JPH05112497A

JPH05112497A - スチルベン誘導体およびそれを用いた電子写真感光体

Info

Publication number: JPH05112497A
Application number: JP26974691A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Mizuta; 泰史水田; Mitsushi Tsujita; 充司辻田; Keizo Kimoto; 恵三木元; Masahito Katsukawa; 雅人勝川
Original assignee: Mita Industrial Co Ltd
Current assignee: Kyocera Mita Industrial Co Ltd
Priority date: 1991-10-17
Filing date: 1991-10-17
Publication date: 1993-05-07

Abstract

(57)【要約】【構成】下記一般式(I) ：【化１】［式中、Ｒ¹，Ｒ²は、同一または異なって水素原子、
もしくは、置換基を有してもよいアルキル基、アリール
基、アラルキル基を示し、Ｒ³は水素原子、もしくは、
置換基を有してもよいアルキル基、アリール基、アラル
キル基、アミノ基を示す。］で表されるスチルベン誘導
体。また、導電性基材上に、上記一般式(I) で表される
スチルベン誘導体を、電荷輸送材料として含む感光層を
設けた電子写真感光体。【効果】この化合物は電荷輸送能に優れ、高感度でか
つ耐久性に優れた電子写真感光体を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、静電式複写機やレーザ
ービームプリンタ等に使用される電子写真感光体におけ
る、電荷輸送材料として好適なスチルベン誘導体と、そ
れを用いた電子写真感光体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、複写機等の画像形成装置における
感光体として、加工性および経済性に優れ、機能設計の
自由度が大きい有機感光体が広く使用されている。ま
た、感光体を用いて複写画像を形成する場合には、カー
ルソンプロセスが広く利用されている。カールソンプロ
セスは、コロナ放電により感光体を均一に帯電させる帯
電工程と、帯電した感光体に原稿像を露光し、原稿像に
対応した静電潜像を形成する露光工程と、静電潜像をト
ナーを含有する現像剤で現像し、トナー像を形成する現
像工程と、トナー像を紙等に転写する転写工程と、転写
されたトナー像を定着させる定着工程と、転写工程後、
感光体上に残留するトナーを除去するクリーニング工程
とを含んでいる。このカールソンプロセスにおいて、高
品質の画像を形成するには、感光体が帯電特性および感
光特性に優れており、かつ露光後の残留電位が低いこと
が要求される。

【０００３】従来より、セレンや硫化カドミウム等の無
機光導電体が感光体材料として公知であるが、これらは
毒性があり、しかも生産コストが高いという欠点があ
る。そこで、これらの無機物質に代えて、種々の有機物
質を用いた、いわゆる有機感光体が提案されている。か
かる有機感光体は、露光により電荷を発生する電荷発生
材料と、発生した電荷を輸送する機能を有する電荷輸送
材料とからなる感光層を有する。

【０００４】かかる有機感光体に望まれる各種の条件を
満足させるためには、これらの電荷発生材料と電荷輸送
材料との選択を適切に行う必要がある。電荷輸送材料と
しては、カルバゾール系化合物、オキサジアゾール系化
合物、ピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチ
ルベン系化合物等の種々の有機化合物が提案されてい
る。スチルベン系化合物としては、例えば下記式(i) で
表される化合物があげられる。

【０００５】

【化３】

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記式
(i) で表されるスチルベン系化合物等の従来の電荷輸送
材料は、電荷輸送能が不充分であったり、光安定性が劣
っていたりするという問題があり、従って、この電荷輸
送材料を使用した感光体は、感度や耐久性が充分でない
という欠点があった。

【０００７】本発明の目的は、電荷輸送能、光安定性に
優れ、電荷輸送材料として好適なスチルベン誘導体と、
それを用いた高感度、かつ耐久性に優れた電子写真感光
体とを提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段および作用】上記課題を解
決するための、本発明のスチルベン誘導体は、一般式
(I) ：

【０００９】

【化４】

【００１０】［式中、Ｒ¹，Ｒ²は、同一または異なっ
て水素原子、もしくは、置換基を有してもよいアルキル
基、アリール基、アラルキル基を示し、Ｒ³は水素原
子、もしくは、置換基を有してもよいアルキル基、アリ
ール基、アラルキル基、アミノ基を示す。］で表される
ものである。また、上記目的を達成するための本発明の
電子写真感光体は、導電性基体上に、上記一般式(I) で
表されるスチルベン誘導体を含有する感光層を設けたこ
とを特徴としている。

【００１１】上記一般式(I) で表されるスチルベン誘導
体は、分子内に、消光剤として知られるｐ−ターフェニ
ルの構造を導入したため、高い電荷輸送能を発揮すると
ともに、光安定性にも優れている。したがって、上記ス
チルベン誘導体を電荷輸送材料として含有した感光層
は、高い感度を有し、かつ耐久性に優れたものである。
このように、上記一般式(I) で表されるスチルベン誘導
体が高い感度や光安定性を有する理由としては、例え
ば、上記式(i) で表される化合物に比して、上記ｐ−タ
ーフェニル部分で形成されるπ電子共役系が、より大き
な拡がりをもっているため、化合物の分子構造の平面化
がより一層促進されて、分子間の重なり合い等による分
子間相互作用が強まるからであると推定される。

