JPH0511294A - 光学的結晶体及びそれを用いた半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents
光学的結晶体及びそれを用いた半導体レーザ励起固体レーザ装置Info
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- JPH0511294A JPH0511294A JP3315741A JP31574191A JPH0511294A JP H0511294 A JPH0511294 A JP H0511294A JP 3315741 A JP3315741 A JP 3315741A JP 31574191 A JP31574191 A JP 31574191A JP H0511294 A JPH0511294 A JP H0511294A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光学的結晶体の常光線または異常光線の電場
ベクトルの方向をその外形から判断できるようにし、取
付け、調整を容易にする。 【構成】 直方体形状の光学的結晶体1が、レーザ光の
入射面12と側面とが交わる稜線を切りとって設けた稜線
切除部14aまたは端面と二つの側面とで形成される角を
切り取って設けた角切除部14bを有し、かつ入射面12の
一つの辺13が常光線の電場ベクトルの方向（ｏ方向）に
対して平行、90度または45度の関係にある。
ベクトルの方向をその外形から判断できるようにし、取
付け、調整を容易にする。 【構成】 直方体形状の光学的結晶体1が、レーザ光の
入射面12と側面とが交わる稜線を切りとって設けた稜線
切除部14aまたは端面と二つの側面とで形成される角を
切り取って設けた角切除部14bを有し、かつ入射面12の
一つの辺13が常光線の電場ベクトルの方向（ｏ方向）に
対して平行、90度または45度の関係にある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、偏光方向を示すための
形状を備えた光学的結晶体及びそれを用いた半導体レー
ザ励起固体レーザ装置に関する。
形状を備えた光学的結晶体及びそれを用いた半導体レー
ザ励起固体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体レーザの高出力化にともな
い、半導体レーザを固体レーザの励起光源として用いる
ようになってきた。半導体レーザを励起光源として用い
ると、固体レーザの吸収帯に励起波長を合わせることが
できるので、励起効率は非常によくなり、しかも余分な
スペクトルの吸収による発熱がないために、放熱も容易
になり、小型で高効率の固体レーザ装置が実現できる。
特に固体レーザ結晶体の軸端面方向から半導体レーザ光
で励起する方法は、半導体レーザ光と固体レーザ光との
発振モードの結合効率がよいために励起効率がよく、小
型の固体レーザ装置に適している。
い、半導体レーザを固体レーザの励起光源として用いる
ようになってきた。半導体レーザを励起光源として用い
ると、固体レーザの吸収帯に励起波長を合わせることが
できるので、励起効率は非常によくなり、しかも余分な
スペクトルの吸収による発熱がないために、放熱も容易
になり、小型で高効率の固体レーザ装置が実現できる。
特に固体レーザ結晶体の軸端面方向から半導体レーザ光
で励起する方法は、半導体レーザ光と固体レーザ光との
発振モードの結合効率がよいために励起効率がよく、小
型の固体レーザ装置に適している。
【０００３】一方、KTiOPO4（KTP）結晶などの非線形光
学結晶体を用いて、固体レーザ装置から放出された赤外
光を高調波に変換して、緑色や青色の可視光レーザ光を
得る方法も従来から知られており、前述の半導体レーザ
励起固体レーザ装置と組合わせて小型の緑色あるいは青
色レーザが実現されるようになってきた。
学結晶体を用いて、固体レーザ装置から放出された赤外
光を高調波に変換して、緑色や青色の可視光レーザ光を
得る方法も従来から知られており、前述の半導体レーザ
励起固体レーザ装置と組合わせて小型の緑色あるいは青
色レーザが実現されるようになってきた。
【０００４】以下に従来の半導体レーザ励起固体レーザ
装置について説明する。図６は従来の半導体レーザ励起
固体レーザ装置の構成図である。固体レーザ結晶体であ
るNd:YVO4マイクロチップ１と、非線形光学結晶体であ
るKTP結晶２と、励起光源となる半導体レーザチップ３
と、半導体レーザチップ３の出力をモニターするための
PINフォトダイオード４とがガラス窓５を有するパッケ
ージ６に収められている。なおNd:YVO4マイクロチップ
