JPH06247765A - Ｉｔｏ焼結体、ｉｔｏターゲットおよびｉｔｏ膜 - Google Patents
Ｉｔｏ焼結体、ｉｔｏターゲットおよびｉｔｏ膜Info
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- JPH06247765A JPH06247765A JP5056372A JP5637293A JPH06247765A JP H06247765 A JPH06247765 A JP H06247765A JP 5056372 A JP5056372 A JP 5056372A JP 5637293 A JP5637293 A JP 5637293A JP H06247765 A JPH06247765 A JP H06247765A
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- Japan
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 インジウム，錫および酸素を主成分としてな
り、平均結晶粒径が２μｍ未満、さらには結晶粒径２μ
ｍ未満の結晶が、結晶粒総数の８０％以上存在するＩＴ
Ｏ焼結体、ＩＴＯターゲットおよびＩＴＯターゲットを
用いて形成されたＩＴＯ膜である。 【効果】 本発明は、低抵抗でかつ被成膜体上における
膜抵抗分布および膜厚が一様のＩＴＯ膜を得ることがで
き、しかもパーティクルの発生の少ないＩＴＯ焼結体，
ＩＴＯターゲットおよびそのＩＴＯターゲットを用いて
形成されたＩＴＯ膜を提供することができる。
り、平均結晶粒径が２μｍ未満、さらには結晶粒径２μ
ｍ未満の結晶が、結晶粒総数の８０％以上存在するＩＴ
Ｏ焼結体、ＩＴＯターゲットおよびＩＴＯターゲットを
用いて形成されたＩＴＯ膜である。 【効果】 本発明は、低抵抗でかつ被成膜体上における
膜抵抗分布および膜厚が一様のＩＴＯ膜を得ることがで
き、しかもパーティクルの発生の少ないＩＴＯ焼結体，
ＩＴＯターゲットおよびそのＩＴＯターゲットを用いて
形成されたＩＴＯ膜を提供することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はインジウム，錫および酸
素を主成分とするＩＴＯ焼結体，ＩＴＯターゲットおよ
びそのＩＴＯターゲットを用いて形成されたＩＴＯ膜に
関する。
素を主成分とするＩＴＯ焼結体，ＩＴＯターゲットおよ
びそのＩＴＯターゲットを用いて形成されたＩＴＯ膜に
関する。
【０００２】
【従来の技術】良好な導電性と可視光透過性をもつイン
ジウム（Ｉｎ）−錫（Ｓｎ）酸化物（以下「ＩＴＯ」と
いう）膜は、液晶ディスプレイの透明電極膜など各種透
明電極膜として広く用いられている。
ジウム（Ｉｎ）−錫（Ｓｎ）酸化物（以下「ＩＴＯ」と
いう）膜は、液晶ディスプレイの透明電極膜など各種透
明電極膜として広く用いられている。
【０００３】そして、そのＩＴＯ膜のガラス基板などの
被成膜体上への成膜方法としては、スパッタリング法，
塗布法あるいは印刷法など採用されるが、近年ＩＴＯ焼
結体をターゲットとしてスパッタリング法により成膜す
る方法が最も多く採用されている。
被成膜体上への成膜方法としては、スパッタリング法，
塗布法あるいは印刷法など採用されるが、近年ＩＴＯ焼
結体をターゲットとしてスパッタリング法により成膜す
る方法が最も多く採用されている。
【０００４】これは、スパッタリング法により形成され
たＩＴＯ膜が、成膜時のガラス基板などの被成膜体の加
熱温度が比較的低いために被成膜体への影響が少ないこ
と、電気抵抗が塗布法や印刷法により得られたＩＴＯ膜
に比較し低く導電性に優れていること、さらには導電性
に優れているために膜厚を薄くできることなど、他の成
膜方法に比べ優れているためである。
たＩＴＯ膜が、成膜時のガラス基板などの被成膜体の加
熱温度が比較的低いために被成膜体への影響が少ないこ
と、電気抵抗が塗布法や印刷法により得られたＩＴＯ膜
に比較し低く導電性に優れていること、さらには導電性
に優れているために膜厚を薄くできることなど、他の成
膜方法に比べ優れているためである。
【０００５】スパッタリング法により形成されたＩＴＯ
膜は、上記各種優れた特性を有していることは知られて
いるが、スパッタリングに用いられるＩＴＯターゲット
