JPH0511642Y2 - - Google Patents
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- JPH0511642Y2 JPH0511642Y2 JP15082086U JP15082086U JPH0511642Y2 JP H0511642 Y2 JPH0511642 Y2 JP H0511642Y2 JP 15082086 U JP15082086 U JP 15082086U JP 15082086 U JP15082086 U JP 15082086U JP H0511642 Y2 JPH0511642 Y2 JP H0511642Y2
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- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 49
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 31
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 claims description 10
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 51
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は、例えば、電子線マイクロアナライザ
(EPMA)のように荷電粒子線で試料を励起し、
発生する特性X線を用いて試料表面の元素の濃度
分布などを測定するための表面分析装置に関す
る。
(EPMA)のように荷電粒子線で試料を励起し、
発生する特性X線を用いて試料表面の元素の濃度
分布などを測定するための表面分析装置に関す
る。
(ロ) 従来技術とその問題点
一般に、EPMAにおける線分析あるいは面分
析によつて試料面内の元素の濃度分布を測定する
場合に、試料表面が水平でないと、試料を移動さ
せるに伴なつて試料の分析高さ(試料の測定点か
ら分光器までの距離)が変化して分光器の焦点よ
りずれてしまい、これによつて、X線強度が変化
してしまうことになる。
析によつて試料面内の元素の濃度分布を測定する
場合に、試料表面が水平でないと、試料を移動さ
せるに伴なつて試料の分析高さ(試料の測定点か
ら分光器までの距離)が変化して分光器の焦点よ
りずれてしまい、これによつて、X線強度が変化
してしまうことになる。
このため、治具を使つて試料表面を水平に保つ
方法や試料表面の傾斜量を予め求めておき、これ
に基づいて、試料を移動させながら分析高さを順
次連続的に変化させる方法などが行なわれてい
る。
方法や試料表面の傾斜量を予め求めておき、これ
に基づいて、試料を移動させながら分析高さを順
次連続的に変化させる方法などが行なわれてい
る。
しかしながら、これらのいずれの方法でも、試
料表面が凹凸のない平面であることが前提とな
り、研摩などによつて平面にする必要があるが、
試料の分析表面が、例えば、10cm×10cmのように
広くなると、研摩によつて必要な平面にするの
は、技術的にもコスト的にも困難な場合が多く、
このため、測定データに試料表面の凹凸の影響が
でるなどの難点がある。さらに、破面の元素分析
を行ないたい場合には、上記表面の凹凸の影響は
避けられないものである。
料表面が凹凸のない平面であることが前提とな
り、研摩などによつて平面にする必要があるが、
試料の分析表面が、例えば、10cm×10cmのように
広くなると、研摩によつて必要な平面にするの
は、技術的にもコスト的にも困難な場合が多く、
このため、測定データに試料表面の凹凸の影響が
でるなどの難点がある。さらに、破面の元素分析
を行ないたい場合には、上記表面の凹凸の影響は
避けられないものである。
本考案は、上述の点に鑑みて為されたものであ
つて、試料表面の凹凸による測定データの誤差を
なくして精度を向上させた表面分析装置を提供す
ることを目的とする。
つて、試料表面の凹凸による測定データの誤差を
なくして精度を向上させた表面分析装置を提供す
ることを目的とする。
(ハ) 問題点を解決するための手段
本考案では、上述の目的を達成するために、荷
電粒子線で試料を励起し、該試料から発生する特
性X線に基づいて、試料の表面の元素の濃度分布
を測定する表面分析装置において、取り付けられ
た試料を三次元方向に移動させる試料ステージ
と、該試料ステージによつて移動される前記試料
について、特性X線の測定点よりも先行した点の
分析高さを測定する測定手段と、該測定手段によ