【００１２】上記一般式(I) で表されるスチルベン誘導
体は、基本的に下記一般式(Ia)(Ib)で表されるスチルベ
ン誘導体を含んでいる。

【００１３】

【化５】

【００１４】［式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³は、前記と同じ
基を示す。］アルキル基としては、例えばメチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソ
ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の
炭素数１〜６の低級アルキル基があげられる。アリール
基としては、例えばフェニル基、ｐ−ターフェニル基、
ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基があげら
れる。

【００１５】アラルキル基としては、例えばベンジル
基、α−フェネチル基、β−フェネチル基、３−フェニ
ルプロピル基、ベンズヒドリル基、トリチル基があげら
れる。アミノ基としは、例えばメチルアミン、エチルア
ミン、アニリン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ
イソプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン等の第
二アミン類、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシク
ロヘキシルアミン等の第三アミン類等があげられる。

【００１６】また、上記アルキル基等に置換する置換基
としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸基、エ
ステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基、
炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ
基、アリール基を有することのある炭素数２〜６のアル
ケニル基などがあげられる。前記一般式(I) で表される
スチルベン誘導体の具体的化合物としては、例えば以下
の式(A1)〜(A24) に示すものがあげられる。

【００１７】

【化６】

【００１８】

【化７】

【００１９】

【化８】

【００２０】

【化９】

【００２１】本発明のスチルベン誘導体は、種々の方法
で合成することが可能であり、例えば、前記一般式(Ia)
で表されるスチルベン誘導体は、下記反応式に示すよう
に、式(a) で表されるｐ−ターフェニル誘導体と、式
(b) で表されるアルデヒド化合物とを、塩基性触媒の存
在下、有機溶媒中で室温から１００℃程度の温度にて反
応させることにより、容易に製造することができる。

【００２２】

【化10】

【００２３】［式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³は前記と同じ基
を示し、Ｒ⁴は炭素数１〜４の低級アルキル基を示
す。］上記反応に使用される塩基性触媒としては、苛性
ソーダ、苛性カリ、ナトリウムアミド、水素化ナトリウ
ムなどの他、ナトリウムメチラート、カリウム−ｔ−ブ
トキシドなどのアルコラートをあげることができる。

【００２４】有機溶媒としては、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、ブタノール、２−メトキシエタ
ノール、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキ
シエチル）エーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、トルエン、キシレン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、
１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンなどがあげら
れ、なかでも、極性溶媒のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ドおよびジメチルスルホキシドを使用するこが好まし
い。

【００２５】また、反応温度は、使用する溶媒の塩基性
触媒に対する安定性、縮合成分としての前記式(a)(b)で
表される化合物の反応性、塩基性触媒の縮合剤としての
反応性などにより、広範囲に選択される。例えば、極性
溶媒を用いたときの反応温度は、前述した室温から１０
０℃、好ましくは室温から８０℃に設定される。なお、
反応時間短縮または活性の低い塩基性触媒を縮合剤とし
て使用するときの反応温度は、前述より高い温度に設定
される。

【００２６】上記式(a) で表されるｐ−ターフェニル誘
導体は、対応するハロアルキル化合物と亜リン酸トリア
ルキル（アルキル基としては、炭素数１〜４の低級アル
キル基、特にメチル基、エチル基が好ましい。）とを直
接あるいはトルエンやキシレン等の溶媒中で加熱するこ
とにより容易に製造できる。本発明の感光体は、前記一
般式(I) で表されるスチルベン誘導体の１種または２種
以上を電荷輸送材料として含有した感光層を備えたもの
である。

【００２７】感光層には、いわゆる単層型と積層型とが
あるが、本発明は、このいずれにも適用可能である。単
層型の感光体を得るには、電荷輸送材料である前記一般
式(I) で表される化合物と、電荷発生材料と、結着樹脂
等とを含有する感光層を、塗布等の手段により導電性基
体上に形成すればよい。

【００２８】また、積層型の感光体を得るには、導電性
基体上に、蒸着または塗布等の手段により電荷発生材料
を含有する電荷発生層を形成し、この電荷発生層上に、
前記一般式(I) で表される化合物と結着樹脂とを含有す
る電荷輸送層を形成すればよい。また、上記とは逆に、
導電性基体上に電荷輸送層を形成し、次いで電荷発生層
を形成してもよい。さらに、上記積層型感光層において
は、電荷発生層にも電荷輸送材料を含有させてもよい。

【００２９】電荷発生材料としては、従来より使用され
ているセレン、セレン−テルル、セレン−ヒ素、アモル
ファスシリコン、ピリリウム塩、アゾ系化合物、ジスア
ゾ系化合物、フタロシアニン系化合物、アンサンスロン
系化合物、ペリレン系化合物、インジゴ系化合物、トリ
フェニルメタン系化合物、スレン系化合物、トルイジン
系化合物、ピラゾリン系化合物、ペリレン系化合物、キ
ナクリドン系化合物、ピロロピロール系化合物等があげ
られる。これらの電荷発生材料は、所望の領域に吸収波
長域を有するように、１種または２種以上を混合して使
用することができる。