が、その形成されるＩＴＯ膜の電気抵抗や可視光透過率
などの諸特性に多大な影響を与えることも知られてお
り、さらに優れたＩＴＯ膜を形成するためのＩＴＯ焼結
体、さらにはＩＴＯターゲットの開発，改良がなされて
きた。
膜は、上記各種優れた特性を有していることは知られて
いるが、スパッタリングに用いられるＩＴＯターゲット
が、その形成されるＩＴＯ膜の電気抵抗や可視光透過率
などの諸特性に多大な影響を与えることも知られてお
り、さらに優れたＩＴＯ膜を形成するためのＩＴＯ焼結
体、さらにはＩＴＯターゲットの開発，改良がなされて
きた。
【０００６】例えば、ＩＴＯターゲットの高密度化を図
ることや、Ｓｎの添加効果を高めるためにターゲット中
の酸化錫の固溶度を向上させたり、酸化錫以外の他元素
を混入するといった方法等がとられてきた。
ることや、Ｓｎの添加効果を高めるためにターゲット中
の酸化錫の固溶度を向上させたり、酸化錫以外の他元素
を混入するといった方法等がとられてきた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
液晶ディスプレイなどの一層の高精細化・高速応答化の
要望から、透明電極として使用されるＩＴＯ膜、特に単
純マトリックス駆動方式の液晶パネルのＸ、Ｙ走査電極
に使用されるＩＴＯ膜には、従来以上の低抵抗化が要求
されてきている。
液晶ディスプレイなどの一層の高精細化・高速応答化の
要望から、透明電極として使用されるＩＴＯ膜、特に単
純マトリックス駆動方式の液晶パネルのＸ、Ｙ走査電極
に使用されるＩＴＯ膜には、従来以上の低抵抗化が要求
されてきている。
【０００８】また、液晶パネルの大画面化などが進むに
つれて、基板など被成膜体上におけるＩＴＯ膜の膜抵抗
分布および膜厚のばらつき、あるいは歩留り低下の大き
な要因となるパーティクルの発生といった新たな問題が
生じている。
つれて、基板など被成膜体上におけるＩＴＯ膜の膜抵抗
分布および膜厚のばらつき、あるいは歩留り低下の大き
な要因となるパーティクルの発生といった新たな問題が
生じている。
【０００９】さらに、液晶パネルの高精細化に伴い、透
明電極の線幅がさらに細くなっており、上記パーティク
ルが電極部へ被着することにより、電極の断線あるいは
局部的に高抵抗となるといった新たな問題が生じてい
る。
明電極の線幅がさらに細くなっており、上記パーティク
ルが電極部へ被着することにより、電極の断線あるいは
局部的に高抵抗となるといった新たな問題が生じてい
る。
【００１０】本発明は、低抵抗でかつ被成膜体上におけ
る膜抵抗分布および膜厚が一様のＩＴＯ膜を得ることが
でき、しかもパーティクルの発生の少ないＩＴＯ焼結
体，ＩＴＯターゲットおよびそのＩＴＯターゲットを用
いて形成されたＩＴＯ膜を提供することを目的とする。
る膜抵抗分布および膜厚が一様のＩＴＯ膜を得ることが
でき、しかもパーティクルの発生の少ないＩＴＯ焼結
体，ＩＴＯターゲットおよびそのＩＴＯターゲットを用
いて形成されたＩＴＯ膜を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段と作用】本発明のＩＴＯ焼
結体はインジウム，錫および酸素を主成分としてなり、
平均結晶粒径が２μｍ未満であることを特徴とするもの
である。
結体はインジウム，錫および酸素を主成分としてなり、
平均結晶粒径が２μｍ未満であることを特徴とするもの
である。
【００１２】また、さらに本発明の別の発明であるＩＴ
Ｏターゲットはインジウム，錫および酸素を主成分とし
てなり、結晶粒径が２μｍ未満の結晶が、結晶粒総数の
８０％以上存在することを特徴とするものである。
Ｏターゲットはインジウム，錫および酸素を主成分とし
てなり、結晶粒径が２μｍ未満の結晶が、結晶粒総数の
８０％以上存在することを特徴とするものである。
【００１３】また、さらに本発明の別の発明であるＩＴ
Ｏ膜は上記ＩＴＯターゲットを用いて形成されたことを
特徴とするものである。
Ｏ膜は上記ＩＴＯターゲットを用いて形成されたことを
特徴とするものである。
【００１４】本発明においては、ＩＴＯ焼結体またはＩ
ＴＯターゲットの平均結晶粒径を２μｍ未満とすること
により、得られるＩＴＯ膜の膜抵抗分布や膜厚分布の均
一性が向上する。これは膜抵抗分布や膜厚分布が、ター
ゲット表面からのスパッタ粒子の放出角度分布に依存し
ており、平均結晶粒径を小さくすることによりターゲッ
