JPH0366656B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0366656B2 JPH0366656B2 JP59061372A JP6137284A JPH0366656B2 JP H0366656 B2 JPH0366656 B2 JP H0366656B2 JP 59061372 A JP59061372 A JP 59061372A JP 6137284 A JP6137284 A JP 6137284A JP H0366656 B2 JPH0366656 B2 JP H0366656B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- mask
- etching
- glass substrate
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体装置の製造に使用するパタ
ーン形成マスクの改良に関するものである。
ーン形成マスクの改良に関するものである。
第１図は従来の半導体装置の製造に使用するパ
ターン形成マスクの被着状態を示すもので、この
図において、１は石英等からなる透明のガラス基
板、２はクロム（Cr）等の金属薄膜で、これは
蒸着またはスパツタリング法により前記ガラス基
板１上に600Åないし800Åの膜厚に形成されてい
る。
ターン形成マスクの被着状態を示すもので、この
図において、１は石英等からなる透明のガラス基
板、２はクロム（Cr）等の金属薄膜で、これは
蒸着またはスパツタリング法により前記ガラス基
板１上に600Åないし800Åの膜厚に形成されてい
る。
従来の半導体装置用パターン形成マスクは、上
記のようにCrを使用したハードマスクが一般に
使用されている。しかしながら、このCrのウエ
ツトエツチングでは高精度マスクの製造が困難で
あり、また、ドライエツチングでは高精度のもの
が得られるが、Crエツチング速度が約100Å／
min以下で能率が悪く、かつ、併用されるレジス
トの選択比も悪いため量産に適していなかつた。
記のようにCrを使用したハードマスクが一般に
使用されている。しかしながら、このCrのウエ
ツトエツチングでは高精度マスクの製造が困難で
あり、また、ドライエツチングでは高精度のもの
が得られるが、Crエツチング速度が約100Å／
min以下で能率が悪く、かつ、併用されるレジス
トの選択比も悪いため量産に適していなかつた。
この発明は、上記従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、具体的には石英等からな
るガラス基板上に、膜厚が500Åないし1000Åで
ある、モリブデン（Mo）またはタングステン
（Ｗ）あるいはタンタル（Ta）のシリサイド化膜
を形成し、これをパターン形成マスクとして使用
することを特徴とするものである。
ためになされたもので、具体的には石英等からな
るガラス基板上に、膜厚が500Åないし1000Åで
ある、モリブデン（Mo）またはタングステン
（Ｗ）あるいはタンタル（Ta）のシリサイド化膜
を形成し、これをパターン形成マスクとして使用
することを特徴とするものである。
ところで、半導体装置の製造に使用されるパタ
ーン形成マスクは、初期においてはガラス基板を
用いた写真乳剤乾板を利用していたが、高集積
化、微細化が進むにつれて、現在ではガラス基板
上にCr等の金属薄膜からなる、いわゆるハード
マスクが広く使用されている。このようなCr等
の金属薄膜は蒸着またはスパツタリング法により
約600Åないし800Åの膜厚に形成され、その所要
のマスク化には、この金属薄膜上にフオトレジス
トまたは電子ビーム（EB）用レジスト等を適宜
塗布した後、これに光またはEBにより所要のパ
ターンを描画した後、現像、エツチング等の工程
を経て作られる。
ーン形成マスクは、初期においてはガラス基板を
用いた写真乳剤乾板を利用していたが、高集積
化、微細化が進むにつれて、現在ではガラス基板
上にCr等の金属薄膜からなる、いわゆるハード
マスクが広く使用されている。このようなCr等
の金属薄膜は蒸着またはスパツタリング法により
約600Åないし800Åの膜厚に形成され、その所要
のマスク化には、この金属薄膜上にフオトレジス
トまたは電子ビーム（EB）用レジスト等を適宜
塗布した後、これに光またはEBにより所要のパ
ターンを描画した後、現像、エツチング等の工程
を経て作られる。
なお、この際のエツチングは金属薄膜がCrの
場合、ウエツト法では硝酸第二セリウムアンモン
と過塩素酸で行い、また、ドライ法では四塩化炭
素（CCl4）と酸素（O2）の混合ガスで行うが、
半導体装置が特にVLSI等のように高集積化、微
細パターンを有する場合にはドライエツチング法
が有利であることが知られている。以下、この発
明について説明する。
場合、ウエツト法では硝酸第二セリウムアンモン
と過塩素酸で行い、また、ドライ法では四塩化炭
素（CCl4）と酸素（O2）の混合ガスで行うが、
半導体装置が特にVLSI等のように高集積化、微
細パターンを有する場合にはドライエツチング法
が有利であることが知られている。以下、この発
明について説明する。
第２図はこの発明の一実施例を示すもので、こ
の図において、１は石英等からなる透明のガラス
基板、３はスパツタリング法等で形成したモリブ
デン（Mo）またはタングステン（Ｗ）あるいは
タンタル（Ta）のシリサイド化膜であり、その
膜厚を500Åないし1000Å程度の薄膜にしたもの
であり、この範囲の膜厚に形成する場合には、特
にICB（Ionized Cruster Beam）法で行えば高精
度のものが得られる。
の図において、１は石英等からなる透明のガラス
基板、３はスパツタリング法等で形成したモリブ
デン（Mo）またはタングステン（Ｗ）あるいは
タンタル（Ta）のシリサイド化膜であり、その
膜厚を500Åないし1000Å程度の薄膜にしたもの
であり、この範囲の膜厚に形成する場合には、特
にICB（Ionized Cruster Beam）法で行えば高精
度のものが得られる。
上記のようにして、ガラス基板１上に被着させ
たシリサイド化膜３上にフオトレジストまたは
EBレジストを約500Å程度の厚さに塗布した後、
光またはEBで所定のパターンを描画する。その
後、現像処理を経て当該シリサイド化膜３のエツ
チングを行う。この場合のエツチングはドライ法
で容易に行える。
たシリサイド化膜３上にフオトレジストまたは
EBレジストを約500Å程度の厚さに塗布した後、
光またはEBで所定のパターンを描画する。その
後、現像処理を経て当該シリサイド化膜３のエツ
チングを行う。この場合のエツチングはドライ法
で容易に行える。