る分析高さの測定データが入力されるとともに、
これに並行して前記特性X線の測定点において
は、既に測定された分析高さのデータに基づい
て、前記試料ステージを駆動して分析高さの補正
を行なう駆動制御手段とを備えている。
電粒子線で試料を励起し、該試料から発生する特
性X線に基づいて、試料の表面の元素の濃度分布
を測定する表面分析装置において、取り付けられ
た試料を三次元方向に移動させる試料ステージ
と、該試料ステージによつて移動される前記試料
について、特性X線の測定点よりも先行した点の
分析高さを測定する測定手段と、該測定手段によ
る分析高さの測定データが入力されるとともに、
これに並行して前記特性X線の測定点において
は、既に測定された分析高さのデータに基づい
て、前記試料ステージを駆動して分析高さの補正
を行なう駆動制御手段とを備えている。
(ニ) 作用
上記構成によれば、特性X線の測定と分析高さ
の測定とを並行して行ない、しかも、分析高さの
測定を特性X線の測定点よりも先行させた点で行
なうとともに、特性X線の測定点では、既に測定
された分析高さのデータに基づいて逐次分析高さ
の補正を行なうようにしているので、実質的に特
性X線の測定、分析高さの測定および分析高さの
補正が同時的に進行することになり、分析高さ測
定のための特別の時間を殆ど要せずに、試料面の
凹凸の影響をなくした精度の高い分析が可能とな
る。
の測定とを並行して行ない、しかも、分析高さの
測定を特性X線の測定点よりも先行させた点で行
なうとともに、特性X線の測定点では、既に測定
された分析高さのデータに基づいて逐次分析高さ
の補正を行なうようにしているので、実質的に特
性X線の測定、分析高さの測定および分析高さの
補正が同時的に進行することになり、分析高さ測
定のための特別の時間を殆ど要せずに、試料面の
凹凸の影響をなくした精度の高い分析が可能とな
る。
(ホ) 実施例
以下、図面によつて本考案の実施例について詳
細に説明する。第1図は、本考案の一実施例に係
るEPMAの概略構成図である。同図において、
1は分析対象となる試料、2は電子ビームを発生
させるフイラメント部、3は収束レンズ、4は非
点補正コイル、5は対物絞り、6は対物レンズで
ある。30は光学顕微鏡の凹面鏡、31は凸面
鏡、32は反射ミラーでいずれも中央に孔を有
し、電子ビームが通過するようになつている。3
3は接眼レンズである。9は分光器を構成する分
光結晶であり、11は分光器からの特性X線を検
出する検出器、15は検出器11で得られるX線
強度信号を測定するX線測定回路、17は測定デ
ータを画像信号に変換して、いわゆるカラーコン
テントマツピング(カラーの濃度分布)表示を行
なう表示装置である。
細に説明する。第1図は、本考案の一実施例に係
るEPMAの概略構成図である。同図において、
1は分析対象となる試料、2は電子ビームを発生
させるフイラメント部、3は収束レンズ、4は非
点補正コイル、5は対物絞り、6は対物レンズで
ある。30は光学顕微鏡の凹面鏡、31は凸面
鏡、32は反射ミラーでいずれも中央に孔を有
し、電子ビームが通過するようになつている。3
3は接眼レンズである。9は分光器を構成する分
光結晶であり、11は分光器からの特性X線を検
出する検出器、15は検出器11で得られるX線
強度信号を測定するX線測定回路、17は測定デ
ータを画像信号に変換して、いわゆるカラーコン
テントマツピング(カラーの濃度分布)表示を行
なう表示装置である。
この実施例の表面分析装置は、取り付けられた
試料1を三次元方向に移動させる試料ステージ1
0と、試料1の分析高さを特性X線の測定点より
先行した点で測定する測定手段12と、測定手段
12によつて測定された分析高さデータが入力さ
れるとともに、これに並行して特性X線の測定点
では、既に測定されている分析高さのデータに基
づいて、試料ステージ10を高さ方向に駆動して
分析高さの補正を行なう駆動制御手段18とを備
えている。
試料1を三次元方向に移動させる試料ステージ1
0と、試料1の分析高さを特性X線の測定点より
先行した点で測定する測定手段12と、測定手段
12によつて測定された分析高さデータが入力さ
れるとともに、これに並行して特性X線の測定点
では、既に測定されている分析高さのデータに基
づいて、試料ステージ10を高さ方向に駆動して
分析高さの補正を行なう駆動制御手段18とを備
えている。
試料1がホルダ21を介して取り付けられる試
料ステージ10は、第2図に示されるようにX
(横)、Y(縦)、Z(高さ)の各方向に移動可能な
第1、第2、第3移動機構18,19,20を備
