JPH05114586A - ドライエツチングの終点検出装置 - Google Patents
ドライエツチングの終点検出装置Info
- Publication number
- JPH05114586A JPH05114586A JP30132791A JP30132791A JPH05114586A JP H05114586 A JPH05114586 A JP H05114586A JP 30132791 A JP30132791 A JP 30132791A JP 30132791 A JP30132791 A JP 30132791A JP H05114586 A JPH05114586 A JP H05114586A
- Authority
- JP
- Japan
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- light
- etching
- end point
- emission
- wavelength
- Prior art date
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- Pending
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- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 同時に複数の波長の発光強度を計測して、エ
ッチングに関与する発光のみを終点検出のために利用す
るようにする。かつ測定対象波長に対する制約を大幅に
緩めて、反応ガスとエッチング対象の組み合わせを自由
に選べるようにする。 【構成】 処理室1内の低温プラズマの発光を窓ガラス
2,レンズ3,ピンホール4,コリメートレンズ5を通
して平行光にし平面回折格子6で回折させてマルチチャ
ンネルディテクタ8で検出する。以上のことにより低温
プラズマの発光光を分光してエッチング処理に関与する
光強度を測定することで終点を検出する。
ッチングに関与する発光のみを終点検出のために利用す
るようにする。かつ測定対象波長に対する制約を大幅に
緩めて、反応ガスとエッチング対象の組み合わせを自由
に選べるようにする。 【構成】 処理室1内の低温プラズマの発光を窓ガラス
2,レンズ3,ピンホール4,コリメートレンズ5を通
して平行光にし平面回折格子6で回折させてマルチチャ
ンネルディテクタ8で検出する。以上のことにより低温
プラズマの発光光を分光してエッチング処理に関与する
光強度を測定することで終点を検出する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路を始めとする
微細パターンを必要とする部品の製造に使用し、低温ガ
スプラズマ中の荷電粒子や活性種とエッチング対象との
化学反応を利用してエッチングする形式のドライエッチ
ング装置に付加する、低温ガスプラズマの発光現象に着
目したエッチング終点を検出するドライエッチングの終
点検出装置に関するものである。
微細パターンを必要とする部品の製造に使用し、低温ガ
スプラズマ中の荷電粒子や活性種とエッチング対象との
化学反応を利用してエッチングする形式のドライエッチ
ング装置に付加する、低温ガスプラズマの発光現象に着
目したエッチング終点を検出するドライエッチングの終
点検出装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】低温ガスプラズマの化学反応を利用する
ドライエッチング装置におけるエッチングの終了を検出
するには、第1の方法として低温ガスプラズマ中の荷電
粒子や活性種を質量分析する方法と、第2の方法として
光学手段でエッチング対象の厚さを計測する方法と、第
3の方法として低温ガスプラズマの発光の特定波長に着
目する方法とがある。
ドライエッチング装置におけるエッチングの終了を検出
するには、第1の方法として低温ガスプラズマ中の荷電
粒子や活性種を質量分析する方法と、第2の方法として
光学手段でエッチング対象の厚さを計測する方法と、第
3の方法として低温ガスプラズマの発光の特定波長に着
目する方法とがある。
【0003】第1の方法は質量分析器が高価であり、第
2の方法は厚さ測定のための比較的広い領域が確保され
ていなければならないという欠点があり、第3の方法が
一般的である。この第3の方法による終点検出装置の1
例を図5の構成図に示す。
2の方法は厚さ測定のための比較的広い領域が確保され