１とKTP結晶２とはそれぞれ独立した固定枠７で固定さ
れている。Nd:YVO4レーザの共振器は、Nd:YVO4マイクロ
チップ１の励起側端面とKTP結晶２の出射側端面の間で
形成されている。半導体レーザチップ３は、Nd:YVO4マ
イクロチップ１の端面に近接または密着させてあり、半
導体レーザチップ３からの出射光が広がる前に十分にN
d:YVO4マイクロチップ１を励起できるようになってい
る。励起されたNd:YVO4マイクロチップ１からは、波長
1.064μmのレーザ光が生じるが、そのレーザ光をKTP結
晶２により第２高調波である波長0.532μmのグリーン光
に変換している。
装置について説明する。図６は従来の半導体レーザ励起
固体レーザ装置の構成図である。固体レーザ結晶体であ
るNd:YVO4マイクロチップ１と、非線形光学結晶体であ
るKTP結晶２と、励起光源となる半導体レーザチップ３
と、半導体レーザチップ３の出力をモニターするための
PINフォトダイオード４とがガラス窓５を有するパッケ
ージ６に収められている。なおNd:YVO4マイクロチップ
１とKTP結晶２とはそれぞれ独立した固定枠７で固定さ
れている。Nd:YVO4レーザの共振器は、Nd:YVO4マイクロ
チップ１の励起側端面とKTP結晶２の出射側端面の間で
形成されている。半導体レーザチップ３は、Nd:YVO4マ
イクロチップ１の端面に近接または密着させてあり、半
導体レーザチップ３からの出射光が広がる前に十分にN
d:YVO4マイクロチップ１を励起できるようになってい
る。励起されたNd:YVO4マイクロチップ１からは、波長
1.064μmのレーザ光が生じるが、そのレーザ光をKTP結
晶２により第２高調波である波長0.532μmのグリーン光
に変換している。
【０００５】このような第２高調波を発生させるための
非線形光学結晶体としては、一般に円柱状のものが用い
られているが、図７に示すような直方体の非線形光学結
晶体を用いた例（特開平3-15833号公報参照）もある。
図７に示す非線形光学結晶体は、一端に位相整合する入
射面８が形成され、他端に出射端面９が形成され、かつ
外側面１０が直方体状に形成されたものである。
非線形光学結晶体としては、一般に円柱状のものが用い
られているが、図７に示すような直方体の非線形光学結
晶体を用いた例（特開平3-15833号公報参照）もある。
図７に示す非線形光学結晶体は、一端に位相整合する入
射面８が形成され、他端に出射端面９が形成され、かつ
外側面１０が直方体状に形成されたものである。
【０００６】一般に図６に示す半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置でNd:YVO4マイクロチップ１とKTP結晶２の結晶
軸を考慮せずに配置すると効率の良い発振特性が得られ
ない。効率よく励起するためには、Nd:YVO4マイクロチ
ップ１から生じる固体レーザ光の偏光方向と励起光であ
る半導体レーザ光の偏光方向とを一致させてやらなけれ
ばならない。またKTP結晶２により基本波である固体レ
ーザ光を第２高調波に変換する場合には、基本波の偏光
方向とKTP結晶２の常光線方向が45度になったとき最大
の変換効率を得ることができる。このように、固体レー
ザ結晶体と非線形光学結晶体との結晶軸を考慮して配置
することにより、励起効率及び変換効率の良い固体レー
ザ装置を実現することができる。
ーザ装置でNd:YVO4マイクロチップ１とKTP結晶２の結晶
軸を考慮せずに配置すると効率の良い発振特性が得られ
ない。効率よく励起するためには、Nd:YVO4マイクロチ
ップ１から生じる固体レーザ光の偏光方向と励起光であ
る半導体レーザ光の偏光方向とを一致させてやらなけれ
ばならない。またKTP結晶２により基本波である固体レ
ーザ光を第２高調波に変換する場合には、基本波の偏光
方向とKTP結晶２の常光線方向が45度になったとき最大
の変換効率を得ることができる。このように、固体レー
ザ結晶体と非線形光学結晶体との結晶軸を考慮して配置
することにより、励起効率及び変換効率の良い固体レー
ザ装置を実現することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成による光学的結晶体は、その形状が直方体また
は円柱のいずれであっても異常光線または常光線の電場
ベクトルの方向が特定できない形状になっており、固体
レーザ装置の光学的調整を行う際、常光線方向または異
常光線の電場ベクトルの方向をその形状から判断するこ
とができないため、実際にレーザ光を入射させて方向を
測定しなければならない等取扱う上で非常に不便である
という課題を有していた。
来の構成による光学的結晶体は、その形状が直方体また