トの単位表面積あたりの結晶粒が増加し、その結果、単
位表面積あたりの結晶面方位が多様化し、スパッタ粒子
の放出角度が特定方向に偏ることなく均一に分散される
ためである。
ＴＯターゲットの平均結晶粒径を２μｍ未満とすること
により、得られるＩＴＯ膜の膜抵抗分布や膜厚分布の均
一性が向上する。これは膜抵抗分布や膜厚分布が、ター
ゲット表面からのスパッタ粒子の放出角度分布に依存し
ており、平均結晶粒径を小さくすることによりターゲッ
トの単位表面積あたりの結晶粒が増加し、その結果、単
位表面積あたりの結晶面方位が多様化し、スパッタ粒子
の放出角度が特定方向に偏ることなく均一に分散される
ためである。
【００１５】また、結晶粒径を小さくするほど結晶粒界
の面積が増大するため、粒界に錫酸化物もしくは単体元
素の形で存在しているＳｎの焼結体内における均一分散
性が良好となる。その結果、Ｓｎ4+イオンは成膜時に被
成膜体に一様に飛散することができ、結晶格子のＩｎ3+
イオンと効率的に置換しｎ型のドナーとして作用するた
め、上記焼結体をターゲットとして使用すればより低抵
抗なＩＴＯ膜が得られる。
の面積が増大するため、粒界に錫酸化物もしくは単体元
素の形で存在しているＳｎの焼結体内における均一分散
性が良好となる。その結果、Ｓｎ4+イオンは成膜時に被
成膜体に一様に飛散することができ、結晶格子のＩｎ3+
イオンと効率的に置換しｎ型のドナーとして作用するた
め、上記焼結体をターゲットとして使用すればより低抵
抗なＩＴＯ膜が得られる。
【００１６】ここで、ＩＴＯ焼結体またはＩＴＯターゲ
ットの平均結晶粒径があまり大きいと意図する効果が得
られないために上記平均結晶粒径を２μｍ未満とした。
好ましくは１μｍ以下である。
ットの平均結晶粒径があまり大きいと意図する効果が得
られないために上記平均結晶粒径を２μｍ未満とした。
好ましくは１μｍ以下である。
【００１７】なお、本発明でいう粒径とは、走査型電子
顕微鏡（ＳＥＭ）や電子線マイクロアナライザー（ＥＰ
ＭＡ）などを用いて観察できる結晶粒界で区分されてい
る１つの結晶粒を囲む最小円の直径をいう。
顕微鏡（ＳＥＭ）や電子線マイクロアナライザー（ＥＰ
ＭＡ）などを用いて観察できる結晶粒界で区分されてい
る１つの結晶粒を囲む最小円の直径をいう。
【００１８】また、平均結晶粒とは、上記手段を用いて
得られた結晶粒の単位面積あたりに観察される結晶粒の
粒径の平均値である。
得られた結晶粒の単位面積あたりに観察される結晶粒の
粒径の平均値である。
【００１９】また、本発明においては、上記平均結晶粒
径と共に、さらに結晶粒径２μｍ未満の結晶が、結晶粒
総数の８０％以上存在することが好ましい。
径と共に、さらに結晶粒径２μｍ未満の結晶が、結晶粒
総数の８０％以上存在することが好ましい。
【００２０】ここで、結晶粒径２μｍ未満の結晶があま
り少ないと、本発明の効果が得られにくくなると共に、
大きなパーティクルの発生により、パーティクルが電極
部へ被着すると、電極の断線あるいは局部的に高抵抗と
なるといった問題を生じるため、結晶粒径２μｍ未満の
結晶を結晶粒総数の８０％以上とした。好ましくは９０
％以上、さらに好ましくは９５％以上である。
り少ないと、本発明の効果が得られにくくなると共に、
大きなパーティクルの発生により、パーティクルが電極
部へ被着すると、電極の断線あるいは局部的に高抵抗と
なるといった問題を生じるため、結晶粒径２μｍ未満の
結晶を結晶粒総数の８０％以上とした。好ましくは９０
％以上、さらに好ましくは９５％以上である。
【００２１】また、ＩＴＯターゲットのエロージョン部
の結晶粒内や粒界に構造的欠陥やポアがあると、スパッ
タリング時にその部分に局所的な異常放電が生じ、欠陥
部の破損片等によるパーティクルが発生する。
の結晶粒内や粒界に構造的欠陥やポアがあると、スパッ
タリング時にその部分に局所的な異常放電が生じ、欠陥
部の破損片等によるパーティクルが発生する。
【００２２】本発明のＩＴＯ焼結体をターゲットとして
使用した場合、パーティクルが大幅に減少する。
使用した場合、パーティクルが大幅に減少する。
【００２３】これは、平均結晶粒径を２μｍ未満、さら
には結晶粒径２μｍ未満の結晶を結晶粒総数の８０％以
上とすることで結晶粒内や粒界の欠陥やポアが相対的に
微小なものとなり、たとえ、そこからごく微小な破損片
