JPH051112B2 - - Google Patents
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- JPH051112B2 JPH051112B2 JP62064613A JP6461387A JPH051112B2 JP H051112 B2 JPH051112 B2 JP H051112B2 JP 62064613 A JP62064613 A JP 62064613A JP 6461387 A JP6461387 A JP 6461387A JP H051112 B2 JPH051112 B2 JP H051112B2
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- JP
- Japan
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- laser
- slit
- fuse
- laser beam
- shutter
- Prior art date
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- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 11
- 101700004678 SLIT3 Proteins 0.000 description 9
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
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Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザーを利用した加工装置に関し、
特に半導体ウエハー上に作られた高集積ICメモ
リーの不良アドレスを、アドレス切り替えヒユー
ズを溶断する事により予備のアドレスに切り替え
て良品とするリダンダンシー技術に用いられるレ
ーザートリミング装置に関するものである。
特に半導体ウエハー上に作られた高集積ICメモ
リーの不良アドレスを、アドレス切り替えヒユー
ズを溶断する事により予備のアドレスに切り替え
て良品とするリダンダンシー技術に用いられるレ
ーザートリミング装置に関するものである。
第３図Ａは従来のレーザートリミング装置の構
成図である。従来この種のレーザートリミング装
置は、レーザー発振器１と減衰器２とスリツト３
と結像レンズ４とウエハーステージ５とステージ
ドライバー６とコントローラ７とを有しており、
予めICテストシステム等で測定判断され、得ら
れた加工情報に従いコントローラ７の制御により
ウエハーステージ５に搭載された被加工ウエハー
８はステージドライバー６により被溶断ヒユーズ
を結像レンズ４の焦点位置に位置決めされる。レ
ーザー発振器１より出力されるレーザー光は減衰
器２により加工に最適のエネルギーに減衰されス
リツト３に照射される。
成図である。従来この種のレーザートリミング装
置は、レーザー発振器１と減衰器２とスリツト３
と結像レンズ４とウエハーステージ５とステージ
ドライバー６とコントローラ７とを有しており、
予めICテストシステム等で測定判断され、得ら
れた加工情報に従いコントローラ７の制御により
ウエハーステージ５に搭載された被加工ウエハー
８はステージドライバー６により被溶断ヒユーズ
を結像レンズ４の焦点位置に位置決めされる。レ
ーザー発振器１より出力されるレーザー光は減衰
器２により加工に最適のエネルギーに減衰されス
リツト３に照射される。
スリツト３は第３図Ｂの構造を持ち、２枚のス
リツト板９ａ，９ｂの重なり量を加減して開口部
１０のサイズを定められた範囲において任意に変
更出来る構造となつている。スリツト３の開口部
１０を通過したレーザー光は、結像レンズ４によ
りスリツト３の開口部１０の像として被加工ウエ
ハー８の被溶断ヒユーズ上に結像し、該ヒユーズ
を溶断する。
リツト板９ａ，９ｂの重なり量を加減して開口部
１０のサイズを定められた範囲において任意に変
