58（マスクパ
ターン）を形成する方法である。
Ｘ線吸収体のTa膜158を選択的に除去して、SiC メンブ
レン52上に所定のＸ線吸収体のTaパターン58（マスクパ
ターン）を形成する方法である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記従来の方法
によると、シリコン基板151 に透光窓57を形成するバッ
クエッチング56に用いるエッチングマスクを形成するた
めに、エッチングマスク用SiC 膜53にエッチング窓55を
開口する際、レジスト膜の塗布、露光、現像、及びエッ
チングマスク用SiC 膜53のドライエッチング工程を含む
フォトリソグラフィ手段が用いられるので、製造工程が
複雑になり、またエッチングマスク用SiC膜53のエッチ
ャントである(CF4＋O2) ガスに対する耐エッチング性が
非常に高く、且つ同エッチャントに対するレジストの耐
エッチング性が低いために、上記フォトリソグラフィに
用いられるレジスト膜62の膜厚を３μｍ以上の大きな膜
厚に形成する必要があって、この点でも上記フォトリソ
グラフィ工程が一層困難且つ複雑になるという問題があ
った。
によると、シリコン基板151 に透光窓57を形成するバッ
クエッチング56に用いるエッチングマスクを形成するた
めに、エッチングマスク用SiC 膜53にエッチング窓55を
開口する際、レジスト膜の塗布、露光、現像、及びエッ
チングマスク用SiC 膜53のドライエッチング工程を含む
フォトリソグラフィ手段が用いられるので、製造工程が
複雑になり、またエッチングマスク用SiC膜53のエッチ
ャントである(CF4＋O2) ガスに対する耐エッチング性が
非常に高く、且つ同エッチャントに対するレジストの耐
エッチング性が低いために、上記フォトリソグラフィに
用いられるレジスト膜62の膜厚を３μｍ以上の大きな膜
厚に形成する必要があって、この点でも上記フォトリソ
グラフィ工程が一層困難且つ複雑になるという問題があ
った。
【００１１】そこで本発明は、シリコン支持枠を形成す
るためのシリコン基板の選択的なバックエッチングを容
易に且つ簡単に行う方法を提供し、Ｘ線マスクの製造工
程を簡略化することを目的とする。
るためのシリコン基板の選択的なバックエッチングを容
易に且つ簡単に行う方法を提供し、Ｘ線マスクの製造工
程を簡略化することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
用工程断面図である。上記課題の解決は、シリコン支持
枠が取り囲む透光窓上に該シリコン支持枠の上面を介し
てメンブレンが張設されているＸ線マスクの形成に際し
て、該支持枠に加工されるシリコン基板(1) の上面にメ
ンブレン材料膜(2) を形成する工程と、該シリコン基板
(1) の下面にエッチングマスク材料膜(3) を形成する工
程と、該シリコン基板(1) の透光窓形成領域(4) 下面に
接する領域のエッチングマスク材料膜(3) に、選択的
に、該シリコン基板(1) 面が露出する深さの削り溝(5)
を一様な密度で形成する工程と、該エッチングマスク材
料膜(3) をマスクにし、ウェットエッチング手段による
バックエッチング(6) により該シリコン基板(1) を選択
的に除去し、該シリコン基板(1) に該メンブレン材料膜
(2) の下面を表出させる透光窓(7) を形成する工程とを
含む本発明によるＸ線マスクの製造方法によって達成さ
れる。
用工程断面図である。上記課題の解決は、シリコン支持
枠が取り囲む透光窓上に該シリコン支持枠の上面を介し
てメンブレンが張設されているＸ線マスクの形成に際し
て、該支持枠に加工されるシリコン基板(1) の上面にメ
ンブレン材料膜(2) を形成する工程と、該シリコン基板
(1) の下面にエッチングマスク材料膜(3) を形成する工
程と、該シリコン基板(1) の透光窓形成領域(4) 下面に
接する領域のエッチングマスク材料膜(3) に、選択的
に、該シリコン基板(1) 面が露出する深さの削り溝(5)
を一様な密度で形成する工程と、該エッチングマスク材
料膜(3) をマスクにし、ウェットエッチング手段による
バックエッチング(6) により該シリコン基板(1) を選択
的に除去し、該シリコン基板(1) に該メンブレン材料膜
(2) の下面を表出させる透光窓(7) を形成する工程とを
