JPH05105652A - ジアミノアズレン誘導体およびそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents
ジアミノアズレン誘導体およびそれを用いた電子写真感光体Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 一般式(I) :
【化1】
[式中、R1 ,R2 は同一または異なって水素原子、も
しくは、置換基を有してもよいアルキル基、アルコキシ
基を示す。]で表されるジアミノアズレン誘導体と、こ
のジアミノアズレン誘導体を、電荷輸送材料として含む
感光層を設けた電子写真感光体。 【効果】 上記化合物は電荷輸送能、光安定性に優れる
ので、高感度でかつ耐久性に優れた電子写真感光体を得
ることができる。
しくは、置換基を有してもよいアルキル基、アルコキシ
基を示す。]で表されるジアミノアズレン誘導体と、こ
のジアミノアズレン誘導体を、電荷輸送材料として含む
感光層を設けた電子写真感光体。 【効果】 上記化合物は電荷輸送能、光安定性に優れる
ので、高感度でかつ耐久性に優れた電子写真感光体を得
ることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、静電式複写機やレーザ
ービームプリンタ等に使用される電子写真感光体におけ
る、電荷輸送材料として好適なジアミノアズレン誘導体
と、それを用いた電子写真感光体に関するものである。
ービームプリンタ等に使用される電子写真感光体におけ
る、電荷輸送材料として好適なジアミノアズレン誘導体
と、それを用いた電子写真感光体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、複写機等の画像形成装置における
感光体として、加工性および経済性に優れ、機能設計の
自由度が大きい有機感光体が広く使用されている。ま
た、感光体を用いて複写画像を形成する場合には、カー
ルソンプロセスが広く利用されている。カールソンプロ
セスは、コロナ放電により感光体を均一に帯電させる帯
電工程と、帯電した感光体に原稿像を露光し、原稿像に
対応した静電潜像を形成する露光工程と、静電潜像をト
ナーを含有する現像剤で現像し、トナー像を形成する現
像工程と、トナー像を紙等に転写する転写工程と、転写
されたトナー像を定着させる定着工程と、転写工程後、
感光体上に残留するトナーを除去するクリーニング工程
とを含んでいる。このカールソンプロセスにおいて、高
品質の画像を形成するには、感光体が帯電特性および感
光特性に優れており、かつ露光後の残留電位が低いこと
が要求される。
感光体として、加工性および経済性に優れ、機能設計の
自由度が大きい有機感光体が広く使用されている。ま
た、感光体を用いて複写画像を形成する場合には、カー
ルソンプロセスが広く利用されている。カールソンプロ
セスは、コロナ放電により感光体を均一に帯電させる帯
電工程と、帯電した感光体に原稿像を露光し、原稿像に
対応した静電潜像を形成する露光工程と、静電潜像をト
ナーを含有する現像剤で現像し、トナー像を形成する現
像工程と、トナー像を紙等に転写する転写工程と、転写
されたトナー像を定着させる定着工程と、転写工程後、
感光体上に残留するトナーを除去するクリーニング工程
とを含んでいる。このカールソンプロセスにおいて、高
品質の画像を形成するには、感光体が帯電特性および感
光特性に優れており、かつ露光後の残留電位が低いこと
が要求される。
【0003】従来より、セレンや硫化カドミウム等の無
機光導電体が感光体材料として公知であるが、これらは
毒性があり、しかも生産コストが高いという欠点があ
る。そこで、これらの無機物質に代えて、種々の有機物
質を用いた、いわゆる有機感光体が提案されている。か
かる有機感光体は、露光により電荷を発生する電荷発生
材料と、発生した電荷を輸送する機能を有する電荷輸送
材料とからなる感光層を有する。
機光導電体が感光体材料として公知であるが、これらは
毒性があり、しかも生産コストが高いという欠点があ
る。そこで、これらの無機物質に代えて、種々の有機物
質を用いた、いわゆる有機感光体が提案されている。か
かる有機感光体は、露光により電荷を発生する電荷発生
材料と、発生した電荷を輸送する機能を有する電荷輸送
材料とからなる感光層を有する。
【0004】かかる有機感光体に望まれる各種の条件を
満足させるためには、これらの電荷発生材料と電荷輸送
材料との選択を適切に行う必要がある。電荷輸送材料と
しては、カルバゾール系化合物、オキサジアゾール系化
合物、ピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチ
ルベン系化合物、フェニレンジアミン系化合物等の種々
の有機化合物が提案されている。
満足させるためには、これらの電荷発生材料と電荷輸送
材料との選択を適切に行う必要がある。電荷輸送材料と
しては、カルバゾール系化合物、オキサジアゾール系化
合物、ピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチ
ルベン系化合物、フェニレンジアミン系化合物等の種々
の有機化合物が提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の電荷輸送材料は、電荷輸送能が不充分であったり、
光安定性が劣っていたりするという問題があり、従っ
て、この電荷輸送材料を使用した感光体は、感度や耐久
性が充分でないという欠点があった。本発明の目的は、
電荷輸送能、光安定性に優れ、電荷輸送材料として好適
な化合物と、それを用いた高感度、かつ耐久性に優れた
電子写真感光体とを提供することである。
来の電荷輸送材料は、電荷輸送能が不充分であったり、
光安定性が劣っていたりするという問題があり、従っ
て、この電荷輸送材料を使用した感光体は、感度や耐久
性が充分でないという欠点があった。本発明の目的は、
電荷輸送能、光安定性に優れ、電荷輸送材料として好適
な化合物と、それを用いた高感度、かつ耐久性に優れた
電子写真感光体とを提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段および作用】上記課題を解
決するための、本発明のジアミノアズレン誘導体は、一
般式(I):
決するための、本発明のジアミノアズレン誘導体は、一
般式(I):
【0007】
【化2】
【0008】[式中、R1 ,R2 は同一または異なって
水素原子、もしくは、置換基を有してもよいアルキル
基、アルコキシ基を示す。]で表されるものである。ま
た、上記目的を達成するための本発明の電子写真感光体
は、導電性基体上に、上記一般式(I) で表されるジアミ
ノアズレン誘導体を含有する感光層を設けたことを特徴
としている。
水素原子、もしくは、置換基を有してもよいアルキル
基、アルコキシ基を示す。]で表されるものである。ま
た、上記目的を達成するための本発明の電子写真感光体
は、導電性基体上に、上記一般式(I) で表されるジアミ
ノアズレン誘導体を含有する感光層を設けたことを特徴
としている。
【0009】上記一般式(I) で表されるジアミノアズレ
ン誘導体は、分子内に、消光剤として知られるアズレン
の構造を導入したため、高い電荷輸送能を発揮するとと
もに、光安定性にも優れている。したがって、上記ジア
ミノアズレン誘導体を電荷輸送材料として含有した感光