が発生したとしても、それはいわゆるパーティクルとし
て膜特性に悪影響を及ぼすほどではなくなっているため
であると考えられる。
には結晶粒径２μｍ未満の結晶を結晶粒総数の８０％以
上とすることで結晶粒内や粒界の欠陥やポアが相対的に
微小なものとなり、たとえ、そこからごく微小な破損片
が発生したとしても、それはいわゆるパーティクルとし
て膜特性に悪影響を及ぼすほどではなくなっているため
であると考えられる。
【００２４】同時にまた、本発明のＩＴＯ焼結体および
ＩＴＯターゲットでは上述したように膜厚分布が均一で
あるため、パーティクルの発生要因のひとつであるＩＴ
Ｏ膜厚の不均一を原因とする膜の内部応力による剥れ
が、著しく減少するためであると考えられる。
ＩＴＯターゲットでは上述したように膜厚分布が均一で
あるため、パーティクルの発生要因のひとつであるＩＴ
Ｏ膜厚の不均一を原因とする膜の内部応力による剥れ
が、著しく減少するためであると考えられる。
【００２５】本発明において、上記範囲に規定される結
晶粒は、例えばＩＴＯターゲットにおいては少なくとも
そのスパッタ面が本発明の範囲内となっていれば良い。
晶粒は、例えばＩＴＯターゲットにおいては少なくとも
そのスパッタ面が本発明の範囲内となっていれば良い。
【００２６】本発明のＩＴＯ焼結体およびＩＴＯターゲ
ットはインジウム，錫および酸素を主成分とするもので
あるが、これらは例えばインジウム酸化物および錫酸化
物、および／またはＩｎ−Ｓｎ酸化物として存在する。
そして、これらはＳｎ単体に換算した場合に０．５〜１
５モル存在することが好ましい。より好ましくは０．６
〜１０．５モルである。
ットはインジウム，錫および酸素を主成分とするもので
あるが、これらは例えばインジウム酸化物および錫酸化
物、および／またはＩｎ−Ｓｎ酸化物として存在する。
そして、これらはＳｎ単体に換算した場合に０．５〜１
５モル存在することが好ましい。より好ましくは０．６
〜１０．５モルである。
【００２７】ここで、Ｓｎの量があまり少ないとＳｎの
ドープ材としての導電性向上の効果が得られず、逆に余
りＳｎの量が多いと過剰なＳｎが不純物として得られる
ＩＴＯ膜の結晶性を乱し、低抵抗化を阻害するためであ
る。
ドープ材としての導電性向上の効果が得られず、逆に余
りＳｎの量が多いと過剰なＳｎが不純物として得られる
ＩＴＯ膜の結晶性を乱し、低抵抗化を阻害するためであ
る。
【００２８】本発明においては、ＩｎおよびＳｎの他の
元素を５重量％以下添加含有させることはなんらさしつ
かえない。
元素を５重量％以下添加含有させることはなんらさしつ
かえない。
【００２９】本発明のＩＴＯ焼結体の製造方法は特に限
定されるものではないが、例えばホットプレス法を使用
する場合は、インジウム酸化物と錫酸化物を混合し、得
られた混合粉末を温度８５０〜９５０℃，圧力２００〜
３００kg／cm2 の条件で加圧焼結を行うことにより意図
する焼結体を得ることができる。
定されるものではないが、例えばホットプレス法を使用
する場合は、インジウム酸化物と錫酸化物を混合し、得
られた混合粉末を温度８５０〜９５０℃，圧力２００〜
３００kg／cm2 の条件で加圧焼結を行うことにより意図
する焼結体を得ることができる。
【００３０】ここで、上記焼結温度があまり低いと焼結
が不十分となり、また逆に焼結温度があまり高いとイン
ジウム酸化物の分解，溶解が起こるため、焼結温度は８
５０〜９５０℃が好ましい。また、圧力は高いほど得ら
れる焼結体の結晶間隔が狭まるため、圧力は高いほどよ
り良好な成膜結果が得られるが、加圧焼結時に使用する
カーボン型の耐久性を考慮すると２００〜３００kg／cm
2 が最適である。
が不十分となり、また逆に焼結温度があまり高いとイン
ジウム酸化物の分解，溶解が起こるため、焼結温度は８
５０〜９５０℃が好ましい。また、圧力は高いほど得ら
れる焼結体の結晶間隔が狭まるため、圧力は高いほどよ
り良好な成膜結果が得られるが、加圧焼結時に使用する
カーボン型の耐久性を考慮すると２００〜３００kg／cm
2 が最適である。
【００３１】あるいは、前記混合粉末をコールドプレス
等により成型し、この成型体を還元性雰囲気以外の雰囲
気中等で加熱して焼結させる方法等がある。この場合、
例えば大気中で加熱する場合は、約１１５０〜１２５０
℃近辺から粒成長が始まるので、あらかじめ粒成長を考
