JPH05117620A - 耐熱性接着剤用組成物、耐熱性接着剤、耐熱性接着剤層付きフイルム、印刷回路用基板及び半導体装置 - Google Patents
耐熱性接着剤用組成物、耐熱性接着剤、耐熱性接着剤層付きフイルム、印刷回路用基板及び半導体装置Info
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- JPH05117620A JPH05117620A JP3277665A JP27766591A JPH05117620A JP H05117620 A JPH05117620 A JP H05117620A JP 3277665 A JP3277665 A JP 3277665A JP 27766591 A JP27766591 A JP 27766591A JP H05117620 A JPH05117620 A JP H05117620A
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- resistant adhesive
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- film
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
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- H—ELECTRICITY
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Die Bonding (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐熱性、接着性に優れた耐熱性接着剤用組成
物を提供する。 【構成】 （Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し
単位を有する芳香族ポリエーテルアミド、（Ｂ）エポキ
シ樹脂及び（Ｃ）溶媒を含んでなる耐熱性接着剤用組成
物耐熱性接着剤、耐熱性接着剤層付きフィルム及び半導
体装置。 【化１】 ［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立に水
素、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン
原子を示し、Ｘは結合、 【化２】 を示し（ここでＲ５およびＲ６はそれぞれ独立に水素、
低級アルキル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメ
チル基またはフェニル基を示す）Ｘは繰り返し単位毎に
相違してもよく、Ａｒは芳香族の３価の基を示す］
物を提供する。 【構成】 （Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し
単位を有する芳香族ポリエーテルアミド、（Ｂ）エポキ
シ樹脂及び（Ｃ）溶媒を含んでなる耐熱性接着剤用組成
物耐熱性接着剤、耐熱性接着剤層付きフィルム及び半導
体装置。 【化１】 ［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立に水
素、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン
原子を示し、Ｘは結合、 【化２】 を示し（ここでＲ５およびＲ６はそれぞれ独立に水素、
低級アルキル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメ
チル基またはフェニル基を示す）Ｘは繰り返し単位毎に
相違してもよく、Ａｒは芳香族の３価の基を示す］
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は耐熱性接着剤用組成物、
耐熱性接着剤、耐熱性接着剤層付きフィルム、印刷回路
用基板及び半導体装置に関する。
耐熱性接着剤、耐熱性接着剤層付きフィルム、印刷回路
用基板及び半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、エレクトロニクス分野において用
いられる接着剤、例えば印刷回路用基板における金属箔
とポリイミドフィルム等の支持材との接着剤や樹脂封止
型等の半導体装置内におけるリードフレームと半導体素
子（チップ）の接着剤やいわゆるＴＡＢテープの金属箔
とポリイミドフィルムとの接着剤には、高温特性、接着
力、作業性にすぐれた材料が求められている。従来、こ
れら接着剤として用いられてきたエポキシ系、ゴム変性
エポキシ系、フェノール系、アクリル系等の樹脂はすぐ
れた接着力を示すが、耐熱性に劣るという欠点がある。
いられる接着剤、例えば印刷回路用基板における金属箔
とポリイミドフィルム等の支持材との接着剤や樹脂封止
型等の半導体装置内におけるリードフレームと半導体素
子（チップ）の接着剤やいわゆるＴＡＢテープの金属箔
とポリイミドフィルムとの接着剤には、高温特性、接着
力、作業性にすぐれた材料が求められている。従来、こ
れら接着剤として用いられてきたエポキシ系、ゴム変性
エポキシ系、フェノール系、アクリル系等の樹脂はすぐ
れた接着力を示すが、耐熱性に劣るという欠点がある。
【０００３】一方、耐熱性にすぐれる樹脂として、ポリ
イミド系樹脂が知られている。しかしながらポリイミド
樹脂は、不溶、不融であり接着剤として用いるには不適
当であり、むしろその前駆体であるポリイミド酸を特定
の溶媒に溶解させた溶液の状態で用い、ついで脱溶媒、
イミド化しなければならない。しかし、この場合は脱溶
媒、イミド化時の縮合水等でボイドを発生しやすく、ま
たイミド化に高温、長時間を要するため、使用にあたっ
ては制限が多いという問題があった。
イミド系樹脂が知られている。しかしながらポリイミド
樹脂は、不溶、不融であり接着剤として用いるには不適
当であり、むしろその前駆体であるポリイミド酸を特定
の溶媒に溶解させた溶液の状態で用い、ついで脱溶媒、
イミド化しなければならない。しかし、この場合は脱溶
媒、イミド化時の縮合水等でボイドを発生しやすく、ま
たイミド化に高温、長時間を要するため、使用にあたっ
ては制限が多いという問題があった。
【０００４】そこで、例えば、特開平１−２６８７７号
公報において芳香族ポリアミド等の樹脂を溶融接着させ
ることが提案されている。しかし、この場合においては
接着温度が高く使用にあたっては制限が多い。また、こ
の方法で接着温度を低くするためには、樹脂の溶融温度
を低くすることになり、ガラス転移温度（Ｔｇ）に代表
される耐熱性の低下を招く。つまり、使用にあたって支
障のない低い温度で接着でき、なおかつ高い耐熱性を有
する接着剤は得られないという問題があった。
公報において芳香族ポリアミド等の樹脂を溶融接着させ
ることが提案されている。しかし、この場合においては
接着温度が高く使用にあたっては制限が多い。また、こ
の方法で接着温度を低くするためには、樹脂の溶融温度
を低くすることになり、ガラス転移温度（Ｔｇ）に代表
される耐熱性の低下を招く。つまり、使用にあたって支
障のない低い温度で接着でき、なおかつ高い耐熱性を有
する接着剤は得られないという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題を解決し、耐熱性、接着力にすぐれた耐熱性接着剤
