JPH0511261A

JPH0511261A - アクテイブマトリクス表示装置

Info

Publication number: JPH0511261A
Application number: JP3161860A
Authority: JP
Inventors: Ken Kanamori; 謙金森; Manabu Takahama; 学高濱; Mikio Katayama; 幹雄片山; Katsumi Irie; 勝美入江
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1991-07-02
Filing date: 1991-07-02
Publication date: 1993-01-19

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】レーザー光等の照射による不良絵素の修正時
において、Ｓ−Ｃリークを生じず、結果的に信頼性の向
上が図れるアクティブマトリクス表示装置を実現する。【構成】ゲートバスライン２１には絵素電極４１に向
けて突出したゲートバス支線２２を形成し、その分岐部
からＴＦＴ３１形成部との間は他の部分よりも細幅にす
る。絵素電極４１を形成した基板に貼り合わされる対向
電極側の透明絶縁性基板には対向電極をパターン形成す
る。点欠陥を検出すると、ゲートバス支線２２の細幅部
の領域５１にレーザー光を照射し、ゲートバス支線２２
をゲートバスライン２１から切り離す。続いて、ゲート
バス支線２２と、ソース電極３１およびドレイン電極３
３とのそれぞれの重畳部の領域５２と５３にレーザー光
を照射して、上下の導電体を電気的に接続する。以上３
回のレーザー光の照射により、ソースバスライン２３と
絵素電極４１を短絡する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は表示絵素電極にスイッチ
ング素子を介して駆動信号を印加することにより表示を
実行する表示装置に関し、特に絵素電極をマトリクス状
に配列して高密度表示を行うアクティブマトリクス表示
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、液晶表示装置、ＥＬ表示装
置、プラズマ表示装置等においては、マトリクス状に配
設された絵素電極を選択駆動することにより、画面上に
表示パターンが形成される。表示絵素の選択方式とし
て、個々の独立した絵素電極を配設し、この絵素電極の
それぞれにスイッチング素子を接続して表示駆動するア
クティブマトリクス駆動方式が知られている。絵素電極
を選択駆動するスイッチング素子としては、ＴＦＴ（薄
膜トランジスタ）素子、ＭＩＭ（金属−絶縁層−金属）
素子、ＭＯＳトランジスタ素子、ダイオード、バリスタ
等が一般的に使用され、絵素電極とこれに対向する対向
電極間に印加される電圧をスイッチング素子でスイッチ
ングして、両電極間に介在させた液晶、ＥＬ発光層ある
いはプラズマ発光体等の表示媒体を光学的に変調して、
該光学的変調が表示パターンとして視認される。このよ
うな、アクティブマトリクス駆動方式は、高コントラス
トの表示が可能であり、液晶テレビジョン、ワードプロ
セッサ、コンピュータの端末表示装置等に実用化されて
いる。

【０００３】上記表示装置において、例えば、スイッチ
ング素子が不良のまま形成されてしまうと、該スイッチ
ング素子に接続している絵素電極には本来与えられるべ
き信号が入力されることがないため、結果として表示装
置の上では点欠陥として認識される。

【０００４】こういった点欠陥は、スイッチング素子が
形成される側の基板の作製段階で発見できればレーザー
トリミングなどで修正可能である。しかるに、実際に該
基板の作製途中で何十万という絵素の中から点欠陥を検
出するのは極めて困難であり、時間・コストの関係から
量産レベルでは不可能に近い。

【０００５】一方、該基板を対向電極側の基板と貼り合
わせ、液晶を封入した状態で該基板側に配線されるバス
ラインに電気信号を加えることで点欠陥を検出する方法
がある。この方法によれば、点欠陥を目視で容易に検出
できる。しかるに、この方法によれば、一旦製品化した
後に点欠陥を検出するため、該点欠陥の修正が不可能で
ある。この結果、点欠陥のある製品は廃棄せざるを得
ず、コスト的に大きな損失となる。