【００３０】電荷輸送材料である前記一般式(I) で表さ
れるスチルベン誘導体は、単独で使用する他、従来公知
の他の電荷輸送材料と組み合わせて使用することができ
る。従来公知の電荷輸送材料としては、種々の電子吸引
性化合物、電子供与性化合物を用いることができる。電
子吸引性化合物としては、例えば、２，６−ジメチル−
２′，６′−ジｔｅｒｔ−ジブチルジフェノキノン等の
ジフェノキノン誘導体、マロノニトリル、チオピラン系
化合物、テトラシアノエチレン、２，４，８−トリニト
ロチオキサントン、３，４，５，７−テトラニトロ−９
−フルオレノン、ジニトロベンゼン、ジニトロアントラ
セン、ジニトロアクリジン、ニトロアントラキノン、ジ
ニトロアントラキノン、無水コハク酸、無水マレイン
酸、ジブロモ無水マレイン酸等が例示される。

【００３１】また、電子供与性化合物としては、２，５
−ジ（４−メチルアミノフェニル）、１，３，４−オキ
サジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、９−（４
−ジエチルアミノスチリル）アントラセン等のスチリル
系化合物、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール系
化合物、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェ
ニル）ピラゾリン等のピラゾリン系化合物、ヒドラゾン
化合物、トリフェニルアミン系化合物、インドール系化
合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合
物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、イ
ミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、トリアゾー
ル系化合物等の含窒素環式化合物、縮合多環式化合物が
例示される。

【００３２】これらの電荷輸送材料は、１種または２種
以上混合して用いられる。なお、ポリビニルカルバゾー
ル等の成膜性を有する電荷輸送材料を用いる場合には、
結着樹脂は必ずしも必要ではない。結着樹脂としては、
種々の樹脂を使用することができる。例えばスチレン系
重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−ア
クリロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合
体、アクリル共重合体、スチレン−アクリル酸共重合
体、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩
素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、アル
キド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、ポリカーボネー
ト、ポリアリレート、ポリスルホン、ジアリルフタレー
ト樹脂、ケトン樹脂、ホリビニルブチラール樹脂、ポリ
エーテル樹脂等の熱可塑性樹脂や、シリコーン樹脂、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹
脂、その他架橋性の熱硬化性樹脂、さらにエポキシアク
リレート、ウレタン−アクリレート等の光硬化性樹脂等
があげられる。これらの結着樹脂は１種または２種以上
を混合して用いることができる。

【００３３】単層型および積層型の各有機感光層には、
増感剤、フルオレン系化合物、酸化防止剤、紫外線吸収
剤などの劣化防止剤、可塑剤等の添加剤を含有させるこ
とができる。また、電荷発生層の感度を向上させるため
に、例えばターフェニル、ハロナフトキノン類、アセナ
フチレン等の公知の増感剤を電荷発生材料と併用しても
よい。

【００３４】積層型感光体において、電荷発生層を構成
する電荷発生材料と結着樹脂とは、種々の割合で使用す
ることができるが、結着樹脂１００部（重量部、以下同
じ）に対して、電荷発生材料５〜５００部、特に１０〜
３００部の割合で用いるのが好ましい。また、電荷発生
層は、適宜の膜厚を有していてもよいが、０．０１〜５
μｍ、特に０．１〜３μｍ程度に形成されるのが好まし
い。

【００３５】電荷輸送層を構成する上記一般式(I) で表
されるスチルベン誘導体（電荷輸送材料）と前記結着樹
脂とは、電荷の輸送を阻害しない範囲および結晶化しな
い範囲で、種々の割合で使用することができるが、光照
射により電荷発生層で生じた電荷が容易に輸送できるよ
うに、結着樹脂１００部に対して、上記一般式(I) で表
されるスチルベン誘導体を１０〜５００部、特に２５〜
２００部の割合で用いるのが好ましい。また、積層型の
感光層の厚さは、電荷発生層が０．０１〜５μｍ程度、
特に０．１〜３μｍ程度に形成されるのがが好ましく、
電荷輸送層が２〜１００μｍ、特に５〜５０μｍ程度に
形成されるのが好ましい。

【００３６】単層型の感光体においては、結着樹脂１０
０部に対して電荷発生材料は０．１〜５０部、特に０．
５〜３０部、上記一般式(I) で表されるスチルベン誘導
体（電荷輸送材料）は４０〜２００部、特に５０〜１０
０部であるのが適当である。また、単層型の感光層の厚
さは５〜１００μｍ、特に１０〜５０μｍ程度に形成さ
れるのが好ましい。

【００３７】単層型電子写真用感光体にあっては、導電
性基体と感光層との間に、また、積層型感光体にあって
は、導電性基体と電荷発生層との間や、導電性基体と電
荷輸送層との間および電荷発生層と電荷輸送層との間
に、感光体の特性を阻害しない範囲でバリア層が形成さ
れていてもよく、感光体の表面には、保護層が形成され
ていてもよい。

【００３８】上記各層が形成される導電性基体として
は、導電性を有する種々の材料を使用することができ、
例えばアルミニウム、銅、スズ、白金、銀、バナジウ
ム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケ
ル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼、真鍮等の
金属単体や、上記金属が蒸着またはラミネートされたプ
ラスチック材料、ヨウ化アルミニウム、酸化スズ、酸化
インジウム等で被覆されたガラス等が例示される。

【００３９】導電性基体はシート状、ドラム状等のいず
れであってもよく、基体自体が導電性を有するか、ある
いは基体の表面が導電性を有していればよい。また、導
電性基体は、使用に際して、充分な機械的強度を有する
ものが好ましい。上記各層を、塗布の方法により形成す
る場合には、前記例示の電荷発生材料、電荷輸送材料、
結着樹脂等を適当な溶剤とともに公知の方法、例えば、
ロールミル、ボールミル、アトライタ、ペイントシェー
カーあるいは超音波分散器等を用いて分散混合して塗布
液を調製し、これを公知の手段により塗布、乾燥すれば
よい。