慮し、出発原料粉末の粒径を微細にしておくことが必要
である。いずれの方法においても、最大結晶粒径２μｍ
未満の焼結体が得られればよい。
等により成型し、この成型体を還元性雰囲気以外の雰囲
気中等で加熱して焼結させる方法等がある。この場合、
例えば大気中で加熱する場合は、約１１５０〜１２５０
℃近辺から粒成長が始まるので、あらかじめ粒成長を考
慮し、出発原料粉末の粒径を微細にしておくことが必要
である。いずれの方法においても、最大結晶粒径２μｍ
未満の焼結体が得られればよい。
【００３２】本発明のＩＴＯ焼結体は、ターゲットとし
ても使用できるが、さらにＩＴＯ蒸着用タブレットなど
への適用しても、優れたＩＴＯ膜が得られる。。
ても使用できるが、さらにＩＴＯ蒸着用タブレットなど
への適用しても、優れたＩＴＯ膜が得られる。。
【００３３】
【実施例】インジウム酸化物と錫酸化物をＳｎ単体に換
算した場合に５．６６モル存在するように配合し、ボー
ルミルにより混合することにより、平均粉末粒径０．７
μｍの混合粉末を得た。
算した場合に５．６６モル存在するように配合し、ボー
ルミルにより混合することにより、平均粉末粒径０．７
μｍの混合粉末を得た。
【００３４】得られた混合粉末を、温度９００℃，アル
ゴン雰囲気中で３００kg／cm2 の圧力でホットプレス
し、平均結晶粒径１．３μｍ，結晶粒径２μｍ未満の結
晶が結晶粒総数の９７％のＩＴＯ焼結体を得た。
ゴン雰囲気中で３００kg／cm2 の圧力でホットプレス
し、平均結晶粒径１．３μｍ，結晶粒径２μｍ未満の結
晶が結晶粒総数の９７％のＩＴＯ焼結体を得た。
【００３５】この焼結体を研削加工することによりＩＴ
Ｏターゲットを得た。
Ｏターゲットを得た。
【００３６】上記ＩＴＯターゲットの結晶粒を示すため
に、参考に破面の結晶組織写真（２０００倍）を図１に
示す。
に、参考に破面の結晶組織写真（２０００倍）を図１に
示す。
【００３７】得られたＩＴＯターゲットを用い、アルゴ
ン−酸素雰囲気中、スパッタ圧力０．８Paにて、温度２
５０℃に加熱した縦４００mm，横４００mmのガラス上に
スパッタリングし、ＩＴＯ膜を成膜した。
ン−酸素雰囲気中、スパッタ圧力０．８Paにて、温度２
５０℃に加熱した縦４００mm，横４００mmのガラス上に
スパッタリングし、ＩＴＯ膜を成膜した。
【００３８】このＩＴＯ膜の電気抵抗率を四端子法、膜
抵抗分布を触針式膜厚測定法を用いて測定した結果、
１．３×１０-4Ω・cm±１．７％であった。また、基板
上のパーティクル数は６個であった。
抵抗分布を触針式膜厚測定法を用いて測定した結果、
１．３×１０-4Ω・cm±１．７％であった。また、基板
上のパーティクル数は６個であった。
【００３９】また、比較として上記に比較し原料粉末粒
径が大きなインジウム酸化物と錫酸化物をＳｎ単体に換
算した場合に５．６６モル存在するように配合し、ボー
ルミルにより混合することにより、平均粉末粒径４μｍ
の混合粉末を得た。
径が大きなインジウム酸化物と錫酸化物をＳｎ単体に換
算した場合に５．６６モル存在するように配合し、ボー
ルミルにより混合することにより、平均粉末粒径４μｍ
の混合粉末を得た。
【００４０】得られた混合粉末を、上記と同一の製造方
法を用いて、平均結晶粒径４．５μｍ，結晶粒径２μｍ
未満の結晶が結晶粒総数の２０％のＩＴＯ焼結体を得
た。
法を用いて、平均結晶粒径４．５μｍ，結晶粒径２μｍ
未満の結晶が結晶粒総数の２０％のＩＴＯ焼結体を得
た。
【００４１】得られたＩＴＯ焼結体から上記と同様のタ
ーゲットを得たのち、同様の条件によりＩＴＯ膜を成膜
した。
ーゲットを得たのち、同様の条件によりＩＴＯ膜を成膜
した。
【００４２】このＩＴＯ膜の電気抵抗率、膜抵抗分布を
測定した結果、１．８×１０-4Ω・cm±１２．２％であ
った。また、基板上のパーティクル数は２３個であっ
た。
測定した結果、１．８×１０-4Ω・cm±１２．２％であ
った。また、基板上のパーティクル数は２３個であっ
た。
【００４３】
【発明の効果】本発明は、低抵抗でかつ被成膜体上にお
ける膜抵抗分布および膜厚が一様のＩＴＯ膜を得ること
ができ、しかもパーティクルの発生の少ないＩＴＯ焼結
体，ＩＴＯターゲットおよびそのＩＴＯターゲットを用
いて形成されたＩＴＯ膜を提供することができる。
ける膜抵抗分布および膜厚が一様のＩＴＯ膜を得ること