更出来る構造となつている。スリツト３の開口部
１０を通過したレーザー光は、結像レンズ４によ
りスリツト３の開口部１０の像として被加工ウエ
ハー８の被溶断ヒユーズ上に結像し、該ヒユーズ
を溶断する。
また、第４図の如き他種のレーザートリミング
装置では被加工ウエハー８はウエハーステージ５
上に固定され、レーザー発振器１から結像レンズ
４までの光学系のうちの一部を位置決め装置１１
により移動して被溶断ヒユーズ上に位置決めする
ものもある。
装置では被加工ウエハー８はウエハーステージ５
上に固定され、レーザー発振器１から結像レンズ
４までの光学系のうちの一部を位置決め装置１１
により移動して被溶断ヒユーズ上に位置決めする
ものもある。
一般にヒユーズは第５図Ａの如き形状をしてあ
り、その幅は１〜３ミクロン、長さ十数ミクロン
となつている。また、将来の高集積メモリーIC
においてはさらに微細化、高密度化が必至であ
り、このヒユーズ上に正確に前記第３図のスリツ
ト３の開口部１０の結像が位置する為にはステー
ジドライバー６は１ミクロン以下程度の位置決め
精度が必要である。しかしながら第５図Ａのヒユ
ーズを溶断する場合、Ｘ方向の位置決め精度はヒ
ユーズ長Lx程度あれば十分であるが、Ｙ方向に
関してはヒユーズ幅Ly以内にする必要がある。
前記従来のレーザートリミング装置では結像の形
状は第３図スリツト３の開口部１０の形状そのも
のであり、第５図Ａのヒユーズに対してはスリツ
ト３の開口部１０の形状をKx×Kyの長方形に設
定して同図Ｂの様に位置決めしている。これによ
れば要求されるＹ方向の位置決め精度は結像のＹ
方向長Kyとなり緩和される効果がある。しかし
ながらヒユーズの方向は第５図Ａの如くＸ方向の
みでなく、将来の高集積メモリーICにおいては
チツプ設計上の自由度を得る為にＹ方向にも設け
られるのは十分予想される。この様なＸ、Ｙ両方
向のヒユーズを有するICメモリーのヒユーズを
溶断する場合、従来のレーザートリミング装置で
はＸ方向のヒユーズに対しては前記した通りであ
るが、Ｙ方向のヒユーズに対しては第５図Ｃの様
に結像が位置することになる。この場合、Ｘ方向
の要求される位置決め精度が厳しくなるのは明白
である。また、結像のＸ方向の長さKxを大きく
すれば要求される位置決め精度は緩和されるがレ
ーザーエネルギーの照射面積が大きくなるため
ICチツプへの熱の影響を考えると好ましくはな
い。また、スリツト３の開口部１０の形状を第５
図Ｄの如くヒユーズに合わすＹ方向側が長い長方
形に変更することも可能であるが多数のＸ方向ヒ
ユーズとＹ方向ヒユーズが混在する場合、形状変
更に要する時間は１本のヒユーズ溶断に要する時
間と比較して多大であるためレーザートリミング
装置の処理能力を低下させる事になる。
り、その幅は１〜３ミクロン、長さ十数ミクロン
となつている。また、将来の高集積メモリーIC
においてはさらに微細化、高密度化が必至であ
り、このヒユーズ上に正確に前記第３図のスリツ
ト３の開口部１０の結像が位置する為にはステー
ジドライバー６は１ミクロン以下程度の位置決め
精度が必要である。しかしながら第５図Ａのヒユ
ーズを溶断する場合、Ｘ方向の位置決め精度はヒ
ユーズ長Lx程度あれば十分であるが、Ｙ方向に
関してはヒユーズ幅Ly以内にする必要がある。
前記従来のレーザートリミング装置では結像の形
状は第３図スリツト３の開口部１０の形状そのも
のであり、第５図Ａのヒユーズに対してはスリツ
ト３の開口部１０の形状をKx×Kyの長方形に設
定して同図Ｂの様に位置決めしている。これによ
れば要求されるＹ方向の位置決め精度は結像のＹ
方向長Kyとなり緩和される効果がある。しかし
ながらヒユーズの方向は第５図Ａの如くＸ方向の
みでなく、将来の高集積メモリーICにおいては
チツプ設計上の自由度を得る為にＹ方向にも設け
られるのは十分予想される。この様なＸ、Ｙ両方
向のヒユーズを有するICメモリーのヒユーズを
溶断する場合、従来のレーザートリミング装置で
はＸ方向のヒユーズに対しては前記した通りであ
るが、Ｙ方向のヒユーズに対しては第５図Ｃの様
に結像が位置することになる。この場合、Ｘ方向
の要求される位置決め精度が厳しくなるのは明白
