JPH05117656A - 光刺激可能リン光体及び放射線写真におけるその使用 - Google Patents
光刺激可能リン光体及び放射線写真におけるその使用Info
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- JPH05117656A JPH05117656A JP4092021A JP9202192A JPH05117656A JP H05117656 A JPH05117656 A JP H05117656A JP 4092021 A JP4092021 A JP 4092021A JP 9202192 A JP9202192 A JP 9202192A JP H05117656 A JPH05117656 A JP H05117656A
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- niobium
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- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
- C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/7735—Germanates
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
- G21K2004/06—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens with a phosphor layer
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【構成】光刺激可能X線エネルギー吸収性ハロシリケー
ト、ハロゲルマネート又はハロ(シリケート−ゲルマネ
ート)リン光体であり、前記リン光体が宿主金属として
少なくとも1種のアルカリ土類金属、ハロゲンとしてC
l,Br及びIからなる群から選択した少なくとも1
員、ドープ剤としてEu2+及び共ドープ剤としてニオブ
及びタンタルからなる群から選択した少なくとも1員を
含有するリン光体及びスクリーン又はパネル中でこれを
含有する結合剤層によりX線パターンを記録、再生する
方法。 【効果】これらのリン光体は非吸湿性であり、周波数二
重Nd:YAGレーザーの刺激性光及び/又は514.
5nmで放出するアルゴンイオンレーザーの刺激性光に
よって非常に効率的に放出する。
ト、ハロゲルマネート又はハロ(シリケート−ゲルマネ
ート)リン光体であり、前記リン光体が宿主金属として
少なくとも1種のアルカリ土類金属、ハロゲンとしてC
l,Br及びIからなる群から選択した少なくとも1
員、ドープ剤としてEu2+及び共ドープ剤としてニオブ
及びタンタルからなる群から選択した少なくとも1員を
含有するリン光体及びスクリーン又はパネル中でこれを
含有する結合剤層によりX線パターンを記録、再生する
方法。 【効果】これらのリン光体は非吸湿性であり、周波数二
重Nd:YAGレーザーの刺激性光及び/又は514.
5nmで放出するアルゴンイオンレーザーの刺激性光に
よって非常に効率的に放出する。
Description
【0001】本発明は光刺激可能(photostimulable )
リン光体及びスクリーン又はパネル中で前記リン光体を
含有する結合剤層によりX線パターンを記録及び再生す
る方法に関する。
リン光体及びスクリーン又はパネル中で前記リン光体を
含有する結合剤層によりX線パターンを記録及び再生す
る方法に関する。
【0002】X線が適切な物質を発光させることができ
ることは良く知られている。X線の影響の下に発光する
現象を示す物質はリン光体と称される。
ることは良く知られている。X線の影響の下に発光する
現象を示す物質はリン光体と称される。
【0003】従来の放射線写真法によれば、写真ハロゲ
ン化銀乳剤フィルムが増感スクリーンと称されるシート
状材料と組合されており、増感スクリーンは、フィルム
がX線で直接露光されるよりも非常に大なる感光性であ
る蛍光にX線を変換する結合剤中に分散した微粒子状リ
ン光体を含有する。
ン化銀乳剤フィルムが増感スクリーンと称されるシート
状材料と組合されており、増感スクリーンは、フィルム
がX線で直接露光されるよりも非常に大なる感光性であ
る蛍光にX線を変換する結合剤中に分散した微粒子状リ
ン光体を含有する。
【0004】前記スクリーンで使用するリン光体は、X
線露光時に高即発発光を有すべきであるが、X線露光を
閉じた後適切な長さの発光を示さない。
線露光時に高即発発光を有すべきであるが、X線露光を
閉じた後適切な長さの発光を示さない。
【0005】例えばUS−P3859527及び425
8264に記載されているX線パターンを記録し、再生
する別の方法によれば、光刺激可能リン光体として知ら
れている特殊なリン光体が使用され、これはパネル中に
組入れられて、入射パターン状に変調されたX線に対し
露光され、その結果としてX線放射線パターンから生ず
るエネルギーをその中に一時的に貯蔵する。X線露光後
或る間隔で、可視光又は赤外光のビームがパネルを走査
し、検出しかつ続いて可視像を作るため処理できる逐次
電気信号に変えられる光として貯蔵されたエネルギーの
放出を刺激する。このためには刺激可能リン光体は、入
射X線エネルギーをできる限り多く貯蔵し、走査ビーム
によって刺激されるまで貯蔵されたエネルギーをできる
限り徐々に放出すべきである。換言すれば、リン光体は
遅い暗崩壊を有する高エネルギー貯蔵能力を有すべきで
ある。それに加えて、光刺激時の貯蔵されたエネルギー
の放出は充分に行われるべきである、即ち刺激性光(st
imulating light )の波長範囲とは充分に離れた波長範
囲を有する刺激光(stimulation light )形で、適切な
読取時間内で貯蔵されたエネルギーの殆ど全部が放出さ
れるべきである。実際に、刺激可能リン光体は、He−
Neレーザー(633nm)、ルビーレーザー(694
nm)、周波数二重ネオジムYAGレーザー(532n
m)又はアルゴンイオンレーザー(514.5nm)が
放出するような500〜700nmの波長範囲で刺激性
光に対して高い感度を有すべきである。これらの市販の
レーザーの中から、アルゴンイオンレーザーが最も強力
であり、逐次露光(走査)において、読取時間を短縮す
る可能性を提供する。
8264に記載されているX線パターンを記録し、再生
する別の方法によれば、光刺激可能リン光体として知ら
れている特殊なリン光体が使用され、これはパネル中に
組入れられて、入射パターン状に変調されたX線に対し
露光され、その結果としてX線放射線パターンから生ず
るエネルギーをその中に一時的に貯蔵する。X線露光後
或る間隔で、可視光又は赤外光のビームがパネルを走査
し、検出しかつ続いて可視像を作るため処理できる逐次
電気信号に変えられる光として貯蔵されたエネルギーの
放出を刺激する。このためには刺激可能リン光体は、入
射X線エネルギーをできる限り多く貯蔵し、走査ビーム
によって刺激されるまで貯蔵されたエネルギーをできる
限り徐々に放出すべきである。換言すれば、リン光体は
遅い暗崩壊を有する高エネルギー貯蔵能力を有すべきで
ある。それに加えて、光刺激時の貯蔵されたエネルギー
の放出は充分に行われるべきである、即ち刺激性光(st
imulating light )の波長範囲とは充分に離れた波長範
囲を有する刺激光(stimulation light )形で、適切な
読取時間内で貯蔵されたエネルギーの殆ど全部が放出さ
れるべきである。実際に、刺激可能リン光体は、He−
Neレーザー(633nm)、ルビーレーザー(694
nm)、周波数二重ネオジムYAGレーザー(532n
m)又はアルゴンイオンレーザー(514.5nm)が
放出するような500〜700nmの波長範囲で刺激性
光に対して高い感度を有すべきである。これらの市販の
レーザーの中から、アルゴンイオンレーザーが最も強力
であり、逐次露光(走査)において、読取時間を短縮す
る可能性を提供する。
【0006】刺激光と称される、リン光体を刺激するこ
とによって放出される光は、300〜500nmの波長
範囲にあるのが好ましい、これは光電子増倍管が高い光
量子効率を有し(定期刊行物Radiography 、1983年
9月、834頁参照)、刺激光が適切なカットオフフィ
ルターによって刺激性光から効率的に分離できる。
とによって放出される光は、300〜500nmの波長
範囲にあるのが好ましい、これは光電子増倍管が高い光
量子効率を有し(定期刊行物Radiography 、1983年
9月、834頁参照)、刺激光が適切なカットオフフィ
ルターによって刺激性光から効率的に分離できる。
【0007】前述した刊行物に記載されている如く、刺
激可能リン光体を含有する像形成プレートは、それが含