【０００６】このような事情により、これまでに点欠陥
を容易に検出することができ、かつそれを簡単に修正す
ることが可能な構造を有する表示装置が種々提案されて
おり、該構造は以下に述べる原理に基づいて考案されて
いる。

【０００７】それは、液晶を封入して表示装置を点灯で
きる状態にして点欠陥を検出し、該点欠陥が発生してい
る不良絵素の絵素電極と最近接のソースバスライン（信
号線）とを、ガラス基板越しにレーザーを照射して電気
的に導通させる方法である。そうすると、絵素電極にゲ
ートバスライン（走査線）からの信号にかかわらずソー
スバスラインの信号がそのまま入力されることになる。

【０００８】こうすると、通常の絵素（正常絵素）では
ゲートバスラインの選択時間内に供給されたソース信号
のみを充電し、これを１周期分（次の選択時間がくるま
での時間）保持するわけであるが、この場合はゲートバ
スラインの選択・非選択には関わらず常にソース信号を
充電することになり、１周期で通して見るとこの間に入
力されたソース電圧の実効値が液晶に加わることにな
る。このため不良絵素の帰属するソースバスラインに付
属したすべての絵素の平均的な明るさに不良絵素は点灯
することになり、これは完全な輝点でも黒点でもない。
故に、この修正処理が施された不良絵素は、正常に作動
しているわけではないが、点欠陥としては極めて判別し
にくい状態になる。

【０００９】これを実現する具体的な構造を備えた従来
の表示装置として、図７、図８および図９に示されるも
のがある。

【００１０】図７に示す表示装置は以下の構成をとる。
透明ガラスからなる基板上には、ゲートバスライン２１
とソースバスライン２３とが格子状に配線され、両バス
ライン２１、２３で囲まれた領域に絵素電極４１がそれ
ぞれ配設される。ゲートバスライン２１には絵素電極４
１に向けて突出するゲートバス支線２２が分岐され、該
ゲートバス支線２２の先端部にスイッチング素子として
のＴＦＴ３１が形成される。ゲートバス支線２２の分岐
部とＴＦＴ３１形成部との間はレーザー光などを用いて
容易に切断できるように他の部分よりも細幅になってい
る。

【００１１】なお、ゲートバス支線２２のＴＦＴ３１形
成部はゲート電極２２となり、また該ゲート電極２２に
は、ソース電極３２およびドレイン電極が重畳され、こ
れらによりＴＦＴ３１が構成される。

【００１２】このような構造の表示装置において、点欠
陥の検出及び修正は以下の手順で行われる。まず、点欠
陥の検出は、ＴＦＴ３１が形成された基板と、対向電極
が形成された対向側基板とを貼り合わせ、両基板間に液
晶を封入した状態でゲートバスライン２１、ソースバス
ライン２３および対向電極に適当な信号を印加し、その
ときの表示状態を目視で検出して行われる。点欠陥が見
つかったら、次に点欠陥を発生している絵素をレーザー
光などのエネルギー照射により修復する。具体的には、
まずゲートバス支線２２の前記細幅部にレーザー光を照
射して切断し、ゲートバスライン２１から切り離す。こ
れにより、ＴＦＴ３１のゲート電極２２は電気的に浮い
た状態となる。

【００１３】続いて、ゲート電極２２とソース電極３２
およびゲート電極２２とドレイン電極３３とが重畳して
いる部分にレーザー光を照射して小さなスポットでこれ
を打ち抜く。そうすると、打ち抜かれた穴の周辺部を介
して上下の電極同士が電気的に接続される。この結果、
ゲート電極２２を通してソースバスライン２３と絵素電
極４１は電気的に接続され、結局絵素電極４１がソース
バスライン２３と短絡される。従って、不良絵素は常に
ソース信号と同電位になり、平均的な明るさに点灯さ
れ、これで目的が達成される。

【００１４】図８に示される表示装置は、１つのユニッ
ト内にレーザー光の照射により、絵素電極４１とソース
バスライン２３とを短絡させるための冗長構造を特別に
設けた構成をとる。該冗長構造は、絵素電極４１の左下
部に配設され、ゲートバスラインから突出されたゲート
バスライン突出部４７、ソースバスライン２３から突出
されたソースバスライン突出部４６およびゲートバスラ
イン突出部４７の上に絶縁膜を介して重畳された導電体
片４８の組み合わせからなる。修復前の初期状態におい
て、各々は電気的に絶縁されている。

【００１５】この表示装置における点欠陥の検出および
修正は以下の手順で行われる。まず、上記同様に液晶を
封入した状態で点灯し、目視により点欠陥を検出する。
点欠陥が検出されたらガラス基板越しにレーザー光を照
射し、ゲートバスライン突出部４７の根元を切断する。
続いて、ゲートバスライン突出部４７とソースバスライ
ン突出部４６の重畳部にレーザー光を照射し、両者を接
続する。続いて、ゲートバスライン突出部４６と導電体
片４８との重畳部にレーザー光を照射して両者の接続を
行う。ここで、導電体片４８は予め絵素電極４１に電気
的に接続されている。従って、以上３回のレーザー光の
照射により、ソースバスライン２３と絵素電極４１との
短絡が行われ、上記同様に目的が達成される。

【００１６】図９の表示装置は、ソースバスライン突出
部４６、該ソースバスライン突出部４６の下方に一端部
が重畳された導電体片（第１の導電体片）４９および該
導電体片４９の他端部上方に重畳された導電体片４８
（第２の導電体片）等で冗長構造を形成する構成をと
る。この表示装置においては、ソースバスライン突出部
４６と導電体片４９との重畳部および導電体片４９と導
電体片４８との重畳部にレーザー光を照射し、これによ
り最終的にソースバスライン２３と絵素電極４１とを短
絡して、上記目的を達成する。

【００１７】ところで、上記各従来例において、ソース
バスライン２３と絵素電極４１との短絡はＴＦＴ３１の
選択時間での抵抗値より大きい値でなければならない。
これは、ＴＦＴ３１の書き込み時間毎に変化するソース
バスライン２３からの信号を速やかに絵素に充電してや
らねば、絵素電極４１に加わる電圧の実効値が小さくな
ってしまうからである。レーザー光を用いた修復処理で
はこの条件を十分に満足することができる。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、上
記従来例はいずれも絵素電極と該絵素電極に信号を印加
するソースバスラインとを短絡することにより、点欠陥
を目立たなくする修正方法をとるが、この修正方法によ
れば以下に示す欠点がある。

【００１９】すなわち、冗長構造部にレーザー光を照射
するため、導電体が粉砕され、これに伴って破片が多少
なりとも生じる。この破片は当然ながら導電体である。
それ故、該破片が対向電極と、ＴＦＴ側基板の絵素電極
との間で”橋渡し”をする状態を生じる。この状態は、
絵素電極を介して対向電極とソースバスラインとがリー
クしたことを意味し、表示上線欠陥として現れる。従っ
て、単なる点欠陥よりさらに深刻な不良を誘発したこと
になる。

【００２０】レーザー光を照射する条件や導電体の種類
によって、このようなリーク（以下、Ｓ−Ｃリークと呼
ぶ）の起こる確率は異なるが、発生を完全に抑止するこ
とは困難である。また、修正当初はＳ−Ｃリークが起こ
らない場合でも、後日何らかの原因（例えば修正部に圧
力が加わった場合など）で破片の状態が変わり、対向電
極と絵素電極との間に導通が生じることが起こり得る。
これは商品の信頼性の問題にも関わる重大な事態を引き
起こす。

【００２１】本発明はこのような従来技術の欠点を解消
するものであり、レーザー光等の照射による点欠陥の修
正を行うに際し、Ｓ−Ｃリークを生じず、結果的に信頼
性の向上が図れるアクティブマトリクス表示装置を提供
することを目的とする。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス表示装置は、少なくとも一方が透光性を有する上
下一対の基板間に印加電圧に応答して光学的特性が変調
する表示媒体が挿入され、一方の基板内面に表示パター
ンを生起するための走査線および信号線が格子状に配線
されると共に、該走査線および信号線で囲まれた領域そ
れぞれに絵素電極が配設され、かつ該絵素電極と該走査
線および該信号線にスイッチング素子が電気的に接続さ
れたアクティブマトリクス表示装置において、基端側が
先端側よりも細幅になった走査線支線が該走査線から分
岐され、該走査線支線の先端部における上若しくは下に
該スイッチング素子が形成される一方、他方の基板内面
の、該走査線支線およびスイッチング素子の形成部を除
く領域に相当する部分に対向電極がパターン形成されて
なり、そのことにより上記目的が達成される。

【００２３】また、本発明のアクティブマトリクス表示
装置は、少なくとも一方が透光性を有する上下一対の基
板間に印加電圧に応答して光学的特性が変調する表示媒
体が挿入され、一方の基板内面に表示パターンを生起す
るための走査線および信号線が格子状に配線されると共
に、該走査線および信号線で囲まれた領域それぞれに絵
素電極が配設され、かつ該絵素電極と該走査線および該
信号線にスイッチング素子が電気的に接続されたアクテ
ィブマトリクス表示装置において、該信号線および該信
号線に隣接する該走査線に、該絵素電極に向けて突出
し、かつ該絵素電極と電気的に非接触の信号線突出部お
よび走査線突出部がそれぞれ形成され、該走査線突出部
の上に該信号線が絶縁膜を挟んで重畳されると共に、該
走査線突出部の先端に該絵素電極に電気的に接触し、且
つ該信号線突出部とは電気的に非接触の導電体片が絶縁
膜を挟んで重畳される一方、他方の基板内面の、該走査
線突出部、該信号線突出部および該導電体片の形成部を
除く領域に相当する部分に対向電極がパターン形成され
てなり、そのことにより上記目的が達成される。

【００２４】また、本発明のアクティブマトリクス表示
装置は、少なくとも一方が透光性を有する上下一対の基
板間に印加電圧に応答して光学的特性が変調する表示媒
体が挿入され、一方の基板内面に表示パターンを生起す
るための走査線および信号線が格子状に配線されると共
に、該走査線および信号線で囲まれた領域それぞれに絵
素電極が配設され、かつ該絵素電極と該走査線および該
信号線にスイッチング素子が電気的に接続されたアクテ
ィブマトリクス表示装置において、該信号線に該絵素電
極に向けて突出し、該絵素電極と電気的に非接触の信号
線突出部が形成されると共に、該信号線突出部の下に、
該信号線、該走査線および該絵素電極のいずれとも電気
的に非接触の第１導電体片の一端部が絶縁膜を介して重
畳され、かつ該第１導電体片の他端部に、該絵素電極に
電気的に接触され、該信号線突出部とは電気的に非接触
の第２導電体片が絶縁膜を介して重畳される一方、他方
の基板内面の、該第１導電体片、該信号線突出部および
該第２導電体片の形成部を除く領域に相当する部分に対
向電極がパターン形成されてなり、そのことにより上記
目的が達成される。

【００２５】

【作用】上記の構造によれば、他方の基板側、すなわち
対向側基板の冗長構造部に相当する部分に対向電極が形
成されていないので、該冗長構造部にレーザー光等を照
射して行われる修正作業時に生じる導電体の破片に起因
するＳ−Ｃリークの発生頻度を確実に減少できる。

【００２６】なお、スイッチング素子や冗長構造部は通
常、はじめから表示絵素の「開口部」にはなっていない
からこの部分に対向電極が存在しなくても、表示上問題
となるようなことはない。ここで、開口部とは、光を透
過する部分のことをいう。

【００２７】

【実施例】本発明の実施例について以下に説明する。

【００２８】図１〜図３は本実施例のアクティブマトリ
クス表示装置を示しており、この表示装置は、上下一対
の透明絶縁性基板１、２間に液晶１８を封入してなる。
下側の基板１上には、走査線として機能する複数本のゲ
ートバスライン２１、２１…および信号線として機能す
る複数本のソースバスライン２３、…が縦横に配線さ
れ、両バスライン２１、２３で囲まれる矩形上の領域そ
れぞれに絵素電極４１がマトリクス状に配設される。ゲ
ートバスライン２１にはこれから絵素電極４１側に向け
て突出するゲートバス支線２２が形成され、該ゲートバ
ス支線２２の先端寄りの部分にＴＦＴ３１が形成され
る。従って、ゲートバス支線２２の一部はゲート電極２
２として機能する。ＴＦＴ３１はスイッチング素子とし
て機能し、絵素電極４１に接続される。なお、ゲートバ
ス支線２２の中間部はレーザー光等の照射によって容易
に切断できるように細幅になっている。

【００２９】以下にこの表示装置の制作手順を説明す
る。図２に示すように、まず透明絶縁性基板１上にゲー
トバスライン２１を作製する。この作製は、一般にＴ
ａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ等の単層又は多層の金属をスパッ
タリング法により透明絶縁性基板１上に堆積し、その後
にパターニングして作製される。この時、同時にゲート
バスライン支線２２が作製される。本実施例では透明絶
縁性基板１としてガラス基板１を用いた。なお、ゲート
バスライン２１の下にベースコート膜としてＴａ₂Ｏ₅等
の絶縁膜を形成することにしてもよい。

【００３０】次いで、ゲートバスライン２１（ゲートバ
ス支線２２を含む）上にゲート絶縁膜１３を積層する。
本実施例では、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＮ_x膜を３
００ｎｍ堆積してゲート絶縁膜１３とした。なお、図２
に示すように、ゲートバスライン２１を陽極酸化して表
面にＴａ₂Ｏ₅からなる酸化膜１２を形成してもよい。こ
のようにすれば、絶縁膜が２層構造になるので、絶縁性
の向上が図れる。

【００３１】次いで、プラズマＣＶＤ法により半導体層
１４およびエッチングストッパ層１５をゲート絶縁膜１
３の上に連続して形成する。半導体層１４はアモルファ
スシリコン（ａ−Ｓｉ）層で構成され、エッチングスト
ッパ層１５はＳｉＮ_x層で構成される。それぞれの膜厚
は３０ｎｍ、２００ｎｍとする。そして、エッチングス
トッパ層１５をパターニングし、その後、リンを添加し
たｎ⁺型ａ−Ｓｉ層１６（コンタクト層）をプラズマＣ
ＶＤ法で８０ｎｍの厚みで積層する。このｎ⁺型ａ−Ｓ
ｉ層１６は半導体層１４と、その後に積層されるソース
電極３２又はドレイン電極３３とのオーミックコンタク
トを良好にするために形成される。

【００３２】次いで、ｎ⁺型ａ−Ｓｉ層１６をパターニ
ングし、その後、ソース金属をスパッタリング法により
積層する。ソース金属としては、一般に、Ｔｉ、Ａｌ、
Ｍｏ、Ｃｒ等が用いられるが、本実施例ではＴｉを使用
した。そして、Ｔｉ金属層をパターニングし、ソース電
極３２およびドレイン電極３３を得る。これにより、図
２にその構造を示すＴＦＴ３１が作成される。この時、
ソースバスライン２３およびソースバスライン突出部４
６が同時に形成される。

【００３３】次いで、絵素電極４１となる透明導電性物
質を積層する。本実施例では透明導電性物質として、Ｉ
ＴＯ（Indium tin oxide）をスパッタリング法により積
層し、これをパターニングして絵素電極４１を得る。該
絵素電極４１は上記のようにゲートバスライン２１とソ
ースバスライン２３で囲まれた矩形の領域に積層形成さ
れ、図２に示すように、その端部はＴＦＴ３１のドレイ
ン電極３３の端部に積層される。これにより両者が電気
的に導通状態にある。

【００３４】絵素電極４１を形成したガラス基板１上の
全面には、ＳｉＮ_xからなる保護膜１７が堆積される。
該保護膜１７は、絵素電極４１の中央部で除去した窓あ
き形状にしてもよい。保護膜１７上には配向膜１９が形
成される。図２に示すように、ガラス基板１に対向する
ガラス基板２上には、対向電極３及び配向膜９が形成さ
れる。そして、これらのガラス基板１、２の間に表示媒
体としての液晶１８を封入し、本実施例のアクティブマ
トリクス表示装置が作成される。

【００３５】対向電極３は、具体的にはガラス基板２の
内面側に、ＩＴＯ膜をスパッタリング法により積層し、
続いて該ＩＴＯ膜をパターニングして形成される。但
し、本実施例において、対向電極３はガラス基板２の内
面全面に形成されるのではなく、ＴＦＴ３１形成部およ
びゲートバス支線２２形成部に相当する領域には形成さ
れないようになっている。すなわち、この部分におい
て、パターン抜けが発生している。図１はこの状態を示
しており、図中破線で示される領域に対向電極３が形成
され、白抜き部分には対向電極３が形成されないように
なっている。

【００３６】次に、本実施例において点欠陥が生じた際
の修正復方法について説明する。絵素不良のうち、ＴＦ
Ｔ３１の異常により十分に書き込みできない不良や絵素
電極４１の属しているソースバスライン２３とのリーク
による不良はＴＦＴ３１の部分を使ってレーザー加工す
ることで修正することができる。以下にその詳細を図３
に従って説明する。

【００３７】まず、ゲートバス支線２２に光エネルギの
一例としてＹＡＧレーザー光を破線で示す領域５１に照
射する。これにより、照射部のゲート導電体を四散さ
せ、電気的に絶縁状態にすることが可能である。レーザ
ー光の照射はガラス基板１の裏側から行ってもよいし、
ガラス基板２の表面側から行ってもよいが、本実施例で
は対向側のガラス基板２は遮光用の導電体で覆われ、直
接レーザー光を照射できないためガラス基板１の裏側か
ら照射した。この照射により、ゲートバス支線２２は、
ゲートバスライン２１から絶縁される。この際に導電体
の破片が生じるが、対向電極３は上記のようにレーザー
光の照射領域においてパターンが抜いてあるので、絵素
電極４１と対向電極３との間にＳ−Ｃリークが起こる危
惧は極めて少ない。

【００３８】続いて、ＴＦＴ３１のゲート電極２２とソ
ース電極３２との重畳部に相当する領域５２およびゲー
ト電極２２とドレイン電極３３との重畳部に相当する領
域５３にレーザー光を照射する。照射部分ではレーザー
光が上下の導電体間のゲート絶縁膜１３を突き破り、そ
れにより照射された部分の端部において上下の導電体を
短絡することが可能である。このときも破片が生じる
が、同様に照射部に相当する部分に対向電極３は存在し
ないので上下の導電体間でＳ−Ｃリークを発生する確率
はごく微小なものである。

【００３９】以上３回のレーザー光の照射により、ソー
スバスライン２３とドレイン電極３３、すなわち絵素電
極４１とを短絡することができる。これによって、点欠
陥を発生している不良絵素は隣接したソースバスライン
２３に沿ったすべての絵素の平均的な明るさに点灯さ
れ、表示上欠陥としては極めて視認しにくくなる。

【００４０】また、同じレーザー光を用いて前者は導電
体の切断、後者は導電体の溶融を行っているが、これは
レーザー光を適当な条件で照射することでいずれも可能
である。

【００４１】図４および図５は本発明の他の実施例を示
す。この実施例では、ＴＦＴ３１が形成されるゲートバ
スライン２１に隣接するゲートバスライン２１に絵素電
極４１に向かうゲートバスライン突出部４７を形成し、
該ゲートバスライン突出部４７と、ソースバスライン２
３から突出されたソースバスライン突出部４６および導
電体片４８等で冗長構造を形成し、この冗長構造にレー
ザー光を照射して点欠陥を修正する構成をとる。

【００４２】この表示装置の製造手順は上記実施例のも
のと略同様である。但し、ゲートバスライン突出部４７
はゲートバスライン２１のパターニング時に同時に形成
される。また、ソースバスライン突出部４６と導電体片
４８はソースバスライン２３の形成時に同時にパターニ
ングして形成される。