層は、高い感度を有し、かつ耐久性に優れたものであ
る。
ン誘導体は、分子内に、消光剤として知られるアズレン
の構造を導入したため、高い電荷輸送能を発揮するとと
もに、光安定性にも優れている。したがって、上記ジア
ミノアズレン誘導体を電荷輸送材料として含有した感光
層は、高い感度を有し、かつ耐久性に優れたものであ
る。
【0010】このように、上記一般式(I) で表されるジ
アミノアズレン誘導体が高い感度や光安定性を有する理
由としては、例えば、上記アズレン部分がベンゼン環に
置換された、従来公知のフェニレンジアミン系化合物に
比して、アズレン部分を導入した分だけ、分子内で形成
されるπ電子共役系が、より大きな拡がりをもっている
ため、化合物の分子構造の平面化がより一層促進され
て、分子間の重なり合い等による分子間相互作用が強ま
るからであると推定される。
アミノアズレン誘導体が高い感度や光安定性を有する理
由としては、例えば、上記アズレン部分がベンゼン環に
置換された、従来公知のフェニレンジアミン系化合物に
比して、アズレン部分を導入した分だけ、分子内で形成
されるπ電子共役系が、より大きな拡がりをもっている
ため、化合物の分子構造の平面化がより一層促進され
て、分子間の重なり合い等による分子間相互作用が強ま
るからであると推定される。
【0011】アルキル基としては、例えばメチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソ
ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の
炭素数1〜6の低級アルキル基があげられる。アルコキ
シ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ
基、t−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキ
シ基等の炭素数1〜6の低級アルコキシ基があげられ
る。
チル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソ
ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の
炭素数1〜6の低級アルキル基があげられる。アルコキ
シ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ
基、t−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキ
シ基等の炭素数1〜6の低級アルコキシ基があげられ
る。
【0012】また、上記アルキル基等に置換する置換基
としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸基、エ
ステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基、
炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ
基、アリール基を有することのある炭素数2〜6のアル
ケニル基などがあげられる。前記一般式(I) で表される
ジアミノアズレン誘導体の具体的化合物としては、例え
ば以下に示すものがあげられる。
としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸基、エ
ステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基、
炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ
基、アリール基を有することのある炭素数2〜6のアル
ケニル基などがあげられる。前記一般式(I) で表される
ジアミノアズレン誘導体の具体的化合物としては、例え
ば以下に示すものがあげられる。
【0013】
【化3】
【0014】
【化4】
【0015】
【化5】
【0016】本発明のジアミノアズレン誘導体は、種々
の方法で合成することが可能であり、例えば、下記反応
式に示す方法により合成することができる。
の方法で合成することが可能であり、例えば、下記反応
式に示す方法により合成することができる。
【0017】
【化6】
【0018】(式中、R1 、R2 は前記と同じ、Xはハ
ロゲン原子である。)すなわち、反応式に示すように、
式(a) で表されるアズレン誘導体に、式(b)で表される
化合物を銅触媒および塩基性物質の存在下で反応させ
て、式(c) で表される1,3−ジアミノアズレン化合物
を得る。ついで、この化合物(c) に、式(d) で表される
化合物を銅触媒および塩基性物質の存在下で反応させる
ことにより、式(I) で表される本発明の化合物が得られ
る。なお、式(c) で表されるモノ置換体を得るうえで、
式(a) で表されるアズレン誘導体のアミノ基はアセチル
化剤にてあらかじめアセチル化しておくのが好ましい。
ロゲン原子である。)すなわち、反応式に示すように、
式(a) で表されるアズレン誘導体に、式(b)で表される
化合物を銅触媒および塩基性物質の存在下で反応させ
て、式(c) で表される1,3−ジアミノアズレン化合物
を得る。ついで、この化合物(c) に、式(d) で表される
化合物を銅触媒および塩基性物質の存在下で反応させる
ことにより、式(I) で表される本発明の化合物が得られ
る。なお、式(c) で表されるモノ置換体を得るうえで、
式(a) で表されるアズレン誘導体のアミノ基はアセチル
化剤にてあらかじめアセチル化しておくのが好ましい。
【0019】上記反応はいずれも無溶媒または溶媒中に
て行われる。式(b) で表される化合物は、式(a) で表さ
れるアズレン誘導体に対して2〜20倍モル量、好まし
くは3〜10倍モル量で使用される。また、式(d) で表
される化合物も式(c) で表される化合物に対して2〜2
0倍モル量、好ましくは3〜10倍モル量で用いるのが
適当である。反応は、通常、温度150〜250℃、好
ましくは170〜230℃で行われる。
て行われる。式(b) で表される化合物は、式(a) で表さ
れるアズレン誘導体に対して2〜20倍モル量、好まし
くは3〜10倍モル量で使用される。また、式(d) で表
される化合物も式(c) で表される化合物に対して2〜2
0倍モル量、好ましくは3〜10倍モル量で用いるのが
適当である。反応は、通常、温度150〜250℃、好
ましくは170〜230℃で行われる。
【0020】使用する銅触媒としては、例えば銅粉、酸
化銅、ハロゲン化銅等の銅または銅化合物があげられ、
その使用量は、式(a) で表されるアズレン誘導体または
式(c) で表される化合物に対して、いずれも0.01〜
1.0当量、好ましくは0.1〜0.5当量であるのが
適当である。塩基性物質としては、例えば水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム
等があげられ、その使用量は、式(a) で表されるアズレ
ン誘導体または式(c) で表される化合物に対して、いず
れも0.5〜10倍モル、好ましくは1〜3倍モル程度
であるのが適当である。
化銅、ハロゲン化銅等の銅または銅化合物があげられ、
その使用量は、式(a) で表されるアズレン誘導体または
式(c) で表される化合物に対して、いずれも0.01〜
1.0当量、好ましくは0.1〜0.5当量であるのが