有する残存エネルギーを消すため、それを光で全面露光
することにより、簡単にX線像を貯蔵するために繰返し
使用できる。
激可能リン光体を含有する像形成プレートは、それが含
有する残存エネルギーを消すため、それを光で全面露光
することにより、簡単にX線像を貯蔵するために繰返し
使用できる。
【0008】実際上有用なリン光体に対する別の重要な
性質は、その化学的安定性、特にその湿分に対する抵抗
性である、何故なら吸湿性リン光体は湿潤されるような
ったとき発光力を失うことで悩まされるからである。
性質は、その化学的安定性、特にその湿分に対する抵抗
性である、何故なら吸湿性リン光体は湿潤されるような
ったとき発光力を失うことで悩まされるからである。
【0009】US−P4587036から知ることがで
きるように、幾つかのユーロピウムドープしたアルカリ
土類金属フルオロハロゲン化物(EP0021342に
記載されている)は水分に対して敏感であり、これによ
ってそれらの蛍光力が低下する。
きるように、幾つかのユーロピウムドープしたアルカリ
土類金属フルオロハロゲン化物(EP0021342に
記載されている)は水分に対して敏感であり、これによ
ってそれらの蛍光力が低下する。
【0010】公開されたヨーロッパ特許出願03041
21には、Eu2+及び/又はCe3+ドープした(活性化
した)ハロシリケートが記載されている、これは特に耐
湿性であり、514.5nmのアルゴンイオンレーザー
光で刺激したとき可視刺激光への貯蔵されたX線エネル
ギーの高変換効率を有する。
21には、Eu2+及び/又はCe3+ドープした(活性化
した)ハロシリケートが記載されている、これは特に耐
湿性であり、514.5nmのアルゴンイオンレーザー
光で刺激したとき可視刺激光への貯蔵されたX線エネル
ギーの高変換効率を有する。
【0011】公開されたヨーロッパ特許出願03822
95には、Eu2+及び/又はCe3+ドープした(活性化
した)ハロゲルマネート及びハロ(シリケート−ゲルマ
ネート)リン光体が記載されており、これは特に耐湿性
であり、600nmを越える波長範囲の光、例えば63
3nmのHe−Neレーザー光で刺激したとき可視刺激
光への貯蔵されたX線エネルギーの高変換効率を有す
る。
95には、Eu2+及び/又はCe3+ドープした(活性化
した)ハロゲルマネート及びハロ(シリケート−ゲルマ
ネート)リン光体が記載されており、これは特に耐湿性
であり、600nmを越える波長範囲の光、例えば63
3nmのHe−Neレーザー光で刺激したとき可視刺激
光への貯蔵されたX線エネルギーの高変換効率を有す
る。
【0012】一般に知られている如く、大部分のリン光
体はそれらの実験式構造中に、1種以上の宿主(host)
金属及び1種以上の共ドープ剤と混合した形でのドープ
剤又は活性剤金属を含有する。宿主金属はリン光体にX
線停止力を与え、ドープ剤及び共ドープ剤との関連にお
いてそのエネルギー貯蔵能力を決定し、刺激したときの
発光スペクトル及び吸収されたX線エネルギーの放出さ
れる蛍光への変換効率はドープ剤及び場合によって存在
する共ドープ剤によって主として決定される。
体はそれらの実験式構造中に、1種以上の宿主(host)
金属及び1種以上の共ドープ剤と混合した形でのドープ
剤又は活性剤金属を含有する。宿主金属はリン光体にX
線停止力を与え、ドープ剤及び共ドープ剤との関連にお
いてそのエネルギー貯蔵能力を決定し、刺激したときの
発光スペクトル及び吸収されたX線エネルギーの放出さ
れる蛍光への変換効率はドープ剤及び場合によって存在
する共ドープ剤によって主として決定される。
【0013】本発明の目的は、貯蔵されたX線エネルギ
ーの刺激された放出によりX線像を記録し、再生する方
法において、光刺激可能リン光体として特に有用である
新規なハロシリケート、ハロゲルマネート及びハロ(シ
リケート−ゲルマネート)化合物を提供することにあ
る。
ーの刺激された放出によりX線像を記録し、再生する方
法において、光刺激可能リン光体として特に有用である
新規なハロシリケート、ハロゲルマネート及びハロ(シ
リケート−ゲルマネート)化合物を提供することにあ
る。
【0014】特に本発明の目的は、非吸湿性であり、周
波数二重Nd:YAGレーザーの刺激性光及び/又は5
14.5nmで放出するアルゴンイオンレーザーの刺激
性光によって非常に効率的に放出されうる新規なハロシ
リケート化合物を提供することにある。
波数二重Nd:YAGレーザーの刺激性光及び/又は5
14.5nmで放出するアルゴンイオンレーザーの刺激
性光によって非常に効率的に放出されうる新規なハロシ
リケート化合物を提供することにある。
【0015】本発明の別の目的は、結合剤層中に分散さ
せた前記新規リン光体を含有するX線スクリーン又はパ
ネルを提供することにある。
せた前記新規リン光体を含有するX線スクリーン又はパ
ネルを提供することにある。
【0016】本発明の更に別の目的は、前記新規リン光
体をX線放射線中に含有されたエネルギーを貯蔵するた
めに使用し、前記エネルギーを検出される蛍光の形で光
刺激によって再び放出するようなX線放射線のパターン
を記録し、再生する方法を提供することにある。
体をX線放射線中に含有されたエネルギーを貯蔵するた
めに使用し、前記エネルギーを検出される蛍光の形で光
刺激によって再び放出するようなX線放射線のパターン
を記録し、再生する方法を提供することにある。
【0017】本発明の別の目的及び利点は以下の説明か
ら明らかになるであろう。
ら明らかになるであろう。
【0018】本発明によれば光刺激可能X線エネルギー
吸収性ハロシリケート、ハロゲルマネート又はハロ(シ
リケート−ゲルマネート)リン光体を提供し、前記リン
光体は、宿主金属として少なくとも1種のアルカリ土類
金属、ハロゲンとしてCl,Br及びIからなる群から
選択した少なくとも1員、ドープ剤としてEu2+及び共
ドープ剤としてニオブ及びタンタルからなる群から選択
した少なくとも1員を含有することを特徴とする。
吸収性ハロシリケート、ハロゲルマネート又はハロ(シ
リケート−ゲルマネート)リン光体を提供し、前記リン
光体は、宿主金属として少なくとも1種のアルカリ土類
金属、ハロゲンとしてCl,Br及びIからなる群から
選択した少なくとも1員、ドープ剤としてEu2+及び共
ドープ剤としてニオブ及びタンタルからなる群から選択
した少なくとも1員を含有することを特徴とする。
【0019】「シリケート」なる語は、ケイ素及び酸素
からなるアニオンを含む化合物に適用し、一方「ゲルマ
ネート」なる語はゲルマニウム及び酸素からなるアニオ
ンを含む化合物に適用する。
からなるアニオンを含む化合物に適用し、一方「ゲルマ
ネート」なる語はゲルマニウム及び酸素からなるアニオ
ンを含む化合物に適用する。
【0020】「シリケート−ゲルマネート」なる語は、
ケイ素、ゲルマニウム及び酸素からなるアニオンを含む
化合物に適用する。
ケイ素、ゲルマニウム及び酸素からなるアニオンを含む
化合物に適用する。
【0021】本発明による特に有用なリン光体は、宿主
金属としてBa,Sr及びCaからなる群から選択した
少なくとも1種のアルカリ土類金属を含有する。
金属としてBa,Sr及びCaからなる群から選択した
少なくとも1種のアルカリ土類金属を含有する。
【0022】本発明による好ましいリン光体は下記実験
式の範囲内にある:
式の範囲内にある:
【0023】 Ba5-(n+p+q) Zq Gev Siw O4 X6 :Eun 2+ ,Dp m+ ,Mz
【0024】式中Zはストロンチウム及びカルシウムか
らなる群から選択した少なくとも1種の共宿主金属であ
り、qは0〜0.5の範囲であり、vは0であるか又は
大きくても1に等しく、v+w=1であり、Xは臭素及
び/又は塩素であり、nは0.0001〜0.15の範
囲であり、pは0〜0.015の範囲であり、DはNa
+ 、K+ 、及びEu2+及びCe3+以外の稀土類金属イオ
ン、例えばY3+からなる群から選択した少なくとも1種
の共ドープ剤であり、mは1又は3であり、Mはニオブ
及び/又はタンタルであり、そしてzは0.001〜
0.1の範囲である。
らなる群から選択した少なくとも1種の共宿主金属であ
り、qは0〜0.5の範囲であり、vは0であるか又は
大きくても1に等しく、v+w=1であり、Xは臭素及
び/又は塩素であり、nは0.0001〜0.15の範
囲であり、pは0〜0.015の範囲であり、DはNa
+ 、K+ 、及びEu2+及びCe3+以外の稀土類金属イオ
ン、例えばY3+からなる群から選択した少なくとも1種
の共ドープ剤であり、mは1又は3であり、Mはニオブ
及び/又はタンタルであり、そしてzは0.001〜
0.1の範囲である。
【0025】Mがニオブであるとき、zは0.001〜
0.02の範囲であるのが好ましく、Mがタンタルであ
るとき、zは0.02〜0.1の範囲であるのが好まし
い。
0.02の範囲であるのが好ましく、Mがタンタルであ
るとき、zは0.02〜0.1の範囲であるのが好まし
い。
【0026】本発明による他のリン光体は下記実験式の
範囲内にある:
範囲内にある:
【0027】 Sr5-(n+p+q) Zq Gev Siw O4 X6 :Eun 2+ ,Dp m+ ,Mz
【0028】式中Zはバリウム及びカルシウムからなる
群から選択した少なくとも1種の共宿主金属であり、q
は0〜0.5の範囲であり、vは0であるか又は大きく
ても1に等しく、v+w=1であり、Xは臭素及び/又
は塩素であり、好ましくは臭素であり、nは0.000
1〜0.15の範囲であり、pは0〜0.015の範囲
であり、DはNa+ 、K+ 、及びEu2+及びCe3+以外
の稀土類金属イオン、例えばY3+からなる群から選択し
た少なくとも1種の共ドープ剤であり、mは1又は3で
あり、Mはニオブ及び/又はタンタルであり、そしてz
は0.001〜0.1の範囲である。
群から選択した少なくとも1種の共宿主金属であり、q
は0〜0.5の範囲であり、vは0であるか又は大きく
ても1に等しく、v+w=1であり、Xは臭素及び/又
は塩素であり、好ましくは臭素であり、nは0.000
1〜0.15の範囲であり、pは0〜0.015の範囲
であり、DはNa+ 、K+ 、及びEu2+及びCe3+以外
の稀土類金属イオン、例えばY3+からなる群から選択し
た少なくとも1種の共ドープ剤であり、mは1又は3で
あり、Mはニオブ及び/又はタンタルであり、そしてz
は0.001〜0.1の範囲である。
【0029】光刺激によるX線像再生に特に有用である
本発明によるリン光体は、下記実験式(I)又は(II)
の範囲内にある:
本発明によるリン光体は、下記実験式(I)又は(II)
の範囲内にある:
【0030】 (I)Ba5-(n+p) Gev Siw O4 X6 :Eun 2+ ,Dp m+ ,Mz
【0031】 (II)Sr5-(n+p) Gev Siw O4 Br6 :Eun 2+ ,Dp m+ ,Mz
【0032】式中vは0であるか又は大きくても1に等
しく、v+w=1であり、Xは臭素及び/又は塩素であ
り、nは0.0001〜0.15の範囲であり、pは0
〜0.015の範囲であり、DはNa+ 、K+ 、及びE
u2+及びCe3+以外の稀土類金属イオン、例えばY3+か
らなる群から選択した少なくとも1種の共ドープ剤であ
り、mは1又は3であり、Mはニオブ及び/又はタンタ
ルであり、zは0.001〜0.1の範囲である。
しく、v+w=1であり、Xは臭素及び/又は塩素であ
り、nは0.0001〜0.15の範囲であり、pは0
〜0.015の範囲であり、DはNa+ 、K+ 、及びE
u2+及びCe3+以外の稀土類金属イオン、例えばY3+か
らなる群から選択した少なくとも1種の共ドープ剤であ
り、mは1又は3であり、Mはニオブ及び/又はタンタ
ルであり、zは0.001〜0.1の範囲である。
【0033】本発明による特に好ましい光刺激可能リン
光体は下記実験式(III) 又は(IV)の範囲内にある:
光体は下記実験式(III) 又は(IV)の範囲内にある:
【0034】 (III) Ba5-n Gev Siw O4 X6 ,Eun 2+ ,Mz
【0035】 (IV) Sr5-n Gev Siw O4 X6 ,Eun 2+ ,Mz
【0036】式中nは0.0001〜0.15の範囲で
あり、vは0≦v≦1の範囲であり、v+wは1に等し
い、Xは臭素及び/又は塩素であり、Mはニオブ及び/
又はタンタルであり、zは0.001〜0.1の範囲で
ある。
あり、vは0≦v≦1の範囲であり、v+wは1に等し
い、Xは臭素及び/又は塩素であり、Mはニオブ及び/
又はタンタルであり、zは0.001〜0.1の範囲で
ある。
【0037】本発明により光刺激可能リン光体は、Eu
2 O3又はEuF3 及びNb2 O5及び/又はTa2 O5
を、SiO2 (シリカ)及び/又はGeO2 との混合物
の形での宿主金属ハロゲン化物、及び酸化物に熱分解で
きる宿主金属化合物、例えば炭酸塩と混合した形で、4
50〜1100℃の温度で40時間以下少なくとも一度
焼成することによって作ることができる。Eu2 O3
は、焼成段階で他の共ドープ剤のハロゲン化物及び/又
は酸化物、例えばY2 O3 及び/又はYF3 との混合物
の形で使用できる。
2 O3又はEuF3 及びNb2 O5及び/又はTa2 O5
を、SiO2 (シリカ)及び/又はGeO2 との混合物
の形での宿主金属ハロゲン化物、及び酸化物に熱分解で
きる宿主金属化合物、例えば炭酸塩と混合した形で、4
50〜1100℃の温度で40時間以下少なくとも一度
焼成することによって作ることができる。Eu2 O3
は、焼成段階で他の共ドープ剤のハロゲン化物及び/又
は酸化物、例えばY2 O3 及び/又はYF3 との混合物
の形で使用できる。
【0038】ドープ剤及び共ドープ剤を導入する化合物
を宿主金属化合物と機械的に混合する代りに、ドープ元
素は炭酸塩又は修酸塩の形で宿主金属化合物と化学的に
共沈澱させることができ、これはEu3+をEu2+に変え
る適切な雰囲気、好ましくは還元性雰囲気中で熱分解す
ることにより分解することができる。改良された変換効
率及び低刺激エネルギーについて見ると多重焼成段階が
通常有利である。
を宿主金属化合物と機械的に混合する代りに、ドープ元
素は炭酸塩又は修酸塩の形で宿主金属化合物と化学的に
共沈澱させることができ、これはEu3+をEu2+に変え
る適切な雰囲気、好ましくは還元性雰囲気中で熱分解す
ることにより分解することができる。改良された変換効
率及び低刺激エネルギーについて見ると多重焼成段階が
通常有利である。
【0039】本発明によれば、X線像を記録し、再生す
る方法を提供し、この方法は、(1)光刺激可能リン光
体をX線に対し像に従って露光し、(2)前記リン光体
を可視光及び赤外光から選択した刺激性電磁放射線で光
刺激して、吸収されたX線に従って前記リン光体から光
刺激に使用した放射線とは波長特性において異なる電磁
放射線を放出させ、そして(3)工程(2)で適用した
光刺激によって放出された光を検出する工程を含み、前
記工程(1)及び(2)の処理を受けるリン光体が本発
明によるハロシリケート、ハロゲルマネート又はハロ
(シリケート−ゲルマネート)リン光体であることを特
徴とする。
る方法を提供し、この方法は、(1)光刺激可能リン光
体をX線に対し像に従って露光し、(2)前記リン光体
を可視光及び赤外光から選択した刺激性電磁放射線で光
刺激して、吸収されたX線に従って前記リン光体から光
刺激に使用した放射線とは波長特性において異なる電磁
放射線を放出させ、そして(3)工程(2)で適用した
光刺激によって放出された光を検出する工程を含み、前
記工程(1)及び(2)の処理を受けるリン光体が本発
明によるハロシリケート、ハロゲルマネート又はハロ
(シリケート−ゲルマネート)リン光体であることを特
徴とする。
【0040】光刺激は480〜560nmの波長範囲の
可視光、例えばレーザー光を用いて行うのが好ましい。
好ましくは光刺激は、514.5nmで放出するアルゴ
ンイオンレーザー光又は周波数二重Nd:YAGレーザ
ーの532nmのレーザー光の走査レーザービームで行
う。
可視光、例えばレーザー光を用いて行うのが好ましい。
好ましくは光刺激は、514.5nmで放出するアルゴ
ンイオンレーザー光又は周波数二重Nd:YAGレーザ
ーの532nmのレーザー光の走査レーザービームで行
う。
【0041】光刺激により放出される光を検出する前、
実際の実施態様においては、刺激性光は、光刺激時に放
出される光に対して高透過性を有する一つ以上の光学フ
ィルターによって露光する。
実際の実施態様においては、刺激性光は、光刺激時に放
出される光に対して高透過性を有する一つ以上の光学フ
ィルターによって露光する。
【0042】光刺激により放出される光は、光エネルギ
ーを電気エネルギーに変換する変換器、例えばディジタ
ル化できかつ貯蔵できる逐次電気信号を与える光電管
(光電子増倍管)で検出するのが好ましい。貯蔵後これ
らの信号はディジタル処理を受けることができる。ディ
ジタル化処理には例えば像コントラスト増強、立体周波
数増強、像減法、像付加及び個々の像部分の輪郭鮮明を
含む。
ーを電気エネルギーに変換する変換器、例えばディジタ
ル化できかつ貯蔵できる逐次電気信号を与える光電管
(光電子増倍管)で検出するのが好ましい。貯蔵後これ
らの信号はディジタル処理を受けることができる。ディ
ジタル化処理には例えば像コントラスト増強、立体周波
数増強、像減法、像付加及び個々の像部分の輪郭鮮明を
含む。
【0043】記録したX線像の再生のための一つの実施
態様によれば、所望によって処理したディジタル信号
は、書き込みレーザービームを変調するため使用される
アナログ信号に、例えば音響−光学変調器によって変換
する。変調されたレーザービームは次いで写真材料例え
ばハロゲン化銀乳剤フィルムを走査するために使用し、
その上に所望によって像処理された状態でX線像を再生
する。この例のため及びそれに使用する装置は例えば定
期刊行物Radiology 、1983年9月、833〜838
頁を参照され度い。
態様によれば、所望によって処理したディジタル信号
は、書き込みレーザービームを変調するため使用される
アナログ信号に、例えば音響−光学変調器によって変換
する。変調されたレーザービームは次いで写真材料例え
ばハロゲン化銀乳剤フィルムを走査するために使用し、
その上に所望によって像処理された状態でX線像を再生
する。この例のため及びそれに使用する装置は例えば定
期刊行物Radiology 、1983年9月、833〜838
頁を参照され度い。
【0044】別の実施態様によれば、光刺激によって得
られた光に相当する電気信号のアナログ−ディジタル変
換から得られたディジタル信号は陰極線管上に表示され
る。表示前に信号はコンピューターにより処理するとよ
い。通常の像処理法が、像の信号対ノイズ比を改良し、
放射線写真の粗い又は微細な像特長の像品質を増強する
ために適用できる。
られた光に相当する電気信号のアナログ−ディジタル変
換から得られたディジタル信号は陰極線管上に表示され
る。表示前に信号はコンピューターにより処理するとよ
い。通常の像処理法が、像の信号対ノイズ比を改良し、
放射線写真の粗い又は微細な像特長の像品質を増強する
ために適用できる。
【0045】本発明による前記方法に使用するため、光
刺激可能リン光体は、支持された又は自己支持性である
ことができ、X線像貯蔵パネルと称されるスクリーン又
はパネルを形成する結合剤層中に分散した状態で用いる
のが好ましい。
刺激可能リン光体は、支持された又は自己支持性である
ことができ、X線像貯蔵パネルと称されるスクリーン又
はパネルを形成する結合剤層中に分散した状態で用いる
のが好ましい。
【0046】分散した形で前記リン光体を混入する結合
剤層を形成するのに好適な結合剤にはフィルム形成性有
機重合体、例えばセルロースアセテートブチレート、ポ
リアルキル(メタ)アクリレート、例えばポリ(メチル
メタクリレート)、例えばUS−P3043710に記
載されている如きポリビニル−n−ブチラール、コポリ
(ビニルアセテート/ビニルクロライド)及びコポリ
(アクリロニトリル/ブタジエン/スチレン)又はコポ
リ(ビニルクロライド/ビニルアセテート/ビニルアル
コール)又はそれらの混合物がある。
剤層を形成するのに好適な結合剤にはフィルム形成性有
機重合体、例えばセルロースアセテートブチレート、ポ
リアルキル(メタ)アクリレート、例えばポリ(メチル
メタクリレート)、例えばUS−P3043710に記
載されている如きポリビニル−n−ブチラール、コポリ
(ビニルアセテート/ビニルクロライド)及びコポリ
(アクリロニトリル/ブタジエン/スチレン)又はコポ
リ(ビニルクロライド/ビニルアセテート/ビニルアル
コール)又はそれらの混合物がある。
【0047】高X線エネルギー吸収を得るため、最少量
の結合剤を使用することが好ましいい。しかしながら非
常に少量の結合剤は脆すぎる層を生ぜしめうる、従って
妥協をしなければならぬ。リン光体の被覆量は約300
〜1500g/m2 の範囲であるのが好ましい。
の結合剤を使用することが好ましいい。しかしながら非
常に少量の結合剤は脆すぎる層を生ぜしめうる、従って
妥協をしなければならぬ。リン光体の被覆量は約300
〜1500g/m2 の範囲であるのが好ましい。
【0048】好ましい実施態様によれば、リン光体層は
支持体シート上に支持された層として使用する。好適な
支持体材料はフィルム形成性有機樹脂、例えばポリエチ
レンテレフタレートから作れる、しかし所望によりα−
オレフィン樹脂層の如き樹脂層で被覆された紙支持体及
びカードボード支持体も特に有用である。ガラス及び金
属支持体も使用できる。リン光体層の厚さは0.05〜
0.5mmの範囲であるのが好ましい。
支持体シート上に支持された層として使用する。好適な
支持体材料はフィルム形成性有機樹脂、例えばポリエチ
レンテレフタレートから作れる、しかし所望によりα−
オレフィン樹脂層の如き樹脂層で被覆された紙支持体及
びカードボード支持体も特に有用である。ガラス及び金
属支持体も使用できる。リン光体層の厚さは0.05〜
0.5mmの範囲であるのが好ましい。
【0049】光刺激可能リン光体スクリーンの製造のた
め、リン光体粒子は結合剤の溶液中に均質分散させ、次
いで支持体上に被覆し、乾燥する。本発明のリン光体結
合剤層の被覆は、任意の通常の方法、例えばスプレー、
浸漬被覆又はドクターブレード被覆により行うことがで
きる。被覆後、被覆混合物の溶媒は蒸発により、例えば
熱(60℃)空気流中で乾燥することによって除去す
る。
め、リン光体粒子は結合剤の溶液中に均質分散させ、次
いで支持体上に被覆し、乾燥する。本発明のリン光体結
合剤層の被覆は、任意の通常の方法、例えばスプレー、
浸漬被覆又はドクターブレード被覆により行うことがで
きる。被覆後、被覆混合物の溶媒は蒸発により、例えば
熱(60℃)空気流中で乾燥することによって除去す
る。
【0050】リン光体結合剤組合せの脱泡を行うため及
び充填密度を改良するため超音波処理を適用できる。場
合により保護被覆を付与する前に、充填密度(即ち乾燥
被覆1cm3 についてのリン光体のg数)を改良するリ
ン光体結合剤層はカレンダー仕上してもよい。
び充填密度を改良するため超音波処理を適用できる。場
合により保護被覆を付与する前に、充填密度(即ち乾燥
被覆1cm3 についてのリン光体のg数)を改良するリ
ン光体結合剤層はカレンダー仕上してもよい。
【0051】所望により、光刺激により放出される光の
出力を増強するため、リン光体含有層とその支持体の間
に光反射性層を設ける。かかる光反射性層は結合剤中に
分散させた白色顔料粒子例えば二酸化チタン粒子を含有
でき、或いはそれは蒸着金属層、例えばアルミニウム層
であることができる、或いはそれは刺激性放射線を吸収
するが放出された光を反射する例えばUS−P4380
702に記載されている如き着色顔料層であることがで
きる。
出力を増強するため、リン光体含有層とその支持体の間
に光反射性層を設ける。かかる光反射性層は結合剤中に
分散させた白色顔料粒子例えば二酸化チタン粒子を含有
でき、或いはそれは蒸着金属層、例えばアルミニウム層
であることができる、或いはそれは刺激性放射線を吸収
するが放出された光を反射する例えばUS−P4380
702に記載されている如き着色顔料層であることがで
きる。
【0052】所望により光吸収性層をリン光体含有層と
その支持体の間に又はその支持体自体中に設け、リン光
体含有層と支持体の界面での光の反射を避け、これによ
って光刺激可能リン光体スクリーンの解像力を増大させ
る。
その支持体の間に又はその支持体自体中に設け、リン光
体含有層と支持体の界面での光の反射を避け、これによ
って光刺激可能リン光体スクリーンの解像力を増大させ
る。
【0053】医学X線用におけるよりも多くのエネルギ
ーのX線及びガンマ線を使用する金属物体の非破壊試験
に用いられる如き工業用の放射線写真においては、原子
番号46〜83の金属層又は金属支持体とX線増感スク
リーンにおける蛍光リン光体層を組合せることが有利な
ことが判っている(US−P3872309参照)。金
属層又は支持体は、工業的X線装置によって放出される
強力に賦勢されたX及びガンマ線よりも高い効率で隣接
リン光体層に吸収される低エネルギーの二次X線及び光
電子のエミッターとして作用する。工業的刺激放射線写
真におけるその種のスクリーン構造の適用は、より多く
のエネルギーを貯蔵リン光体層中に蓄積し、結果的によ
り多くのエネルギーをその上に光刺激によって放出でき
る。
ーのX線及びガンマ線を使用する金属物体の非破壊試験
に用いられる如き工業用の放射線写真においては、原子
番号46〜83の金属層又は金属支持体とX線増感スク
リーンにおける蛍光リン光体層を組合せることが有利な
ことが判っている(US−P3872309参照)。金
属層又は支持体は、工業的X線装置によって放出される
強力に賦勢されたX及びガンマ線よりも高い効率で隣接
リン光体層に吸収される低エネルギーの二次X線及び光
電子のエミッターとして作用する。工業的刺激放射線写
真におけるその種のスクリーン構造の適用は、より多く
のエネルギーを貯蔵リン光体層中に蓄積し、結果的によ
り多くのエネルギーをその上に光刺激によって放出でき
る。
【0054】本発明によるハロシリケートリン光体を含
有するリン光体スクリーンについて、それらの光物理的
性質を測定するため測定法が行われている。
有するリン光体スクリーンについて、それらの光物理的
性質を測定するため測定法が行われている。
【0055】第一の測定法において、X線励起下のリン
光体の即発(prompt)発光スペクトルを測定する。測定
法は110kVpで操作するX線源を用いてX線照射に
よる励起を行うスペクトロフルオリメーターで行う。連
続X線励起中放出される光を光電子増倍管と組合せたモ
ノクロメーターにより走査する。この発光スペクトルは
光刺激時に得られるそれと同じであり、刺激光からの蛍
光放出光を分離するのにフィルターを用いて測定するた
め使用する。後述する測定法において、本発明のリン光
体を刺激するためArイオンレーザーを使用する。刺激
したとき放出される蛍光からArイオンレーザーの刺激
光を分離するため、2.5mm SchottBG3フィルタ
ーを使用する、このフィルターの透過スペクトルは、ド
イツ国、Mainz のSCHOTT GLASWERKEに
よって発行されたFarb- undFilterglas Catalogue N
o.3531/4dに記載されている。前記フィルターは
蛍光発行も部分的に吸収するから、全発光力を見出すた
め減衰係数を測定した。
光体の即発(prompt)発光スペクトルを測定する。測定
法は110kVpで操作するX線源を用いてX線照射に
よる励起を行うスペクトロフルオリメーターで行う。連
続X線励起中放出される光を光電子増倍管と組合せたモ
ノクロメーターにより走査する。この発光スペクトルは
光刺激時に得られるそれと同じであり、刺激光からの蛍
光放出光を分離するのにフィルターを用いて測定するた
め使用する。後述する測定法において、本発明のリン光
体を刺激するためArイオンレーザーを使用する。刺激
したとき放出される蛍光からArイオンレーザーの刺激
光を分離するため、2.5mm SchottBG3フィルタ
ーを使用する、このフィルターの透過スペクトルは、ド
イツ国、Mainz のSCHOTT GLASWERKEに
よって発行されたFarb- undFilterglas Catalogue N
o.3531/4dに記載されている。前記フィルターは
蛍光発行も部分的に吸収するから、全発光力を見出すた
め減衰係数を測定した。
【0056】第二の測定法において、一定のX線量に露
光したとき貯蔵される全光刺激可能エネルギー(E0 )
を測定する。X線励起前に、リン光体スクリーン中にな
お存在する残存エネルギーをアルゴンレーザービーム
(514.5nm)で照射して除去する。次にリン光体
スクリーンを、85kVp及び20mAで操作するX線
源で励起する。そのためにドイツ国のSiemens AGのM
ONODOR X線源が使用できる。X線スペクトルを
硬くするため21mmの厚さのアルミニウム板を用いて
低エネルギーX線を濾別する。X線励起後、リン光体ス
クリーンは暗所で測定設備へと移す。この設備中で、X
線照射されたリン光体スクリーンを光刺激するためのア
ルゴンイオンレーザー光を使用する。
光したとき貯蔵される全光刺激可能エネルギー(E0 )
を測定する。X線励起前に、リン光体スクリーン中にな
お存在する残存エネルギーをアルゴンレーザービーム
(514.5nm)で照射して除去する。次にリン光体
スクリーンを、85kVp及び20mAで操作するX線
源で励起する。そのためにドイツ国のSiemens AGのM
ONODOR X線源が使用できる。X線スペクトルを
硬くするため21mmの厚さのアルミニウム板を用いて
低エネルギーX線を濾別する。X線励起後、リン光体ス
クリーンは暗所で測定設備へと移す。この設備中で、X
線照射されたリン光体スクリーンを光刺激するためのア
ルゴンイオンレーザー光を使用する。
【0057】リン光体スクリーンの後で接触させて置い
たピンホールを用いて、スクリーンの僅か7mm2 のみ
の面積で放出された光を集める。ピンホールを用いる
と、読みとりされるスクリーン面積上の刺激性ビームの
強度がより均一になる。レーザー力の3/4のみ(37
mW)がスクリーン面に到達する。
たピンホールを用いて、スクリーンの僅か7mm2 のみ
の面積で放出された光を集める。ピンホールを用いる
と、読みとりされるスクリーン面積上の刺激性ビームの
強度がより均一になる。レーザー力の3/4のみ(37
mW)がスクリーン面に到達する。
【0058】光電子増倍管からの信号振幅は、刺激性光
の強度及び貯蔵された光刺激可能エネルギーと直線状で
ある。
の強度及び貯蔵された光刺激可能エネルギーと直線状で
ある。
【0059】貯蔵されたエネルギーの全量を測定するた
め、発光強度は非常に長い間にわたって測定した。その
ためにEP−A0304121に記載された測定及び分
析法を用いた。
め、発光強度は非常に長い間にわたって測定した。その
ためにEP−A0304121に記載された測定及び分
析法を用いた。
【0060】リン光体が唯1種の電子トラップのみを含
有するとき、そして電子と空孔の間の再組合せが一次力
学に従う方法であるとき、発光強度は一定刺激の下時間
と共に指数関数的に減衰する:
有するとき、そして電子と空孔の間の再組合せが一次力
学に従う方法であるとき、発光強度は一定刺激の下時間
と共に指数関数的に減衰する:
【0061】
【数1】
【0062】式中I(t)は長さ「t」の刺激時間後の
発光強度であり、I0 は強度対時間信号の振幅であり、
eは自然対数の底であり、tは刺激時間の長さであり、
τはリン光体の特性及び刺激性レーザー強度pに関する
特性時間である。
発光強度であり、I0 は強度対時間信号の振幅であり、
eは自然対数の底であり、tは刺激時間の長さであり、
τはリン光体の特性及び刺激性レーザー強度pに関する
特性時間である。
【0063】貯蔵されたエネルギーの全量(E0 )は強
度対時間曲線下の面積である:
度対時間曲線下の面積である:
【0064】
【数2】
【0065】EP−A0204121に記載された測定
及び分析法において、発光強度は、発光強度がファクタ
ー1/eによって減少したときの時間まで、即t=τま
で測定した。式(2)に従い、t=τで放出されたエネ
ルギーの量を下記式(3)に等しい:
及び分析法において、発光強度は、発光強度がファクタ
ー1/eによって減少したときの時間まで、即t=τま
で測定した。式(2)に従い、t=τで放出されたエネ
ルギーの量を下記式(3)に等しい:
【0066】
【数3】
【0067】従ってE0 の値はt=τまで放出されたエ
ネルギーの量、E(τ)から計算できる。変換効率C.
E.は、励起レントゲン線量R.D.により、そして放
出された光が集められるリン光体の容積(表面積をスク
リーンの厚さに乗ずる)によって割ったE0 として計算
される。
ネルギーの量、E(τ)から計算できる。変換効率C.
E.は、励起レントゲン線量R.D.により、そして放
出された光が集められるリン光体の容積(表面積をスク
リーンの厚さに乗ずる)によって割ったE0 として計算
される。
【0068】リン光体の刺激エネルギーS.E.は、貯
蔵されたエネルギーが強度P及び波長λを有するレーザ
ービームで放出されうる容易さを反映する。それはファ
クター1/eで放出強度減少をさせるのに要する刺激時
間τ及びレーザー力Pに関係する:
蔵されたエネルギーが強度P及び波長λを有するレーザ
ービームで放出されうる容易さを反映する。それはファ
クター1/eで放出強度減少をさせるのに要する刺激時
間τ及びレーザー力Pに関係する:
【0069】S.E.=τ×P (4)
【0070】光刺激エネルギーPはμJ/mm2 で表わ
される。
される。
【0071】C.E.及びS.E.の前記定義は、リン
光体が単一種の電子トラップを含有するとき及び発光
(放出)強度の減衰が単一指数関数コースに相当すると
きにのみ意味がある。かかる挙動は、従って異なるエネ
ルギーのリン光体電子トラップにおいて、深さがX線露
光したとき満たされるときにはこれに従わない。従って
下記測定及び分析法を適した:
光体が単一種の電子トラップを含有するとき及び発光
(放出)強度の減衰が単一指数関数コースに相当すると
きにのみ意味がある。かかる挙動は、従って異なるエネ
ルギーのリン光体電子トラップにおいて、深さがX線露
光したとき満たされるときにはこれに従わない。従って
下記測定及び分析法を適した:
【0072】式(3)に従いE(τ)からE0 を測定す
る代りに、即ちファクター1/eによってそれが減少す
るまで発光強度を測定する代りに、発光強度は実際上の
読みとりに相当する時間にわたって測定した。そのため
I(t)曲線を二つの段階で測定した。第一に、測定は
短い時間スケール(約100ミリ秒以下)で、そしてI
0 が正確に測定できたかかる感度で行った。第二の測定
においては、より長い時間スケールを適用した(約10
00ミリ秒以下)、そしてオツシロスコープの感度は、
信号の振幅が測定スケールを越えて落ちるが、より長い
励起時間(100ミリ秒より長い)での発光強度が正確
に測定できるようにした。
る代りに、即ちファクター1/eによってそれが減少す
るまで発光強度を測定する代りに、発光強度は実際上の
読みとりに相当する時間にわたって測定した。そのため
I(t)曲線を二つの段階で測定した。第一に、測定は
短い時間スケール(約100ミリ秒以下)で、そしてI
0 が正確に測定できたかかる感度で行った。第二の測定
においては、より長い時間スケールを適用した(約10
00ミリ秒以下)、そしてオツシロスコープの感度は、
信号の振幅が測定スケールを越えて落ちるが、より長い
励起時間(100ミリ秒より長い)での発光強度が正確
に測定できるようにした。
【0073】両測定のため、強度はレントゲン線量で割
り、続いて両曲線を組合せた。この方法で、900ミリ
秒以下の時間の関数としてレントゲン線量に対する発光
強度(I(t)/R.d.)が得られる。
り、続いて両曲線を組合せた。この方法で、900ミリ
秒以下の時間の関数としてレントゲン線量に対する発光
強度(I(t)/R.d.)が得られる。
【0074】変換効率を計算するため、組合せた曲線下
の面積を測定した。これはレントゲン線量に対する貯蔵
されたエネルギーをもたらす(E0 /R.d.)。そし
て変換効率C.E.は、刺激したとき放出光が集められ
るリン光体の容積で割ったE0 /R.d.として得られ
る:
の面積を測定した。これはレントゲン線量に対する貯蔵
されたエネルギーをもたらす(E0 /R.d.)。そし
て変換効率C.E.は、刺激したとき放出光が集められ
るリン光体の容積で割ったE0 /R.d.として得られ
る:
【0075】 C.E.=E0 /R.d.×d×A (5)
【0076】式中dはスクリーンの厚さ(mm)であ
り、Aは放出光が集められる面積(mm2 )である。
り、Aは放出光が集められる面積(mm2 )である。
【0077】放出光は全ての方向に散乱されるから、放
出された光の一部のみが光電子増倍管で検出される。リ
ン光体パネル及び光電子増倍管の位置は、光電子増倍管
によって全発光の10%が検出されるような位置であ
る。全修正をした後、X線変換効率のための値がpJ/
mm3 /mRで得られる。この値はスクリーンの厚さで
変化する、従って比較できる測定のためには、それらは
一定のリン光体被覆量で行わなければならない。
出された光の一部のみが光電子増倍管で検出される。リ
ン光体パネル及び光電子増倍管の位置は、光電子増倍管
によって全発光の10%が検出されるような位置であ
る。全修正をした後、X線変換効率のための値がpJ/
mm3 /mRで得られる。この値はスクリーンの厚さで
変化する、従って比較できる測定のためには、それらは
一定のリン光体被覆量で行わなければならない。
【0078】第三の測定において、リン光体試料の暗崩
壊特性を測定した。そのため、一定のX線量に露光した
とき貯蔵された光刺激可能エネルギーを、X線露光後1
分及び前記露光後60分で測定した。ここで簡略にする
ため、公開されたEP−A0204121に記載された
測定及び分析法を適用した。
壊特性を測定した。そのため、一定のX線量に露光した
とき貯蔵された光刺激可能エネルギーを、X線露光後1
分及び前記露光後60分で測定した。ここで簡略にする
ため、公開されたEP−A0204121に記載された
測定及び分析法を適用した。
【0079】通常、X線露光後60分で放出されるエネ
ルギーの量は、前記露光後1分で放出されるエネルギー
の量より小さい。しかしながら、本発明によるNb及び
/又はTaドープしたリン光体については、放出される
エネルギーの増大が測定された、これは多分異なるトラ
ップ中に存在する電子の再分布によるものである。
ルギーの量は、前記露光後1分で放出されるエネルギー
の量より小さい。しかしながら、本発明によるNb及び
/又はTaドープしたリン光体については、放出される
エネルギーの増大が測定された、これは多分異なるトラ
ップ中に存在する電子の再分布によるものである。
【0080】医学及び工業的放射線写真におけるそれら
の用途とは別に本発明による刺激可能リン光体スクリー
ンはオートラジオグラフィにも同様に有用である。
の用途とは別に本発明による刺激可能リン光体スクリー
ンはオートラジオグラフィにも同様に有用である。
【0081】従来のオートラジオグラフィにおいては、
目的物内の放射性材料は、放射性パターンの記録を現像
を介して又はその中に直接形成する写真材料と接触させ
て目的物を置くことによって作られる。本発明によるオ
ートラジオグラフィにおいては、放射性目的物を本発明
による刺激可能リン光体スクリーンに接触させて又は非
常に近接させて置く、これによってリン光体は目的物中
の放射性パターンのエネルギーを貯蔵する。貯蔵された
エネルギーは光刺激によって蛍光の形で放出され、放出
された光は、例えば写真材料又は陰極線管上で像貯蔵及
び再生のため検出され、使用される。
目的物内の放射性材料は、放射性パターンの記録を現像
を介して又はその中に直接形成する写真材料と接触させ
て目的物を置くことによって作られる。本発明によるオ
ートラジオグラフィにおいては、放射性目的物を本発明
による刺激可能リン光体スクリーンに接触させて又は非
常に近接させて置く、これによってリン光体は目的物中
の放射性パターンのエネルギーを貯蔵する。貯蔵された
エネルギーは光刺激によって蛍光の形で放出され、放出
された光は、例えば写真材料又は陰極線管上で像貯蔵及
び再生のため検出され、使用される。
【0082】本発明を下記実施例によって説明するが、
これに限定するものではない。
これに限定するものではない。
【0083】比、部及び百分率は他に特記せぬ限り重量
による。
による。
【0084】実施例 1〜5及び比較実施例 6 Ba4.98Eu0.02SiO4 Br6 :Nbz (6×10-4
≦z≦6×10-2)の製造、但し比較実施例6において
zはゼロを表わす。
≦z≦6×10-2)の製造、但し比較実施例6において
zはゼロを表わす。
【0085】下記成分を秤量した: BaCO3 ・0.47%H2 O 41.6g Eu2 O3 ・3.33%H2 O 0.3853g SiO2 ・1.89%H2 O 6.486g BaBr2 ・1.49%H2 O 95.853g
【0086】混 合 前記成分をボールミル中で72mlの無水アルコールを
用いて15分間混合し、粉砕した。得られた混合物を1
20分間80〜90℃でオーヴン中に置き、乾燥した。
このサイズの6個の試料バッチを作り、乾燥後混合機中
で一緒に混合してマスターブレンドを形成した。そのブ
レンドから79.95gを取り、0.468gのNb2
O5 と均質混合して、以下Nbブレンドと称するブレン
ドを形成した。
用いて15分間混合し、粉砕した。得られた混合物を1
20分間80〜90℃でオーヴン中に置き、乾燥した。
このサイズの6個の試料バッチを作り、乾燥後混合機中
で一緒に混合してマスターブレンドを形成した。そのブ
レンドから79.95gを取り、0.468gのNb2
O5 と均質混合して、以下Nbブレンドと称するブレン
ドを形成した。
【0087】焼 成 Nbブレンドから、20gを焼成した実施例1の材料を
得た。Nb共ドープ剤の低濃度を得るため、Nbブレン
ドを、Nb2 O5 を含有しないマスターブレンド材料で
稀釈した。
得た。Nb共ドープ剤の低濃度を得るため、Nbブレン
ドを、Nb2 O5 を含有しないマスターブレンド材料で
稀釈した。
【0088】実施例2の材料を作るため、6.6670
gのNbブレンドを、13.3390gのマスターブレ
ンド材料と混合し、そして焼成した。
gのNbブレンドを、13.3390gのマスターブレ
ンド材料と混合し、そして焼成した。
【0089】実施例3の材料を作るため、2.0075
gのNbブレンドを18.0004gのマスターブレン
ド材料と混合し、そして焼成した。
gのNbブレンドを18.0004gのマスターブレン
ド材料と混合し、そして焼成した。
【0090】実施例4の材料を作るため、0.667g
のNbブレンドを19.333gのマスターブレンド材
料と混合し、そして焼成した。
のNbブレンドを19.333gのマスターブレンド材
料と混合し、そして焼成した。
【0091】実施例5の材料を作るため、0.206g
のNbブレンドを19.800gのマスターブレンド材
料と混合し、そして焼成した。
のNbブレンドを19.800gのマスターブレンド材
料と混合し、そして焼成した。
【0092】比較実施例6のリン光体材料を作るため、
6.20gのマスターブレンド材料を、Nb2 O5 の不
存在下に焼成した。
6.20gのマスターブレンド材料を、Nb2 O5 の不
存在下に焼成した。
【0093】かくして得られた混合物の全てを、アルミ
ナボート中に置き、別のボートでカバーし、管状炉中に
置いた。焼成は同じ条件下で行った、即ちN2 雰囲気下
に450℃で2時間焼成し、次いで温度を上昇させ、8
00℃で2時間焼成を続けた。かく焼成した試料を炉か
ら取り出し、乳鉢で粉砕し、次いでそれらを今回は95
/5容量%の窒素/水素雰囲気中で再び800℃で2時
間焼成した。各試料を炉から取り出し、再粉砕し、再び
前記窒素/水素雰囲気中で800℃で2時間焼成した。
ナボート中に置き、別のボートでカバーし、管状炉中に
置いた。焼成は同じ条件下で行った、即ちN2 雰囲気下
に450℃で2時間焼成し、次いで温度を上昇させ、8
00℃で2時間焼成を続けた。かく焼成した試料を炉か
ら取り出し、乳鉢で粉砕し、次いでそれらを今回は95
/5容量%の窒素/水素雰囲気中で再び800℃で2時
間焼成した。各試料を炉から取り出し、再粉砕し、再び
前記窒素/水素雰囲気中で800℃で2時間焼成した。
【0094】冷却後試料を再粉砕した。
【0095】全試料が類似した即発発光スペクトルを有
していた。光刺激したとき放出される光のスペクトルに
相当する即発発光スペクトルを図1に示す。図1に相対
光放出強度R.E.をnmでの波長に対してプロットし
てある。
していた。光刺激したとき放出される光のスペクトルに
相当する即発発光スペクトルを図1に示す。図1に相対
光放出強度R.E.をnmでの波長に対してプロットし
てある。
【0096】かくして得られた各リン光体粉末試料を、
酢酸エチルに溶解したポリエチルアクリレートを含有す
る結合剤中に分散させた。得られた各分散液をポリエチ
レンテレフタレートの厚さ100μmの透明シート上
に、500g/m2 の被覆重量を与えるように被覆し
た。次に各スクリーンを、リン光体のエネルギー貯蔵特
性を測定するために使用した。アルゴンレーザー光(5
14.5nm)に露光することによって残存貯蔵エネル
ギーを消去後、各スクリーンを一定線量のX線で照射
し、次いで前述した如くアルゴンイオンレーザー光(5
14.5nm)で刺激した。
酢酸エチルに溶解したポリエチルアクリレートを含有す
る結合剤中に分散させた。得られた各分散液をポリエチ
レンテレフタレートの厚さ100μmの透明シート上
に、500g/m2 の被覆重量を与えるように被覆し
た。次に各スクリーンを、リン光体のエネルギー貯蔵特
性を測定するために使用した。アルゴンレーザー光(5
14.5nm)に露光することによって残存貯蔵エネル
ギーを消去後、各スクリーンを一定線量のX線で照射
し、次いで前述した如くアルゴンイオンレーザー光(5
14.5nm)で刺激した。
【0097】実施例1〜6のリン光体中のEu原子濃度
に対するNb原子濃度の比の対数(log〔Nb〕/
〔Eu〕)に対してプロットしたpJ/mm3 /mRで
表示した変換効率(C.E.)を図2に示す(曲線
1)。
に対するNb原子濃度の比の対数(log〔Nb〕/
〔Eu〕)に対してプロットしたpJ/mm3 /mRで
表示した変換効率(C.E.)を図2に示す(曲線
1)。
【0098】スクリーンのX線照射に続いて1分
(1′)後の変換効率(C.E.)に対する60分(6
0′)後の変換効率の比を下表1に示す。
(1′)後の変換効率(C.E.)に対する60分(6
0′)後の変換効率の比を下表1に示す。
【0099】 表 1 実施例No. C.E.(60′)/C.E.(1′) 1 1.04 2 0.84 3 0.98 4 0.71 5 0.81 6 0.20
【0100】実施例 7〜9及び比較実施例 10 Ba4.98Eu0.02Si0.5 Ge0.5 O4 Br6 :Nbz
(2×10-3≦z≦2×10-2)の製造;但し比較例1
0においてzはゼロを表わす。
(2×10-3≦z≦2×10-2)の製造;但し比較例1
0においてzはゼロを表わす。
【0101】下記成分を秤量した: BaCO3 ・0.47%H2 O 41.87g Eu2 O3 ・3.33%H2 O 0.3879g SiO2 ・1.89%H2 O 3.265g BaBr2 ・6.2%H2 O 100.97g GeO2 ・0.29%H2 O 5.590g
【0102】混 合 前記成分をボールミル中で74mlの無水エタノールと
15分間混合した。得られた粉砕混合物をオーヴン中に
入れ、120分間80〜90℃で乾燥した。このサイズ
の6個の試料バッチを作り、乾燥後混合機中で一緒に混
合してマスターブレンドを形成した。そのブレンドから
59.752gを取り、0.344gのNb2 O5 と均
質混合した。
15分間混合した。得られた粉砕混合物をオーヴン中に
入れ、120分間80〜90℃で乾燥した。このサイズ
の6個の試料バッチを作り、乾燥後混合機中で一緒に混
合してマスターブレンドを形成した。そのブレンドから
59.752gを取り、0.344gのNb2 O5 と均
質混合した。
【0103】焼 成 実施例7の材料を作るため、6.667gのNbブレン
ドを、13.339gのマスターブレンド材料と混合
し、焼成した。
ドを、13.339gのマスターブレンド材料と混合
し、焼成した。
【0104】実施例8の材料を作るため、2.0075
gのNbブレンドを18.0004gのマスターブレン
ド材料と混合し、焼成した。
gのNbブレンドを18.0004gのマスターブレン
ド材料と混合し、焼成した。
【0105】実施例9の材料を作るため、0.667g
のNbブレンドを19.333gのマスターブレンド材
料と混合し、焼成した。
のNbブレンドを19.333gのマスターブレンド材
料と混合し、焼成した。
【0106】比較実施例10のリン光体材料を作るた
め、10.20gのマスターブレンド材料を、Nb2 O
5 の不存在下に焼成した。
め、10.20gのマスターブレンド材料を、Nb2 O
5 の不存在下に焼成した。
【0107】かくして得られた混合物の全部をアルミナ
ボート中に置き、別のボートでカバーし、管状炉中に置
いた。焼成は同じ条件下で行った、即ちN2 雰囲気下に
450℃で2時間焼成し、次いで温度を上昇させ、80
0℃で2時間焼成を続けた。かく焼成した試料を炉から
取り出し、乳鉢で粉砕し、次いでそれらを、今回は95
/5容量%の窒素/水素の雰囲気中で800℃で2時間
再焼成した。試料を炉から取り出し、再粉砕し、前記窒
素/水素雰囲気中で800℃で2時間再焼成した。
ボート中に置き、別のボートでカバーし、管状炉中に置
いた。焼成は同じ条件下で行った、即ちN2 雰囲気下に
450℃で2時間焼成し、次いで温度を上昇させ、80
0℃で2時間焼成を続けた。かく焼成した試料を炉から
取り出し、乳鉢で粉砕し、次いでそれらを、今回は95
/5容量%の窒素/水素の雰囲気中で800℃で2時間
再焼成した。試料を炉から取り出し、再粉砕し、前記窒
素/水素雰囲気中で800℃で2時間再焼成した。
【0108】冷却後試料を再粉砕した。
【0109】かくして得られた各リン光体粉末試料を次
に酢酸エチル中に溶解したポリエチレンアクリレートを
含有する結合剤溶液中に分散した。得られた各分散液
を、ポリエチレンテレフタレートの厚さ100μmの透
明シート上に、500g/m2の被覆重量を与えるよう
に被覆した。次にスクリーンをそれらのリン光体のエネ
ルギー貯蔵特性を測定するために使用した。アルゴンレ
ーザー光(514.5nm)に露光して残存貯蔵エネル
ギーを消去した後、各スクリーンを一定線量のX線で照
射し、次いで前述した如くアルゴンイオンレーザー光
(514.5nm)で刺激した。
に酢酸エチル中に溶解したポリエチレンアクリレートを
含有する結合剤溶液中に分散した。得られた各分散液
を、ポリエチレンテレフタレートの厚さ100μmの透
明シート上に、500g/m2の被覆重量を与えるよう
に被覆した。次にスクリーンをそれらのリン光体のエネ
ルギー貯蔵特性を測定するために使用した。アルゴンレ
ーザー光(514.5nm)に露光して残存貯蔵エネル
ギーを消去した後、各スクリーンを一定線量のX線で照
射し、次いで前述した如くアルゴンイオンレーザー光
(514.5nm)で刺激した。
【0110】実施例7〜10のリン光体中のEu原子濃
度に対するNb原子濃度の比の対数(log〔Nb〕/
〔Eu〕)に対してプロットしたpJ/mm3 /mRで
表示した変換効率(C.E.)を図2に示す(曲線
1)。
度に対するNb原子濃度の比の対数(log〔Nb〕/
〔Eu〕)に対してプロットしたpJ/mm3 /mRで
表示した変換効率(C.E.)を図2に示す(曲線
1)。
【0111】スクリーンのX線照射に続いて1分
(1′)後の変換効率(C.E.)に対する60分(6
0′)後の変換効率(C.E.)の比を表2に示す。
(1′)後の変換効率(C.E.)に対する60分(6
0′)後の変換効率(C.E.)の比を表2に示す。
【0112】 表 2 実施例No. C.E.(60′)/C.E.(1′) 7 1.08 8 1.07 9 1.12 10 0.06
【0113】比較実施例 11及び実施例 12 Ba4.98Eu0.02SiO4 Br6 及びBa4.98Eu0.02
SiO4 Br6 :Ta0.08の製造
SiO4 Br6 :Ta0.08の製造
【0114】下記成分を秤量した: BaCO3 ・0.47%H2 O 41.60g Eu2 O3 ・3.33%H2 O 3.853g SiO2 ・1.89%H2 O 6.486g BaBr2 ・1.49%H2 O 95.848g
【0115】混 合 前記成分をボールミル中で72mlの無水エタノールと
15分間混合した。得られた粉砕混合物をオーヴン中に
置き、120分間80〜90℃で乾燥した。
15分間混合した。得られた粉砕混合物をオーヴン中に