【００４０】塗布液をつくるための溶剤としては、種々
の有機溶剤が使用可能で、例えばメタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類、
ｎ−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系
炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭
化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭
素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ジメチル
エーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エ
チレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル等のエーテル類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸
エチル、酢酸メチル等のエステル類、ジメチルホルムア
ルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド等があげられる。これらの溶剤は１種または２種以上
を混合して用いることができる。

【００４１】さらに、上記塗布液には、電荷輸送材料や
電荷発生材料の分散性、染工性等をよくするために界面
活性剤、レベリング剤等を使用してもよい。なお、上述
したように、電荷発生層は、前記電荷発生材料を蒸着す
ることにより形成してもよい。

【００４２】

【実施例】以下、実施例および比較例をあげて本発明を
詳細に説明する。実施例１〈前記式(A1)で表されるスチルベン誘導体の合成〉前記
式(a) 中のＲ³がメチル基、Ｒ⁴がエチル基であるｐ−
ターフェニル誘導体３．９４ｇ（０．０１モル）と、前
記式(b) 中のＲ¹，Ｒ²が共にフェニル基であるアルデ
ヒド化合物２．７３ｇ（０．０１モル）とを、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド２０ｍｌ中に溶解し、カリウム
−tert−ブトキシ１．９５５ｇの存在下、液温を２２〜
３２℃保って５時間攪拌し、水およびメタノールで洗浄
乾燥して、前記式(A1)で表されるスチルベン誘導体４．
１４ｇ（収率８０．６％）を得た。

【００４３】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₃₉Ｈ₃₁Ｎ₁として計算値（％）：Ｃ９１．１９Ｈ：６．０８Ｎ：２．７３実測値（％）：Ｃ：９１．１６Ｈ：６．１０Ｎ：２．７３質量分析結果ｍ／ｅ＝５１３（計算値５１３．７）ＩＲ９６５cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例２〈前記式(A2)で表されるスチルベン誘導体の合成〉実施
例１で使用したｐ−ターフェニル誘導体に代えて、前記
式(a) 中のＲ³がフェニル基、Ｒ⁴がエチル基であるｐ
−ターフェニル誘導体４．４１ｇ（０．０１モル）を用
いたこと以外は、上記実施例１と同様にして、前記式(A
2)で表されるスチルベン誘導体４．５６ｇ（収率７９．
２％）を得た。

【００４４】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₄₄Ｈ₃₃Ｎ₁として計算値（％）：Ｃ：９１．７９Ｈ：５．７８Ｎ：２．４３実測値（％）：Ｃ：９１．８３Ｈ：５．７４Ｎ：２．４４質量分析結果ｍ／ｅ＝５７５（計算値５７５．８）ＩＲ９６５cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例３〈前記式(A3)で表されるスチルベン誘導体の合成〉実施
例１で使用したｐ−ターフェニル誘導体に代えて、前記
式(a) 中のＲ³がメトキシ基、Ｒ⁴がエチル基であるｐ
−ターフェニル誘導体４．７１ｇ（０．０１モル）を用
いたこと以外は、上記実施例１と同様にして、前記式(A
3)で表されるスチルベン誘導体４．７３ｇ（収率７８．
１％）を得た。

【００４５】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₄₅Ｈ₃₅Ｎ₁Ｏ₁として計算値（％）：Ｃ：８９．２２Ｈ：５．８２Ｎ：２．３１実測値（％）：Ｃ：８９．２２Ｈ：５．８４Ｎ：２．３１質量分析結果ｍ／ｅ＝６０５（計算値６０５．８）ＩＲ９６５cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例４〈前記式(A4)で表されるスチルベン誘導体の合成〉実施
例１で使用したｐ−ターフェニル誘導体に代えて、前記
式(a) 中のＲ³が４−（ジエチルアミノ）−フェニル
基、Ｒ⁴がエチル基であるｐ−ターフェニル誘導体５．
１２ｇ（０．０１モル）を用いたこと以外は、上記実施
例１と同様にして、前記式(A4)で表されるスチルベン誘
導体５．１８ｇ（収率８０．０％）を得た。

【００４６】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₄₈Ｈ₄₂Ｎ₂として計算値（％）：Ｃ：８９．１３Ｈ：６．５４Ｎ：４．３３実測値（％）：Ｃ：８９．１４Ｈ：６．５５Ｎ：４．３１質量分析結果ｍ／ｅ＝６４６（計算値６４６．９）ＩＲ９６５cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例５〈前記式(A5)で表されるスチルベン誘導体の合成〉実施
例１で使用したｐ−ターフェニル誘導体に代えて、前記
式(a) 中のＲ³がベンジル基、Ｒ⁴がエチル基であるｐ
−ターフェニル誘導体４．５５ｇ（０．０１モル）を用
いたこと以外は、上記実施例１と同様にして、前記式(A
5)で表されるスチルベン誘導体４．８５ｇ（収率８２．
２％）を得た。