適当である。塩基性物質としては、例えば水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム
等があげられ、その使用量は、式(a) で表されるアズレ
ン誘導体または式(c) で表される化合物に対して、いず
れも0.5〜10倍モル、好ましくは1〜3倍モル程度
であるのが適当である。
【0021】有機溶媒としては、ニトロベンゼン、ジク
ロロベンゼン、キノリン、N,N−メチルピロリドン、
N−メチルピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダ
ゾリン等が使用可能であるが、式(b) で表される化合物
または式(d) で表される化合物の過剰量を用いる場合
は、無溶媒で反応を行わせることができる。上記アセチ
ル化は常法に従って行うことができる。アセチル化剤と
しては、例えば酢酸の無水物や塩化物等があげられる。
ロロベンゼン、キノリン、N,N−メチルピロリドン、
N−メチルピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダ
ゾリン等が使用可能であるが、式(b) で表される化合物
または式(d) で表される化合物の過剰量を用いる場合
は、無溶媒で反応を行わせることができる。上記アセチ
ル化は常法に従って行うことができる。アセチル化剤と
しては、例えば酢酸の無水物や塩化物等があげられる。
【0022】また、一般式(I) において、R1 = R2 で
あるときは、上記アセチル化を行うことなく、一段階の
反応で式(b) または式(d) で表される化合物を反応させ
てもよい。本発明の感光体は、前記一般式(I) で表され
るジアミノアズレン誘導体の1種または2種以上を電荷
輸送材料として含有した感光層を備えたものである。
あるときは、上記アセチル化を行うことなく、一段階の
反応で式(b) または式(d) で表される化合物を反応させ
てもよい。本発明の感光体は、前記一般式(I) で表され
るジアミノアズレン誘導体の1種または2種以上を電荷
輸送材料として含有した感光層を備えたものである。
【0023】感光層には、いわゆる単層型と積層型とが
あるが、本発明は、このいずれにも適用可能である。単
層型の感光体を得るには、電荷輸送材料である前記一般
式(I) で表される化合物と、電荷発生材料と、結着樹脂
等とを含有する感光層を、塗布等の手段により導電性基
体上に形成すればよい。
あるが、本発明は、このいずれにも適用可能である。単
層型の感光体を得るには、電荷輸送材料である前記一般
式(I) で表される化合物と、電荷発生材料と、結着樹脂
等とを含有する感光層を、塗布等の手段により導電性基
体上に形成すればよい。
【0024】また、積層型の感光体を得るには、導電性
基体上に、蒸着または塗布等の手段により電荷発生材料
を含有する電荷発生層を形成し、この電荷発生層上に、
前記一般式(I) で表される化合物と結着樹脂とを含有す
る電荷輸送層を形成すればよい。また、上記とは逆に、
導電性基体上に電荷輸送層を形成し、次いで電荷発生層
を形成してもよい。さらに、上記積層型感光層において
は、電荷発生層にも、電荷輸送材料を含有させてもよ
い。
基体上に、蒸着または塗布等の手段により電荷発生材料
を含有する電荷発生層を形成し、この電荷発生層上に、
前記一般式(I) で表される化合物と結着樹脂とを含有す
る電荷輸送層を形成すればよい。また、上記とは逆に、
導電性基体上に電荷輸送層を形成し、次いで電荷発生層
を形成してもよい。さらに、上記積層型感光層において
は、電荷発生層にも、電荷輸送材料を含有させてもよ
い。
【0025】電荷発生材料としては、従来より使用され
ているセレン、セレン−テルル、セレン−ヒ素、アモル
ファスシリコン、ピリリウム塩、アゾ系化合物、ジスア
ゾ系化合物、フタロシアニン系化合物、アンサンスロン
系化合物、ペリレン系化合物、インジゴ系化合物、トリ
フェニルメタン系化合物、スレン系化合物、トルイジン
系化合物、ピラゾリン系化合物、ペリレン系化合物、キ
ナクリドン系化合物、ピロロピロール系化合物等があげ
られる。これらの電荷発生材料は、所望の領域に吸収波
長域を有するように、1種または2種以上を混合して使
用することができる。
ているセレン、セレン−テルル、セレン−ヒ素、アモル
ファスシリコン、ピリリウム塩、アゾ系化合物、ジスア
ゾ系化合物、フタロシアニン系化合物、アンサンスロン
系化合物、ペリレン系化合物、インジゴ系化合物、トリ
フェニルメタン系化合物、スレン系化合物、トルイジン
系化合物、ピラゾリン系化合物、ペリレン系化合物、キ
ナクリドン系化合物、ピロロピロール系化合物等があげ
られる。これらの電荷発生材料は、所望の領域に吸収波
長域を有するように、1種または2種以上を混合して使
用することができる。
【0026】電荷輸送材料である前記一般式(I) で表さ
れるジアミノアズレン誘導体は、単独で使用する他、従
来公知の他の電荷輸送材料と組み合わせて使用すること
ができる。従来公知の電荷輸送材料としては、種々の電
子吸引性化合物、電子供与性化合物を用いることができ
る。電子吸引性化合物としては、例えば、2,6−ジメ
チル−2′,6′−ジtert−ジブチルジフェノキノ
ン等のジフェノキノン誘導体、マロノニトリル、チオピ
ラン系化合物、テトラシアノエチレン、2,4,8−ト
リニトロチオキサントン、3,4,5,7−テトラニト
ロ−9−フルオレノン、ジニトロベンゼン、ジニトロア
ントラセン、ジニトロアクリジン、ニトロアントラキノ
ン、ジニトロアントラキノン、無水コハク酸、無水マレ
イン酸、ジブロモ無水マレイン酸等が例示される。
れるジアミノアズレン誘導体は、単独で使用する他、従
来公知の他の電荷輸送材料と組み合わせて使用すること
ができる。従来公知の電荷輸送材料としては、種々の電
子吸引性化合物、電子供与性化合物を用いることができ
る。電子吸引性化合物としては、例えば、2,6−ジメ
チル−2′,6′−ジtert−ジブチルジフェノキノ
ン等のジフェノキノン誘導体、マロノニトリル、チオピ
ラン系化合物、テトラシアノエチレン、2,4,8−ト
リニトロチオキサントン、3,4,5,7−テトラニト
ロ−9−フルオレノン、ジニトロベンゼン、ジニトロア
ントラセン、ジニトロアクリジン、ニトロアントラキノ
ン、ジニトロアントラキノン、無水コハク酸、無水マレ
イン酸、ジブロモ無水マレイン酸等が例示される。
【0027】また、電子供与性化合物としては、2,5
−ジ(4−メチルアミノフェニル)、1,3,4−オキ
サジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、9−(4
−ジエチルアミノスチリル)アントラセン等のスチリル
系化合物、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール系
化合物、1−フェニル−3−(p−ジメチルアミノフェ
ニル)ピラゾリン等のピラゾリン系化合物、ヒドラゾン
化合物、トリフェニルアミン系化合物、インドール系化
合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合
物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、イ
ミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、トリアゾー