である。また、結像のＸ方向の長さKxを大きく
すれば要求される位置決め精度は緩和されるがレ
ーザーエネルギーの照射面積が大きくなるため
ICチツプへの熱の影響を考えると好ましくはな
い。また、スリツト３の開口部１０の形状を第５
図Ｄの如くヒユーズに合わすＹ方向側が長い長方
形に変更することも可能であるが多数のＸ方向ヒ
ユーズとＹ方向ヒユーズが混在する場合、形状変
更に要する時間は１本のヒユーズ溶断に要する時
間と比較して多大であるためレーザートリミング
装置の処理能力を低下させる事になる。
本発明のレーザートリミング装置は、レーザー
発振器と、レーザー発振器から出力された１軸の
レーザー光軸を２軸に二分する分割器と、二分さ
れた２軸のレーザー光軸上に位置し、各々のレー
ザー光を独立に遮蔽／透過するためのシヤツター
と、二分された２軸のレーザー光軸上に位置し、
独立にその開口形状を変更可能なスリツトと、前
記シヤツターとスリツトを透過した２軸のレーザ
ー光軸を１軸のレーザー光軸に統合する統合器
と、レーザー光軸上に位置しレーザー光のエネル
ギーを任意に減衰可能な減衰器とを有している。
発振器と、レーザー発振器から出力された１軸の
レーザー光軸を２軸に二分する分割器と、二分さ
れた２軸のレーザー光軸上に位置し、各々のレー
ザー光を独立に遮蔽／透過するためのシヤツター
と、二分された２軸のレーザー光軸上に位置し、
独立にその開口形状を変更可能なスリツトと、前
記シヤツターとスリツトを透過した２軸のレーザ
ー光軸を１軸のレーザー光軸に統合する統合器
と、レーザー光軸上に位置しレーザー光のエネル
ギーを任意に減衰可能な減衰器とを有している。
つぎに本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の第一の実施例の構成図であ
る。レーザー発振器１から出力されたレーザー光
１２は減衰器２によりヒユーズ溶断に最適なエネ
ルギーに調整される。さらにハーフミラー１３ａ
と全反射ミラー１３ｂを組み合わせた分割器１４
により等しいエネルギーの２軸のレーザー光に分
割される。２軸に分割された各々の光軸上にはコ
ントローラー１５からの電気信号によりレーザー
光を高速に遮蔽／透過させる事が可能なシヤツタ
ー１６ａ，１６ｂが挿入されている。各々のシヤ
ツター１６ａ，１６ｂを通過したレーザー光はそ
の開口形状を変更可能で同一の開口面積のスリツ
ト１７ａ，１７ｂによりビーム断面形状を各々の
スリツトの開口形状に制限される。スリツト１７
ａ，１７ｂを通過した２軸のレーザー光はハーフ
ミラー１８ａの全反射ミラー１８ｂを組み合わせ
た統合器１９により同軸光に統合される。同軸に
統合されたレーザー光は結像レンズ４により前記
スリツト１７ａ，１７ｂの像として被加工ウエハ
ー８上に結像される。
る。レーザー発振器１から出力されたレーザー光
１２は減衰器２によりヒユーズ溶断に最適なエネ
ルギーに調整される。さらにハーフミラー１３ａ
と全反射ミラー１３ｂを組み合わせた分割器１４
により等しいエネルギーの２軸のレーザー光に分
割される。２軸に分割された各々の光軸上にはコ
ントローラー１５からの電気信号によりレーザー
光を高速に遮蔽／透過させる事が可能なシヤツタ
ー１６ａ，１６ｂが挿入されている。各々のシヤ
ツター１６ａ，１６ｂを通過したレーザー光はそ
の開口形状を変更可能で同一の開口面積のスリツ
ト１７ａ，１７ｂによりビーム断面形状を各々の
スリツトの開口形状に制限される。スリツト１７
ａ，１７ｂを通過した２軸のレーザー光はハーフ
ミラー１８ａの全反射ミラー１８ｂを組み合わせ
た統合器１９により同軸光に統合される。同軸に
統合されたレーザー光は結像レンズ４により前記
スリツト１７ａ，１７ｂの像として被加工ウエハ
ー８上に結像される。
一般的にレーザートリミング装置では予めIC
テストシステム等で測定判断され、得られた加工
情報をフロツピーデイスク等の記録媒体あるいは
ローカルエリアネツトワーク等の手段によりコン
トローラ１５に入力し、コントローラはそのデー
タに基づき被加工ウエハー８の被溶断ヒユーズを
結像レンズ４の結像位置に順次位置決めしながら