【００４７】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₄₅Ｈ₃₅Ｎ₁として計算値（％）：Ｃ：９１．６４Ｈ：５．９８Ｎ：２．３７実測値（％）：Ｃ：９１．６０Ｈ：６．０２Ｎ：２．３９質量分析結果ｍ／ｅ＝５８９（計算値５８９．８）ＩＲ９６５cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例６〈前記式(A6)で表されるスチルベン誘導体の合成〉実施
例１で使用したｐ−ターフェニル誘導体に代えて、前記
式(a) 中のＲ³が４−メチルフェニル基、Ｒ⁴がエチル
基であるｐ−ターフェニル誘導体４．５５ｇ（０．０１
モル）を用いたこと以外は、上記実施例１と同様にし
て、前記式(A6)で表されるスチルベン誘導体４．７７ｇ
（収率８０．９％）を得た。

【００４８】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₄₅Ｈ₃₅Ｎ₁として計算値（％）：Ｃ：９１．６４Ｈ：５．９８Ｎ：２．３７実測値（％）：Ｃ：９１．６８Ｈ：５．９２Ｎ：２．３８質量分析結果ｍ／ｅ＝５８９（計算値５８９．８）ＩＲ９６５cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例７〈前記式(A7)で表されるスチルベン誘導体の合成〉実施
例１で使用したアルデヒド化合物に代えて、Ｒ¹がメチ
ル基、Ｒ²がフェニル基であるアルデヒド化合物２．１
１ｇ（０．０１モル）を用いたこと以外は、上記実施例
１と同様にして、前記式(A7)で表されるスチルベン誘導
体３．７２ｇ（収率８２．２％）を得た。

【００４９】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₃₄Ｈ₂₉Ｎ₁として計算値（％）：Ｃ：９０．４３Ｈ：６．４７Ｎ：３．１０実測値（％）：Ｃ：９０．４２Ｈ：６．４７Ｎ：３．１０質量分析結果ｍ／ｅ＝４５１（計算値４５１．６）ＩＲ９６５cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例８〈前記式(A8)で表されるスチルベン誘導体の合成〉実施
例２で使用したアルデヒド化合物に代えて、Ｒ¹がメチ
ル基、Ｒ²がフェニル基であるアルデヒド化合物２．１
１ｇ（０．０１モル）を用いたこと以外は、上記実施例
１と同様にして、前記式(A8)で表されるスチルベン誘導
体４．０６ｇ（収率７８．９％）を得た。

【００５０】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₃₉Ｈ₃₁Ｎ₁として計算値（％）：Ｃ：９１．１９Ｈ：６．０８Ｎ：２．７３実測値（％）：Ｃ：９１．１８Ｈ：６．１４Ｎ：２．６９質量分析結果ｍ／ｅ＝５１３（計算値５１３．７）ＩＲ９６５cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例９〈前記式(A9)で表されるスチルベン誘導体の合成〉実施
例３で使用したアルデヒド化合物に代えて、Ｒ¹がメチ
ル基、Ｒ²がフェニル基であるアルデヒド化合物２．１
１ｇ（０．０１モル）を用いたこと以外は、上記実施例
１と同様にして、前記式(A9)で表されるスチルベン誘導
体４．２２ｇ（収率７７．６％）を得た。

【００５１】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₄₀Ｈ₃₃Ｎ₁Ｏ₁として計算値（％）：Ｃ：８８．３６Ｈ：６．１２Ｎ：２．５８実測値（％）：Ｃ：８８．３８Ｈ：６．１７Ｎ：２．５６質量分析結果ｍ／ｅ＝５４３（計算値５４３．７）ＩＲ９６５cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例10 〈前記式(A10) で表されるスチルベン誘導体の合成〉実
施例４で使用したアルデヒド化合物に代えて、Ｒ¹がメ
チル基、Ｒ²がフェニル基であるアルデヒド化合物２．
１１ｇ（０．０１モル）を用いたこと以外は、上記実施
例１と同様にして、前記式(A10) で表されるスチルベン
誘導体４．５４ｇ（収率８０．４％）を得た。

【００５２】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₄₃Ｈ₄₀Ｎ₂として計算値（％）：Ｃ：８８．３２Ｈ：６．８９Ｎ：４．７９実測値（％）：Ｃ：８８．３４Ｈ：６．７５Ｎ：４．８０質量分析結果ｍ／ｅ＝５８４（計算値５８４．８）ＩＲ９６５cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例11 〈前記式(A11) で表されるスチルベン誘導体の合成〉実
施例５で使用したアルデヒド化合物に代えて、Ｒ¹がメ
チル基、Ｒ²がフェニル基であるアルデヒド化合物２．
１１ｇ（０．０１モル）を用いたこと以外は、上記実施
例１と同様にして、前記式(A11) で表されるスチルベン
誘導体４．２１ｇ（収率７９．７％）を得た。

【００５３】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₄₀Ｈ₃₃Ｎ₁として計算値（％）：Ｃ：９１．０４Ｈ：６．３０Ｎ：２．６５実測値（％）：Ｃ：９１．０６Ｈ：６．３３Ｎ：２．６３質量分析結果ｍ／ｅ＝５２７（計算値５２７．７）ＩＲ９６５cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例12 〈前記式(A12) で表されるスチルベン誘導体の合成〉実
施例６で使用したアルデヒド化合物に代えて、Ｒ¹がメ
チル基、Ｒ²がフェニル基であるアルデヒド化合物２．
１１ｇ（０．０１モル）を用いたこと以外は、上記実施
例１と同様にして、前記式(A12) で表されるスチルベン
誘導体４．１５ｇ（収率７８．６％）を得た。