組成物、耐熱性接着剤、耐熱性接着剤層付きフィルム、
印刷回路用基板、半導体装置を提供することにある。
問題を解決し、耐熱性、接着力にすぐれた耐熱性接着剤
組成物、耐熱性接着剤、耐熱性接着剤層付きフィルム、
印刷回路用基板、半導体装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）下記一
般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族ポリ
エーテルアミド、（Ｂ）エポキシ樹脂及び（Ｃ）溶媒を
含んでなる耐熱性接着剤用組成物に関する。
般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族ポリ
エーテルアミド、（Ｂ）エポキシ樹脂及び（Ｃ）溶媒を
含んでなる耐熱性接着剤用組成物に関する。
【化３】 ［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立に水
素、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン
原子を示し、Ｘは結合、
素、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン
原子を示し、Ｘは結合、
【化４】 を示し（ここでＲ５およびＲ６はそれぞれ独立に水素、
低級アルキル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメ
チル基またはフェニル基を示す）、Ｘは繰り返し単位毎
に相違してもよく、Ａｒは芳香族の２価の基を示す］
低級アルキル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメ
チル基またはフェニル基を示す）、Ｘは繰り返し単位毎
に相違してもよく、Ａｒは芳香族の２価の基を示す］
【０００７】また、本発明は、前記耐熱性接着剤用組成
物を乾燥させてなる耐熱性接着剤に関する。
物を乾燥させてなる耐熱性接着剤に関する。
【０００８】また、本発明は、支持フイルムの片面又は
両面に、前記の耐熱性接着剤用組成物を塗布し、乾燥さ
せた耐熱性接着剤層付きフィルムに関する。
両面に、前記の耐熱性接着剤用組成物を塗布し、乾燥さ
せた耐熱性接着剤層付きフィルムに関する。
【０００９】また、本発明は、支持材と金属箔とを前記
の耐熱性接着剤用組成物を用いて接着させてなる印刷回
路用基板に関する。
の耐熱性接着剤用組成物を用いて接着させてなる印刷回
路用基板に関する。
【００１０】また、本発明は、リードフレームと半導体
素子とを、前記の耐熱性接着剤用組成物を乾燥させて得
られる耐熱性接着剤層を介して接着させてなる半導体装
置に関する。
素子とを、前記の耐熱性接着剤用組成物を乾燥させて得
られる耐熱性接着剤層を介して接着させてなる半導体装
置に関する。
【００１１】また、本発明は、リードフレームと半導体
素子とを、前記の耐熱性接着剤層付きフィルムを介して
接着させてなる半導体装置に関する。
素子とを、前記の耐熱性接着剤層付きフィルムを介して
接着させてなる半導体装置に関する。
【００１２】また、本発明は、リードフレームのインナ
ーリードと半導体素子とを、前記の耐熱性接着剤用組成
物を乾燥させて得られる耐熱性接着剤層を介して接着さ
せてなる半導体装置に関する。
ーリードと半導体素子とを、前記の耐熱性接着剤用組成
物を乾燥させて得られる耐熱性接着剤層を介して接着さ
せてなる半導体装置に関する。
【００１３】また、本発明は、リードフレームのインナ
ーリードと半導体素子とを、前記の耐熱性接着剤層付き
フィルムを介して接着させてなる半導体装置に関する。
ーリードと半導体素子とを、前記の耐熱性接着剤層付き
フィルムを介して接着させてなる半導体装置に関する。
【００１４】本発明において用いられる（Ａ）前記一般
式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族ポリエ
ーテルアミドは、芳香族ジカルボン酸若しくはその反応
性誘導体と一般式（ＩＩ）
式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族ポリエ
ーテルアミドは、芳香族ジカルボン酸若しくはその反応
性誘導体と一般式（ＩＩ）
【化５】 ［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立に水
素、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン
を示し、Ｘは結合、
素、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン
を示し、Ｘは結合、
【化６】 を示し（ここでＲ５およびＲ６はそれぞれ独立に水素、
低級アルキル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメ
チル基またはフェニル基を示す。）］で表される芳香族
ジアミンを重縮合させて得られる。
低級アルキル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメ
チル基またはフェニル基を示す。）］で表される芳香族
ジアミンを重縮合させて得られる。
【００１５】本発明における芳香族ジカルボン酸は、芳
香核に２つのカルボキシル基が結合されているものであ
る。もちろん、この芳香環はヘテロ環の導入されたもの
でもよく、また芳香環同士がアルキレン、酸素、カルボ
ニル基などと結合されていてもよい。さらに芳香環に、
たとえば、アルコキシ、アリルオキシ、アルキルアミ
ノ、ハロゲンなどの縮合反応に関与しない置換基が導入
されていてもよい。
香核に２つのカルボキシル基が結合されているものであ
る。もちろん、この芳香環はヘテロ環の導入されたもの
でもよく、また芳香環同士がアルキレン、酸素、カルボ
ニル基などと結合されていてもよい。さらに芳香環に、
たとえば、アルコキシ、アリルオキシ、アルキルアミ
ノ、ハロゲンなどの縮合反応に関与しない置換基が導入
されていてもよい。
【００１６】上記芳香族ジカルボン酸としては、例え
ば、テレフタル酸、イソフタル酸、４，４′−ジフェニ
ルエーテルジカルボン酸、４，４′−ジフェニルスルホ
ンジカルボン酸、４，４′−ジフェニルジカルボン酸、
１，５−ナフタレンジカルボン酸が用いられ、入手が容
易な点からテレフタル酸及びイソフタル酸が好ましい。
芳香族ジカルボン酸の反応性誘導体とは、前記芳香族ジ
カルボン酸のジクロライド、ジブロマイド、ジエステル
等をあげることができる。テレフタル酸ジクロライド、
イソフタル酸ジクロライドが好ましい。
ば、テレフタル酸、イソフタル酸、４，４′−ジフェニ
ルエーテルジカルボン酸、４，４′−ジフェニルスルホ
ンジカルボン酸、４，４′−ジフェニルジカルボン酸、
１，５−ナフタレンジカルボン酸が用いられ、入手が容
易な点からテレフタル酸及びイソフタル酸が好ましい。
芳香族ジカルボン酸の反応性誘導体とは、前記芳香族ジ
カルボン酸のジクロライド、ジブロマイド、ジエステル
等をあげることができる。テレフタル酸ジクロライド、
イソフタル酸ジクロライドが好ましい。
【００１７】前記一般式（ＩＩ）で表される芳香族ジア
ミンとしては、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［３−メチル