含む本発明によるＸ線マスクの製造方法によって達成さ
れる。
【００１３】
【作用】即ち本発明の方法においては、メンブレンを支
持するシリコン支持枠を形成するために、メンブレン材
料膜(2) を上面に有するシリコン基板(1) の透光窓形成
領域(4) を選択的にバックエッチング(6)する際のエッ
チング領域を規定するのに、従来のようにシリコン基板
(1)の下面に形成したエッチングマスク材料膜(3) にフ
ォトリソグラフィ技術を用いてエッチング窓を形成する
ことをせず、エッチングマスク材料膜(3) の前記バック
エッチング領域を規定する領域内全域にシリコン基板
(1) 面を露出する深さの削り溝(5) を所定の密度で形成
し、この削り溝(5) 形成領域(5A)を前記エッチング窓と
同様に機能させてシリコン基板(1) のバックエッチング
(6) を行う。
持するシリコン支持枠を形成するために、メンブレン材
料膜(2) を上面に有するシリコン基板(1) の透光窓形成
領域(4) を選択的にバックエッチング(6)する際のエッ
チング領域を規定するのに、従来のようにシリコン基板
(1)の下面に形成したエッチングマスク材料膜(3) にフ
ォトリソグラフィ技術を用いてエッチング窓を形成する
ことをせず、エッチングマスク材料膜(3) の前記バック
エッチング領域を規定する領域内全域にシリコン基板
(1) 面を露出する深さの削り溝(5) を所定の密度で形成
し、この削り溝(5) 形成領域(5A)を前記エッチング窓と
同様に機能させてシリコン基板(1) のバックエッチング
(6) を行う。
【００１４】このバックエッチングによりシリコン基板
(1) のエッチングは、前記削り溝(5) 内に露出している
シリコン面から始まって深さ方向にエッチングされると
同時に横方向にもエッチングされ、前記削り溝と削り溝
の間に残っているエッチングマスク材料膜(3) の下部の
シリコン基板(1) もエッチング除去され、前記削り溝形
成領域(5A)で規定された領域全体のシリコン基板(1) が
選択的にエッチング除去され、それと同時に前記削り溝
の間隔部に残っていたエッチングマスク材料膜(3) も選
択的にエッチング除去されるシリコンと共にリフトオフ
され、シリコン基板(1) の前記エッチングマスク材料膜
(3) の削り溝(5) の形成領域(5A)により規定された領域
に透光窓(7) が形成される。
(1) のエッチングは、前記削り溝(5) 内に露出している
シリコン面から始まって深さ方向にエッチングされると
同時に横方向にもエッチングされ、前記削り溝と削り溝
の間に残っているエッチングマスク材料膜(3) の下部の
シリコン基板(1) もエッチング除去され、前記削り溝形
成領域(5A)で規定された領域全体のシリコン基板(1) が
選択的にエッチング除去され、それと同時に前記削り溝
の間隔部に残っていたエッチングマスク材料膜(3) も選
択的にエッチング除去されるシリコンと共にリフトオフ
され、シリコン基板(1) の前記エッチングマスク材料膜
(3) の削り溝(5) の形成領域(5A)により規定された領域
に透光窓(7) が形成される。
【００１５】上記のように、本発明の方法においては、
バックエッチング領域を規定するのにエッチングマスク
材料膜にフォトリソグラフィ技術を用いてエッチング窓
を形成する方法を用いず、エッチングマスク材料膜の所
定領域に機械的に削り溝を形成することでバックエッチ
ング領域が規定できるので、Ｘ線マスクの製造工程が容
易になり、且つ大幅に簡略化される。
バックエッチング領域を規定するのにエッチングマスク
材料膜にフォトリソグラフィ技術を用いてエッチング窓
を形成する方法を用いず、エッチングマスク材料膜の所
定領域に機械的に削り溝を形成することでバックエッチ
ング領域が規定できるので、Ｘ線マスクの製造工程が容
易になり、且つ大幅に簡略化される。
【００１６】
【実施例】以下本発明を、一実施例について、図２の工
程断面図を参照して具体的に説明する。
程断面図を参照して具体的に説明する。
【００１７】図２(a) 参照 本発明の方法によりＸ線マスクを形成するに際しては、
先ずメンブレンの支持枠になる例えば厚さ 500〜600 μ
ｍ程度のシリコン基板111上に、周知の減圧成長手段に
より厚さ 2.5μｍ程度のメンブレン用SiC 膜112 を形成
する。この際、反応ガスには通常通り、例えばトリクロ