ル系化合物等の含窒素環式化合物、縮合多環式化合物が
例示される。
−ジ(4−メチルアミノフェニル)、1,3,4−オキ
サジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、9−(4
−ジエチルアミノスチリル)アントラセン等のスチリル
系化合物、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール系
化合物、1−フェニル−3−(p−ジメチルアミノフェ
ニル)ピラゾリン等のピラゾリン系化合物、ヒドラゾン
化合物、トリフェニルアミン系化合物、インドール系化
合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合
物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、イ
ミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、トリアゾー
ル系化合物等の含窒素環式化合物、縮合多環式化合物が
例示される。
【0028】これらの電荷輸送材料は、1種または2種
以上混合して用いられる。なお、ポリビニルカルバゾー
ル等の成膜性を有する電荷輸送材料を用いる場合には、
結着樹脂は必ずしも必要ではない。結着樹脂としては、
種々の樹脂を使用することができる。例えばスチレン系
重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−ア
クリロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合
体、アクリル共重合体、スチレン−アクリル酸共重合
体、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩
素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、アル
キド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、ポリカーボネー
ト、ポリアリレート、ポリスルホン、ジアリルフタレー
ト樹脂、ケトン樹脂、ホリビニルブチラール樹脂、ポリ
エーテル樹脂等の熱可塑性樹脂や、シリコーン樹脂、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹
脂、その他架橋性の熱硬化性樹脂、さらにエポキシアク
リレート、ウレタン−アクリレート等の光硬化性樹脂等
があげられる。これらの結着樹脂は1種または2種以上
を混合して用いることができる。
以上混合して用いられる。なお、ポリビニルカルバゾー
ル等の成膜性を有する電荷輸送材料を用いる場合には、
結着樹脂は必ずしも必要ではない。結着樹脂としては、
種々の樹脂を使用することができる。例えばスチレン系
重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−ア
クリロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合
体、アクリル共重合体、スチレン−アクリル酸共重合
体、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩
素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、アル
キド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、ポリカーボネー
ト、ポリアリレート、ポリスルホン、ジアリルフタレー
ト樹脂、ケトン樹脂、ホリビニルブチラール樹脂、ポリ
エーテル樹脂等の熱可塑性樹脂や、シリコーン樹脂、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹
脂、その他架橋性の熱硬化性樹脂、さらにエポキシアク
リレート、ウレタン−アクリレート等の光硬化性樹脂等
があげられる。これらの結着樹脂は1種または2種以上
を混合して用いることができる。
【0029】単層型および積層型の各有機感光層には、
増感剤、フルオレン系化合物、酸化防止剤、紫外線吸収
剤などの劣化防止剤、可塑剤等の添加剤を含有させるこ
とができる。また、電荷発生層の感度を向上させるため
に、例えばターフェニル、ハロナフトキノン類、アセナ
フチレン等の公知の増感剤を電荷発生材料と併用しても
よい。
増感剤、フルオレン系化合物、酸化防止剤、紫外線吸収
剤などの劣化防止剤、可塑剤等の添加剤を含有させるこ
とができる。また、電荷発生層の感度を向上させるため
に、例えばターフェニル、ハロナフトキノン類、アセナ
フチレン等の公知の増感剤を電荷発生材料と併用しても
よい。
【0030】積層型感光体において、電荷発生層を構成
する電荷発生材料と結着樹脂とは、種々の割合で使用す
ることができるが、結着樹脂100部(重量部、以下同
じ)に対して、電荷発生材料5〜500部、特に10〜
300部の割合で用いるのが好ましい。また、電荷発生
層は、適宜の膜厚を有していてもよいが、0.01〜5
μm、特に0.1〜3μm程度に形成されるのが好まし
い。
する電荷発生材料と結着樹脂とは、種々の割合で使用す
ることができるが、結着樹脂100部(重量部、以下同
じ)に対して、電荷発生材料5〜500部、特に10〜
300部の割合で用いるのが好ましい。また、電荷発生
層は、適宜の膜厚を有していてもよいが、0.01〜5
μm、特に0.1〜3μm程度に形成されるのが好まし
い。
【0031】電荷輸送層を構成する前記一般式(I) で表
されるジアミノアズレン誘導体(電荷輸送材料)と前記
結着樹脂とは、電荷の輸送を阻害しない範囲および結晶
化しない範囲で、種々の割合で使用することができる
が、光照射により電荷発生層で生じた電荷が容易に輸送
できるように、結着樹脂100部に対して、前記一般式
(I) で表されるジアミノアズレン誘導体を10〜500
部、特に25〜200部の割合で用いるのが好ましい。
また、積層型の感光層の厚さは、電荷発生層が0.01
〜5μm程度、特に0.1〜3μm程度に形成されるの
がが好ましく、電荷輸送層が2〜100μm、特に5〜
50μm程度に形成されるのが好ましい。
されるジアミノアズレン誘導体(電荷輸送材料)と前記
結着樹脂とは、電荷の輸送を阻害しない範囲および結晶
化しない範囲で、種々の割合で使用することができる
が、光照射により電荷発生層で生じた電荷が容易に輸送
できるように、結着樹脂100部に対して、前記一般式
(I) で表されるジアミノアズレン誘導体を10〜500
部、特に25〜200部の割合で用いるのが好ましい。
また、積層型の感光層の厚さは、電荷発生層が0.01
〜5μm程度、特に0.1〜3μm程度に形成されるの
がが好ましく、電荷輸送層が2〜100μm、特に5〜
50μm程度に形成されるのが好ましい。
【0032】単層型の感光体においては、結着樹脂10
0部に対して電荷発生材料は0.1〜50部、特に0.
5〜30部、前記一般式(I) で表されるジアミノアズレ
ン誘導体(電荷輸送材料)は40〜200部、特に50
〜100部であるのが適当である。また、単層型の感光
層の厚さは5〜100μm、特に10〜50μm程度に
形成されるのが好ましい。
0部に対して電荷発生材料は0.1〜50部、特に0.