【００５４】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₄₀Ｈ₃₃Ｎ₁として計算値（％）：Ｃ：９１．０４Ｈ：６．３０Ｎ：２．６５実測値（％）：Ｃ：９１．００Ｈ：６．３３Ｎ：２．６６質量分析結果ｍ／ｅ＝５２７（計算値５２７．７）ＩＲ９６５cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例13 〈前記式(A13) で表されるスチルベン誘導体の合成〉実
施例１で使用したアルデヒド化合物に代えて、Ｒ¹，Ｒ
²が共にメチル基であるアルデヒド化合物１．４９ｇ
（０．０１モル）を用いたこと以外は、上記実施例１と
同様にして、前記式(A13) で表されるスチルベン誘導体
３．１２ｇ（収率８０．１％）を得た。

【００５５】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₂₉Ｈ₂₇Ｎ₁として計算値（％）：Ｃ：８９．４２Ｈ：６．９９Ｎ：３．６０実測値（％）：Ｃ：８９．４８Ｈ：６．９２Ｎ：３．５８質量分析結果ｍ／ｅ＝３８９（計算値３８９．６）ＩＲ９６５cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例14 〈前記式(A14) で表されるスチルベン誘導体の合成〉実
施例２で使用したアルデヒド化合物に代えて、Ｒ¹，Ｒ
²が共にメチル基であるアルデヒド化合物１．４９ｇ
（０．０１モル）を用いたこと以外は、上記実施例１と
同様にして、前記式(A14) で表されるスチルベン誘導体
３．７６ｇ（収率８２．０％）を得た。

【００５６】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₃₄Ｈ₂₉Ｎ₁として計算値（％）：Ｃ：９０．４３Ｈ：６．４７Ｎ：３．１０実測値（％）：Ｃ：９０．４４Ｈ：６．５０Ｎ：３．０８質量分析結果ｍ／ｅ＝４５１（計算値４５１．６）ＩＲ９６５cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例15 〈前記式(A15) で表されるスチルベン誘導体の合成〉実
施例３で使用したアルデヒド化合物に代えて、Ｒ¹，Ｒ
²が共にメチル基であるアルデヒド化合物１．４９ｇ
（０．０１モル）を用いたこと以外は、上記実施例１と
同様にして、前記式(A15) で表されるスチルベン誘導体
３．７４ｇ（収率７７．６％）を得た。

【００５７】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₃₅Ｈ₃₁Ｎ₁Ｏ₁として計算値（％）：Ｃ：８７．２８Ｈ：６．４９Ｎ：２．９１実測値（％）：Ｃ：８７．３３Ｈ：６．４０Ｎ：２．９４質量分析結果ｍ／ｅ＝４８１（計算値４８１．６）ＩＲ９６５cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例16 〈前記式(A16) で表されるスチルベン誘導体の合成〉実
施例４で使用したアルデヒド化合物に代えて、Ｒ¹，Ｒ
²が共にメチル基であるアルデヒド化合物１．４９ｇ
（０．０１モル）を用いたこと以外は、上記実施例１と
同様にして、前記式(A16) で表されるスチルベン誘導体
４．０２ｇ（収率７７．０％）を得た。

【００５８】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₃₈Ｈ₃₈Ｎ₂として計算値（％）：Ｃ：８７．３１Ｈ：７．３３Ｎ：５．３６実測値（％）：Ｃ：８７．３３Ｈ：７．３０Ｎ：５．３８質量分析結果ｍ／ｅ＝５２２（計算値５２２．７）ＩＲ９６５cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例17 〈前記式(A17) で表されるスチルベン誘導体の合成〉実
施例５で使用したアルデヒド化合物に代えて、Ｒ¹，Ｒ
²が共にメチル基であるアルデヒド化合物１．４９ｇ
（０．０１モル）を用いたこと以外は、上記実施例１と
同様にして、前記式(A17) で表されるスチルベン誘導体
３．７６ｇ（収率８０．６％）を得た。

【００５９】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₃₅Ｈ₃₁Ｎ₁として計算値（％）：Ｃ：９０．２８Ｈ：６．７１Ｎ：３．０１実測値（％）：Ｃ：９０．２４Ｈ：６．７７Ｎ：２．９８質量分析結果ｍ／ｅ＝４６５（計算値４６５．６）ＩＲ９６５cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例18 〈前記式(A18) で表されるスチルベン誘導体の合成〉実
施例６で使用したアルデヒド化合物に代えて、Ｒ¹，Ｒ
²が共にメチル基であるアルデヒド化合物１．４９ｇ
（０．０１モル）を用いたこと以外は、上記実施例１と
同様にして、前記式(A18) で表されるスチルベン誘導体
３．８３ｇ（収率８２．２％）を得た。

【００６０】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₃₅Ｈ₃₁Ｎ₁として計算値（％）：Ｃ：９０．２８Ｈ：６．７１Ｎ：３．０１実測値（％）：Ｃ：９０．２４Ｈ：６．７７Ｎ：３．０１質量分析結果ｍ／ｅ＝４６５（計算値４６５．６）ＩＲ９６５cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例19 〈前記式(A19) で表されるスチルベン誘導体の合成〉実
施例１で使用したｐ−ターフェニル誘導体に代えて、前
記式(a) 中のＲ³がメチル基、Ｒ⁴がエチル基、ｐ−タ
ーフェニル部分が下記式(c) で示す置換基であるｐ−タ
ーフェニル誘導体３．９４ｇ（０．０１モル）を用いた
こと以外は、上記実施例１と同様にして、前記式(A19)
で表されるスチルベン誘導体４．１６ｇ（収率８１．０
％）を得た。