ルシラン(SiHCl3)とプロパン(C3H8)を用いる。
先ずメンブレンの支持枠になる例えば厚さ 500〜600 μ
ｍ程度のシリコン基板111上に、周知の減圧成長手段に
より厚さ 2.5μｍ程度のメンブレン用SiC 膜112 を形成
する。この際、反応ガスには通常通り、例えばトリクロ
ルシラン(SiHCl3)とプロパン(C3H8)を用いる。
【００１８】次いでシリコン基板111 の裏面上に、上記
同様の方法により、厚さ１〜２μｍ程度のエッチングマ
スク用 SiC膜13を形成する。 図２(b) 参照 次いで通常通り、メンブレン用SiC 膜112 上にＸ線吸収
層となる例えば厚さ O.8μｍ程度のTa膜118 を形成す
る。
同様の方法により、厚さ１〜２μｍ程度のエッチングマ
スク用 SiC膜13を形成する。 図２(b) 参照 次いで通常通り、メンブレン用SiC 膜112 上にＸ線吸収
層となる例えば厚さ O.8μｍ程度のTa膜118 を形成す
る。
【００１９】図２(c) 参照 次いでエッチングマスク用 SiC膜13における、シリコン
基板111 の透光窓形成領域14の下面に接している部分
に、例えばダイヤモンドが先端についたペンを用い、そ
れによる削り溝15で縁取りをした後、その内部に例えば
２ｍｍ程度のピッチで編み目状に削り溝15を形成する。
この削り溝15はシリコン基板111 の表面に達し、少なく
ともその底面にシリコン面が表出する必要がある。な
お、図において15A は削り溝形成領域を示す。
基板111 の透光窓形成領域14の下面に接している部分
に、例えばダイヤモンドが先端についたペンを用い、そ
れによる削り溝15で縁取りをした後、その内部に例えば
２ｍｍ程度のピッチで編み目状に削り溝15を形成する。
この削り溝15はシリコン基板111 の表面に達し、少なく
ともその底面にシリコン面が表出する必要がある。な
お、図において15A は削り溝形成領域を示す。
【００２０】図２(d) 参照 次いで、このシリコン基板111 を第２の透光窓20を有す
るセラミック支持枠19上にエポキシ樹脂等からなる接着
材21により固着する。
るセラミック支持枠19上にエポキシ樹脂等からなる接着
材21により固着する。
【００２１】図２(e) 参照 次いで、セラミック支持枠19の第２の透光窓20を介し、
噴射する弗硝酸系の液によるシリコン基板111 のバック
エッチング16を行う。このバックエッチング16により前
記エッチングマスク用 SiC膜13に形成した削り溝15の底
面に露出しているシリコン面から等方的にエッチングが
進んで、前記削り溝形成領域15A 上のシリコンが選択的
に総てエッチング除去され、且つ同時に削り溝形成領域
15A に残留するエッチングマスク用 SiC膜13は選択的に
リフトオフされて、シリコン基板111 に第１の透光窓17
が形成される。ここで、セラミック支持枠19上に、シリ
コン支持枠15が固着され、シリコン支持枠15上にSiC メ
ンブレン12が張設され、その上にＸ線吸収層であるTa膜
118 が形成されてなるＸ線マスクブランクスが形成され
る。
噴射する弗硝酸系の液によるシリコン基板111 のバック
エッチング16を行う。このバックエッチング16により前
記エッチングマスク用 SiC膜13に形成した削り溝15の底
面に露出しているシリコン面から等方的にエッチングが
進んで、前記削り溝形成領域15A 上のシリコンが選択的
に総てエッチング除去され、且つ同時に削り溝形成領域
15A に残留するエッチングマスク用 SiC膜13は選択的に
リフトオフされて、シリコン基板111 に第１の透光窓17
が形成される。ここで、セラミック支持枠19上に、シリ
コン支持枠15が固着され、シリコン支持枠15上にSiC メ
ンブレン12が張設され、その上にＸ線吸収層であるTa膜
118 が形成されてなるＸ線マスクブランクスが形成され
る。
【００２２】図２(f) 参照 次いで、通常通り、上記Ta膜118 を、例えば電子ビーム
露光を用いるリソグラフィ手段によりパターニングし
て、SiC メンブレン12上に所定形状を有するＸ線吸収体
のTaパターン18を有するＸ線マスクが完成する。
露光を用いるリソグラフィ手段によりパターニングし
て、SiC メンブレン12上に所定形状を有するＸ線吸収体
のTaパターン18を有するＸ線マスクが完成する。