レーザー光により被溶断ヒユーズを溶断する。本
発明のレーザートリミング装置においてはソフト
的なプログラミング手法により前記加工情報にヒ
ユーズの方向情報を付与しておく。スリツト１７
ａ，１７ｂには第６図Ａ，Ｂの如くスリツト１７
ａにはＸ方向の開口部、、スリツト１７ｂにはＹ
方向の開口部を設けておく。コントローラ１５は
加工情報に基づき被加工ウエハー８の被溶断ヒユ
ーズを結像レンズ４の結像位置に順次位置決めす
るとともにヒユーズの方向情報に基づきシヤツタ
ー１６ａ，１６ｂを、該被溶断ヒユーズがＸ方向
であればシヤツター１６ａを透過に、シヤツター
１６ｂを遮蔽に、又、該被溶断ヒユーズがＹ方向
であればシヤツター１６ａを遮蔽に、シヤツター
１６ｂを透過になるように制御する。よつて被溶
断ヒユーズがＸ方向であれば第５図Ｂの如き形状
のレーザー光が、またＹ方向であれば第５図Ｄの
如き形状のレーザー光が照射される。
テストシステム等で測定判断され、得られた加工
情報をフロツピーデイスク等の記録媒体あるいは
ローカルエリアネツトワーク等の手段によりコン
トローラ１５に入力し、コントローラはそのデー
タに基づき被加工ウエハー８の被溶断ヒユーズを
結像レンズ４の結像位置に順次位置決めしながら
レーザー光により被溶断ヒユーズを溶断する。本
発明のレーザートリミング装置においてはソフト
的なプログラミング手法により前記加工情報にヒ
ユーズの方向情報を付与しておく。スリツト１７
ａ，１７ｂには第６図Ａ，Ｂの如くスリツト１７
ａにはＸ方向の開口部、、スリツト１７ｂにはＹ
方向の開口部を設けておく。コントローラ１５は
加工情報に基づき被加工ウエハー８の被溶断ヒユ
ーズを結像レンズ４の結像位置に順次位置決めす
るとともにヒユーズの方向情報に基づきシヤツタ
ー１６ａ，１６ｂを、該被溶断ヒユーズがＸ方向
であればシヤツター１６ａを透過に、シヤツター
１６ｂを遮蔽に、又、該被溶断ヒユーズがＹ方向
であればシヤツター１６ａを遮蔽に、シヤツター
１６ｂを透過になるように制御する。よつて被溶
断ヒユーズがＸ方向であれば第５図Ｂの如き形状
のレーザー光が、またＹ方向であれば第５図Ｄの
如き形状のレーザー光が照射される。
前記シヤツター１６ａ，１６ｂには遮蔽板等を
必要に応じ光軸上に機械的に挿入してもよいが、
一般に光変調素子等として用いられている音響光
学素子を使用すれば極めて高速に透過／遮蔽を切
り替えることが可能でありシヤツター切り替えに
よる処理能力の低下は極微である。
必要に応じ光軸上に機械的に挿入してもよいが、
一般に光変調素子等として用いられている音響光
学素子を使用すれば極めて高速に透過／遮蔽を切
り替えることが可能でありシヤツター切り替えに
よる処理能力の低下は極微である。
また、スリツト１７ａ，１７ｂは第７図Ａの如
き金属板２０に各種開口部１０を設けたものを必
要に応じて交換してもよいし、また、第７図Ｂの
如き形状の金属板２１ａ，２１ｂの重なり具合い
を変更してその開口部１０の形状を任意に変更す
る事も可能である。
き金属板２０に各種開口部１０を設けたものを必
要に応じて交換してもよいし、また、第７図Ｂの
如き形状の金属板２１ａ，２１ｂの重なり具合い
を変更してその開口部１０の形状を任意に変更す
る事も可能である。
また、分割器１４は１軸のレーザー光を２軸の
レーザー光に分割できるもの、統合器１９は２軸
のレーザー光を１軸のレーザー光に統合できるも
のであれば本実施例で示したハーフミラー、全反
射ミラーを用いたものとは限らず、例えばポリゴ
ンミラー（回転多面鏡）を用いる事も出来る。
レーザー光に分割できるもの、統合器１９は２軸
のレーザー光を１軸のレーザー光に統合できるも
のであれば本実施例で示したハーフミラー、全反
射ミラーを用いたものとは限らず、例えばポリゴ
ンミラー（回転多面鏡）を用いる事も出来る。
第２図は本発明の第２の実施例の構成図であ
る。本実施例においては第１の実施例における減
衰器２が、２軸に分割後のレーザー光軸中に各々
減衰器２ａ，２ｂとして設置されておりそれ以外
は第１の実施例と同一であり、第１の実施例の同
一の効果を有する。本実施例において２軸のレー
ザー光のエネルギーを個別に設定出来るため分割