−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、
２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］ブタン、２，２−ビス［３−メチル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］ブタン、２，２−ビス
［３，５−ジメチル−４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニルブタン、２，２−ビス［３，５−ジブロモ−４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］ブタン、１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，
１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス
［３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］シクロヘキサン、１，１−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］シクロペンタン、
ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホ
ン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エ
ーテル、４，４′カルボニルビス（ｐ−フェニレンオキ
シ）ジアニリン、４，４′−ビス（４−アミノフェノキ
シ）ビフェニル等がある。これらのうちでは、２，２−
ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパ
ンが好ましい。必要に応じて上記の芳香族ジアミンは２
種以上を用いることができる。
ミンとしては、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［３−メチル
−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、
２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］ブタン、２，２−ビス［３−メチル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］ブタン、２，２−ビス
［３，５−ジメチル−４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニルブタン、２，２−ビス［３，５−ジブロモ−４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］ブタン、１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，
１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス
［３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］シクロヘキサン、１，１−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］シクロペンタン、
ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホ
ン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エ
ーテル、４，４′カルボニルビス（ｐ−フェニレンオキ
シ）ジアニリン、４，４′−ビス（４−アミノフェノキ
シ）ビフェニル等がある。これらのうちでは、２，２−
ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパ
ンが好ましい。必要に応じて上記の芳香族ジアミンは２
種以上を用いることができる。
【００１８】更に本発明においては、一般式（ＩＩ）で
表される芳香族ジアミン以外の公知のジアミン、例え
ば、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′
−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフ
ェニルスルホン、メタフェニレンジアミン、ピペラジ
ン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミ
ン、テトラメチレンジアミン、ｐ−キシリレンジアミ
ン、ｍ−キシリレンジアミン、３−メチルヘプタメチレ
ンジアミン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テト
ラメチルジシロキサン等を併用することができる。これ
らのジアミンのジアミン成分全体に対する割合としては
３０モル％以下であることが好ましい。この割合が３０
モル％を越えると熱安定性、熱溶融性あるいは溶解性が
悪くなる傾向がある。
表される芳香族ジアミン以外の公知のジアミン、例え
ば、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′
−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフ
ェニルスルホン、メタフェニレンジアミン、ピペラジ
ン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミ
ン、テトラメチレンジアミン、ｐ−キシリレンジアミ
ン、ｍ−キシリレンジアミン、３−メチルヘプタメチレ
ンジアミン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テト
ラメチルジシロキサン等を併用することができる。これ
らのジアミンのジアミン成分全体に対する割合としては
３０モル％以下であることが好ましい。この割合が３０
モル％を越えると熱安定性、熱溶融性あるいは溶解性が
悪くなる傾向がある。
【００１９】本発明において、芳香族ジカルボン酸また
はその反応性誘導体の酸成分はジアミン成分の総量に対
して８０〜１２０モル％使用するのが好ましく、特に９
５〜１０５モル％が好ましい。これらを等モル使用した
ときもっとも高分子量のものが得られる。ジアミン成分
に対して上記酸成分が多すぎても少なすぎても分子量が
低下して機械的強度、耐熱性等が低下する傾向がある。
はその反応性誘導体の酸成分はジアミン成分の総量に対
して８０〜１２０モル％使用するのが好ましく、特に９
５〜１０５モル％が好ましい。これらを等モル使用した
ときもっとも高分子量のものが得られる。ジアミン成分
に対して上記酸成分が多すぎても少なすぎても分子量が
低下して機械的強度、耐熱性等が低下する傾向がある。
【００２０】芳香族ジカルボン酸又はその反応性誘導体
とジアミンとの重縮合反応は、常法により行うことがで
きる。
とジアミンとの重縮合反応は、常法により行うことがで
きる。
【００２１】２種以上の芳香族ジアミンを使用するこ
と、あるいは２種以上の芳香族ジカルボン酸又はその反
応性誘導体を使用することにより前記一般式（Ｉ）で表
される繰り返し単位が相違する重合体を得ることができ
る。
と、あるいは２種以上の芳香族ジカルボン酸又はその反
応性誘導体を使用することにより前記一般式（Ｉ）で表