【００２３】以上実施例に示したように本発明によれ
ば、シリコン枠15形成におけるシリコン基板115 のバッ
クエッチングに際して、エッチングマスク用 SiC膜13に
フォトリソグラフィ手段を用いて選択エッチング用の開
口（図３、55参照）を形成する必要がなく、上記のよう
に、単にエッチングマスク用 SiC膜13のシリコン基板11
1 の選択的にエッチング除去しようとする領域(14)に接
する領域に削り溝15を形成するのみでバックエッチング
16を行えばよい。従ってＸ線マスクの製造工程は大幅に
簡略化される。
ば、シリコン枠15形成におけるシリコン基板115 のバッ
クエッチングに際して、エッチングマスク用 SiC膜13に
フォトリソグラフィ手段を用いて選択エッチング用の開
口（図３、55参照）を形成する必要がなく、上記のよう
に、単にエッチングマスク用 SiC膜13のシリコン基板11
1 の選択的にエッチング除去しようとする領域(14)に接
する領域に削り溝15を形成するのみでバックエッチング
16を行えばよい。従ってＸ線マスクの製造工程は大幅に
簡略化される。
【００２４】なお、上記実施例における、前記削り溝15
の形成密度は約10％であったが、この削り溝15の形成密
度は５％以上あれば前記シリコン基板111 の選択エッチ
ングは十分可能であり、更に形成される第１の透光窓17
の寸法精度を高める必要がある場合は、削り溝15の形成
にＮＣ装置を用い、削り溝15のパターン密度を可能な限
り 100％に近づけることが望ましい。
の形成密度は約10％であったが、この削り溝15の形成密
度は５％以上あれば前記シリコン基板111 の選択エッチ
ングは十分可能であり、更に形成される第１の透光窓17
の寸法精度を高める必要がある場合は、削り溝15の形成
にＮＣ装置を用い、削り溝15のパターン密度を可能な限
り 100％に近づけることが望ましい。
【００２５】また、前記メンブレン材料及びエッチング
マスク材料には、不純物をドープしてノンドープのシリ
コン基板よりエッチング耐性を高めたドープドシリコン
膜等も用いられる。
マスク材料には、不純物をドープしてノンドープのシリ
コン基板よりエッチング耐性を高めたドープドシリコン
膜等も用いられる。
【００２６】また、バックエッチングのエッチャントに
は、上記実施例に用いた弗硝酸混液以外に、水酸化カリ
ュウム溶液、エチレンジアミンピロカテコール溶液等も
用いられる。
は、上記実施例に用いた弗硝酸混液以外に、水酸化カリ
ュウム溶液、エチレンジアミンピロカテコール溶液等も
用いられる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明のように本発明によれば、Ｘ線
マスクの製造方法が大幅に簡略化されるので、超ＬＳＩ
の製造等において微細パターンの形成にＸ線露光を用い
る際に及ぼす効果は極めて大きい。
マスクの製造方法が大幅に簡略化されるので、超ＬＳＩ
の製造等において微細パターンの形成にＸ線露光を用い
る際に及ぼす効果は極めて大きい。
【図１】 本発明の原理説明用工程断面図
【図２】 本発明の一実施例の工程断面図
【図３】 Ｘ線マスクの模式図
【図４】 従来のＸ線マスクの製造方法の工程断面図
１ シリコン基板 ２ メンブレン材料膜 ３ エッチングマスク材料膜 ４ 透光窓形成領域 ５ 削り溝 5A 削り溝形成領域 ６ バックエッチング ７ 透光窓
Claims (5)
- 【請求項１】 シリコン支持枠が取り囲む透光窓上に該
シリコン支持枠の上面を介してメンブレンが張設されて
いるＸ線マスクの形成に際して、 該支持枠に加工されるシリコン基板の上面にメンブレン
材料膜を形成する工程と、 該シリコン基板の下面にエッチングマスク材料膜を形成
する工程と、 該シリコン基板の透光窓形成領域下面に接する領域の該
エッチングマスク材料膜に、選択的に、該シリコン基板
面が露出する深さの削り溝を一様な密度で形成する工程
と、 該エッチングマスク材料膜をマスクにし、ウェットエッ
チング手段によるバックエッチングにより該シリコン基
板を選択的に除去し、該シリコン基板に該メンブレン材
料膜の下面を表出させる透光窓を形成する工程とを含む
ことを特徴とするＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項２】 前記削り溝の形成密度が、形成面全域に