えており、各移動機構18,19,20は、駆動
制御手段18によつて駆動制御される。分析高さ
を測定する測定手段12は、試料表面の高さの変
位を検出するための変位検出プローブ22を備
え、試料1の表面に接触しながら高さの変位を検
出する。駆動制御手段18は、試料ステージ10
をX,Y,Z方向に駆動する駆動回路13と、こ
の駆動回路13などを制御するとともに、所定の
演算処理を行なう制御回路16とを備えている。
料ステージ10は、第2図に示されるようにX
(横)、Y(縦)、Z(高さ)の各方向に移動可能な
第1、第2、第3移動機構18,19,20を備
えており、各移動機構18,19,20は、駆動
制御手段18によつて駆動制御される。分析高さ
を測定する測定手段12は、試料表面の高さの変
位を検出するための変位検出プローブ22を備
え、試料1の表面に接触しながら高さの変位を検
出する。駆動制御手段18は、試料ステージ10
をX,Y,Z方向に駆動する駆動回路13と、こ
の駆動回路13などを制御するとともに、所定の
演算処理を行なう制御回路16とを備えている。
次に、上記構成を有する表面分析装置による表
面分析の動作を第3図のフローチヤートに基づい
て説明する。
面分析の動作を第3図のフローチヤートに基づい
て説明する。
先ず、第4図に示されるように、試料ステージ
10をY方向に沿つて移動させ、試料1のライン
X0の分析高さをX方向に沿つて測定手段12に
よつて順次測定する(ステツプ1)。この測定さ
れた分析高さのデータは、制御回路16に与えら
れる。
10をY方向に沿つて移動させ、試料1のライン
X0の分析高さをX方向に沿つて測定手段12に
よつて順次測定する(ステツプ1)。この測定さ
れた分析高さのデータは、制御回路16に与えら
れる。
次に試料ステージ10をY方向に沿つて移動さ
せ、ラインX1の分析高さをX方向に沿つて同様
に測定手段12で順次測定し、測定データを制御
回路16に与える(ステツプ2)。
せ、ラインX1の分析高さをX方向に沿つて同様
に測定手段12で順次測定し、測定データを制御
回路16に与える(ステツプ2)。
さらに、試料ステージ10をY方向に沿つて移
動させ、ステツプ1で測定したラインX0の分析
高さのデータに基づいて、駆動制御手段18で
は、試料ステージ10を高さ(Z)方向に駆動し
て分析高さの補正を逐次行ないながらラインX0
について特性X線の強度の測定をX方向に沿つて
行なう。得られた強度データは、X線測定回路1
5を介して制御回路16に与えられる。すなわ
ち、制御回路16には、ラインX0についての分
析高さの補正が行なわれた正確な特性X線の強度
データが与えられることになる。このラインX0
の特性X線の測定と並行して先行するラインX2
の分析高さをX方向に沿つて測定手段12で順次
測定して測定データを制御回路16に与える(ス
テツプ3)。このラインX2の分析高さの測定の際
には、特性X線の測定が行なわれているライン
X0についての分析高さの補正のために試料ステ
ージ10が高さ方向に駆動されているので、制御
回路16では、次のステツプでラインX2の分析
高さデータについてその分の補正を行なう。
動させ、ステツプ1で測定したラインX0の分析
高さのデータに基づいて、駆動制御手段18で
は、試料ステージ10を高さ(Z)方向に駆動し
て分析高さの補正を逐次行ないながらラインX0
について特性X線の強度の測定をX方向に沿つて
行なう。得られた強度データは、X線測定回路1
5を介して制御回路16に与えられる。すなわ
ち、制御回路16には、ラインX0についての分
析高さの補正が行なわれた正確な特性X線の強度
データが与えられることになる。このラインX0
の特性X線の測定と並行して先行するラインX2
の分析高さをX方向に沿つて測定手段12で順次
測定して測定データを制御回路16に与える(ス
テツプ3)。このラインX2の分析高さの測定の際
には、特性X線の測定が行なわれているライン
X0についての分析高さの補正のために試料ステ
ージ10が高さ方向に駆動されているので、制御
回路16では、次のステツプでラインX2の分析
高さデータについてその分の補正を行なう。
次に、試料ステージ10をY方向に沿つて移動
させ、ステツプ2で測定したラインX1について
の分析高さのデータに基づいて、試料ステージ1
0を高さ方向に駆動して分析高さの補正を逐次行
ないながらラインX1について特性X線の強度の
測定を行なうとともに、ラインX3の分析高さを
X方向に沿つて測定手段12で順次測定する。同
時に、制御回路16では、ステツプ3で測定され
たラインX2についての分析高さのデータに対し
て上述の試料ステージ10の高さ方向の駆動によ