ていなければならないという欠点があり、第3の方法が
一般的である。この第3の方法による終点検出装置の1
例を図5の構成図に示す。
【0004】図5において、1は低温ガスプラズマを発
生させるとともにエッチング対象を収容しエッチング処
理を実行するエッチング装置のエッチング処理室、2は
エッチング処理室1に取付けられたガラス窓、6bは特
定波長を透過する光学フィルタ、8aは光を電気信号に
変換するフォトダイオード、9aはフォトダイオード8
aを駆動制御するとともに、得られた信号を処理してエ
ッチング装置にフィードバックする制御回路である。
生させるとともにエッチング対象を収容しエッチング処
理を実行するエッチング装置のエッチング処理室、2は
エッチング処理室1に取付けられたガラス窓、6bは特
定波長を透過する光学フィルタ、8aは光を電気信号に
変換するフォトダイオード、9aはフォトダイオード8
aを駆動制御するとともに、得られた信号を処理してエ
ッチング装置にフィードバックする制御回路である。
【0005】エッチング処理を行なっているとき、処理
室1の内部では低温ガスプラズマが存在し、処理室1に
導入されているエッチングガスとエッチング対象の組み
合わせで決定されるスペクトルの発光が生じる。生じた
光はガラス窓2と光学フィルタ6bを透過することによ
り特定の波長の光だけとなり、フォトダイオード8aに
入射する。
室1の内部では低温ガスプラズマが存在し、処理室1に
導入されているエッチングガスとエッチング対象の組み
合わせで決定されるスペクトルの発光が生じる。生じた
光はガラス窓2と光学フィルタ6bを透過することによ
り特定の波長の光だけとなり、フォトダイオード8aに
入射する。
【0006】フォトダイオード8aは入射した光の強度
に比例した電気信号を出力し、その信号を受けた制御回
路9aはその信号強度によりエッチング処理の時間を制
御する。
に比例した電気信号を出力し、その信号を受けた制御回
路9aはその信号強度によりエッチング処理の時間を制
御する。
【0007】例えば有機レジストを酸素ガスプラズマで
エッチングする場合、両者の化学反応によって生成され
る一酸化炭素は、波長283.0nm,297.7nm等に
ピークを持つ発光スペクトルを示す。また多結晶シリコ
ンを4弗化炭素と酸素の混合ガスのプラズマでエッチン
グする場合には、エッチングによる反応生成物であるS
iFから波長777nmの強い発光がある。
エッチングする場合、両者の化学反応によって生成され
る一酸化炭素は、波長283.0nm,297.7nm等に
ピークを持つ発光スペクトルを示す。また多結晶シリコ
ンを4弗化炭素と酸素の混合ガスのプラズマでエッチン
グする場合には、エッチングによる反応生成物であるS
iFから波長777nmの強い発光がある。
【0008】これらの光を光学フィルタ6bによって所
定の光だけを透過させ、フォトダイオード8aに入射さ
せる。フォトダイオード6bに入射した光は電気信号に
変換され制御回路9aに送られ、信号を受けた制御回路
9aは信号の変化により終点を検出してエッチング処理
の終点を制御する。
定の光だけを透過させ、フォトダイオード8aに入射さ
せる。フォトダイオード6bに入射した光は電気信号に
変換され制御回路9aに送られ、信号を受けた制御回路
9aは信号の変化により終点を検出してエッチング処理
の終点を制御する。
【0009】従来の装置の他の例を示す図6において、
3は集光レンズ、6cは分光器、8bは光電子増倍管、
9bは光電子増倍管8bを駆動するとともに得られた信
号を処理してエッチング装置にフィードバックする制御
回路である。
3は集光レンズ、6cは分光器、8bは光電子増倍管、
9bは光電子増倍管8bを駆動するとともに得られた信
号を処理してエッチング装置にフィードバックする制御
回路である。
【0010】処理室1内のプラズマにより発光した光
は、集光レンズ3で分光器6cの入射口に集光し、分光
器6cによって着目する波長の光だけが光電子増倍管8
bに入射し電気信号に変換される。制御回路9bは変換
された電気信号を受けその変化によりエッチング処理時
間を制御する。
は、集光レンズ3で分光器6cの入射口に集光し、分光
器6cによって着目する波長の光だけが光電子増倍管8
bに入射し電気信号に変換される。制御回路9bは変換
された電気信号を受けその変化によりエッチング処理時
間を制御する。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】低温ガスプラズマの化