は円柱のいずれであっても異常光線または常光線の電場
ベクトルの方向が特定できない形状になっており、固体
レーザ装置の光学的調整を行う際、常光線方向または異
常光線の電場ベクトルの方向をその形状から判断するこ
とができないため、実際にレーザ光を入射させて方向を
測定しなければならない等取扱う上で非常に不便である
という課題を有していた。
【０００８】本発明は上記の従来の課題を解決するもの
で、励起効率及び変換効率を最大にするための光学的調
整を容易に行うことのできる光学的結晶体及びそれを用
いた半導体レーザ励起固体レーザ装置を提供することを
目的とする。
で、励起効率及び変換効率を最大にするための光学的調
整を容易に行うことのできる光学的結晶体及びそれを用
いた半導体レーザ励起固体レーザ装置を提供することを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の光学的結晶体は、形状が直方体の場合、レー
ザ光が入射しまたは出射する端面と側面とが交わる辺、
その辺の一部または端面と二つの側面とで形成される角
が切り取られており、かつ端面の一つの辺が常光線の電
場ベクトルの方向に対して平行、90度または45度の関係
にあり、また形状が円柱の場合、端面が直線で切り取ら
れた辺を少なくとも一つ有し、かつその辺が常光線の電
場ベクトルの方向に対して平行、90度または45度の関係
にある構成を有している。
に本発明の光学的結晶体は、形状が直方体の場合、レー
ザ光が入射しまたは出射する端面と側面とが交わる辺、
その辺の一部または端面と二つの側面とで形成される角
が切り取られており、かつ端面の一つの辺が常光線の電
場ベクトルの方向に対して平行、90度または45度の関係
にあり、また形状が円柱の場合、端面が直線で切り取ら
れた辺を少なくとも一つ有し、かつその辺が常光線の電
場ベクトルの方向に対して平行、90度または45度の関係
にある構成を有している。
【００１０】また本発明の半導体レーザ励起固体レーザ
装置は、上記の構成の光学的結晶体を固体レーザ結晶体
または非線形光学結晶体として用いた構成を有してい
る。
装置は、上記の構成の光学的結晶体を固体レーザ結晶体
または非線形光学結晶体として用いた構成を有してい
る。
【００１１】
【作用】この構成によって、固体レーザ結晶体や非線形
光学結晶体の常光線または異常光線の電場ベクトルの方
向をその形状から判断でき、このような光学的結晶体を
使用した半導体レーザ励起固体レーザ装置ではその組
立、調整が極めて容易である。
光学結晶体の常光線または異常光線の電場ベクトルの方
向をその形状から判断でき、このような光学的結晶体を
使用した半導体レーザ励起固体レーザ装置ではその組
立、調整が極めて容易である。
【００１２】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。本発明の実施例における光学的結晶
体を図１〜図４に、また半導体レーザ励起固体レーザ装
置の構成を図５に示す。これらの図において、ｏは常光
線（Ordinaryray）の電場ベクトルの方向（以下ｏ方向
と称する）を、ｅは異常光線（Extra-Ordinary ray）の
電場ベクトルの方向（以下ｅ方向と称する）を示してい
る。一般に、ｏ方向とｅ方向は直交している。またレー
ザ光は光学的結晶体の入射面に垂直に入射するものとす
る。
しながら説明する。本発明の実施例における光学的結晶
体を図１〜図４に、また半導体レーザ励起固体レーザ装
置の構成を図５に示す。これらの図において、ｏは常光
線（Ordinaryray）の電場ベクトルの方向（以下ｏ方向
と称する）を、ｅは異常光線（Extra-Ordinary ray）の
電場ベクトルの方向（以下ｅ方向と称する）を示してい
る。一般に、ｏ方向とｅ方向は直交している。またレー
ザ光は光学的結晶体の入射面に垂直に入射するものとす
る。
【００１３】図１（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施
例における光学的結晶体の斜視図であり、図１（ａ）は
光学的結晶体１１を切り出した後に入射面１２の一つの
稜線を切り取って稜線切除部１４ａを設けた直方体であ
る。この場合、稜線切除部１４ａまたは辺１３をｏ方向
またはｅ方向に一致させておくことにより容易にｏ方向
またはｅ方向が判別できる。また図１（ａ）では一つの
稜線切除部１４ａを設けた例について説明したが、二つ
以上の稜線切除部１４ａを設けてもよい。また図１
（ｂ）は入射面１２と二つの側面とで形成される角を切
り取って角切除部１４ｂを設けた直方体であり、入射面
１２をコーティング膜の差などにより特定することがで
きればｏ方向またはｅ方向が判別できる。また図１