渡って５〜100 ％の範囲内の一様な密度であることを特
徴とする請求項１記載のＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項３】 前記メンブレン材料が炭化珪素よりなる
ことを特徴とする請求項１記載のＸ線マスクの製造方
法。 - 【請求項４】 前記エッチングマスク材料が炭化珪素よ
りなることを特徴とする請求項１記載のＸ線マスクの製
造方法。 - 【請求項５】 前記ウェットエッチング手段に用いるエ
ッチヤントが弗酸と硝酸の混酸よりなることを特徴とす
る請求項１記載のＸ線マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3265692A JPH05109606A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3265692A JPH05109606A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109606A true JPH05109606A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17420685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3265692A Withdrawn JPH05109606A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109606A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5888852A (en) * | 1996-03-01 | 1999-03-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for forming semiconductor microstructure, semiconductor device fabricated using this method, method for fabricating resonance tunneling device, and resonance tunnel device fabricated by this method |
| CN102967992A (zh) * | 2012-11-15 | 2013-03-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、掩膜板及其制造方法和显示装置 |
-
1991
- 1991-10-15 JP JP3265692A patent/JPH05109606A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5888852A (en) * | 1996-03-01 | 1999-03-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for forming semiconductor microstructure, semiconductor device fabricated using this method, method for fabricating resonance tunneling device, and resonance tunnel device fabricated by this method |
| US6015978A (en) * | 1996-03-01 | 2000-01-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resonance tunnel device |
| CN102967992A (zh) * | 2012-11-15 | 2013-03-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、掩膜板及其制造方法和显示装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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