学反応を利用して行なうエッチングで使用する真空は、
10-1〜10-3Torr程度の圧力であり、この真空度では
エッチングに用いる反応ガス及び反応生成物の発光スペ
クトルに、残留大気に起因する発光スペクトルが重畳し
ている。
学反応を利用して行なうエッチングで使用する真空は、
10-1〜10-3Torr程度の圧力であり、この真空度では
エッチングに用いる反応ガス及び反応生成物の発光スペ
クトルに、残留大気に起因する発光スペクトルが重畳し
ている。
【0012】例えば、有機レジストを酸素の低温ガスプ
ラズマでエッチングする場合、化学反応で生じる一酸化
炭素と残留大気か化学反応かのいずれかに起因するOH
基とから、波長283nmを中心とする発光が生じる。つ
まり処理をするための低温プラズマによる化学反応で生
成する種は複数にわたり、これらが発する光の波長も複
数になる。
ラズマでエッチングする場合、化学反応で生じる一酸化
炭素と残留大気か化学反応かのいずれかに起因するOH
基とから、波長283nmを中心とする発光が生じる。つ
まり処理をするための低温プラズマによる化学反応で生
成する種は複数にわたり、これらが発する光の波長も複
数になる。
【0013】また、低温ガスプラズマからの発光は、多
原子からなる荷電粒子や活性種によるものであるため、
そのスペクトルは通常幾つもの帯域幅の広いピークから
なっており、それらの発光すべてがエッチングと相関の
ある変化をするわけではない。
原子からなる荷電粒子や活性種によるものであるため、
そのスペクトルは通常幾つもの帯域幅の広いピークから
なっており、それらの発光すべてがエッチングと相関の
ある変化をするわけではない。
【0014】このため、図5のフィルタ6bの透過特性
を鋭敏にしたり、図6の分光器6cの分解能を高くして
も、エッチングに関与する1種類の荷電粒子または活性
種からの発光であると決定できない。つまり、着目する
発光強度を計測できない場合が発生するという問題があ
る。
を鋭敏にしたり、図6の分光器6cの分解能を高くして
も、エッチングに関与する1種類の荷電粒子または活性
種からの発光であると決定できない。つまり、着目する
発光強度を計測できない場合が発生するという問題があ
る。
【0015】また、構成要素が安価であることから多用
されている図5に示すフィルタ6b,フォトダイオード
8a,制御回路9aからなる検出器では、検出できる波
長は、固定されている。従って、反応ガスとエッチング
対象の組み合わせに自由度がなく、一方自由度を持たせ
るためには複数の検出器を設定しなければならないとい
う問題がある。
されている図5に示すフィルタ6b,フォトダイオード
8a,制御回路9aからなる検出器では、検出できる波
長は、固定されている。従って、反応ガスとエッチング
対象の組み合わせに自由度がなく、一方自由度を持たせ
るためには複数の検出器を設定しなければならないとい
う問題がある。
【0016】本発明の目的は、同時に複数の波長の発光
強度を計測して、エッチングに関与する発光のみを終点
検出のために利用でき、かつ測定対象波長に対する制約
を大幅に緩めて、反応ガスとエッチング対象の組み合わ
せを自由に選べる検出装置を提供し、現在の問題点を解
決することである。
強度を計測して、エッチングに関与する発光のみを終点
検出のために利用でき、かつ測定対象波長に対する制約
を大幅に緩めて、反応ガスとエッチング対象の組み合わ
せを自由に選べる検出装置を提供し、現在の問題点を解
決することである。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グの終点検出装置は、低温ガスプラズマの発光光から複
数の波長を同時に分光する分光手段と、分光された複数
の波長の各光の強度を電気信号に変換して検出する光検
出手段を有する。
グの終点検出装置は、低温ガスプラズマの発光光から複
数の波長を同時に分光する分光手段と、分光された複数
の波長の各光の強度を電気信号に変換して検出する光検
出手段を有する。
【0018】
【作用】行なっているエッチング処理の反応に関与する
荷電粒子または活性種からの発光を同時に検知できるた
め、終点検出の精度が向上する。
荷電粒子または活性種からの発光を同時に検知できるた
め、終点検出の精度が向上する。
【0019】
【実施例】以下本発明の実施例を図を参照して説明す
る。図1は本発明の1実施例を示すドライエッチングの
終点検出装置の構成図である。