（ｂ）では一つの角切除部１４ｂを切り取った例を説明
したが、二つ以上の角切除部１４ｂを設けてもよい。
例における光学的結晶体の斜視図であり、図１（ａ）は
光学的結晶体１１を切り出した後に入射面１２の一つの
稜線を切り取って稜線切除部１４ａを設けた直方体であ
る。この場合、稜線切除部１４ａまたは辺１３をｏ方向
またはｅ方向に一致させておくことにより容易にｏ方向
またはｅ方向が判別できる。また図１（ａ）では一つの
稜線切除部１４ａを設けた例について説明したが、二つ
以上の稜線切除部１４ａを設けてもよい。また図１
（ｂ）は入射面１２と二つの側面とで形成される角を切
り取って角切除部１４ｂを設けた直方体であり、入射面
１２をコーティング膜の差などにより特定することがで
きればｏ方向またはｅ方向が判別できる。また図１
（ｂ）では一つの角切除部１４ｂを切り取った例を説明
したが、二つ以上の角切除部１４ｂを設けてもよい。
【００１４】図２（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施
例における光学的結晶体の斜視図であり、図２（ａ）は
光学的結晶体１１を切り出すときに、入射面１２の辺１
３がｏ方向に平行になるようにし、かつレーザ光の進行
方向に平行に稜線を切り取って稜線切除部１４ｃを設け
た直方体である。このような光学的結晶体１１では、入
射面１２をコーティング膜の差などにより特定すること
ができればｏ方向またはｅ方向が判別できる。また図２
（ｂ）は図２（ａ）と同様にしてレーザ光の進行方向に
平行な隣合う二つの稜線を切り取って稜線切除部１４
ｃ、１４ｄを設けた直方体であり、この場合隣合う稜線
切除部１４ｃと１４ｄとで挟まれた辺１３とｏ方向とを
平行にしておくことにより容易にｏ方向またはｅ方向が
判別できる。
例における光学的結晶体の斜視図であり、図２（ａ）は
光学的結晶体１１を切り出すときに、入射面１２の辺１
３がｏ方向に平行になるようにし、かつレーザ光の進行
方向に平行に稜線を切り取って稜線切除部１４ｃを設け
た直方体である。このような光学的結晶体１１では、入
射面１２をコーティング膜の差などにより特定すること
ができればｏ方向またはｅ方向が判別できる。また図２
（ｂ）は図２（ａ）と同様にしてレーザ光の進行方向に
平行な隣合う二つの稜線を切り取って稜線切除部１４
ｃ、１４ｄを設けた直方体であり、この場合隣合う稜線
切除部１４ｃと１４ｄとで挟まれた辺１３とｏ方向とを
平行にしておくことにより容易にｏ方向またはｅ方向が
判別できる。
【００１５】なお図１または図２において、ｏ方向を一
つの辺に対して45度または90度回転させた構造としても
同様の効果が得られる。
つの辺に対して45度または90度回転させた構造としても
同様の効果が得られる。
【００１６】図３は本発明の第３の実施例における光学
的結晶体の斜視図であり、円柱の入射面１２の円周上の
一部に切り欠き１５ａを設けたものであり、ｏ方向が切
り書き１５ａによりできた辺１３に垂直になっている例
を示している。
的結晶体の斜視図であり、円柱の入射面１２の円周上の
一部に切り欠き１５ａを設けたものであり、ｏ方向が切
り書き１５ａによりできた辺１３に垂直になっている例
を示している。
【００１７】図４（ａ）、（ｂ）は本発明の第４の実施
例における光学的結晶体の斜視図であり、図４（ａ）は
光学的結晶体１１が側面に一つの平面１５ｂを有する円
柱であり、円柱を切り出した後その側面に平面１５ｂを
形成することにより、入射面１２の円周上に辺１３を設
けたものである。また図４（ｂ）は円柱の側面に二つの
平面１５ｂと１５ｃとを設けた例である。これらの図で
はいずれもｏ方向が辺１３に対して垂直になっている例
を示している。
例における光学的結晶体の斜視図であり、図４（ａ）は
光学的結晶体１１が側面に一つの平面１５ｂを有する円
柱であり、円柱を切り出した後その側面に平面１５ｂを
形成することにより、入射面１２の円周上に辺１３を設
けたものである。また図４（ｂ）は円柱の側面に二つの
平面１５ｂと１５ｃとを設けた例である。これらの図で
はいずれもｏ方向が辺１３に対して垂直になっている例
を示している。
【００１８】なお図３または図４において、ｏ方向をさ
らに45度または90度回転させた構造としても同様の効果
が得られる。
らに45度または90度回転させた構造としても同様の効果
が得られる。
【００１９】図５は本発明の一実施例における半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置の構成図である。図５は、Nd:Y
VO4マイクロチップ１として図４（ａ）に示す形状のも
のを、KTP結晶２として図２（ａ）に示す形状のものを