5〜30部、前記一般式(I) で表されるジアミノアズレ
ン誘導体(電荷輸送材料)は40〜200部、特に50
〜100部であるのが適当である。また、単層型の感光
層の厚さは5〜100μm、特に10〜50μm程度に
形成されるのが好ましい。
【0033】単層型電子写真用感光体にあっては、導電
性基体と感光層との間に、また、積層型感光体にあって
は、導電性基体と電荷発生層との間や、導電性基体と電
荷輸送層との間、または電荷発生層と電荷輸送層との間
に、感光体の特性を阻害しない範囲でバリア層が形成さ
れていてもよく、感光体の表面には、保護層が形成され
ていてもよい。
性基体と感光層との間に、また、積層型感光体にあって
は、導電性基体と電荷発生層との間や、導電性基体と電
荷輸送層との間、または電荷発生層と電荷輸送層との間
に、感光体の特性を阻害しない範囲でバリア層が形成さ
れていてもよく、感光体の表面には、保護層が形成され
ていてもよい。
【0034】上記各層が形成される導電性基体として
は、導電性を有する種々の材料を使用することができ、
例えばアルミニウム、銅、スズ、白金、銀、バナジウ
ム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケ
ル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼、真鍮等の
金属単体や、上記金属が蒸着またはラミネートされたプ
ラスチック材料、ヨウ化アルミニウム、酸化スズ、酸化
インジウム等で被覆されたガラス等が例示される。
は、導電性を有する種々の材料を使用することができ、
例えばアルミニウム、銅、スズ、白金、銀、バナジウ
ム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケ
ル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼、真鍮等の
金属単体や、上記金属が蒸着またはラミネートされたプ
ラスチック材料、ヨウ化アルミニウム、酸化スズ、酸化
インジウム等で被覆されたガラス等が例示される。
【0035】導電性基体はシート状、ドラム状等のいず
れであってもよく、基体自体が導電性を有するか、ある
いは基体の表面が導電性を有していればよい。また、導
電性基体は、使用に際して、充分な機械的強度を有する
ものが好ましい。上記各層を、塗布の方法により形成す
る場合には、前記例示の電荷発生材料、電荷輸送材料、
結着樹脂等を、適当な溶剤とともに、公知の方法、例え
ば、ロールミル、ボールミル、アトライタ、ペイントシ
ェーカーあるいは超音波分散器等を用いて分散混合して
塗布液を調製し、これを公知の手段により塗布、乾燥す
ればよい。
れであってもよく、基体自体が導電性を有するか、ある
いは基体の表面が導電性を有していればよい。また、導
電性基体は、使用に際して、充分な機械的強度を有する
ものが好ましい。上記各層を、塗布の方法により形成す
る場合には、前記例示の電荷発生材料、電荷輸送材料、
結着樹脂等を、適当な溶剤とともに、公知の方法、例え
ば、ロールミル、ボールミル、アトライタ、ペイントシ
ェーカーあるいは超音波分散器等を用いて分散混合して
塗布液を調製し、これを公知の手段により塗布、乾燥す
ればよい。
【0036】塗布液をつくるための溶剤としては、種々
の有機溶剤が使用可能で、例えばメタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類、
n−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系
炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭
化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭
素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ジメチル
エーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エ
チレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル等のエーテル類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸
エチル、酢酸メチル等のエステル類、ジメチルホルムア
ルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド等があげられる。これらの溶剤は1種または2種以上
を混合して用いることができる。
の有機溶剤が使用可能で、例えばメタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類、
n−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系
炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭
化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭
素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ジメチル
エーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エ
チレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル等のエーテル類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸
エチル、酢酸メチル等のエステル類、ジメチルホルムア
ルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド等があげられる。これらの溶剤は1種または2種以上
を混合して用いることができる。
【0037】さらに、電荷輸送材料や電荷発生材料の分
散性、染工性等をよくするために界面活性剤、レベリン
グ剤等を使用してもよい。なお、上述したように、電荷
発生層は、前記電荷発生材料を蒸着することにより形成
してもよい。
散性、染工性等をよくするために界面活性剤、レベリン
グ剤等を使用してもよい。なお、上述したように、電荷
発生層は、前記電荷発生材料を蒸着することにより形成
してもよい。
【0038】
【実施例】以下、実施例および比較例をあげて本発明を
詳細に説明する。実施例1 〈前記式(1) で表されるジアミノアズレン誘導体の合
成〉 (i) 1,3−ジアミノアズレンの79gおよび酢酸16
0gを反応容器内に仕込み、50〜70℃に加熱後、無
水酢酸110gを徐々に滴下した。ついで、70℃で約
1時間攪拌後、反応物を水中に注ぎ、30分間攪拌し
た。析出した結晶をろ取し乾燥して、N,N′−ジアセ
チル−1,3−ジアミノアズレン93.4gを得た(収
率77.8%)。
詳細に説明する。実施例1 〈前記式(1) で表されるジアミノアズレン誘導体の合
成〉 (i) 1,3−ジアミノアズレンの79gおよび酢酸16
0gを反応容器内に仕込み、50〜70℃に加熱後、無
水酢酸110gを徐々に滴下した。ついで、70℃で約
1時間攪拌後、反応物を水中に注ぎ、30分間攪拌し
た。析出した結晶をろ取し乾燥して、N,N′−ジアセ
チル−1,3−ジアミノアズレン93.4gを得た(収
率77.8%)。
【0039】(ii)得られたN,N′−ジアセチル体9
3.4gを、m−ヨードトルエン167.6g、炭酸カ
リウム70gおよび銅粉11gと共に、反応容器内に仕
込み、反応容器内に窒素ガスを導入しながら、180〜
220℃まで加熱し、この温度で24時間反応させた。
反応により生成する水は水分離器により反応系外へ除去
した。冷却後、40%水酸化カリウム水溶液230gを
加え、110〜120℃に昇温し、14時間反応させ、
加水分解を行った。反応液をろ過し触媒を除去した後、
m−ヨードトルエンを留去し回収した。残渣をn−ヘキ
サン中に注いで晶析を行い、N,N′−ジ(3−メチル
フェニル)−1,3−ジアミノアズレン101.1gを
得た(収率76.9%)。
3.4gを、m−ヨードトルエン167.6g、炭酸カ
リウム70gおよび銅粉11gと共に、反応容器内に仕
込み、反応容器内に窒素ガスを導入しながら、180〜
220℃まで加熱し、この温度で24時間反応させた。
反応により生成する水は水分離器により反応系外へ除去
した。冷却後、40%水酸化カリウム水溶液230gを
加え、110〜120℃に昇温し、14時間反応させ、
加水分解を行った。反応液をろ過し触媒を除去した後、
m−ヨードトルエンを留去し回収した。残渣をn−ヘキ
サン中に注いで晶析を行い、N,N′−ジ(3−メチル
フェニル)−1,3−ジアミノアズレン101.1gを
得た(収率76.9%)。
【0040】(iii) 得られたN,N′−ジ(3−メチル
フェニル)−1,3−ジアミノアズレンの101.1g
を、m−ヨードトルエン130g、炭酸カリウム55g
および銅粉7.5gと共に、反応容器内に仕込み、反応
容器内に窒素ガスを導入しながら、180〜220℃ま
で加熱し、この温度で48時間反応させた。反応により
生成する水は水分離器により反応系外へ除去した。冷却
後、反応物にトルエン300gを加えて溶解し、不溶分
をろ別し、ついでトルエンおよびm−ヨードトルエンを
留去し回収した。残渣を酢酸エチルで再結晶して、前記
式(1) で表されるN,N,N′,N′−テトラ(3−メ
チルフェニル)−1,3−ジアミノアズレン120.0
gを得た(収率77.5%)。
フェニル)−1,3−ジアミノアズレンの101.1g
を、m−ヨードトルエン130g、炭酸カリウム55g
および銅粉7.5gと共に、反応容器内に仕込み、反応
容器内に窒素ガスを導入しながら、180〜220℃ま
で加熱し、この温度で48時間反応させた。反応により
生成する水は水分離器により反応系外へ除去した。冷却
後、反応物にトルエン300gを加えて溶解し、不溶分
をろ別し、ついでトルエンおよびm−ヨードトルエンを
留去し回収した。残渣を酢酸エチルで再結晶して、前記
式(1) で表されるN,N,N′,N′−テトラ(3−メ
チルフェニル)−1,3−ジアミノアズレン120.0
gを得た(収率77.5%)。
【0041】生成物の分析結果を以下に示す。 元素分析結果 計算値(%): C 87.99 H:6.61 N:5.40 実測値(%): C:87.64 H:6.82 N:5.64 質量分析結果 C38H34N2 として m/e=518 (計算値518.1)実施例2 〈前記式(2) で表されるジアミノアズレン誘導体の合
成〉実施例1の工程(iii) で使用したm−ヨードトルエ
ンに代えて、p−ヨードトルエンを同量で用いたほか
は、実施例1と同様にして、前記式(2) で表されるN,
N′−ジ(3−メチルフェニル)−N,N′−ジ(4−
メチルフェニル)−1,3−ジアミノアズレン121.