される繰り返し単位が相違する重合体を得ることができ
る。
【００２２】重合体は、ジメチルホルムアミド０．２重
量％溶液における３０℃での還元粘度が０．２〜２．０
ｄｌ／ｇであるのが好ましい。この還元粘度が小さすぎ
ると、耐熱性、機械的強度が低下する傾向があり、大き
すぎると溶融粘度が低下する傾向がある。
量％溶液における３０℃での還元粘度が０．２〜２．０
ｄｌ／ｇであるのが好ましい。この還元粘度が小さすぎ
ると、耐熱性、機械的強度が低下する傾向があり、大き
すぎると溶融粘度が低下する傾向がある。
【００２３】本発明で使用される（Ｂ）エポキシ樹脂
は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物で
あり、例えば、ビスフェノールＡのグリシジルエーテ
ル、ノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂の
ポリグリシジルエーテル、ポリカルボン酸のポリグリシ
ジルエステル、脂肪族環状エポキシ等が挙げられる。ビ
スフェノール系エポキシ樹脂としてはシェル社製エピコ
ート８２８、１００１、１００４、１００７等が、ノボ
ラック系エポキシ樹脂としてはダウケミカル社製ＤＥＮ
４３８が、クレゾールノボラック系エポキシ樹脂として
は日本化薬（株）製ＥＯＣＮ−１０２Ｓが、複素環含有
エポキシ樹脂としては日産化学（株）製ＴＥＰＩＣ（ト
リスグリシジルイソシアヌレート）が、脂環式エポキシ
樹脂としてはＵＣＣ社製ＥＲＬ−４２２１が市販されて
いる。
は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物で
あり、例えば、ビスフェノールＡのグリシジルエーテ
ル、ノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂の
ポリグリシジルエーテル、ポリカルボン酸のポリグリシ
ジルエステル、脂肪族環状エポキシ等が挙げられる。ビ
スフェノール系エポキシ樹脂としてはシェル社製エピコ
ート８２８、１００１、１００４、１００７等が、ノボ
ラック系エポキシ樹脂としてはダウケミカル社製ＤＥＮ
４３８が、クレゾールノボラック系エポキシ樹脂として
は日本化薬（株）製ＥＯＣＮ−１０２Ｓが、複素環含有
エポキシ樹脂としては日産化学（株）製ＴＥＰＩＣ（ト
リスグリシジルイソシアヌレート）が、脂環式エポキシ
樹脂としてはＵＣＣ社製ＥＲＬ−４２２１が市販されて
いる。
【００２４】本発明において、（Ａ）芳香族ポリエーテ
ルアミドと（Ｂ）エポキシ樹脂の配合割合は、両者を合
計した固形分全体に対し、（Ｂ）エポキシ樹脂の配合割
合を１０〜６０重量％にすることが好ましい。エポキシ
樹脂が１０重量％未満の場合には、耐熱性接着剤の溶融
性が低く接着温度が高くなり加工性が低下する傾向があ
り、また６０重量％を越える場合には機械的強度が低下
する傾向がある。
ルアミドと（Ｂ）エポキシ樹脂の配合割合は、両者を合
計した固形分全体に対し、（Ｂ）エポキシ樹脂の配合割
合を１０〜６０重量％にすることが好ましい。エポキシ
樹脂が１０重量％未満の場合には、耐熱性接着剤の溶融
性が低く接着温度が高くなり加工性が低下する傾向があ
り、また６０重量％を越える場合には機械的強度が低下
する傾向がある。
【００２５】また本発明において接着性、機械強度の点
から硬化剤、硬化促進剤を添加して使用してもよい。硬
化剤としては、例えば、ポリカルボン酸無水物、ポリア
ミン、ノボラック樹脂、ポリビニルフェノール類、イミ
ダゾール類、３級アミンおよびその塩、ジシアンジアミ
ドヒドラジッド化合物等のいわゆる潜在性硬化剤などが
あげられる。また、硬化促進剤としては、例えば、フェ
ノール化合物、３級アミン、３級アミン塩、４級アンモ
ニウム塩、４級フォスフォニウム塩、金属アルコラー
ト、有機金属塩、ルイス酸等が使用できる。
から硬化剤、硬化促進剤を添加して使用してもよい。硬
化剤としては、例えば、ポリカルボン酸無水物、ポリア
ミン、ノボラック樹脂、ポリビニルフェノール類、イミ
ダゾール類、３級アミンおよびその塩、ジシアンジアミ
ドヒドラジッド化合物等のいわゆる潜在性硬化剤などが
あげられる。また、硬化促進剤としては、例えば、フェ
ノール化合物、３級アミン、３級アミン塩、４級アンモ
ニウム塩、４級フォスフォニウム塩、金属アルコラー
ト、有機金属塩、ルイス酸等が使用できる。
【００２６】本発明において使用される、（Ｃ）溶媒と
しては、例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジ
エチレングリコールメチルエーテル、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドンなどが挙げられる。これらは、２種以上を使用して
もよい。
しては、例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジ
エチレングリコールメチルエーテル、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドンなどが挙げられる。これらは、２種以上を使用して
もよい。
【００２７】本発明の耐熱性接着剤用組成物をガラス
板、ステンレス板等に流延し乾燥（通常、８０〜１７０
℃で１〜１２０分間）し引き剥すことにより本発明の耐
熱性接着剤をフィルム状として得ることができる。
板、ステンレス板等に流延し乾燥（通常、８０〜１７０
℃で１〜１２０分間）し引き剥すことにより本発明の耐
熱性接着剤をフィルム状として得ることができる。
【００２８】また、この耐熱性接着剤用組成物をポリイ
ミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネー
トフィルム等の支持フィルムの片面または両面に塗工し
乾燥させることにより本発明の耐熱性接着剤層付きフィ
ルムを得ることができる。また、この耐熱性接着剤用組
成物をそのまま被着物に塗布し乾燥し他の被着物と加熱
溶融圧着することができる。本発明の耐熱性接着剤は、
被着体と重ねた後、軟化点以上の温度で加熱溶融圧着
し、更に加熱することにより硬化し、耐熱性、接着強度
にすぐれた接着剤となる。
ミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネー
トフィルム等の支持フィルムの片面または両面に塗工し
乾燥させることにより本発明の耐熱性接着剤層付きフィ
ルムを得ることができる。また、この耐熱性接着剤用組
成物をそのまま被着物に塗布し乾燥し他の被着物と加熱
溶融圧着することができる。本発明の耐熱性接着剤は、
被着体と重ねた後、軟化点以上の温度で加熱溶融圧着
し、更に加熱することにより硬化し、耐熱性、接着強度
にすぐれた接着剤となる。
【００２９】本発明の耐熱性接着剤用組成物には、三酸
化アンチモン、水酸化アルミニウム、ホウ酸バリウム等
の難燃性無機化合物、シリカ、アルミナ、マイカ、酸化
チタン、ジルコニア、珪酸カルシウム、水酸化マグネシ
ウム、酸化マグネシウム、酸化鉄、炭酸カルシウム、炭
化珪素、窒化ホウ素、銀粉、金粉、銅粉、ニッケル粉等
の無機フィラーを接着剤総量に対して７０重量％以下の
割合で含有させてもよい。これら無機フィラーが７０重
量％を越えると、接着剤フローが小さくなり接着強度が
低下する傾向がある。これら以外の充填剤、安定剤、界
面活性剤、溶剤などを目的に応じて含んでいてもよい。
化アンチモン、水酸化アルミニウム、ホウ酸バリウム等
の難燃性無機化合物、シリカ、アルミナ、マイカ、酸化
チタン、ジルコニア、珪酸カルシウム、水酸化マグネシ
ウム、酸化マグネシウム、酸化鉄、炭酸カルシウム、炭
化珪素、窒化ホウ素、銀粉、金粉、銅粉、ニッケル粉等
の無機フィラーを接着剤総量に対して７０重量％以下の
割合で含有させてもよい。これら無機フィラーが７０重
量％を越えると、接着剤フローが小さくなり接着強度が
低下する傾向がある。これら以外の充填剤、安定剤、界
面活性剤、溶剤などを目的に応じて含んでいてもよい。
【００３０】本発明における支持材としては、例えば、
紙フェノール系支持材、エポキシ系支持材、ポリイミド
系支持材等が挙げられる。
紙フェノール系支持材、エポキシ系支持材、ポリイミド
系支持材等が挙げられる。
【００３１】本発明における金属箔としては銅箔、アル
ミ箔、鉄ニッケル合金箔等が挙げられる。
ミ箔、鉄ニッケル合金箔等が挙げられる。
【００３２】支持材と金属箔とを耐熱性接着剤用組成物
を用いて（例えば、耐熱性接着剤からなるシート状接着
剤を介して）接着させてなる印刷回路用基板は有用であ
る。例えば、シート状接着材を支持材と金属箔の間に挾
み１７０〜２３０℃、好ましくは１７０〜２１０℃で５
〜１００ｋｇｆ／ｃｍ2１秒間〜１５分間加圧して圧着
し、ついで１９０〜３７０℃、好ましくは１９０〜２３
０℃、より好ましくは１９０〜２００℃で１〜２０時間
硬化反応を進め接着を完了することにより印刷回路用基
板を製造できる。この時耐熱性接着剤層付きフィルム
（支持フィルムがポリイミドフィルムのもの）を用いれ
ばフレキシブル印刷回路用基板を容易に生産性良く製造
することができる。
を用いて（例えば、耐熱性接着剤からなるシート状接着
剤を介して）接着させてなる印刷回路用基板は有用であ
る。例えば、シート状接着材を支持材と金属箔の間に挾
み１７０〜２３０℃、好ましくは１７０〜２１０℃で５
〜１００ｋｇｆ／ｃｍ2１秒間〜１５分間加圧して圧着
し、ついで１９０〜３７０℃、好ましくは１９０〜２３
０℃、より好ましくは１９０〜２００℃で１〜２０時間
硬化反応を進め接着を完了することにより印刷回路用基
板を製造できる。この時耐熱性接着剤層付きフィルム
（支持フィルムがポリイミドフィルムのもの）を用いれ
ばフレキシブル印刷回路用基板を容易に生産性良く製造
することができる。
【００３３】また、耐熱性接着剤層付きフィルムを用い
れば、高容量の半導体で信頼性の優れたものを作業性、
歩留り良く簡便に製造することができる。例えば、支持
フィルムとしてポリイミドフィルムを用いた耐熱性接着
剤層付きフィルム（両面接着剤層付き）を所定の大きさ
に打ち抜くか、切りとったもの（フィルム片）を、リー
ドフレームと半導体素子の間に挾み１７０〜２３０℃、
好ましくは２００〜２２０℃、より好ましくは２００〜
２１０℃、５〜１００ｋｇｆ／ｃｍ2で１秒間〜１５分
間加圧して圧着し、ついで１９０〜２１０℃、好ましく
は１９０〜２００℃で１〜２０時間硬化反応を進め、そ
の後リードフレームと半導体素子を金線等で接合しエポ
キシ樹脂等の樹脂封止材でトランスファ成形して封止す
ることにより半導体装置を製造することができる。リー
ドフレームのインナーリードに前記フィルム片を適用し
た場合も、同様にして半導体装置を製造することができ
る。
れば、高容量の半導体で信頼性の優れたものを作業性、
歩留り良く簡便に製造することができる。例えば、支持
フィルムとしてポリイミドフィルムを用いた耐熱性接着
剤層付きフィルム（両面接着剤層付き）を所定の大きさ
に打ち抜くか、切りとったもの（フィルム片）を、リー
ドフレームと半導体素子の間に挾み１７０〜２３０℃、
好ましくは２００〜２２０℃、より好ましくは２００〜
２１０℃、５〜１００ｋｇｆ／ｃｍ2で１秒間〜１５分
間加圧して圧着し、ついで１９０〜２１０℃、好ましく
は１９０〜２００℃で１〜２０時間硬化反応を進め、そ
の後リードフレームと半導体素子を金線等で接合しエポ
キシ樹脂等の樹脂封止材でトランスファ成形して封止す
ることにより半導体装置を製造することができる。リー
ドフレームのインナーリードに前記フィルム片を適用し
た場合も、同様にして半導体装置を製造することができ
る。
【００３４】
【実施例】次に、本発明を実施例により説明するが、本
発明はこれらにより制限されるものではない。
発明はこれらにより制限されるものではない。
【００３５】実施例１ 温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留頭をとりつけた４
つ口フラスコに窒素雰囲気下で、２，２−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン２０５ｇ
（０．５モル）及びプロピレンオキサイド６９．６ｇ
（１．２モル）を入れＮ−メチル−２−ピロリドン１２
００ｇに溶解した。この溶液を−５℃に冷却し、この温
度でイソフタル酸ジクロライド１０１．５ｇ（０．５モ
ル）を温度が２０℃を越えないように添加し、室温で３
時間撹拌した。得られた反応液をメタノール中に投入し
て、重合体を単離させた。これを乾燥した後ジメチルホ
ルムアミドに溶解し、これをメタノール中に投入してポ
リエーテルアミド重合体を精製し、減圧乾燥した。この
重合体の還元粘度（ηsp/c）（ジメチルホルムアミド
０．２重量％溶液、３０℃で測定、以下は同様）は１．
０２ｄｌ／ｇであった。得られたポリエーテルアミド粉
末６０ｇと日本化薬（株）製エポキシ樹脂ＥＯＣＮ−１
０２Ｓ（オルソクレゾールノボラック型、エポキシ当量
２０５〜２２５）４０ｇをジエチレングリコールジメチ
ルエーテル２００ｇに溶解してワニスを得た。
つ口フラスコに窒素雰囲気下で、２，２−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン２０５ｇ
（０．５モル）及びプロピレンオキサイド６９．６ｇ
（１．２モル）を入れＮ−メチル−２−ピロリドン１２
００ｇに溶解した。この溶液を−５℃に冷却し、この温
度でイソフタル酸ジクロライド１０１．５ｇ（０．５モ
ル）を温度が２０℃を越えないように添加し、室温で３
時間撹拌した。得られた反応液をメタノール中に投入し
て、重合体を単離させた。これを乾燥した後ジメチルホ
ルムアミドに溶解し、これをメタノール中に投入してポ
リエーテルアミド重合体を精製し、減圧乾燥した。この
重合体の還元粘度（ηsp/c）（ジメチルホルムアミド
０．２重量％溶液、３０℃で測定、以下は同様）は１．
０２ｄｌ／ｇであった。得られたポリエーテルアミド粉
末６０ｇと日本化薬（株）製エポキシ樹脂ＥＯＣＮ−１
０２Ｓ（オルソクレゾールノボラック型、エポキシ当量
２０５〜２２５）４０ｇをジエチレングリコールジメチ
ルエーテル２００ｇに溶解してワニスを得た。
【００３６】このワニスをガラス板上に９０μｍの厚さ
に流延し、１００℃で１５分乾燥後、ガラス板から引き
剥し、鉄枠に固定し１５０℃で３０分乾燥して厚さ２５
μｍの接着剤フィルムを得た。得られたフィルムを、厚
さ５０μｍのポリイミドフィルム（Ｄｕｐｏｎｔ社製カ
プトン）と厚さ３５μｍの片面粗化銅箔の間にはさんで
２１０℃の温度で５０ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力で１０分間
加圧して圧着し更に２００℃で１０時間硬化反応を進め
フレキシブル銅張板を得た。特性を表１に示した。
に流延し、１００℃で１５分乾燥後、ガラス板から引き
剥し、鉄枠に固定し１５０℃で３０分乾燥して厚さ２５
μｍの接着剤フィルムを得た。得られたフィルムを、厚
さ５０μｍのポリイミドフィルム（Ｄｕｐｏｎｔ社製カ
プトン）と厚さ３５μｍの片面粗化銅箔の間にはさんで
２１０℃の温度で５０ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力で１０分間
加圧して圧着し更に２００℃で１０時間硬化反応を進め
フレキシブル銅張板を得た。特性を表１に示した。
【００３７】実施例２ 温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留頭をとりつけた４
つ口フラスコに窒素雰囲気下で、２，２−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン１６４ｇ
（０．４モル）、１，３−ビス（アミノプロピル）テト
ラメチルジシロキサン２４．８ｇ（０．１モル）及びプ
ロピレンオキサイド６９．６ｇ（１．２モル）を入れＮ
−メチル−２−ピロリドン１２００ｇに溶解した。この
溶液を−５℃に冷却し、この温度でイソフタル酸ジクロ
ライド１０１．５ｇ（０．５モル）を温度が２０℃を越
えないように添加し、室温で３時間撹拌した。得られた
反応液をメタノール中に投入して、重合体を単離させ
た。これを乾燥した後ジメチルホルムアミドに溶解し、
これをメタノール中に投入してポリエーテルアミド重合
体を精製し、減圧乾燥した。この重合体の還元粘度は
０．８２ｄｌ／ｇであった。
つ口フラスコに窒素雰囲気下で、２，２−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン１６４ｇ
（０．４モル）、１，３−ビス（アミノプロピル）テト
ラメチルジシロキサン２４．８ｇ（０．１モル）及びプ
ロピレンオキサイド６９．６ｇ（１．２モル）を入れＮ
−メチル−２−ピロリドン１２００ｇに溶解した。この
溶液を−５℃に冷却し、この温度でイソフタル酸ジクロ
ライド１０１．５ｇ（０．５モル）を温度が２０℃を越
えないように添加し、室温で３時間撹拌した。得られた
反応液をメタノール中に投入して、重合体を単離させ
た。これを乾燥した後ジメチルホルムアミドに溶解し、
これをメタノール中に投入してポリエーテルアミド重合
体を精製し、減圧乾燥した。この重合体の還元粘度は
０．８２ｄｌ／ｇであった。
【００３８】得られたポリエーテルアミド粉末６０ｇと
ダウ社製エポキシ樹脂ＤＥＮ４３１（フェノールノボラ
ック型、エポキシ当量１７２〜１７９）４０ｇをジエチ
レングリコールジメチルエーテル２００ｇに溶解してワ
ニスを得た。このワニスを５０μｍの厚さのポリイミド
フィルム（Ｄｕｐｏｎｔ社製カプトン）に９０μｍの厚
さに流延し、１００℃で１５、１５０℃で３０分乾燥し
て厚さ２５μｍの接着剤層の付いたポリイミドフィルム
を得た。得られた接着剤層付きポリイミドフィルムを、
厚さ３５μｍの片面粗化銅箔と１８０℃の温度で３０ｋ
ｇｆ／ｃｍ2の圧力で１０分間加圧して圧着し更に２０
０℃で１０時間硬化反応を進めフレキシブル銅張板を得
た。特性を表１に示した。
ダウ社製エポキシ樹脂ＤＥＮ４３１（フェノールノボラ
ック型、エポキシ当量１７２〜１７９）４０ｇをジエチ
レングリコールジメチルエーテル２００ｇに溶解してワ
ニスを得た。このワニスを５０μｍの厚さのポリイミド
フィルム（Ｄｕｐｏｎｔ社製カプトン）に９０μｍの厚
さに流延し、１００℃で１５、１５０℃で３０分乾燥し
て厚さ２５μｍの接着剤層の付いたポリイミドフィルム
を得た。得られた接着剤層付きポリイミドフィルムを、
厚さ３５μｍの片面粗化銅箔と１８０℃の温度で３０ｋ
ｇｆ／ｃｍ2の圧力で１０分間加圧して圧着し更に２０
０℃で１０時間硬化反応を進めフレキシブル銅張板を得
た。特性を表１に示した。
【００３９】実施例３ 温度計、撹拌器、窒素導入管及び冷却管をとりつけた４
つ口フラスコに窒素雰囲気下で、２，２−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン２０５ｇ
（０．５モル）及びプロピレンオキサイド６９．６ｇ
（１．２モル）を入れＮ−メチル−２−ピロリドン１２
００ｇに溶解した。この溶液を−５℃に冷却し、この温
度でイソフタル酸ジクロライド５０．７５ｇ（０．２５
モル）及びテレフタル酸ジクロライド５０．７５ｇ
（０．２５モル）の混合物を温度が２０℃を越えないよ
うに添加し、室温で３時間撹拌を続けた。得られた反応
液をメタノール中に投入して、重合体を単離させた。こ
れを乾燥した後ジメチルホルムアミドに溶解し、これを
メタノール中に投入してポリエーテルアミド重合体を精
製し、減圧乾燥した。この重合体の還元粘度は０．７５
ｄｌ／ｇであった。得られたポリエーテルアミド粉末６
０ｇとシェル社製エポキシ樹脂エピコート８２８（ビス
フェノールＡ型、エポキシ当量１８４〜１９４）４０ｇ
をジメチルアセトアミド２００ｇに溶解してワニスを得
た。このワニスをガラス板上に９０μｍの厚さに流延
し、１００℃で１５分乾燥後、ガラス板から引き剥し、
鉄枠に固定し２００℃で１０分乾燥して厚さ２５μｍの
接着剤フィルムを得た。得られたフィルムを、厚さ５０
μｍのポリイミドフィルム（宇部興産社製ユーピレック
スＳ）と厚さ３５μｍの片面粗化銅箔の間にはさんで２
１０℃の温度で５０Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で１０分間加圧
して圧着し更に２００℃で５時間硬化反応を進めフレキ
シブル銅張板を得た。特性を表１に示した。
つ口フラスコに窒素雰囲気下で、２，２−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン２０５ｇ
（０．５モル）及びプロピレンオキサイド６９．６ｇ
（１．２モル）を入れＮ−メチル−２−ピロリドン１２
００ｇに溶解した。この溶液を−５℃に冷却し、この温
度でイソフタル酸ジクロライド５０．７５ｇ（０．２５
モル）及びテレフタル酸ジクロライド５０．７５ｇ
（０．２５モル）の混合物を温度が２０℃を越えないよ
うに添加し、室温で３時間撹拌を続けた。得られた反応
液をメタノール中に投入して、重合体を単離させた。こ
れを乾燥した後ジメチルホルムアミドに溶解し、これを
メタノール中に投入してポリエーテルアミド重合体を精
製し、減圧乾燥した。この重合体の還元粘度は０．７５
ｄｌ／ｇであった。得られたポリエーテルアミド粉末６
０ｇとシェル社製エポキシ樹脂エピコート８２８（ビス
フェノールＡ型、エポキシ当量１８４〜１９４）４０ｇ
をジメチルアセトアミド２００ｇに溶解してワニスを得
た。このワニスをガラス板上に９０μｍの厚さに流延
し、１００℃で１５分乾燥後、ガラス板から引き剥し、
鉄枠に固定し２００℃で１０分乾燥して厚さ２５μｍの
接着剤フィルムを得た。得られたフィルムを、厚さ５０
μｍのポリイミドフィルム（宇部興産社製ユーピレック
スＳ）と厚さ３５μｍの片面粗化銅箔の間にはさんで２
１０℃の温度で５０Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で１０分間加圧
して圧着し更に２００℃で５時間硬化反応を進めフレキ
シブル銅張板を得た。特性を表１に示した。
【００４０】比較例１ 実施例１においてエポキシ樹脂４０ｇを０ｇに、ワニス
を得るときの溶剤ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル２００ｇを１４０ｇに変更する以外は実施例１と同様