用いたものであり、励起光源としては半導体レーザチッ
プ３を用いている。Nd:YVO4マイクロチップ１は側面に
平面１５ｂを設けた円柱であり、ｏ方向が平面１５ｂに
垂直になるように切り出されている。またKTP結晶２は
レーザ光の進行方向に平行な稜線切除部１４ｃを設けた
直方体であり、ｅ方向が稜線切除部１４ｃの面に垂直に
なるように切り出されている。このような構成で半導体
レーザ３からの半導体レーザ光がNd:YVO 4マイクロチッ
プ１を励起するが、そのときの半導体レーザ光の偏光面
はNd:YVO4マイクロチップ１のｏ方向に一致させてい
る。したがってNd:YVO4マイクロチップ１から出射した
固体レーザ光の電場のベクトルの方向はKTP結晶２のｏ
方向と45度で交わることになる。このとき変換効率は最
大となり、KTP結晶２から出射される第２高調波の電場
のベクトルの方向はKTP結晶２のｏ方向に平行になって
いる。
ーザ励起固体レーザ装置の構成図である。図５は、Nd:Y
VO4マイクロチップ１として図４（ａ）に示す形状のも
のを、KTP結晶２として図２（ａ）に示す形状のものを
用いたものであり、励起光源としては半導体レーザチッ
プ３を用いている。Nd:YVO4マイクロチップ１は側面に
平面１５ｂを設けた円柱であり、ｏ方向が平面１５ｂに
垂直になるように切り出されている。またKTP結晶２は
レーザ光の進行方向に平行な稜線切除部１４ｃを設けた
直方体であり、ｅ方向が稜線切除部１４ｃの面に垂直に
なるように切り出されている。このような構成で半導体
レーザ３からの半導体レーザ光がNd:YVO 4マイクロチッ
プ１を励起するが、そのときの半導体レーザ光の偏光面
はNd:YVO4マイクロチップ１のｏ方向に一致させてい
る。したがってNd:YVO4マイクロチップ１から出射した
固体レーザ光の電場のベクトルの方向はKTP結晶２のｏ
方向と45度で交わることになる。このとき変換効率は最
大となり、KTP結晶２から出射される第２高調波の電場
のベクトルの方向はKTP結晶２のｏ方向に平行になって
いる。
【００２０】光学的結晶体のｏ方向またはｅ方向を判別
するための形状は上記の実施例以外にも考えられるが、
複雑な形状は加工の工程を増やすので実用的ではない。
図１〜図４に示す実施例は比較的簡単に加工することが
できるものである。
するための形状は上記の実施例以外にも考えられるが、
複雑な形状は加工の工程を増やすので実用的ではない。
図１〜図４に示す実施例は比較的簡単に加工することが
できるものである。
【００２１】また、励起効率の良い固体レーザ結晶体、
第２高調波への変換効率の良い非線形光学結晶体または
その両者の特性を兼ね備えた効率の良い自己高調波固体
レーザ結晶体を用いた場合には上記の光学的結晶体の厚
さを薄くすることができるが、その場合には、角柱を角
板、円柱を円板で置き換えることができる。
第２高調波への変換効率の良い非線形光学結晶体または
その両者の特性を兼ね備えた効率の良い自己高調波固体
レーザ結晶体を用いた場合には上記の光学的結晶体の厚
さを薄くすることができるが、その場合には、角柱を角
板、円柱を円板で置き換えることができる。
【００２２】なお図２（ａ）、（ｂ）に示す稜線切除部
１４ｃ、１４ｄ、図４（ａ）、（ｂ）に示す平面１５
ｂ、１５ｃは単に偏光方向を示すマークとして有効であ
るばかりでなく、このような形状を有するNd:YVO4マイ
クロチップ１やKTP結晶２を図６に示す固定枠７にはめ
こんだ時固定枠７の内壁との間に一部隙間ができるが、
その隙間に接着剤を塗布して固定枠７とNd:YVO4マイク
ロチップ１やKTP結晶２とを接着することにより歪がか
からない構造とすることができる。また隙間以外の場所
に接着剤を塗布する接着方法では、この隙間を接着剤の
逃げ道とすることができ、Nd:YVO4マイクロチップ１やK
TP結晶２の端面を汚すことがない。
１４ｃ、１４ｄ、図４（ａ）、（ｂ）に示す平面１５
ｂ、１５ｃは単に偏光方向を示すマークとして有効であ
るばかりでなく、このような形状を有するNd:YVO4マイ
クロチップ１やKTP結晶２を図６に示す固定枠７にはめ
こんだ時固定枠７の内壁との間に一部隙間ができるが、
その隙間に接着剤を塗布して固定枠７とNd:YVO4マイク
ロチップ１やKTP結晶２とを接着することにより歪がか
からない構造とすることができる。また隙間以外の場所
に接着剤を塗布する接着方法では、この隙間を接着剤の
逃げ道とすることができ、Nd:YVO4マイクロチップ１やK
TP結晶２の端面を汚すことがない。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明は、固体レーザ結晶