ができ、しかもパーティクルの発生の少ないＩＴＯ焼結
体，ＩＴＯターゲットおよびそのＩＴＯターゲットを用
いて形成されたＩＴＯ膜を提供することができる。
【図１】本発明のＩＴＯターゲットの破面の結晶組織写
真（２０００倍）である。
真（２０００倍）である。
Claims (5)
- 【請求項１】 インジウム，錫および酸素を主成分とし
てなり、平均結晶粒径が２μｍ未満であることを特徴と
するＩＴＯ焼結体。 - 【請求項２】 結晶粒径２μｍ未満の結晶が、結晶粒総
数の８０％以上存在する請求項１に記載のＩＴＯ焼結
体。 - 【請求項３】 インジウム，錫および酸素を主成分とし
てなり、平均結晶粒径が２μｍ未満であることを特徴と
するＩＴＯターゲット。 - 【請求項４】 結晶粒径２μｍ未満の結晶が、結晶粒総
数の８０％以上存在する請求項３に記載のＩＴＯターゲ
ット。 - 【請求項５】 請求項３および４ののＩＴＯターゲット
を用いて形成されたことを特徴とするＩＴＯ膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5056372A JPH06247765A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | Ｉｔｏ焼結体、ｉｔｏターゲットおよびｉｔｏ膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5056372A JPH06247765A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | Ｉｔｏ焼結体、ｉｔｏターゲットおよびｉｔｏ膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06247765A true JPH06247765A (ja) | 1994-09-06 |
Family
ID=13025431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5056372A Pending JPH06247765A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | Ｉｔｏ焼結体、ｉｔｏターゲットおよびｉｔｏ膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06247765A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004105054A1 (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-02 | Idemitsu Kosan Co. Ltd. | 非晶質透明導電膜、及びその原料スパッタリングターゲット、及び非晶質透明電極基板、及びその製造方法、及び液晶ディスプレイ用カラーフィルタ |
| JP2006139750A (ja) * | 2004-04-30 | 2006-06-01 | Nitto Denko Corp | 透明導電性積層体およびタッチパネル |
| JP2009221589A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-01 | Tosoh Corp | 酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット |
| JP2010150093A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Tosoh Corp | 透明導電膜用焼結体の製造方法 |
| JP2011190542A (ja) * | 1999-11-25 | 2011-09-29 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物、およびスパッタリングターゲットの製造方法 |
-
1993
- 1993-02-23 JP JP5056372A patent/JPH06247765A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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