にして銅張板を得ようとしたが該加熱圧着条件では接着
できなかった。
を得るときの溶剤ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル２００ｇを１４０ｇに変更する以外は実施例１と同様
にして銅張板を得ようとしたが該加熱圧着条件では接着
できなかった。
【００４１】比較例２ 実施例１においてエポキシ樹脂４０ｇを０ｇに、ワニス
を得るときの溶剤ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル２００ｇを１４０ｇに変更する以外は実施例１と同様
にして接着フィルムを得、加熱圧着条件を３５０℃の温
度で５０Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で１分間加圧し銅張板を得
た。特性を表１に示した。
を得るときの溶剤ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル２００ｇを１４０ｇに変更する以外は実施例１と同様
にして接着フィルムを得、加熱圧着条件を３５０℃の温
度で５０Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で１分間加圧し銅張板を得
た。特性を表１に示した。
【００４２】比較例３ 実施例１において得られたポリエーテルアミド粉末６０
ｇを３０ｇに、エポキシ樹脂４０ｇを７０ｇに変更する
以外は実施例１と同様にして接着フィルムを得ようとし
たが脆くてフィルム化できなかった。
ｇを３０ｇに、エポキシ樹脂４０ｇを７０ｇに変更する
以外は実施例１と同様にして接着フィルムを得ようとし
たが脆くてフィルム化できなかった。
【００４３】実施例４ 実施例２において、得られたポリエーテルアミド粉末と
エポキシ樹脂をジエチレングリコールジメチルエーテル
に溶解して接着剤用ワニスを得るとき、硬化剤として四
国化成（株）製２Ｅ４ＭＺ（２−エチル−４−メチルイ
ミダゾール）を０．８ｇ加える以外は実施例１と同様に
して銅張板を得た。特性を表１に示した。
エポキシ樹脂をジエチレングリコールジメチルエーテル
に溶解して接着剤用ワニスを得るとき、硬化剤として四
国化成（株）製２Ｅ４ＭＺ（２−エチル−４−メチルイ
ミダゾール）を０．８ｇ加える以外は実施例１と同様に
して銅張板を得た。特性を表１に示した。
【００４４】実施例５ 実施例２において、得られたポリエーテルアミド粉末と
エポキシ樹脂をジエチレングリコールジメチルエーテル
に溶解して接着剤用ワニスを得るとき、硬化剤として丸
善石油化学（株）製レジンＭ（ポリビニルフェノール）
を４．０ｇ加える以外は実施例１と同様にして銅張板を
得た。特性を表１に示した。
エポキシ樹脂をジエチレングリコールジメチルエーテル
に溶解して接着剤用ワニスを得るとき、硬化剤として丸
善石油化学（株）製レジンＭ（ポリビニルフェノール）
を４．０ｇ加える以外は実施例１と同様にして銅張板を
得た。特性を表１に示した。
【００４５】実施例６ 実施例２において、得られたポリエーテルアミド粉末と
エポキシ樹脂をジエチレングリコールジメチルエーテル
に溶解して接着剤用ワニスを得るとき、硬化剤として無
水トリメリット酸０．４ｇ加える以外は実施例１と同様
にして銅張板を得た。特性を表１に示した。
エポキシ樹脂をジエチレングリコールジメチルエーテル
に溶解して接着剤用ワニスを得るとき、硬化剤として無
水トリメリット酸０．４ｇ加える以外は実施例１と同様
にして銅張板を得た。特性を表１に示した。
【００４６】実施例７〜８ 実施例１において、得られたポリエーテルアミド粉末と
エポキシ樹脂の配合料を表１のように変更する以外は実
施例１と同様にして銅張板を得た。特性を表１に示し
た。
エポキシ樹脂の配合料を表１のように変更する以外は実
施例１と同様にして銅張板を得た。特性を表１に示し
た。
【００４７】
【表１】
【００４８】硬化後の接着剤のＴｇ（ガラス転移温度）
は動的粘弾性測定装置（（株）レオロジ社製ＦＴレオス
ペクトラー）により周波数１０Ｈｚ、昇温速度２℃／ｍ
ｉｎで測定したときの損失弾性率のピークより求めた。
銅箔引き剥し強さは、２３℃において引張り速度５０ｍ
ｍ／ｍｉｎで９０°引き剥し強さを測定した。はんだ耐
熱性は２０ｍｍ角の試験片をはんだ浴上に銅箔を下側に
して浮かべた後、ふくれの有無を観察した。表１におい
て〇はふくれ無し、×はふくれ有りを示す。
は動的粘弾性測定装置（（株）レオロジ社製ＦＴレオス
ペクトラー）により周波数１０Ｈｚ、昇温速度２℃／ｍ
ｉｎで測定したときの損失弾性率のピークより求めた。
銅箔引き剥し強さは、２３℃において引張り速度５０ｍ
ｍ／ｍｉｎで９０°引き剥し強さを測定した。はんだ耐
熱性は２０ｍｍ角の試験片をはんだ浴上に銅箔を下側に
して浮かべた後、ふくれの有無を観察した。表１におい
て〇はふくれ無し、×はふくれ有りを示す。
【００４９】実施例９ 実施例１で得られた接着剤用ワニスを支持フィルムとし
ての５０μｍの厚さのポリイミドフィルム３Ａ（宇部興
産（株）製ユーピレックスＳ）に５０μｍの厚さに流延
し１００℃で１５分乾燥し、引き続きポリイミド面に接
着剤用ワニスを５０μｍの厚みに流延し１００℃で１５
分、２００℃で３０分乾燥して表裏各１０μｍの耐熱性
接着剤層３Ｂの付いたポリイミドフィルムを得た。得ら
れた耐熱性接着剤層付きポリイミドフィルムを打ち抜き
図２に示すようにリードフレーム２と半導体素子４の間
に挾み２１０℃の温度で５ｋｇ／ｃｍ2の圧力で１０分
間加圧して圧着し更に２００℃で５時間硬化反応を進め
た。その後、リードフレームと半導体素子をボンディン
グワイヤ（金線）５で接合しエポキシ樹脂封止材６でト
ランスファ成形し封止した。この樹脂封止型半導体装置
１の８０℃、９０％ＲＨ、１０００時間後の故障率は０
／１００（１００個のうち０個）と優れていた。図１
は、この半導体装置の平面模式図であり、図２は図１に
おけるＩ−Ｉ線断面図である。図１及び図２において、
１は半導体装置、２はリードフレーム、３Ａは支持フィ
ルム、３Ｂは耐熱性接着剤層、４は半導体素子、５はボ
ンディングワイヤ及び６は樹脂封止材である。
ての５０μｍの厚さのポリイミドフィルム３Ａ（宇部興
産（株）製ユーピレックスＳ）に５０μｍの厚さに流延
し１００℃で１５分乾燥し、引き続きポリイミド面に接
着剤用ワニスを５０μｍの厚みに流延し１００℃で１５
分、２００℃で３０分乾燥して表裏各１０μｍの耐熱性
接着剤層３Ｂの付いたポリイミドフィルムを得た。得ら
れた耐熱性接着剤層付きポリイミドフィルムを打ち抜き
図２に示すようにリードフレーム２と半導体素子４の間
に挾み２１０℃の温度で５ｋｇ／ｃｍ2の圧力で１０分
間加圧して圧着し更に２００℃で５時間硬化反応を進め
た。その後、リードフレームと半導体素子をボンディン
グワイヤ（金線）５で接合しエポキシ樹脂封止材６でト
ランスファ成形し封止した。この樹脂封止型半導体装置
１の８０℃、９０％ＲＨ、１０００時間後の故障率は０
／１００（１００個のうち０個）と優れていた。図１
は、この半導体装置の平面模式図であり、図２は図１に
おけるＩ−Ｉ線断面図である。図１及び図２において、
１は半導体装置、２はリードフレーム、３Ａは支持フィ
ルム、３Ｂは耐熱性接着剤層、４は半導体素子、５はボ
ンディングワイヤ及び６は樹脂封止材である。
【００５０】
【発明の効果】本発明の耐熱性接着剤用組成物は、乾燥