る影響の補正を行なう。このような分析高さの測
定データに対する補正は、以下のステツプでも同
様に行なわれる。また、ステツプ3で測定したラ
インX0についての特性X線のデータ処理を行な
う(ステツプ4)。
させ、ステツプ2で測定したラインX1について
の分析高さのデータに基づいて、試料ステージ1
0を高さ方向に駆動して分析高さの補正を逐次行
ないながらラインX1について特性X線の強度の
測定を行なうとともに、ラインX3の分析高さを
X方向に沿つて測定手段12で順次測定する。同
時に、制御回路16では、ステツプ3で測定され
たラインX2についての分析高さのデータに対し
て上述の試料ステージ10の高さ方向の駆動によ
る影響の補正を行なう。このような分析高さの測
定データに対する補正は、以下のステツプでも同
様に行なわれる。また、ステツプ3で測定したラ
インX0についての特性X線のデータ処理を行な
う(ステツプ4)。
次に、試料ステージ10をY方向に沿つて移動
させ、ステツプ4で補正されたラインX2につい
ての分析高さのデータに基づいて、試料ステージ
10を高さ方向に駆動して分析高さの補正を逐次
行ないながらラインX2について特性X線の強度
の測定を行なうとともに、ラインX4の分析高さ
をX方向に沿つて測定手段12で順次測定する。
同時に、制御回路16では、ステツプ4で測定さ
れたラインX3についての分析高さのデータに対
して試料ステージ10の高さ方向の駆動による影
響の補正を行ない、さらに、ステツプ4で測定し
たラインX1についての特性X線のデータ処理を
行なう(ステツプ5)。
させ、ステツプ4で補正されたラインX2につい
ての分析高さのデータに基づいて、試料ステージ
10を高さ方向に駆動して分析高さの補正を逐次
行ないながらラインX2について特性X線の強度
の測定を行なうとともに、ラインX4の分析高さ
をX方向に沿つて測定手段12で順次測定する。
同時に、制御回路16では、ステツプ4で測定さ
れたラインX3についての分析高さのデータに対
して試料ステージ10の高さ方向の駆動による影
響の補正を行ない、さらに、ステツプ4で測定し
たラインX1についての特性X線のデータ処理を
行なう(ステツプ5)。
以下同様にして、ラインXiについての補正さ
れた分析高さのデータに基づいて、試料ステージ
10を高さ方向に駆動して分析高さの補正を逐次
行ないながらラインXiについて特性X線の強度
の測定を行なうとともに、ラインXi+2の分析
高さをX方向に沿つて順次測定する。同時にライ
ンXi+1の分析高さデータに対して試料ステー
ジ10の高さ方向の駆動による影響の補正を行な
うとともに、ラインXi−1について、測定した
特性X線強度のデータ処理を行なう(ステツプ
i)。
れた分析高さのデータに基づいて、試料ステージ
10を高さ方向に駆動して分析高さの補正を逐次
行ないながらラインXiについて特性X線の強度
の測定を行なうとともに、ラインXi+2の分析
高さをX方向に沿つて順次測定する。同時にライ
ンXi+1の分析高さデータに対して試料ステー
ジ10の高さ方向の駆動による影響の補正を行な
うとともに、ラインXi−1について、測定した
特性X線強度のデータ処理を行なう(ステツプ
i)。
このようにして、特性X線の測定を行なつてい
るラインよりも2つ先行したラインの分析高さを
並行して測定し、特性X線が測定されているライ
ンについては、既に求められている分析高さの補
正データに基づいて分析高さが逐次補正されるの
で、試料面の凹凸の影響のない正確な特性X線の
強度データが得られることになる。しかも、分析
高さの測定を特性X線の測定と並行して行なうの
で、分析高さ測定のための特別な時間を必要とせ
ず、分析を連続的に行なうことが可能となる。こ
のようにして測定された特性X線の強度データ
は、制御回路16から表示装置17に与えられて
カラーコンテントマツピング表示が行なわれる。
るラインよりも2つ先行したラインの分析高さを
並行して測定し、特性X線が測定されているライ
ンについては、既に求められている分析高さの補
正データに基づいて分析高さが逐次補正されるの
で、試料面の凹凸の影響のない正確な特性X線の
強度データが得られることになる。しかも、分析
高さの測定を特性X線の測定と並行して行なうの
で、分析高さ測定のための特別な時間を必要とせ
ず、分析を連続的に行なうことが可能となる。こ
のようにして測定された特性X線の強度データ
は、制御回路16から表示装置17に与えられて
カラーコンテントマツピング表示が行なわれる。
なお、複数の分光器および検出器を設けること
によつて、多元素の同時分析を行なうことが可能
である。