具体的には、Moのシリサイド化膜３の場合に
はCF4＋O2（２％）の混合ガスを使用し、0.2Torr
の真空度とし、300Wの条件下でエツチングを行
うと約1000Å／minのエツチングスピードで所期
の加工が終了する。このエツチングスピードは、
従来のCrのドライエツチングスピードに比べ約
１／10になつている。
はCF4＋O2（２％）の混合ガスを使用し、0.2Torr
の真空度とし、300Wの条件下でエツチングを行
うと約1000Å／minのエツチングスピードで所期
の加工が終了する。このエツチングスピードは、
従来のCrのドライエツチングスピードに比べ約
１／10になつている。
この様に膜厚が500Å〜1000Åのシリサイド化
膜をエツチング除去してパターン化したマスク
は、マスクとしての所望の光学濃度が得られたと
ともに、膜厚が500Å以上であるため、シリサイ
ド化膜にピンホールなどの欠陥も生じることがな
く、かつ膜厚が1000Å以下であるので、微細パタ
ーンが形成できた。
膜をエツチング除去してパターン化したマスク
は、マスクとしての所望の光学濃度が得られたと
ともに、膜厚が500Å以上であるため、シリサイ
ド化膜にピンホールなどの欠陥も生じることがな
く、かつ膜厚が1000Å以下であるので、微細パタ
ーンが形成できた。
以上はMoのシリサイド化膜３の場合について
説明したが、ＷあるいはTaのシリサイド化膜３
の場合であつてもよく、同様の効果が得られる。
説明したが、ＷあるいはTaのシリサイド化膜３
の場合であつてもよく、同様の効果が得られる。
その他、これらこの発明のシリサイド化膜３は
ガラス基板１との接着性も従来の場合に比べ極め
てよい。
ガラス基板１との接着性も従来の場合に比べ極め
てよい。
以上説明したように、この発明は、ガラス基板
上に、膜厚が500Åないし1000Åである、Moま
たはＷあるいはTa等のシリサイド化膜を形成し、
これをパターン形成マスクとして使用するように
しているので、マスクとしての所望の光学濃度が
得られ、エツチング速度が従来のCrの金属薄膜
に比べ極めて早く、しかも、微細パターンが容易
に得られ、かつ、ガラス基板に対する接着強度も
大きいので、信頼性の高いものが得られるという
利点がある。
上に、膜厚が500Åないし1000Åである、Moま
たはＷあるいはTa等のシリサイド化膜を形成し、
これをパターン形成マスクとして使用するように
しているので、マスクとしての所望の光学濃度が
得られ、エツチング速度が従来のCrの金属薄膜
に比べ極めて早く、しかも、微細パターンが容易
に得られ、かつ、ガラス基板に対する接着強度も
大きいので、信頼性の高いものが得られるという
利点がある。
第１図は金属薄膜を使用した従来の半導体装置
用パターン形成マスクの被着状態を示す断面図、
第２図はシリサイド化膜を使用したこの発明の半
導体装置用パターン形成マスクの被着状態を示す
断面図である。 図中、１はガラス基板、２は金属薄膜、３はシ
リサイド化膜、４はポリシリコン膜である。な
お、図中の同一符号は同一または相当部分を示
す。
用パターン形成マスクの被着状態を示す断面図、
第２図はシリサイド化膜を使用したこの発明の半
導体装置用パターン形成マスクの被着状態を示す
断面図である。 図中、１はガラス基板、２は金属薄膜、３はシ
リサイド化膜、４はポリシリコン膜である。な
お、図中の同一符号は同一または相当部分を示
す。
Claims (1)
- １ ガラス基板と、このガラス基板上に設けられ
たマスクブランク材とを有し、このマスクブラン
ク材が500Åないし1000Åの膜厚でモリブデンま
たはタンタルあるいはタングステンのシリサイド
化膜よりなる半導体装置用マスクブランク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59061372A JPS60202441A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 半導体装置用パタ−ン形成マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59061372A JPS60202441A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 半導体装置用パタ−ン形成マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60202441A JPS60202441A (ja) | 1985-10-12 |
| JPH0366656B2 true JPH0366656B2 (ja) | 1991-10-18 |
Family
ID=13169271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59061372A Granted JPS60202441A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 半導体装置用パタ−ン形成マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60202441A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62153957A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Hoya Corp | フォトマスクブランクとフォトマスク |
| JPH0650387B2 (ja) * | 1986-03-31 | 1994-06-29 | アルバツク成膜株式会社 | フオトマスクおよびその製造方法 |
| JPH0650388B2 (ja) * | 1986-04-04 | 1994-06-29 | アルバツク成膜株式会社 | フオトマスクおよびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57157247A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-28 | Nec Corp | Optical exposure mask |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP59061372A patent/JPS60202441A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60202441A (ja) | 1985-10-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |