JPH05112866A - 低温成膜用ｉｔｏタ−ゲツト - Google Patents
低温成膜用ｉｔｏタ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPH05112866A JPH05112866A JP4090048A JP9004892A JPH05112866A JP H05112866 A JPH05112866 A JP H05112866A JP 4090048 A JP4090048 A JP 4090048A JP 9004892 A JP9004892 A JP 9004892A JP H05112866 A JPH05112866 A JP H05112866A
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- JP
- Japan
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- sintered body
- sintered
- film
- ito
- transparent conductive
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】
【構成】 焼結密度８０％以上１００％以下、且つ焼
結粒径５μｍ以上３０μｍ以下のＩＴＯ焼結体タ−ゲッ
トに関し、この焼結体は、ＩＴＯ粉末成型体を１４５０
℃以上で焼結させることにより得られる。 【効果】 本発明のＩＴＯ焼結体タ−ゲットは焼結密
度が高く、焼結粒径を大きくすることにより、膜の結晶
化を促進するスパッタ粒子中の酸素原子が増大され、低
温基板上に高透明で低抵抗な透明導電膜を形成すること
が可能である。
結粒径５μｍ以上３０μｍ以下のＩＴＯ焼結体タ−ゲッ
トに関し、この焼結体は、ＩＴＯ粉末成型体を１４５０
℃以上で焼結させることにより得られる。 【効果】 本発明のＩＴＯ焼結体タ−ゲットは焼結密
度が高く、焼結粒径を大きくすることにより、膜の結晶
化を促進するスパッタ粒子中の酸素原子が増大され、低
温基板上に高透明で低抵抗な透明導電膜を形成すること
が可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明導電膜形成用のス
パッタリングタ−ゲットに関し、特に低温基板、即ち室
温から約２００℃までの基板温度において、低抵抗な透
明導電膜を形成可能なＩＴＯ焼結体スパッタリングタ−
ゲットに関するものである。
パッタリングタ−ゲットに関し、特に低温基板、即ち室
温から約２００℃までの基板温度において、低抵抗な透
明導電膜を形成可能なＩＴＯ焼結体スパッタリングタ−
ゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶を中心とする表示デバイスの
発展に伴い、透明導電膜の需要が増加している。液晶の
透明導電膜としては低抵抗、高透明性が必要であり、こ
れまで電極材料としてはＩＴＯ（酸化インジウム、酸化
錫）が用いられている。従来の白黒液晶用の透明電極は
３００℃以上の加熱ガラス基板上に、２×１０−４Ω・
ｃｍ以下の低抵抗膜が成膜されていたが、液晶のカラ−
化、表示素子の微細化、アクティブマトリックス方式の
採用、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、メタルインシュレ
ーターメタル（ＭＩＭ）の導入に伴い、より低温の基板
上に低抵抗、高透明な透明導電膜を形成する技術が熱望
されている。従来のスパッタリング法では室温（２５
℃）で８×１０−４Ω・ｃｍ、２００℃で６×１０−４
Ω・ｃｍ程度が限界であるが、目的とする液晶用電極と
して使用するには室温（２５℃）で６×１０−４Ω・ｃ
ｍ、２００℃で４×１０−４Ω・ｃｍ程度の比抵抗が要
求されている。
発展に伴い、透明導電膜の需要が増加している。液晶の
透明導電膜としては低抵抗、高透明性が必要であり、こ
れまで電極材料としてはＩＴＯ（酸化インジウム、酸化
錫）が用いられている。従来の白黒液晶用の透明電極は
３００℃以上の加熱ガラス基板上に、２×１０−４Ω・
ｃｍ以下の低抵抗膜が成膜されていたが、液晶のカラ−
化、表示素子の微細化、アクティブマトリックス方式の
採用、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、メタルインシュレ
ーターメタル（ＭＩＭ）の導入に伴い、より低温の基板
上に低抵抗、高透明な透明導電膜を形成する技術が熱望
されている。従来のスパッタリング法では室温（２５
℃）で８×１０−４Ω・ｃｍ、２００℃で６×１０−４
Ω・ｃｍ程度が限界であるが、目的とする液晶用電極と
して使用するには室温（２５℃）で６×１０−４Ω・ｃ
ｍ、２００℃で４×１０−４Ω・ｃｍ程度の比抵抗が要
求されている。
【０００３】これまで低温で低抵抗な膜を形成する方法
として、スパッタリング装置に外部からプラズマを導入
することによりスパッタ粒子を活性化する方法等が提案
されているが、装置が複雑となり、工業的に適用するこ
とが困難であった。
として、スパッタリング装置に外部からプラズマを導入
することによりスパッタ粒子を活性化する方法等が提案
されているが、装置が複雑となり、工業的に適用するこ
とが困難であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の装置
を用い、低温で低抵抗の透明導電膜が形成可能なスパッ
タリングタ−ゲットを提供することにある。
を用い、低温で低抵抗の透明導電膜が形成可能なスパッ
タリングタ−ゲットを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等はＩＴＯタ−
ゲットのスパッタリングにより低温基板上へ透明導電膜
を形成する方法に関して鋭意検討を重ねた結果、高密度
でなおかつ焼結粒径の大きいＩＴＯタ−ゲットを用いた
場合、堆積するＩＴＯ膜中へ取り込まれる酸素量が増大
し、低温基板上に低抵抗な透明導電膜が形成可能である
ことを見出し本発明を完成するに至ったものである。
ゲットのスパッタリングにより低温基板上へ透明導電膜
を形成する方法に関して鋭意検討を重ねた結果、高密度
でなおかつ焼結粒径の大きいＩＴＯタ−ゲットを用いた
場合、堆積するＩＴＯ膜中へ取り込まれる酸素量が増大
し、低温基板上に低抵抗な透明導電膜が形成可能である
ことを見出し本発明を完成するに至ったものである。
【０００６】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００７】本発明のＩＴＯタ−ゲットは高密度である
ことが必須である。焼結密度は８０％以上、特に８５％
以上あることが好ましい。なお、ＩＴＯの真密度は７．
１５ｇ／ｃｍ３である。
ことが必須である。焼結密度は８０％以上、特に８５％
以上あることが好ましい。なお、ＩＴＯの真密度は７．
１５ｇ／ｃｍ３である。
【０００８】ＩＴＯの組成としては、酸化インジウムに
対する酸化錫の含有量が５ｗｔ％から１５ｗｔ％、特に
８ｗｔ％から１２ｗｔ％の範囲であることが好ましい。
酸化錫の含有量が５ｗｔ％未満では得られる膜中のド−
パントが不足であり、１５ｗｔ％を越える量では錫の多
くがド−パントとして働かず、結晶中で不純物として働
くために導電性に悪影響を及ぼす場合がある。
対する酸化錫の含有量が５ｗｔ％から１５ｗｔ％、特に
８ｗｔ％から１２ｗｔ％の範囲であることが好ましい。
酸化錫の含有量が５ｗｔ％未満では得られる膜中のド−
パントが不足であり、１５ｗｔ％を越える量では錫の多
くがド−パントとして働かず、結晶中で不純物として働
くために導電性に悪影響を及ぼす場合がある。
【０００９】本発明のＩＴＯ焼結体タ−ゲットの焼結粒
径は５μｍ以上３０μｍ以下であるが、好ましくは８μ
ｍ以上２０μｍ以下である。３０μｍを越えると、低抵
抗な膜は得られるものの、この様な粒径の大きい焼結体
は強度が弱くなり、好ましくない場合がある。従来のＩ
ＴＯ焼結体の焼結粒径は５μｍ未満であり、本発明の焼
結体における焼結粒径に比べて小さい。特にホットプレ
スによる高密度焼結体では粒成長しないため焼結粒径は
１μｍ以下である。この様な焼結粒径の小さいタ−ゲッ
トでは、密度が高くても得られる膜中の酸素量が少な
く、低抵抗な膜が得られない。
径は５μｍ以上３０μｍ以下であるが、好ましくは８μ
ｍ以上２０μｍ以下である。３０μｍを越えると、低抵
抗な膜は得られるものの、この様な粒径の大きい焼結体
は強度が弱くなり、好ましくない場合がある。従来のＩ
ＴＯ焼結体の焼結粒径は５μｍ未満であり、本発明の焼
結体における焼結粒径に比べて小さい。特にホットプレ
スによる高密度焼結体では粒成長しないため焼結粒径は
１μｍ以下である。この様な焼結粒径の小さいタ−ゲッ
トでは、密度が高くても得られる膜中の酸素量が少な
く、低抵抗な膜が得られない。
【００１０】本発明の焼結体の粒径は、ＳＥＭ観察によ
る写真を画像処理すること等により求めることができ
る。
る写真を画像処理すること等により求めることができ
る。
【００１１】次ぎに本発明のＩＴＯ焼結体の製造方法に
関して説明する。
関して説明する。
【００１２】ＩＴＯ粉末の成型方法としては、目的とし
た形状にあった成型方法を選べばよく、金型成型法、鋳
込み成型法等例示されるが特に限定されない。
た形状にあった成型方法を選べばよく、金型成型法、鋳
込み成型法等例示されるが特に限定されない。
【００１３】焼結体の高密度化のために、成型体は冷間
静水圧プレス（ＣＩＰ）にて加圧処理することが好まし
い。その時の圧力は、３〜５ｔ／ｃｍ２程度でよく、必
要に応じてＣＩＰ処理を２〜５回程度繰り返してもよ
い。
静水圧プレス（ＣＩＰ）にて加圧処理することが好まし
い。その時の圧力は、３〜５ｔ／ｃｍ２程度でよく、必
要に応じてＣＩＰ処理を２〜５回程度繰り返してもよ
い。
【００１４】本発明の焼結体は該ＩＴＯ粉末成型体を１
４５０℃以上特に好ましくは１５００℃以上１８００℃
以下の範囲で焼結することによって得られる。ＩＴＯ粉
末成型体は高温で焼結することにより密度は向上し、さ
らに焼結粒子が成長するために本発明の焼結体を得るこ
とができる。
４５０℃以上特に好ましくは１５００℃以上１８００℃
以下の範囲で焼結することによって得られる。ＩＴＯ粉
末成型体は高温で焼結することにより密度は向上し、さ
らに焼結粒子が成長するために本発明の焼結体を得るこ
とができる。
【００１５】焼結時間は、数時間から数十時間が好まし
く、焼結雰囲気としては、大気中で十分であるが、酸素
中、真空中、不活性ガス中等いずれの雰囲気でもよい。
また、焼結時の圧力は、焼結雰囲気の組成等によるが任
意に設定できる。
く、焼結雰囲気としては、大気中で十分であるが、酸素
中、真空中、不活性ガス中等いずれの雰囲気でもよい。
また、焼結時の圧力は、焼結雰囲気の組成等によるが任
意に設定できる。
【００１６】
【実施例】以下実施例に基づき本発明を説明するが、本
発明は実施例になんら限定されるものではない。
発明は実施例になんら限定されるものではない。
【００１７】実施例１ 酸化インジウム粉末に酸化錫粉末を１０ｗｔ％混合し、
金型で加圧成型後、２ｔｏｎ／ｃｍ２の圧力でＣＩＰ処
理し、１５２０℃、５時間、常圧・大気中で焼結させ
た。得られた焼結体の焼結密度は８８％、焼結体の焼結
粒径は平均で９〜１０μｍ、比抵抗は５×１０−４Ω・
ｃｍであった。
金型で加圧成型後、２ｔｏｎ／ｃｍ２の圧力でＣＩＰ処
理し、１５２０℃、５時間、常圧・大気中で焼結させ
た。得られた焼結体の焼結密度は８８％、焼結体の焼結
粒径は平均で９〜１０μｍ、比抵抗は５×１０−４Ω・
ｃｍであった。
【００１８】当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットと
して用い、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより透明
導電膜を成膜した。なお、成膜条件は以下の通りであ
る。
して用い、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより透明
導電膜を成膜した。なお、成膜条件は以下の通りであ
る。
【００１９】
【表１】 得られた透明導電膜の比抵抗とスパッタガス中の酸素分
圧との関係を図１に、オ−ジェ−電子分光（ＡＥＳ）に
よって評価した膜中酸素量（相対値）を図２に示した。
得られた透明導電膜の最も低い比抵抗は、４．４×１０
−４Ω・ｃｍ、その膜のＯ／Ｉｎは、３．６であった。
圧との関係を図１に、オ−ジェ−電子分光（ＡＥＳ）に
よって評価した膜中酸素量（相対値）を図２に示した。
得られた透明導電膜の最も低い比抵抗は、４．４×１０
−４Ω・ｃｍ、その膜のＯ／Ｉｎは、３．６であった。
【００２０】実施例２ 実施例１と同じ混合粉末を金型で加圧成型後、２ｔｏｎ
／ｃｍ２の圧力でＣＩＰ処理し、、１６２０℃、５時
間、常圧・大気中で焼結させた。得られた焼結体の焼結
密度は９０％、焼結体の焼結粒径は平均で２０μｍ、比
抵抗は４×１０−４Ω・ｃｍであった。
／ｃｍ２の圧力でＣＩＰ処理し、、１６２０℃、５時
間、常圧・大気中で焼結させた。得られた焼結体の焼結
密度は９０％、焼結体の焼結粒径は平均で２０μｍ、比
抵抗は４×１０−４Ω・ｃｍであった。
【００２１】当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットと
して用い、実施例１と同様に成膜評価した。得られた透
明導電膜の最も低い比抵抗は、４．２×１０−４Ω・ｃ
ｍ、その膜中のＯ／Ｉｎは、３．８であった。
して用い、実施例１と同様に成膜評価した。得られた透
明導電膜の最も低い比抵抗は、４．２×１０−４Ω・ｃ
ｍ、その膜中のＯ／Ｉｎは、３．８であった。
【００２２】実施例３ 実施例１と同じ混合粉末を金型で加圧成型後、１７００
℃、５時間、常圧・大気中で焼結させた。得られた焼結
体の焼結密度は８０％、焼結体の焼結粒径は平均で３０
μｍ、比抵抗は５×１０−４Ω・ｃｍであった。
℃、５時間、常圧・大気中で焼結させた。得られた焼結
体の焼結密度は８０％、焼結体の焼結粒径は平均で３０
μｍ、比抵抗は５×１０−４Ω・ｃｍであった。
【００２３】当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットと
して用い、実施例１と同様に成膜評価した。得られた透
明導電膜の最も低い比抵抗は、５．０×１０−４Ω・ｃ
ｍ、その膜中のＯ／Ｉｎは、３．０であった。
して用い、実施例１と同様に成膜評価した。得られた透
明導電膜の最も低い比抵抗は、５．０×１０−４Ω・ｃ
ｍ、その膜中のＯ／Ｉｎは、３．０であった。
【００２４】実施例４ 実施例１と同じ混合粉末を金型で加圧成型後、１４５０
℃、５時間、常圧・大気中で焼結させた。得られた焼結
体の焼結密度は８０％、焼結体の焼結粒径は平均で５μ
ｍ、比抵抗は６×１０−４Ω・ｃｍであった。
℃、５時間、常圧・大気中で焼結させた。得られた焼結
体の焼結密度は８０％、焼結体の焼結粒径は平均で５μ
ｍ、比抵抗は６×１０−４Ω・ｃｍであった。
【００２５】当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットと
して用い、実施例１と同様に成膜評価した。得られた透
明導電膜の最も低い比抵抗は、６．０×１０−４Ω・ｃ
ｍ、その膜中のＯ／Ｉｎは、２．５であった。
して用い、実施例１と同様に成膜評価した。得られた透
明導電膜の最も低い比抵抗は、６．０×１０−４Ω・ｃ
ｍ、その膜中のＯ／Ｉｎは、２．５であった。
【００２６】実施例５ 実施例１と同じ混合粉末を金型で加圧成型後、５ｔｏｎ
／ｃｍ２の圧力でＣＩＰ処理し、、１７００℃、５時
間、常圧・大気中で焼結させた。得られた焼結体の焼結
密度は９９％、焼結体の焼結粒径は平均で３０μｍ、比
抵抗は２×１０−４Ω・ｃｍであった。
／ｃｍ２の圧力でＣＩＰ処理し、、１７００℃、５時
間、常圧・大気中で焼結させた。得られた焼結体の焼結
密度は９９％、焼結体の焼結粒径は平均で３０μｍ、比
抵抗は２×１０−４Ω・ｃｍであった。
【００２７】当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットと
して用い、実施例１と同様に成膜評価した。得られた透
明導電膜の最も低い比抵抗は、３．５×１０−４Ω・ｃ
ｍ、その膜中のＯ／Ｉｎは、４．０であった。
して用い、実施例１と同様に成膜評価した。得られた透
明導電膜の最も低い比抵抗は、３．５×１０−４Ω・ｃ
ｍ、その膜中のＯ／Ｉｎは、４．０であった。
【００２８】実施例６ 実施例１と同じ混合粉末を金型で加圧成型後、５ｔｏｎ
／ｃｍ２の圧力でＣＩＰ処理を２回繰り返し、１４５０
℃、５時間、酸素と空気の混合雰囲気（酸素分圧０．５
ａｔｍ）中で常圧焼結させた。得られた焼結体の焼結密
度は９９％、焼結体の焼結粒径は平均で５μｍ、比抵抗
は３×１０−４Ω・ｃｍであった。
／ｃｍ２の圧力でＣＩＰ処理を２回繰り返し、１４５０
℃、５時間、酸素と空気の混合雰囲気（酸素分圧０．５
ａｔｍ）中で常圧焼結させた。得られた焼結体の焼結密
度は９９％、焼結体の焼結粒径は平均で５μｍ、比抵抗
は３×１０−４Ω・ｃｍであった。
【００２９】当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットと
して用い、実施例１と同様に成膜評価した。得られた透
明導電膜の最も低い比抵抗は、３．５×１０−４Ω・ｃ
ｍ、その膜中のＯ／Ｉｎは、３．８であった。
して用い、実施例１と同様に成膜評価した。得られた透
明導電膜の最も低い比抵抗は、３．５×１０−４Ω・ｃ
ｍ、その膜中のＯ／Ｉｎは、３．８であった。
【００３０】比較例１ 実施例１と同じ混合粉末を金型で加圧成型後、１３５０
℃で、常圧・大気中で５時間焼結させた。得られた焼結
体の焼結密度は８２％、焼結体の焼結粒径は、平均で３
〜４μｍであった。
℃で、常圧・大気中で５時間焼結させた。得られた焼結
体の焼結密度は８２％、焼結体の焼結粒径は、平均で３
〜４μｍであった。
【００３１】当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットと
して用い、実施例１と同様に成膜評価した。得られた透
明導電膜の比抵抗とスパッタガス中の酸素分圧との関係
を図１に、オ−ジェ−電子分光（ＡＥＳ）によって評価
した膜中酸素量（相対値）を図２に示した。透明導電膜
の最も低い比抵抗は、８．０×１０−４Ω・ｃｍ、その
膜中のＯ／Ｉｎは、１．８であった。
して用い、実施例１と同様に成膜評価した。得られた透
明導電膜の比抵抗とスパッタガス中の酸素分圧との関係
を図１に、オ−ジェ−電子分光（ＡＥＳ）によって評価
した膜中酸素量（相対値）を図２に示した。透明導電膜
の最も低い比抵抗は、８．０×１０−４Ω・ｃｍ、その
膜中のＯ／Ｉｎは、１．８であった。
【００３２】比較例２ 実施例１と同じ混合粉末を金型で加圧成型後、１０００
℃で、５時間ホットプレス焼結させた。得られた焼結体
の焼結密度は８５％、焼結体の焼結粒径は、平均で０．
３〜０．５μｍであった。
℃で、５時間ホットプレス焼結させた。得られた焼結体
の焼結密度は８５％、焼結体の焼結粒径は、平均で０．
３〜０．５μｍであった。
【００３３】当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットと
して用い、実施例１と同様に成膜評価した。得られた透
明導電膜の比抵抗とスパッタガス中の酸素分圧との関係
を図１に、オ−ジェ−電子分光（ＡＥＳ）によって評価
した膜中酸素量（相対値）を図２に示した。透明導電膜
の最も低い比抵抗は、７．０×１０−４Ω・ｃｍ、その
膜中のＯ／Ｉｎは、１．８であった。
して用い、実施例１と同様に成膜評価した。得られた透
明導電膜の比抵抗とスパッタガス中の酸素分圧との関係
を図１に、オ−ジェ−電子分光（ＡＥＳ）によって評価
した膜中酸素量（相対値）を図２に示した。透明導電膜
の最も低い比抵抗は、７．０×１０−４Ω・ｃｍ、その
膜中のＯ／Ｉｎは、１．８であった。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように本発明のＩＴＯ焼結
体タ−ゲットは焼結密度が高く、焼結粒径が大きくいた
め、膜の結晶化を促進するスパッタ粒子中の酸素原子が
増大され、低温基板上に高透明で低抵抗な透明導電膜を
形成することが可能である。
体タ−ゲットは焼結密度が高く、焼結粒径が大きくいた
め、膜の結晶化を促進するスパッタ粒子中の酸素原子が
増大され、低温基板上に高透明で低抵抗な透明導電膜を
形成することが可能である。
【図１】 透明導電膜の比抵抗とスパッタガス中の酸素
分圧との関係を示す図である。
分圧との関係を示す図である。
【図２】 透明導電膜中の酸素量とスパッタガス中の酸
素分圧との関係を示す図である。
素分圧との関係を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 焼結密度８０％以上１００％以下、且つ