る。図1は本発明の1実施例を示すドライエッチングの
終点検出装置の構成図である。
【0020】1,2,3は従来の例の図6に同じであ
る。4はピンホール、5はコリメトリーレンズ、6は平
面回折格子、7は回折光、8は幅数10μmのフォトダ
イオードを幅方向に数百から千数百個並べて構成したマ
ルチチャンネルディテクタ、9はマルチチャンネルディ
テクタ8を駆動するとともに得られた信号を処理してエ
ッチング装置にフィードバックする制御回路である。
る。4はピンホール、5はコリメトリーレンズ、6は平
面回折格子、7は回折光、8は幅数10μmのフォトダ
イオードを幅方向に数百から千数百個並べて構成したマ
ルチチャンネルディテクタ、9はマルチチャンネルディ
テクタ8を駆動するとともに得られた信号を処理してエ
ッチング装置にフィードバックする制御回路である。
【0021】低温プラズマからの発光光は、集光レンズ
3によりピンホール4に集光されピンホール4を出た光
はコリメトリーレンズ5によって平行光線になる。平行
になった光は平面回折格子6でその光の波長で決まる方
向に回折しその回折光7はマルチチャンネルディテクタ
8に入射して電気信号に変換され制御回路9によって回
折光の強度分布が得られる。
3によりピンホール4に集光されピンホール4を出た光
はコリメトリーレンズ5によって平行光線になる。平行
になった光は平面回折格子6でその光の波長で決まる方
向に回折しその回折光7はマルチチャンネルディテクタ
8に入射して電気信号に変換され制御回路9によって回
折光の強度分布が得られる。
【0022】有機レジストを反応ガスとして酸素ガスを
用いてエッチングした場合の強度分布を図2の分布図に
示す。波長283nmにピークを持つの発光はCOとOH
に、波長297.7nmの発光はCOに、波長308.9
nmの発光はOHに起因している。COもOHも有機レジ
ストと反応ガスとの化学反応による反応生成物である
が、OHは残留大気物にも含まれておりどちらのものか
は区別できない。
用いてエッチングした場合の強度分布を図2の分布図に
示す。波長283nmにピークを持つの発光はCOとOH
に、波長297.7nmの発光はCOに、波長308.9
nmの発光はOHに起因している。COもOHも有機レジ
ストと反応ガスとの化学反応による反応生成物である
が、OHは残留大気物にも含まれておりどちらのものか
は区別できない。
【0023】したがって、エッチングの終点を検出する
ためには、波長297.7nmの発光光の強度を計測すれ
ば良いが、強度が弱い場合はノイズの影響を受けて終点
検出の精度が悪い。しかし本実施例では同時に複数の波
長について計測できるので、波長283nmと308.9
nmの発光光も計測する。
ためには、波長297.7nmの発光光の強度を計測すれ
ば良いが、強度が弱い場合はノイズの影響を受けて終点
検出の精度が悪い。しかし本実施例では同時に複数の波
長について計測できるので、波長283nmと308.9
nmの発光光も計測する。
【0024】その結果、波長308.9nmの強度がエッ
チングの進行につれて変化を示さなければOHは残留大
気に起因するものと判断でき、波長297.7nmの強度
変化が僅かでも少し、しかも波長283nmの強度も僅か
であれ同時に減少すればその時点をもってエッチングの
終点と正確に判断できる。
チングの進行につれて変化を示さなければOHは残留大
気に起因するものと判断でき、波長297.7nmの強度
変化が僅かでも少し、しかも波長283nmの強度も僅か
であれ同時に減少すればその時点をもってエッチングの
終点と正確に判断できる。
【0025】また波長308.9nmの強度がエッチング
の進行とともに変化すればOHは反応生成物と判断で
き、COの発光である波長297.7nmの強度変化が僅
かで終点の判定が困難な場合でも、波長283nmと30
8.9nmの発光強度が著しく低下した時点をもってエッ
チングの終点と判断できる。
の進行とともに変化すればOHは反応生成物と判断で
き、COの発光である波長297.7nmの強度変化が僅
かで終点の判定が困難な場合でも、波長283nmと30
8.9nmの発光強度が著しく低下した時点をもってエッ
チングの終点と判断できる。
【0026】なお本実施例では、有機レジストと酸素ガ
スの組み合わせについて説明したが、他のエッチング対
象と反応ガスの組み合わせでも図2に示したのとは異な
る位置に強度のピークが現われるだけであり、なんら問
題なく終点検出動作を実行することができる。