器１４、統合器１９において２軸のレーザー光に
エネルギー差が生じても問題はない。またヒユー
ズの隣接回路との距離等の設置環境により大きめ
の結像で溶断するのが好ましいヒユーズと小さめ
の結像で溶断するのが好ましいヒユーズが混在す
る可能性がある。この場合シヤツター１６ａ，１
６ｂの開口面積を各々最適な開口面積、形状に設
定すればよいが開口面積の違いによりシヤツター
通過後のレーザー光のエネルギーに差異を生じ
る。本実施例においては２軸のレーザー光軸各々
に減衰器２ａ，２ｂ設置されているのでシヤツタ
ー１６ａ，１６ｂの開口面積、形状が異なつても
シヤツター１６ａ，１６ｂを通過後のレーザー光
のエネルギーを等しくすることができ、加工に最
適なエネルギーの２つの結像を得ることが出来
る。
る。本実施例においては第１の実施例における減
衰器２が、２軸に分割後のレーザー光軸中に各々
減衰器２ａ，２ｂとして設置されておりそれ以外
は第１の実施例と同一であり、第１の実施例の同
一の効果を有する。本実施例において２軸のレー
ザー光のエネルギーを個別に設定出来るため分割
器１４、統合器１９において２軸のレーザー光に
エネルギー差が生じても問題はない。またヒユー
ズの隣接回路との距離等の設置環境により大きめ
の結像で溶断するのが好ましいヒユーズと小さめ
の結像で溶断するのが好ましいヒユーズが混在す
る可能性がある。この場合シヤツター１６ａ，１
６ｂの開口面積を各々最適な開口面積、形状に設
定すればよいが開口面積の違いによりシヤツター
通過後のレーザー光のエネルギーに差異を生じ
る。本実施例においては２軸のレーザー光軸各々
に減衰器２ａ，２ｂ設置されているのでシヤツタ
ー１６ａ，１６ｂの開口面積、形状が異なつても
シヤツター１６ａ，１６ｂを通過後のレーザー光
のエネルギーを等しくすることができ、加工に最
適なエネルギーの２つの結像を得ることが出来
る。
以上説明したように本発明は、２種の形状の結
像をヒユーズの設置方向に応じ高速に選択しなが
ら溶断が行なえるため、高集積メモリーICにお
いて回路設計上の自由度のため、異なる設置方向
のヒユーズが混在した場合においてもレーザート
リミング装置の位置決め精度に影響させる事無く
安定した処理結果を得られる。
像をヒユーズの設置方向に応じ高速に選択しなが
ら溶断が行なえるため、高集積メモリーICにお
いて回路設計上の自由度のため、異なる設置方向
のヒユーズが混在した場合においてもレーザート
リミング装置の位置決め精度に影響させる事無く
安定した処理結果を得られる。
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は
本発明の他の実施例の構成図、第３図Ａ、第４図
は従来例の構成図、第３図Ｂは第３図Ａ中のスリ
ツトを示す平面図、第５図は一般のヒユーズとレ
ーザー光の結像位置を示す平面図、第６図は第１
図中のスリツトを示す平面図、第７図Ａ，Ｂは第
１図中のスリツトを示す斜視図、平面図である。 １……レーザー発振器、２，２ａ，２ｂ……減
衰器、３……スリツト、４……結像レンズ、５…
…ウエハーステージ、６……ステージドライバ
ー、７……コントローラ、８……被加工ウエハ
ー、９ａ，９ｂ……スリツト板、１０……開口
部、１１……位置決め装置、１２……レーザー
光、１３ａ……ハーフミラー、１３ｂ……全反射
ミラー、１４……分割器、１５……コントロー
ラ、１６ａ，１６ｂ……シヤツター、１７ａ，１
７ｂ……スリツト、１８ａ……ハーフミラー、１
８ｂ……全反射ミラー、１９……統合器、２０…
…金属板、２１ａ，２１ｂ……金属板。
本発明の他の実施例の構成図、第３図Ａ、第４図
は従来例の構成図、第３図Ｂは第３図Ａ中のスリ
ツトを示す平面図、第５図は一般のヒユーズとレ
ーザー光の結像位置を示す平面図、第６図は第１
図中のスリツトを示す平面図、第７図Ａ，Ｂは第
１図中のスリツトを示す斜視図、平面図である。 １……レーザー発振器、２，２ａ，２ｂ……減
衰器、３……スリツト、４……結像レンズ、５…
…ウエハーステージ、６……ステージドライバ
ー、７……コントローラ、８……被加工ウエハ
ー、９ａ，９ｂ……スリツト板、１０……開口