6gを得た(収率78.5%)。
成〉実施例1の工程(iii) で使用したm−ヨードトルエ
ンに代えて、p−ヨードトルエンを同量で用いたほか
は、実施例1と同様にして、前記式(2) で表されるN,
N′−ジ(3−メチルフェニル)−N,N′−ジ(4−
メチルフェニル)−1,3−ジアミノアズレン121.
6gを得た(収率78.5%)。
【0042】生成物の分析結果を以下に示す。 元素分析結果 計算値(%): C:87.99 H:6.61 N:5.40 実測値(%): C:88.78 H:6.44 N:5.63 質量分析結果 C38H34N2 として m/e=518 (計算値518.1)実施例3 〈前記式(3) で表されるジアミノアズレン誘導体の合
成〉実施例1の工程(ii)および(iii) でそれぞれ使用し
たm−ヨードトルエンに代えて、工程(ii)ではp−ヨー
ドトルエンを実施例1と同量で、工程(iii) ではp−ヨ
ードトルエンの130gをそれぞれ用いたほかは、実施
例1と同様にして、前記式(3) で表されるN,N,
N′,N′−テトラ(4−メチルフェニル)−1,3−
ジアミノアズレン125.1gを得た(収率78.3
%)。
成〉実施例1の工程(ii)および(iii) でそれぞれ使用し
たm−ヨードトルエンに代えて、工程(ii)ではp−ヨー
ドトルエンを実施例1と同量で、工程(iii) ではp−ヨ
ードトルエンの130gをそれぞれ用いたほかは、実施
例1と同様にして、前記式(3) で表されるN,N,
N′,N′−テトラ(4−メチルフェニル)−1,3−
ジアミノアズレン125.1gを得た(収率78.3
%)。
【0043】なお、工程(ii)における生成物、N,N′
−ジ(4−メチルフェニル)−1,3−ジアミノアズレ
ンの収量は104.3g(収率79.3%)であった。
生成物の分析結果を以下に示す。 元素分析結果 計算値(%): C:87.99 H:6.61 N:5.40 実測値(%): C:88.24 H:6.47 N:5.55 質量分析結果 C38H34N2 として m/e=518 (計算値518.1)実施例4 〈前記式(4) で表されるジアミノアズレン誘導体の合
成〉実施例1の工程(iii) で使用したm−ヨードトルエ
ンに代えて、p−ヨードアニソール144.7gを用い
たほかは、実施例1と同様にして、前記式(4)で表され
るN,N′−ジ(3−メチルフェニル)−N,N′−ジ
(4−メトキシフェニル)−1,3−ジアミノアズレン
134.0gを得た(収率78.8%)。
−ジ(4−メチルフェニル)−1,3−ジアミノアズレ
ンの収量は104.3g(収率79.3%)であった。
生成物の分析結果を以下に示す。 元素分析結果 計算値(%): C:87.99 H:6.61 N:5.40 実測値(%): C:88.24 H:6.47 N:5.55 質量分析結果 C38H34N2 として m/e=518 (計算値518.1)実施例4 〈前記式(4) で表されるジアミノアズレン誘導体の合
成〉実施例1の工程(iii) で使用したm−ヨードトルエ
ンに代えて、p−ヨードアニソール144.7gを用い
たほかは、実施例1と同様にして、前記式(4)で表され
るN,N′−ジ(3−メチルフェニル)−N,N′−ジ
(4−メトキシフェニル)−1,3−ジアミノアズレン
134.0gを得た(収率78.8%)。
【0044】なお、工程(ii)における生成物、N,N′
−ジ(3−メチルフェニル)−1,3−ジアミノアズレ
ンの収量は104.5g(収率79.5%)であった。
生成物の分析結果を以下に示す。 元素分析結果 計算値(%): C:82.88 H:6.22 N:5.09 実測値(%): C:82.99 H:6.37 N:5.32 質量分析結果 C38H34N2 O2 として m/e=550 (計算値550.7)実施例5 〈前記式(5) で表されるジアミノアズレン誘導体の合
成〉実施例3の工程(iii) で使用したp−ヨードトルエ
ンに代えて、p−ヨードアニソール141.8gを用い
たほかは、実施例3と同様にして、前記式(5)で表され
るN,N′−ジ(4−メチルフェニル)−N,N′−ジ
(4−メトキシフェニル)−1,3−ジアミノアズレン
130.2gを得た(収率78.1%)。
−ジ(3−メチルフェニル)−1,3−ジアミノアズレ
ンの収量は104.5g(収率79.5%)であった。
生成物の分析結果を以下に示す。 元素分析結果 計算値(%): C:82.88 H:6.22 N:5.09 実測値(%): C:82.99 H:6.37 N:5.32 質量分析結果 C38H34N2 O2 として m/e=550 (計算値550.7)実施例5 〈前記式(5) で表されるジアミノアズレン誘導体の合
成〉実施例3の工程(iii) で使用したp−ヨードトルエ
ンに代えて、p−ヨードアニソール141.8gを用い
たほかは、実施例3と同様にして、前記式(5)で表され
るN,N′−ジ(4−メチルフェニル)−N,N′−ジ
(4−メトキシフェニル)−1,3−ジアミノアズレン
130.2gを得た(収率78.1%)。
【0045】この場合、工程(ii)における生成物の収量
は102.4g( 収率77.9%)であった。生成物の
分析結果を以下に示す。 元素分析結果 計算値(%): C:82.88 H:6.22 N:5.09 実測値(%): C:82.62 H:6.25 N:5.32 質量分析結果 C38H34N2 O2 として m/e=550 (計算値550.7)実施例6 〈前記式(6) で表されるジアミノアズレン誘導体の合
成〉実施例1の工程(ii)および(iii) でそれぞれ使用し
たm−ヨードトルエンに代えて、いずれもp−ヨードア
ニソールを用いた(工程(ii)では182.1g、工程(i
ii) では142.7gを使用した)ほかは、実施例1と
同様にして、前記式(6) で表されるN,N,N′,N′
−テトラ(4−メトキシフェニル)−1,3−ジアミノ
アズレン135.8gを得た(収率76.5%)。
は102.4g( 収率77.9%)であった。生成物の
分析結果を以下に示す。 元素分析結果 計算値(%): C:82.88 H:6.22 N:5.09 実測値(%): C:82.62 H:6.25 N:5.32 質量分析結果 C38H34N2 O2 として m/e=550 (計算値550.7)実施例6 〈前記式(6) で表されるジアミノアズレン誘導体の合
成〉実施例1の工程(ii)および(iii) でそれぞれ使用し
たm−ヨードトルエンに代えて、いずれもp−ヨードア
ニソールを用いた(工程(ii)では182.1g、工程(i