焼結粒径５μｍ以上３０μｍ以下のＩＴＯ焼結体タ−ゲ
ット。 - 【請求項２】 ＩＴＯ粉末成型体を１４５０℃以上で焼
結させることを特徴とするＩＴＯ焼結体タ−ゲットの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4090048A JPH05112866A (ja) | 1991-03-20 | 1992-03-17 | 低温成膜用ｉｔｏタ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8059091 | 1991-03-20 | ||
| JP3-80590 | 1991-03-20 | ||
| JP4090048A JPH05112866A (ja) | 1991-03-20 | 1992-03-17 | 低温成膜用ｉｔｏタ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05112866A true JPH05112866A (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=26421579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4090048A Pending JPH05112866A (ja) | 1991-03-20 | 1992-03-17 | 低温成膜用ｉｔｏタ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05112866A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5480532A (en) * | 1994-03-09 | 1996-01-02 | Leybold Materials | Sputter target for cathodic atomization to produce transparent, conductive layers |
| CN111733393A (zh) * | 2020-08-18 | 2020-10-02 | 宁波江丰钨钼材料有限公司 | 一种冷等静压后钼靶坯的表面处理方法 |
| CN115159975A (zh) * | 2022-07-04 | 2022-10-11 | 中山智隆新材料科技有限公司 | 一种ito溅射靶材的制备方法 |
| CN115482965A (zh) * | 2022-09-16 | 2022-12-16 | 北京高压科学研究中心 | 一种提升透明导电氧化物电导率和蓝光过滤效率的方法 |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP4090048A patent/JPH05112866A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5480532A (en) * | 1994-03-09 | 1996-01-02 | Leybold Materials | Sputter target for cathodic atomization to produce transparent, conductive layers |
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| CN115159975A (zh) * | 2022-07-04 | 2022-10-11 | 中山智隆新材料科技有限公司 | 一种ito溅射靶材的制备方法 |
| CN115482965A (zh) * | 2022-09-16 | 2022-12-16 | 北京高压科学研究中心 | 一种提升透明导电氧化物电导率和蓝光过滤效率的方法 |
| CN115482965B (zh) * | 2022-09-16 | 2024-06-04 | 北京高压科学研究中心 | 一种提升透明导电氧化物电导率和蓝光过滤效率的方法 |
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