【００６１】

【化11】

【００６２】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₃₉Ｈ₃₁Ｎ₁として計算値（％）：Ｃ９１．１９Ｈ：６．０８Ｎ：２．７３実測値（％）：Ｃ：９１．１９Ｈ：６．１０Ｎ：２．７２質量分析結果ｍ／ｅ＝５１３（計算値５１３．７）ＩＲ９６０cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例20 〈前記式(A20) で表されるスチルベン誘導体の合成〉実
施例１で使用したｐ−ターフェニル誘導体に代えて、前
記式(a) 中のＲ³がフェニル基、Ｒ⁴がエチル基、ｐ−
ターフェニル部分が上記式(c) で示す置換基であるｐ−
ターフェニル誘導体４．４１ｇ（０．０１モル）を用い
たこと以外は、上記実施例１と同様にして、前記式(A2
0) で表されるスチルベン誘導体４．５６ｇ（収率７
９．１％）を得た。

【００６３】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₄₄Ｈ₃₃Ｎ₁として計算値（％）：Ｃ：９１．７９Ｈ：５．７８Ｎ：２．４３実測値（％）：Ｃ：９１．８０Ｈ：５．８０Ｎ：２．４１質量分析結果ｍ／ｅ＝５７５（計算値５７５．８）ＩＲ９６０cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例21 〈前記式(A21) で表されるスチルベン誘導体の合成〉実
施例１で使用したｐ−ターフェニル誘導体に代えて、前
記式(a) 中のＲ³がメトキシ基、Ｒ⁴がエチル基、ｐ−
ターフェニル部分が上記式(c) で示す置換基であるｐ−
ターフェニル誘導体４．７１ｇ（０．０１モル）を用い
たこと以外は、上記実施例１と同様にして、前記式(A2
1) で表されるスチルベン誘導体４．９４ｇ（収率８
１．６％）を得た。

【００６４】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₄₅Ｈ₃₅Ｎ₁Ｏ₁として計算値（％）：Ｃ：８９．２２Ｈ：５．８２Ｎ：２．３１実測値（％）：Ｃ：８９．１６Ｈ：５．９０Ｎ：２．３０質量分析結果ｍ／ｅ＝６０５（計算値６０５．８）ＩＲ９６０cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例22 〈前記式(A22) で表されるスチルベン誘導体の合成〉実
施例１で使用したｐ−ターフェニル誘導体に代えて、前
記式(a) 中のＲ³が４−（ジエチルアミノ）−フェニル
基、Ｒ⁴がエチル基、ｐ−ターフェニル部分が上記式
(c) で示す置換基であるｐ−ターフェニル誘導体５．１
２ｇ（０．０１モル）を用いたこと以外は、上記実施例
１と同様にして、前記式(A22) で表されるスチルベン誘
導体５．１９ｇ（収率８０．２％）を得た。

【００６５】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₄₈Ｈ₄₂Ｎ₂として計算値（％）：Ｃ：８８．１３Ｈ：６．５４Ｎ：４．３３実測値（％）：Ｃ：８８．１２Ｈ：６．６０Ｎ：４．３０質量分析結果ｍ／ｅ＝６４６（計算値６４６．９）ＩＲ９６０cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例23 〈前記式(A23) で表されるスチルベン誘導体の合成〉実
施例１で使用したｐ−ターフェニル誘導体に代えて、前
記式(a) 中のＲ³がベンジル基、Ｒ⁴がエチル基、ｐ−
ターフェニル部分が上記式(c) で示す置換基であるｐ−
ターフェニル誘導体４．５５ｇ（０．０１モル）を用い
たこと以外は、上記実施例１と同様にして、前記式(A2
3) で表されるスチルベン誘導体４．９２ｇ（収率８
３．５％）を得た。

【００６６】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₄₅Ｈ₃₅Ｎ₁として計算値（％）：Ｃ：９１．６４Ｈ：５．９８Ｎ：２．３７実測値（％）：Ｃ：９１．６６Ｈ：６．００Ｎ：２．３６質量分析結果ｍ／ｅ＝５８９（計算値５８９．８）ＩＲ９６０cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例24 〈前記式(A24) で表されるスチルベン誘導体の合成〉実
施例１で使用したｐ−ターフェニル誘導体に代えて、前
記式(a) 中のＲ³が４−メチルフェニル基、Ｒ⁴がエチ
ル基、ｐ−ターフェニル部分が上記式(c) で示す置換基
であるｐ−ターフェニル誘導体４．５５ｇ（０．０１モ
ル）を用いたこと以外は、上記実施例１と同様にして、
前記式(A24) で表されるスチルベン誘導体４．５８ｇ
（収率７７．６％）を得た。

【００６７】得られたスチルベン誘導体の分析結果を以
下に示す。元素分析結果Ｃ₄₅Ｈ₃₅Ｎ₁として計算値（％）：Ｃ：９１．６４Ｈ：５．９８Ｎ：２．３７実測値（％）：Ｃ：９１．６０Ｈ：５．９８Ｎ：２．３８質量分析結果ｍ／ｅ＝５８９（計算値５８９．８）ＩＲ９６０cm^-1（ＨＣ＝面外）実施例25〜36および比較例１，２（積層型感光体）下記式(A) で表される電荷発生材料２部、ポリビニルブ
チラール樹脂１部、テトラヒドロフラン１２０部を、ガ
ラスビーズ（２ｍｍ径) を用いたペイントシェーカーに
て２時間分散させた。得られた分散液をアルミニウム素
管の表面に浸漬法によって塗工し、１００℃で１時間乾
燥し、０．５μｍの電荷発生層を形成した。