ii) では142.7gを使用した)ほかは、実施例1と
同様にして、前記式(6) で表されるN,N,N′,N′
−テトラ(4−メトキシフェニル)−1,3−ジアミノ
アズレン135.8gを得た(収率76.5%)。
【0046】なお、工程(ii)における生成物、N,N′
−ジ(4−メトキシフェニル)−1,3−ジアミノアズ
レンの収量は112.8g(収率78.4%)であっ
た。生成物の分析結果を以下に示す。 元素分析結果 計算値(%): C:78.33 H:5.88 N:4.81 実測値(%): C:78.54 H:6.01 N:4.66 質量分析結果 C38H34N2 O4 として m/e=582 (計算値582.7)実施例7 〈前記式(7) で表されるジアミノアズレン誘導体の合
成〉実施例1の工程(ii)および(iii) でそれぞれ使用し
たm−ヨードトルエンに代えて、工程(ii)ではヨードベ
ンゼン158.7gを、工程(iii) ではp−ヨードアニ
ソール138.9gをそれぞれ用いたほかは、実施例1
と同様にして、前記式(7) で表されるN,N′−ジフェ
ニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−1,3
−ジアミノアズレン116.2gを得た(収率75.0
%)。
−ジ(4−メトキシフェニル)−1,3−ジアミノアズ
レンの収量は112.8g(収率78.4%)であっ
た。生成物の分析結果を以下に示す。 元素分析結果 計算値(%): C:78.33 H:5.88 N:4.81 実測値(%): C:78.54 H:6.01 N:4.66 質量分析結果 C38H34N2 O4 として m/e=582 (計算値582.7)実施例7 〈前記式(7) で表されるジアミノアズレン誘導体の合
成〉実施例1の工程(ii)および(iii) でそれぞれ使用し
たm−ヨードトルエンに代えて、工程(ii)ではヨードベ
ンゼン158.7gを、工程(iii) ではp−ヨードアニ
ソール138.9gをそれぞれ用いたほかは、実施例1
と同様にして、前記式(7) で表されるN,N′−ジフェ
ニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−1,3
−ジアミノアズレン116.2gを得た(収率75.0
%)。
【0047】なお、工程(ii)における生成物、N,N′
−ジフェニル−1,3−ジアミノアズレンの収量は12
2.3g(収率76.3%)であった。生成物の分析結
果を以下に示す。 元素分析結果 計算値(%): C:82.73 H:5.79 N:5.36 実測値(%): C:82.54 H:5.93 N:5.21 質量分析結果 C36H30N2 O2 として m/e=522 (計算値522.7)実施例8〜14および比較例1,2(積層型感光体) 下記式(A) で表される電荷発生材料2部、ポリビニルブ
チラール樹脂1部、テトラヒドロフラン120部を、ガ
ラスビーズ(2mm径) を用いたペイントシェーカーに
て2時間分散させた。得られた分散液をアルミニウム素
管の表面に浸漬法によって塗工し、100℃で1時間乾
燥し、0.5μmの電荷発生層を形成した。
−ジフェニル−1,3−ジアミノアズレンの収量は12
2.3g(収率76.3%)であった。生成物の分析結
果を以下に示す。 元素分析結果 計算値(%): C:82.73 H:5.79 N:5.36 実測値(%): C:82.54 H:5.93 N:5.21 質量分析結果 C36H30N2 O2 として m/e=522 (計算値522.7)実施例8〜14および比較例1,2(積層型感光体) 下記式(A) で表される電荷発生材料2部、ポリビニルブ
チラール樹脂1部、テトラヒドロフラン120部を、ガ
ラスビーズ(2mm径) を用いたペイントシェーカーに
て2時間分散させた。得られた分散液をアルミニウム素
管の表面に浸漬法によって塗工し、100℃で1時間乾
燥し、0.5μmの電荷発生層を形成した。
【0048】
【化7】
【0049】この電荷発生層上に電荷輸送材料1部、ポ
リエステル樹脂1部をトルエン9部に溶解した溶液を浸
漬法にて塗工し、100℃で1時間乾燥し、22μmの
電荷輸送層を形成し、負帯電型の積層型感光体を得た。
比較例1としては、下記式(B) で表される化合物を電荷
輸送材料として使用したほかは、上記実施例8〜14と
同様にして、積層型感光体を作製した。
リエステル樹脂1部をトルエン9部に溶解した溶液を浸
漬法にて塗工し、100℃で1時間乾燥し、22μmの
電荷輸送層を形成し、負帯電型の積層型感光体を得た。
比較例1としては、下記式(B) で表される化合物を電荷
輸送材料として使用したほかは、上記実施例8〜14と
同様にして、積層型感光体を作製した。
【0050】
【化8】
【0051】実施例15〜21および比較例3,4(単
層型感光体) 前記式(A) で表される電荷発生剤1部およびテトラヒド
ロフラン60部を、ガラスビーズ(2mm径) を用いたペ
イントシェーカーにて2時間分散させた。得られた分散
液に、ポリエステル樹脂のテトラヒドロフラン溶液50
部および電荷輸送材料10部を加え、さらに1時間分散
を続けた。得られた分散液をアルミニウム素管の表面に
浸漬法にて塗工し、20μmの感光層を形成し、正帯電
型の単層型感光体を得た。
層型感光体) 前記式(A) で表される電荷発生剤1部およびテトラヒド
ロフラン60部を、ガラスビーズ(2mm径) を用いたペ
イントシェーカーにて2時間分散させた。得られた分散
液に、ポリエステル樹脂のテトラヒドロフラン溶液50
部および電荷輸送材料10部を加え、さらに1時間分散
を続けた。得られた分散液をアルミニウム素管の表面に
浸漬法にて塗工し、20μmの感光層を形成し、正帯電
型の単層型感光体を得た。
【0052】比較例3は前記式(B) で表される化合物を
電荷輸送材料として使用したほかは、上記実施例15〜
21と同様にして、単層型感光体を作製した。上記各実
施例、比較例の電子写真感光体について、以下の試験を
行い、その特性を評価した。初期表面電位の測定 各電子写真感光体を、静電式複写試験装置(ジェンテッ
ク社製の商品名ジェンテックシンシア30M)に装填
し、その表面を正または負に帯電させて、初期表面電位
Vs.p.(V)を測定した。
電荷輸送材料として使用したほかは、上記実施例15〜
21と同様にして、単層型感光体を作製した。上記各実
施例、比較例の電子写真感光体について、以下の試験を
行い、その特性を評価した。初期表面電位の測定 各電子写真感光体を、静電式複写試験装置(ジェンテッ
ク社製の商品名ジェンテックシンシア30M)に装填