によつて、多元素の同時分析を行なうことが可能
である。
また、本考案の他の実施例として、測定手段1
2は、光学顕微鏡やレーザビームなどを利用して
試料1に非接触で分析高さを測定するようにして
もよい。
2は、光学顕微鏡やレーザビームなどを利用して
試料1に非接触で分析高さを測定するようにして
もよい。
(ヘ) 効果
以上のように本考案によれば、特性X線の測定
と分析高さの測定とを並行して行ない、しかも、
分析高さの測定を特性X線の測定点よりも先行さ
せた点で行なつてその測定値に基づいて、試料ス
テージを高さ方向に駆動して特性X線の測定点の
分析高さを補正するようにしているので、分析高
さ測定のための特別の時間を殆ど要せずに、試料
面の凹凸の影響のない精度の高い表面分析が可能
となる。
と分析高さの測定とを並行して行ない、しかも、
分析高さの測定を特性X線の測定点よりも先行さ
せた点で行なつてその測定値に基づいて、試料ス
テージを高さ方向に駆動して特性X線の測定点の
分析高さを補正するようにしているので、分析高
さ測定のための特別の時間を殆ど要せずに、試料
面の凹凸の影響のない精度の高い表面分析が可能
となる。
第1図は本考案の一実施例の概略構成図、第2
図は試料ステージおよび測定手段の概略斜視図、
第3図は表面分析の動作のフローチヤート、第4
図は試料の測定順序を説明するための平面図であ
る。 1……試料、10……試料ステージ、12……
測定手段、18……駆動制御手段。
図は試料ステージおよび測定手段の概略斜視図、
第3図は表面分析の動作のフローチヤート、第4
図は試料の測定順序を説明するための平面図であ
る。 1……試料、10……試料ステージ、12……
測定手段、18……駆動制御手段。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 荷電粒子線で試料を励起し、該試料から発生す
る特性X線に基づいて、試料の表面の元素の濃度
分布を測定する表面分析装置において、 取り付けられた試料を三次元方向に移動させる
試料ステージと、 該試料ステージによつて移動される前記試料に
ついて、特性X線の測定点よりも先行した点の分
析高さを測定する測定手段と、 該測定手段による分析高さの測定データが入力
されるとともに、これに並行して前記特性X線の
測定点においては、既に測定された分析高さのデ
ータに基づいて、前記試料ステージを駆動して分
析高さの補正を行なう駆動制御手段とを備えるこ
とを特徴とする表面分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15082086U JPH0511642Y2 (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15082086U JPH0511642Y2 (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6356556U JPS6356556U (ja) | 1988-04-15 |
| JPH0511642Y2 true JPH0511642Y2 (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=31067307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15082086U Expired - Lifetime JPH0511642Y2 (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0511642Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5606791B2 (ja) * | 2010-05-20 | 2014-10-15 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線装置 |
| WO2012093474A1 (ja) * | 2011-01-05 | 2012-07-12 | Isobe Shinichiro | 多光源顕微鏡 |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP15082086U patent/JPH0511642Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6356556U (ja) | 1988-04-15 |
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