【００６８】

【化12】

【００６９】この電荷発生層上に電荷輸送材料１部、ポ
リエステル樹脂１部をトルエン９部に溶解した溶液を浸
漬法にて塗工し、１００℃で１時間乾燥し、２２μｍの
電荷輸送層を形成して、負帯電型の積層型電子写真感光
体を得た。使用した電荷輸送材料は、表１において、前
述の具体例の式(A1)〜(A6)および(A19) 〜 (A24)の化合
物の番号で示した。

【００７０】比較例１は前記式(i) で表される化合物
を、比較例２は下記式(ii)で表される化合物を、それぞ
れ電荷輸送材料として使用したこと以外は、上記実施例
19〜24と同様にして、積層型感光体を作製した。

【００７１】

【化13】

【００７２】実施例37〜48および比較例３，４（単層型
感光体）上記式(A) で表される電荷発生剤１部およびテトラヒド
ロフラン６０部を、ガラスビーズ（２mm径) を用いたペ
イントシェーカーにて２時間分散させた。得られた分散
液に、ポリエステル樹脂のテトラヒドロフラン溶液５０
部および電荷輸送材料１０部を加え、さらに１時間分散
を続けた。得られた分散液をアルミニウム素管の表面に
浸漬法にて塗工し、２０μｍの感光層を得た。使用した
電荷輸送材料は、表２において、前述の具体例で示した
式(A1)〜(A6)および(A19) 〜(A24) の化合物の番号で示
した。

【００７３】比較例３は前記式(i) で表される化合物
を、比較例４は上記式(ii)で表される化合物を、それぞ
れ電荷輸送材料として使用した以外は、上記実施例25〜
36と同様にして、正帯電型の単層型感光体を作製した。
上記各実施例、比較例の電子写真感光体について、以下
の試験を行い、その特性を評価した。

【００７４】初期表面電位の測定各電子写真感光体を、静電式複写試験装置（ジェンテッ
ク社製の商品名ジェンテックシンシア３０Ｍ）に装填
し、その表面を正または負に帯電させて、初期表面電位
Ｖs.p.（Ｖ）を測定した。半減露光量および残留電位の測定上記初期表面電位の測定で帯電状態となった電子写真感
光体を、静電式複写試験装置の露光光源であるハロゲン
ランプを用いて、露光強度１０lux の条件で露光して、
その表面電位が１／２となるまでの時間を求め、半減露
光量Ｅ1/2 （lux ・sec ）を算出した。

【００７５】また、上記露光開始後、０．１５秒を経過
した時点の表面電位を測定し、残留電位Ｖ１r.p.（Ｖ）
とした。光安定性の測定上記電子写真感光体を、静電式複写機（三田工業社製の
型番ＤＣ−１１１）に装填して１０００枚の連続複写を
行った後、上記と同様にして、繰り返し露光後の残留電
位Ｖ２r.p.（Ｖ）を測定した。そして、上記残留電位Ｖ
１r.p.とＶ２r.p.との差ΔＶr.p.（Ｖ）を求めた。

【００７６】積層型感光体（実施例25〜36および比較例
１，２）の試験結果を表１に、単層型感光体（実施例37
〜48および比較例３，４）の試験結果を表２にそれぞれ
示す。

【００７７】

【表１】

【００７８】

【表２】

【００７９】これらの試験結果から、各実施例25〜48の
感光体は、表面電位ＶS.P.については、積層型、単層型
の何れのものも比較例１〜４の従来の感光体とほとんど
差はない反面、半減露光量Ｅ1/2 が小さく、残留電位Ｖ
1r.p. が低いことより、感度が著しく改善されているこ
とが判った。また、上記実施例25〜48は、比較例１〜４
に比べてΔＶr.p.が小さいことから、何れも、耐久性に
優れたものであることが判った。

【００８０】

【発明の効果】以上のように、この発明のスチルベン誘
導体は、高い電荷輸送能を有し、かつ、光安定性に優れ
ているため、このスチルベン誘導体を電荷輸送材料とし
て用いることにより、高感度で、かつ耐久性に優れた電
子写真感光体が得られる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者勝川雅人大阪府大阪市中央区玉造１丁目２番28号三田工業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式(I) ：【化１】［式中、Ｒ¹，Ｒ²は、同一または異なって水素原子、
もしくは、置換基を有してもよいアルキル基、アリール
基、アラルキル基を示し、Ｒ³は水素原子、もしくは、
置換基を有してもよいアルキル基、アリール基、アラル
キル基、アミノ基を示す。］で表されるスチルベン誘導
体。
【請求項２】導電性基体上に、下記の一般式(I) で表さ
れるスチルベン誘導体を含む感光層を設けたことを特徴
とする電子写真感光体。【化２】［式中、Ｒ¹，Ｒ²は、同一または異なって水素原子、
もしくは、置換基を有してもよいアルキル基、アリール
基、アラルキル基を示し、Ｒ³は水素原子、もしくは、
置換基を有してもよいアルキル基、アリール基、アラル
キル基、アミノ基を示す。］