スの組み合わせについて説明したが、他のエッチング対
象と反応ガスの組み合わせでも図2に示したのとは異な
る位置に強度のピークが現われるだけであり、なんら問
題なく終点検出動作を実行することができる。
【0027】また、平面回折格子6とマルチチャンネル
ディテクタ8の間にレンズを設置し、マルチチャンネル
ディテクタ8の受光面がそのレンズの焦点面に位置する
ように配置しても良い。
ディテクタ8の間にレンズを設置し、マルチチャンネル
ディテクタ8の受光面がそのレンズの焦点面に位置する
ように配置しても良い。
【0028】図3は本発明の他の実施例を示したドライ
エッチング装置の終点検出装置の構成図である。6aは
スリット、7aは回折光であり他は図1と同様である。
スリット6aは、その長辺方向を紙面に垂直に取ってい
る。低温ガスプラズマからの発光光は平行光線となって
スリット6aに入射し、波長に応じた回折角で回折され
てマルチチャンネルディテクタ8の受光面に到達する。
エッチング装置の終点検出装置の構成図である。6aは
スリット、7aは回折光であり他は図1と同様である。
スリット6aは、その長辺方向を紙面に垂直に取ってい
る。低温ガスプラズマからの発光光は平行光線となって
スリット6aに入射し、波長に応じた回折角で回折され
てマルチチャンネルディテクタ8の受光面に到達する。
【0029】図4は、低温ガスプラズマからの発光は2
波長からなると仮定したマルチチャンネルディテクタ8
受光面での回折パターンを示す模式図である。
波長からなると仮定したマルチチャンネルディテクタ8
受光面での回折パターンを示す模式図である。
【0030】10は0次回折光で2波長の光の強度が足
し合わされている。実線で示した回折パターン11は長
波長光の回折で生じたもの、破線で示した回折パターン
12は短波長光の回折で生じたものである。それぞれの
パターンは、0次回折光パターンに対して対称に生じ、
内側からそれぞれの波長光の1次,2次,3次とつづく
回折光のパターンである。
し合わされている。実線で示した回折パターン11は長
波長光の回折で生じたもの、破線で示した回折パターン
12は短波長光の回折で生じたものである。それぞれの
パターンは、0次回折光パターンに対して対称に生じ、
内側からそれぞれの波長光の1次,2次,3次とつづく
回折光のパターンである。
【0031】マルチチャンネルディテクタ8でそれぞれ
の波長に対し適当な次数の回折光を選択してその強度を
計測すれば、平面回折格子6を使用した実施例と同様に
正確にエッチングの終点を計測できる。
の波長に対し適当な次数の回折光を選択してその強度を
計測すれば、平面回折格子6を使用した実施例と同様に
正確にエッチングの終点を計測できる。
【0032】なお、マルチチャンネルディテクタ8のフ
ォトダイオード列の前に蛍光板を設けることにより紫外
域の発光光を計測でき、またマイクロチャンネルプレー
トを設けるとより微弱な発光光を計測できる。また、場
合によっては蛍光板とマイクロチャンネルプレートをと
もに設けてもよい。
ォトダイオード列の前に蛍光板を設けることにより紫外
域の発光光を計測でき、またマイクロチャンネルプレー
トを設けるとより微弱な発光光を計測できる。また、場
合によっては蛍光板とマイクロチャンネルプレートをと
もに設けてもよい。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば低
温ガスプラズマからの発光スペクトル中の複数の光強度
を同時に計測できるため、精度の高い終点判定が可能と
なる。さらに波長に対する制限がないため反応ガスとエ
ッチング対象の組み合わせに対する制限がなく1台のエ
ッチング装置を有効に使用できる。
温ガスプラズマからの発光スペクトル中の複数の光強度
を同時に計測できるため、精度の高い終点判定が可能と
なる。さらに波長に対する制限がないため反応ガスとエ
ッチング対象の組み合わせに対する制限がなく1台のエ
ッチング装置を有効に使用できる。
【図1】本発明の終点検出装置の1実施例を示す構成図
である。
である。
【図2】図1の実施例の低温ガスプラズマの発光スペク
トルを表す波長分布図である。
トルを表す波長分布図である。
【図3】本発明の終点検出装置の他の実施例を示す構成
図である。
図である。
【図4】図3の回折光7aのマルチチャンネルディテク
タ8の受光面での回折パターンを表す模式図である。
タ8の受光面での回折パターンを表す模式図である。
【図5】従来の終点検出装置の1例を示す構成図であ