体や非線形光学結晶体等の光学的結晶体の外形を規定し
て常光線または異常光線の電場ベクトルの方向を容易に
判断できる形状とすることにより、半導体レーザ励起固
体レーザ装置を組立し、調整する際にその扱いを容易に
することができる優れた光学的結晶体及びそれを用いた
半導体レーザ励起固体レーザ装置を実現できるものであ
る。
体や非線形光学結晶体等の光学的結晶体の外形を規定し
て常光線または異常光線の電場ベクトルの方向を容易に
判断できる形状とすることにより、半導体レーザ励起固
体レーザ装置を組立し、調整する際にその扱いを容易に
することができる優れた光学的結晶体及びそれを用いた
半導体レーザ励起固体レーザ装置を実現できるものであ
る。
【図１】（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例におけ
る光学的結晶体の斜視図
る光学的結晶体の斜視図
【図２】（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例におけ
る光学的結晶体の斜視図
る光学的結晶体の斜視図
【図３】本発明の第３の実施例における光学的結晶体の
斜視図
斜視図
【図４】（ａ）、（ｂ）は本発明の第４の実施例におけ
る光学的結晶体の斜視図
る光学的結晶体の斜視図
【図５】本発明の一実施例における半導体レーザ励起固
体レーザ装置の構成図
体レーザ装置の構成図
【図６】従来の半導体レーザ励起固体レーザ装置の構成
図
図
【図７】従来の非線形光学結晶体の斜視図
１１ 光学的結晶体
１２ 入射面（端面）
１３ 辺
１４ａ 稜線切除部
１４ｂ 角切除部
ｏ ｏ方向（常光線の電場ベクトルの方向）
ｅ ｅ方向（異常光線の電場ベクトルの方向）
Claims (5)
- 【請求項１】 形状が略直方体であって、この直方体の
レーザ光が入射しまたは出射する端面と側面とが交わる
稜線、前記稜線の一部または前記端面と二つの側面とで
形成される角が切り取られており、かつ前記端面の一つ
の辺が常光線の電場ベクトルの方向に対して平行、90度
または45度の関係にある光学的結晶体。 - 【請求項２】 レーザ光の進行方向に平行な稜線の少な
くとも一つを切り取ることによって、入射面の少なくと
も一つの角を切り取った形状となす請求項１記載の光学
的結晶体。 - 【請求項３】 形状が略円柱状であって、この円柱のレ
ーザ光が入射しまたは出射する端面が直線で切り取られ
た辺を少なくとも一つ有し、かつ前記の辺が常光線の電
場ベクトルの方向に対して平行、90度または45度の関係
にある光学的結晶体。 - 【請求項４】 レーザ光の進行方向に平行に円柱の一部
を平面で切り取ることによって、端面に直線で切り取ら
れた辺を設けた請求項３記載の光学的結晶体。 - 【請求項５】 半導体レーザと、固体レーザ結晶体と、
非線形光学結晶体とからなり、前記固体レーザ結晶体と
前記非線形光学結晶体の一方または両方が請求項１また
は請求項４記載の形状の光学的結晶体からなる半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-79727 | 1991-04-12 | ||
| JP7972791 | 1991-04-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0511294A true JPH0511294A (ja) | 1993-01-19 |
Family
ID=13698236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3315741A Pending JPH0511294A (ja) | 1991-04-12 | 1991-11-29 | 光学的結晶体及びそれを用いた半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0511294A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005136119A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | サファイア窓材 |
-
1991
- 1991-11-29 JP JP3315741A patent/JPH0511294A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005136119A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | サファイア窓材 |
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