し、その表面を正または負に帯電させて、初期表面電位
Vs.p.(V)を測定した。
【0053】半減露光量および残留電位の測定 上記初期表面電位の測定で帯電状態となった電子写真感
光体を、静電式複写試験装置の露光光源であるハロゲン
ランプを用いて、露光強度10lux の条件で露光して、
その表面電位が1/2となるまでの時間を求め、半減露
光量E1/2 (lux ・sec )を算出した。
光体を、静電式複写試験装置の露光光源であるハロゲン
ランプを用いて、露光強度10lux の条件で露光して、
その表面電位が1/2となるまでの時間を求め、半減露
光量E1/2 (lux ・sec )を算出した。
【0054】また、上記露光開始後、0.15秒を経過
した時点の表面電位を測定し、残留電位V1r.p.(V)
とした。光安定性の測定 上記電子写真感光体を、静電式複写機(三田工業社製の
型番DC−111)に装填して1000枚の連続複写を
行った後、上記と同様にして、繰り返し露光後の残留電
位V2r.p.(V)を測定した。そして、前記残留電位V
1r.p.とV2r.p.との差ΔVr.p.(V)を求めた。
した時点の表面電位を測定し、残留電位V1r.p.(V)
とした。光安定性の測定 上記電子写真感光体を、静電式複写機(三田工業社製の
型番DC−111)に装填して1000枚の連続複写を
行った後、上記と同様にして、繰り返し露光後の残留電
位V2r.p.(V)を測定した。そして、前記残留電位V
1r.p.とV2r.p.との差ΔVr.p.(V)を求めた。
【0055】積層型感光体(実施例19〜30および比
較例1,2)の試験結果を表1に、単層型感光体(実施
例31〜42および比較例3,4)の試験結果を表2に
それぞれ示す。
較例1,2)の試験結果を表1に、単層型感光体(実施
例31〜42および比較例3,4)の試験結果を表2に
それぞれ示す。
【0056】
【表1】
【0057】
【表2】
【0058】これらの試験結果から、各実施例の感光体
は、積層型、単層型の何れのものも、表面電位VS.P.に
ついては比較例の従来の感光体とほとんど差はないが、
半減露光量E1/2 が小さく、かつ、残留電位V1r.p. が
低いことから、感度が著しく改善されていることが判っ
た。また、上記各実施例の感光体は、比較例に比べてΔ
Vr.p.が小さいことから、何れも、耐久性に優れたもの
であることが判った。
は、積層型、単層型の何れのものも、表面電位VS.P.に
ついては比較例の従来の感光体とほとんど差はないが、
半減露光量E1/2 が小さく、かつ、残留電位V1r.p. が
低いことから、感度が著しく改善されていることが判っ
た。また、上記各実施例の感光体は、比較例に比べてΔ
Vr.p.が小さいことから、何れも、耐久性に優れたもの
であることが判った。
【0059】
【発明の効果】以上のように、この発明のジアミノアズ
レン誘導体は、高い電荷輸送能を有し、かつ、光安定性
に優れているため、このジアミノアズレン誘導体を電荷
輸送材料として用いることにより、高感度で、かつ耐久
性に優れた電子写真感光体が得られる。
レン誘導体は、高い電荷輸送能を有し、かつ、光安定性
に優れているため、このジアミノアズレン誘導体を電荷
輸送材料として用いることにより、高感度で、かつ耐久
性に優れた電子写真感光体が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山里 一郎 大阪府大阪市中央区玉造1丁目2番28号 三田工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項1】一般式(I) : 【化1】 [式中、R1 ,R2 は同一または異なって水素原子、も
しくは、置換基を有してもよいアルキル基、アルコキシ
基を示す。]で表されるジアミノアズレン誘導体。 - 【請求項2】導電性基体上に、上記一般式(I) で表され
るジアミノアズレン誘導体を含む感光層を設けたことを
特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26787891A JPH05105652A (ja) | 1991-10-16 | 1991-10-16 | ジアミノアズレン誘導体およびそれを用いた電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26787891A JPH05105652A (ja) | 1991-10-16 | 1991-10-16 | ジアミノアズレン誘導体およびそれを用いた電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05105652A true JPH05105652A (ja) | 1993-04-27 |
Family
ID=17450885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26787891A Pending JPH05105652A (ja) | 1991-10-16 | 1991-10-16 | ジアミノアズレン誘導体およびそれを用いた電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05105652A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5991120A (en) * | 1996-06-18 | 1999-11-23 | Nec Corporation | Contact type magnetic disk apparatus |
| CN107573246A (zh) * | 2016-07-05 | 2018-01-12 | 上海和辉光电有限公司 | 一种甘菊环衍生物 |
-
1991
- 1991-10-16 JP JP26787891A patent/JPH05105652A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5991120A (en) * | 1996-06-18 | 1999-11-23 | Nec Corporation | Contact type magnetic disk apparatus |
| CN107573246A (zh) * | 2016-07-05 | 2018-01-12 | 上海和辉光电有限公司 | 一种甘菊环衍生物 |
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