して耐熱性接着剤を得ることができ、また、この耐熱性
接着剤は低い温度で加熱溶融接着ができ、さらに加熱溶
融圧着後、硬化反応を進めることですぐれた接着力、耐
熱性、耐湿性、絶縁性を示す。本発明の耐熱性接着剤
は、あらかじめフィルム状として使用することができ
る。このフィルム状の耐熱性接着剤は、強じんなもので
あり、打ち抜き加工してもバリがでないハンドリング性
の高いものである。また、ポリイミドフィルム等の支持
フィルムに塗布乾燥し、耐熱性接着剤層付きフィルムと
し、これを他の被着体と加熱溶融接着することもでき
る。そして、本発明の耐熱性接着剤を用いた印刷回路用
基板は、耐熱性、接着力、絶縁性、耐湿性にすぐれ、高
温にさらされてもすぐれた性能を発揮する信頼性の高い
ものである。本発明の耐熱性接着剤層付きフィルムを用
いることにより、極めて簡便に高容量で信頼性の優れた
半導体装置を製造することができる。
して耐熱性接着剤を得ることができ、また、この耐熱性
接着剤は低い温度で加熱溶融接着ができ、さらに加熱溶
融圧着後、硬化反応を進めることですぐれた接着力、耐
熱性、耐湿性、絶縁性を示す。本発明の耐熱性接着剤
は、あらかじめフィルム状として使用することができ
る。このフィルム状の耐熱性接着剤は、強じんなもので
あり、打ち抜き加工してもバリがでないハンドリング性
の高いものである。また、ポリイミドフィルム等の支持
フィルムに塗布乾燥し、耐熱性接着剤層付きフィルムと
し、これを他の被着体と加熱溶融接着することもでき
る。そして、本発明の耐熱性接着剤を用いた印刷回路用
基板は、耐熱性、接着力、絶縁性、耐湿性にすぐれ、高
温にさらされてもすぐれた性能を発揮する信頼性の高い
ものである。本発明の耐熱性接着剤層付きフィルムを用
いることにより、極めて簡便に高容量で信頼性の優れた
半導体装置を製造することができる。
【図１】実施例８における耐熱性接着剤層付きフィルム
を用いた半導体装置平面模式図。
を用いた半導体装置平面模式図。
【図２】図１のＩ−Ｉ線断面図。
１ 半導体装置 ２ リードフレーム ２Ａ インナーリード ２Ｂ アウターリード ３Ａ 支持フィルム ３Ｂ 耐熱性接着剤層 ４ 半導体素子 ４Ａ 外部端子 ５ ボンディングワイヤ ６ 樹脂封止材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 向山 吉之 千葉県市原市五井南海岸14番地 日立化成 工業株式会社五井工場内 (72)発明者 森永 喬 千葉県市原市五井南海岸14番地 日立化成 工業株式会社五井工場内
Claims (9)
- 【請求項１】 （Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される繰り
返し単位を有する芳香族ポリエーテルアミド、（Ｂ）エ
ポキシ樹脂及び（Ｃ）溶媒を含んでなる耐熱性接着剤用
組成物。 【化１】 ［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立に水
素、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン
原子を示し、Ｘは結合、 【化２】 を示し（ここでＲ５およびＲ６はそれぞれ独立に水素、
低級アルキル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメ
チル基またはフェニル基を示す）、Ｘは繰り返し単位毎
に相違してもよく、Ａｒは芳香族の２価の基を示す］ - 【請求項２】 前記（Ａ）芳香族ポリエーテルアミドと
前記（Ｂ）エポキシ樹脂の重量比（Ａ）／（Ｂ）が９０
／１０〜４０／６０である請求項１記載の耐熱性接着剤
用組成物。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の耐熱性接着剤用組
成物を乾燥させてなる耐熱性接着剤。 - 【請求項４】 支持フィルムの片面又は両面に、請求項
１又は２記載の耐熱性接着剤用組成物を塗布し、乾燥さ
せた耐熱性接着剤層付きフィルム。 - 【請求項５】 支持材と金属箔とを、請求項１又は２記
載の耐熱性接着剤用組成物を用いて接着させてなる印刷
回路用基板。 - 【請求項６】 リードフレームと半導体素子とを、請求
項１又は２記載の耐熱性接着剤用組成物を乾燥させて得
られる耐熱性接着剤層を介して接着させてなる半導体装
置。 - 【請求項７】 リードフレームと半導体素子とを、請求
項４記載の耐熱性接着剤層付きフィルムを介して接着さ
せてなる半導体装置。 - 【請求項８】 リードフレームのインナーリードと半導
体素子とを、請求項１又は２記載の耐熱性接着剤用組成
物を乾燥させて得られる耐熱性接着剤層を介して接着さ
せてなる半導体装置。 - 【請求項９】 リードフレームのインナーリードと半導
体素子とを、請求項４記載の耐熱性接着剤層付きフィル
ムを介して接着させてなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3277665A JPH05117620A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | 耐熱性接着剤用組成物、耐熱性接着剤、耐熱性接着剤層付きフイルム、印刷回路用基板及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3277665A JPH05117620A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | 耐熱性接着剤用組成物、耐熱性接着剤、耐熱性接着剤層付きフイルム、印刷回路用基板及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05117620A true JPH05117620A (ja) | 1993-05-14 |
Family
ID=17586596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3277665A Pending JPH05117620A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | 耐熱性接着剤用組成物、耐熱性接着剤、耐熱性接着剤層付きフイルム、印刷回路用基板及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05117620A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001207022A (ja) * | 2000-01-26 | 2001-07-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用樹脂ペースト及びそれを用いた半導体装置 |
-
1991
- 1991-10-24 JP JP3277665A patent/JPH05117620A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001207022A (ja) * | 2000-01-26 | 2001-07-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用樹脂ペースト及びそれを用いた半導体装置 |
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