【００４３】この実施例において、対向電極３は上記冗
長構造部に相当する部分を除いてパターン形成される。
より具体的には、図４および図５の斜線領域に対向電極
３が形成され、白抜き部分に対向電極３が形成されない
構成になっている。

【００４４】この実施例における点欠陥の修正作業は以
下のようにして行われる。図５に示すように、まず、ゲ
ートバスライン突出部４７の根元部に相当する領域151
にＹＡＧレーザー光を照射する。これで照射部のゲート
導電体を四散させ、電気的に絶縁状態にすることが可能
である。この際に導電体の破片が生じるが、対向電極３
はレーザー照射領域151においてパターンが抜いてある
ので、絵素電極４１と対向電極３との間にＳ−Ｃリーク
が起こる危惧は極めて少ない。この操作でゲートバスラ
イン突出部４７はゲートゲートバスライン２１から絶縁
される。

【００４５】続いて、ゲートバスライン突出部４７とソ
ースバスライン突出部４６との重畳部に相当する領域15
2およびゲートバスライン突出部４７と導電体片４８と
の重畳部に相当する領域153にレーザー光を照射する。
照射部分ではレーザー光が上下の導電体の間のゲート絶
縁膜１３を突き破り、それにより照射された部分の端部
において上下の導電体を短絡することが可能である。こ
のときも破片が生ずるが、領域152、153に相当する部分
には、対向電極３は存在しない。従って、上下の電極間
でＳ−Ｃリークを発生する確率はごく微小なものであ
る。故に、領域152、153の２カ所で上下の導電体を電気
的に接続することでソースバスライン２３と導電体片４
８、すなわち絵素電極４１を短絡することができる。こ
れによって、点欠陥を発生している不良絵素は隣接した
ソースバスライン２３に沿った全ての絵素の平均的な明
るさに点灯される。それ故、表示上欠陥としては極めて
視認しにくくなる。尚、修正の手順については上記順番
に限定されるものではない。

【００４６】図６は本発明のまた他の実施例を示す。こ
の実施例では、図４の実施例で示されるゲートバスライ
ン突出部４７の代わりに導電体片４９（第１の導電体
片）を配設し、導電体片４９と、該導電体片４９の基端
部に重畳されるソースバスライン突出部４６および該導
電体片４９の他端部に重畳される導電体片４８（第２の
導電体片）等で冗長構造を形成する構成をとる。この構
成において、導電体片４９はゲートバスライン２１に最
初から接続されていないので、該導電体片４９をゲート
バスライン２１から切断する必要がない。すなわち、レ
ーザー光の照射回数が２回で済む。また、このことは対
向電極３の抜きパターンの面積も小さくできる利点があ
る。具体的な修正方法は図４に示される実施例と同様の
領域152、153にレーザー光を照射して行われるので、そ
の詳細は省略する。

【００４７】図示する実施例の全容は以上の通りである
が、本発明は表示品位を向上するために付加容量を付設
した表示装置についても同様に適用できる。また、上記
各実施例では、スイッチング素子としてＴＦＴを用いた
が、ＭＯＳトランジスタ素子やダイオード等をスイッチ
ング素子に用いた表示装置についても同様に適用でき
る。

【００４８】

【発明の効果】本発明アクティブマトリクス表示装置に
よれば、点欠陥を修正するために照射されるレーザー光
等の照射領域に対応する部分に対向電極が形成されてい
ないので、照射部に生じる導電体の破片に起因するＳ−
Ｃリークの発生確率を格段に減少できる。従って、本発
明によれば、修正時に不良絵素を確実に修正できること
はもちろんのこと、その後に新たに線欠陥が発生するこ
とがない。それ故、修正部の長期的な信頼性が保証さ
れ、これにより表示装置の製作の歩止まりを向上でき、
大幅なコストダウンが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例を示す平面図。