部、１１……位置決め装置、１２……レーザー
光、１３ａ……ハーフミラー、１３ｂ……全反射
ミラー、１４……分割器、１５……コントロー
ラ、１６ａ，１６ｂ……シヤツター、１７ａ，１
７ｂ……スリツト、１８ａ……ハーフミラー、１
８ｂ……全反射ミラー、１９……統合器、２０…
…金属板、２１ａ，２１ｂ……金属板。
Claims (1)
- １ レーザー発振器と、レーザー発振器から出力
された１軸のレーザー光軸を２軸に二分する分割
器と、二分された２軸のレーザー光軸上に位置
し、各々のレーザー光を独立に遮蔽／透過するた
めのシヤツターと、二分された２軸のレーザー光
軸上に位置し、独立ニその開口形状を変更可能な
スリツトと、前記シヤツターとスリツトを透過し
た２軸のレーザー光軸を１軸のレーザー光軸に統
合する統合器と、レーザー光軸上に位置しレーザ
ー光のエネルギーを任意に減衰可能な減衰器とを
有する事を特徴とするレーザートリミング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62064613A JPS63230284A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | レ−ザ−トリミング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62064613A JPS63230284A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | レ−ザ−トリミング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63230284A JPS63230284A (ja) | 1988-09-26 |
| JPH051112B2 true JPH051112B2 (ja) | 1993-01-07 |
Family
ID=13263286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62064613A Granted JPS63230284A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | レ−ザ−トリミング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63230284A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004188487A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Hitachi Via Mechanics Ltd | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
| US7423818B2 (en) * | 2005-07-15 | 2008-09-09 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method of suppressing distortion of a working laser beam of a laser link processing system |
| JP5828852B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2015-12-09 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザー加工装置およびレーザー加工装置を用いた被加工物の加工方法 |
-
1987
- 1987-03-18 JP JP62064613A patent/JPS63230284A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63230284A (ja) | 1988-09-26 |
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