る。
る。
【図6】従来の終点検出装置のその他の例を示す構成図
である。
である。
1 エッチング処理室 2 ガラス窓 3 レンズ 4 ピンホール 5 コリメトリーレンズ 6 平面回折格子 7 回折光 8 マルチチャンネルディテクタ 9 制御回路
Claims (1)
- 【請求項1】 多数の波長から構成される低温ガスプラ
ズマ発光光を同時に各構成波長に分光する分光手段と、 分光された光の照射位置と光の強度を検出する光検出手
段とを有することを特徴とするドライエッチングの終点
検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30132791A JPH05114586A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | ドライエツチングの終点検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30132791A JPH05114586A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | ドライエツチングの終点検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114586A true JPH05114586A (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=17895531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30132791A Pending JPH05114586A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | ドライエツチングの終点検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05114586A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5702562A (en) * | 1995-04-27 | 1997-12-30 | Nec Corporation | Dry etching apparatus and method |
| KR20030000274A (ko) * | 2001-06-22 | 2003-01-06 | 주식회사 파이맥스 | 반도체 제조공정에서 실시간 플라즈마 측정과 박막분석을위한 다채널 분광분석기 |
| KR100426988B1 (ko) * | 2001-11-08 | 2004-04-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장비의 식각 종말점 검출장치 및 그에 따른검출방법 |
| JP2007501532A (ja) * | 2003-05-09 | 2007-01-25 | ウナクシス ユーエスエイ、インコーポレイテッド | 時分割多重プロセスにおける包絡線フォロア終点検出 |
-
1991
- 1991-10-22 JP JP30132791A patent/JPH05114586A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5702562A (en) * | 1995-04-27 | 1997-12-30 | Nec Corporation | Dry etching apparatus and method |
| KR20030000274A (ko) * | 2001-06-22 | 2003-01-06 | 주식회사 파이맥스 | 반도체 제조공정에서 실시간 플라즈마 측정과 박막분석을위한 다채널 분광분석기 |
| KR100426988B1 (ko) * | 2001-11-08 | 2004-04-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장비의 식각 종말점 검출장치 및 그에 따른검출방법 |
| JP2007501532A (ja) * | 2003-05-09 | 2007-01-25 | ウナクシス ユーエスエイ、インコーポレイテッド | 時分割多重プロセスにおける包絡線フォロア終点検出 |
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