【図２】図１のＡ−Ａ線断面図。

【図３】図１の実施例で示されるＴＦＴ形成部を拡大し
て示す図面。

【図４】本発明の他の実施例を示す平面面。

【図５】図４に示される実施例の冗長構造部を拡大して
示す図面。

【図６】本発明他の実施例を示す平面図。

【図７】従来例を示す平面図。

【図８】他の従来例を示す平面図。

【図９】図８の従来例と異なる他の従来例を示す平面
図。

【符号の説明】

１透明絶縁性基板（ＴＦＴ側の基板）２透明絶縁性基板（対向電極側の基板）３対向電極１８液晶２１ゲートバスライン２２ゲートバス支線（ゲート電極）２３ソースバスライン３１ＴＦＴ３２ソース電極３３ドレイン電極４１絵素電極４６ソースバスライン突出部４７ゲートバスライン突出部４８導電体片４９導電体片５１、５２、５３、151、152、153 レーザー光の照射
領域

フロントページの続き (72)発明者入江勝美大阪市阿倍野区長池町22番22号シヤープ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも一方が透光性を有する上下一対
の基板間に印加電圧に応答して光学的特性が変調する表
示媒体が挿入され、一方の基板内面に表示パターンを生
起するための走査線および信号線が格子状に配線される
と共に、該走査線および信号線で囲まれた領域それぞれ
に絵素電極が配設され、かつ該絵素電極と該走査線およ
び該信号線にスイッチング素子が電気的に接続されたア
クティブマトリクス表示装置において、基端側が先端側よりも細幅になった走査線支線が該走査
線から分岐され、該走査線支線の先端部における上若し
くは下に該スイッチング素子が形成される一方、他方の
基板内面の、該走査線支線およびスイッチング素子の形
成部を除く領域に相当する部分に対向電極がパターン形
成されたアクティブマトリクス表示装置。
【請求項２】少なくとも一方が透光性を有する上下一対
の基板間に印加電圧に応答して光学的特性が変調する表
示媒体が挿入され、一方の基板内面に表示パターンを生
起するための走査線および信号線が格子状に配線される
と共に、該走査線および信号線で囲まれた領域それぞれ
に絵素電極が配設され、かつ該絵素電極と該走査線およ
び該信号線にスイッチング素子が電気的に接続されたア
クティブマトリクス表示装置において、該信号線および該信号線に隣接する該走査線に、該絵素
電極に向けて突出し、かつ該絵素電極と電気的に非接触
の信号線突出部および走査線突出部がそれぞれ形成さ
れ、該走査線突出部の上に該信号線が絶縁膜を挟んで重
畳されると共に、該走査線突出部の先端に該絵素電極に
電気的に接触し、且つ該信号線突出部とは電気的に非接
触の導電体片が絶縁膜を挟んで重畳される一方、他方の
基板内面の、該走査線突出部、該信号線突出部および該
導電体片の形成部を除く領域に相当する部分に対向電極
がパターン形成されたアクティブマトリクス表示装置。
【請求項３】少なくとも一方が透光性を有する上下一対
の基板間に印加電圧に応答して光学的特性が変調する表
示媒体が挿入され、一方の基板内面に表示パターンを生
起するための走査線および信号線が格子状に配線される
と共に、該走査線および信号線で囲まれた領域それぞれ
に絵素電極が配設され、かつ該絵素電極と該走査線およ
び該信号線にスイッチング素子が電気的に接続されたア
クティブマトリクス表示装置において、該信号線に該絵素電極に向けて突出し、該絵素電極と電
気的に非接触の信号線突出部が形成されると共に、該信
号線突出部の下に、該信号線、該走査線および該絵素電
極のいずれとも電気的に非接触の第１導電体片の一端部
が絶縁膜を介して重畳され、かつ該第１導電体片の他端
部に、該絵素電極に電気的に接触され、該信号線突出部
とは電気的に非接触の第２導電体片が絶縁膜を介して重
畳される一方、他方の基板内面の、該第１導電体片、該
信号線突出部および該第２導電体片の形成部を除く領域
に相当する部分に対向電極がパターン形成されたアクテ
ィブマトリクス表示装置。