置き、120分間80〜90℃で乾燥した。
【0116】焼 成 比較実施例11のリン光体を作るため、20gの前記成
分の混合物を焼成した。
分の混合物を焼成した。
【0117】実施例12の材料を作るため、39.43
8gの前記混合物を、0.512gのTa2 O5 と均質
混合した。
8gの前記混合物を、0.512gのTa2 O5 と均質
混合した。
【0118】かくして得られた二つの混合物の中、20
gをアルミナボート中に置き、別のボートでカバーし、
管状炉中に置いた。焼成は同じ条件下で行った、即ちN
2 雰囲気下に450℃で2時間焼成し、次いで温度を上
昇させ、800℃で2時間焼成を続けた。かく焼成した
各試料を炉から取り出し、乳鉢で粉砕し、次いでそれら
を今回は95/5容量%の窒素/水素の雰囲気中で再び
800℃で2時間再焼成した。試料を炉から取り出し、
再粉砕し、前記窒素/水素雰囲気中で800℃で2時間
再焼成した。
gをアルミナボート中に置き、別のボートでカバーし、
管状炉中に置いた。焼成は同じ条件下で行った、即ちN
2 雰囲気下に450℃で2時間焼成し、次いで温度を上
昇させ、800℃で2時間焼成を続けた。かく焼成した
各試料を炉から取り出し、乳鉢で粉砕し、次いでそれら
を今回は95/5容量%の窒素/水素の雰囲気中で再び
800℃で2時間再焼成した。試料を炉から取り出し、
再粉砕し、前記窒素/水素雰囲気中で800℃で2時間
再焼成した。
【0119】冷却後各試料を再粉砕した。
【0120】かくして得られた各リン光体粉末試料を、
次いで酢酸エチル中に溶解したポリエチルアクリレート
を含有する結合剤溶液中に分散させた。得られた各分散
液をポリエチレンテレフタレートの厚さ100μmの透
明シート上に、500g/m2 の被覆重量を与えるよう
に被覆した。次いでそれらのリン光体のエネルギー貯蔵
特性を測定するために使用した。アルゴンレーザー光
(514.5nm)に対し露光して残存貯蔵エネルギー
を消去した後、各スクリーンを一定線量のX線で照射
し、次いで前述した如くアルゴンイオンレーザー光(5
14.5nm)で刺激した。
次いで酢酸エチル中に溶解したポリエチルアクリレート
を含有する結合剤溶液中に分散させた。得られた各分散
液をポリエチレンテレフタレートの厚さ100μmの透
明シート上に、500g/m2 の被覆重量を与えるよう
に被覆した。次いでそれらのリン光体のエネルギー貯蔵
特性を測定するために使用した。アルゴンレーザー光
(514.5nm)に対し露光して残存貯蔵エネルギー
を消去した後、各スクリーンを一定線量のX線で照射
し、次いで前述した如くアルゴンイオンレーザー光(5
14.5nm)で刺激した。
【0121】実施例11及び12のリン光体中のEu原
子濃度に対するNb原子濃度の比の対数(log〔N
b〕/〔Eu〕)に対してプロットしたpJ/mm3 /
mRで表示した変換効率(C.E.)を図2に示す(曲
線2)。
子濃度に対するNb原子濃度の比の対数(log〔N
b〕/〔Eu〕)に対してプロットしたpJ/mm3 /
mRで表示した変換効率(C.E.)を図2に示す(曲
線2)。
【0122】スクリーンのX線照射に続いて、1分
(1′)後の変換効率(C.E.)に対する60分(6
0′)後の変換効率の比及びpJ/mm3 /mRでの変
換効率を、実施例11及び12について表3に示す。
(1′)後の変換効率(C.E.)に対する60分(6
0′)後の変換効率の比及びpJ/mm3 /mRでの変
換効率を、実施例11及び12について表3に示す。
【0123】 表 3 実施例No. C.E. C.E.(60′)/C.E.(1′) 11 17.3 0.35 12 22.0 0.79
【0124】比較実施例 13及び実施例 14 Ba4.98Eu0.02GeO4 Br6 及びBa4.98Eu0.02
GeO4 Br6 :Nb0.006 の製造
GeO4 Br6 :Nb0.006 の製造
【0125】下記成分を秤量した: BaCO3 ・0.47%H2 O 26.18g Eu2 O3 ・3.33%H2 O 0.242g GeO2 ・0.29%H2 O 6.99g BaBr2 ・12%H2 O 66.6g
【0126】混 合 前記成分をボールミル中で50mlの無水エタノールと
15分間混合した。得られた粉砕混合物をオーヴン中に
置き、120分間80〜90℃で乾燥した。
15分間混合した。得られた粉砕混合物をオーヴン中に
置き、120分間80〜90℃で乾燥した。
【0127】焼 成 比較実施例13の材料のリン光体を作るため、前記成分
の混合物20gを焼成した。
の混合物20gを焼成した。
【0128】実施例14の材料を作るため、20gの前
記混合物を0.106gのNb2 O5 と均質混合した。
記混合物を0.106gのNb2 O5 と均質混合した。
【0129】かくして得られた二つの混合物の、20g
をアルミナボート中に置き、別のボートでカバーし、管
状炉中に置いた。焼成は同じ条件下に行った、即ちN2
雰囲気下で450℃で2時間焼成し、次いで温度を上昇
させ、800℃で2時間焼成を続けた。かく焼成した各
試料を炉から取り出し、乳鉢で粉砕し、次いでそれらを
今回は95/5容量%の窒素/水素の雰囲気中で800
℃で2時間焼成した。試料を炉から取り出し、再粉砕
し、前記窒素/水素雰囲気中で800℃で2時間再焼成
した。
をアルミナボート中に置き、別のボートでカバーし、管
状炉中に置いた。焼成は同じ条件下に行った、即ちN2
雰囲気下で450℃で2時間焼成し、次いで温度を上昇
させ、800℃で2時間焼成を続けた。かく焼成した各
試料を炉から取り出し、乳鉢で粉砕し、次いでそれらを
今回は95/5容量%の窒素/水素の雰囲気中で800
℃で2時間焼成した。試料を炉から取り出し、再粉砕
し、前記窒素/水素雰囲気中で800℃で2時間再焼成
した。
【0130】冷却後試料を再粉砕した。
【0131】かくして得られた各リン光体粉末試料を、
酢酸エチル中に溶解したポリエチルアクリレートを含有
する結合剤溶液中に分散させた。得られた各分散液を、
ポリエチレンテレフタレートの厚さ100μmの透明シ
ート上に、500g/m2 の被覆重量を与えるように被
覆した。次にスクリーンをそれらのリン光体のエネルギ
ー貯蔵特性を測定するために使用した。アルゴンレーザ
ー光(514.5nm)に対して露光することによって
残存貯蔵エネルギーを消去した後、各スクリーンを一定
線量のX線で照射し、次いで前述した如くアルゴンイオ
ンレーザー光(514.5nm)で刺激した。
酢酸エチル中に溶解したポリエチルアクリレートを含有
する結合剤溶液中に分散させた。得られた各分散液を、
ポリエチレンテレフタレートの厚さ100μmの透明シ
ート上に、500g/m2 の被覆重量を与えるように被
覆した。次にスクリーンをそれらのリン光体のエネルギ
ー貯蔵特性を測定するために使用した。アルゴンレーザ
ー光(514.5nm)に対して露光することによって
残存貯蔵エネルギーを消去した後、各スクリーンを一定
線量のX線で照射し、次いで前述した如くアルゴンイオ
ンレーザー光(514.5nm)で刺激した。
【0132】pJ/mm3 /mRで表示した変換効率
(C.E.)及びX線照射に続いて1分(1′)後の変
換効率(C.E.)に対する60分(60′)後の変換
効率の比を表4に示す。
(C.E.)及びX線照射に続いて1分(1′)後の変
換効率(C.E.)に対する60分(60′)後の変換
効率の比を表4に示す。
【0133】 表 4 実施例No. C.E. C.E.(60′)/C.E.(1′) 13 4.03 0.20 14 50.50 0.87
【図面の簡単な説明】
【図1】光刺激したとき放出される光のスペクトルに相
当する即発発光スペクトルを示す。
当する即発発光スペクトルを示す。
【図2】実施例1〜6のリン光体中のEu原子濃度に対
するNb原子濃度の比の対数(log〔Nb〕/〔E
u〕)に対してプロットしたpJ/mm3/mRで表示
した変換効率を示す。
するNb原子濃度の比の対数(log〔Nb〕/〔E
u〕)に対してプロットしたpJ/mm3/mRで表示
した変換効率を示す。
1 実施例1〜6のリン光体の変換効率 2 実施例11及び12のリン光体の変換効率
Claims (20)
- 【請求項1】 光刺激可能X線エネルギー吸収性ハロシ
リケート、ハロゲルマネートまたはハロ(シリケート−
ゲルマネート)リン光体において、前記リン光体が、宿
主金属として少なくとも1種のアルカリ土類金属、ハロ
ゲンとしてCl,Br及びIからなる群から選択した少
なくとも1員、ドープ剤としてEu2+及び共ドープ剤と
してニオブ及びタンタルからなる群から選択した少なく
とも1員を含有することを特徴とする光刺激可能X線エ
ネルギー吸収性リン光体。 - 【請求項2】 リン光体が宿主金属としてBa,Sr及
びCaからなる群から選択した少なくとも1種のアルカ
リ土類金属を含有することを特徴とする請求項1のリン
光体。 - 【請求項3】 リン光体が下記実験式: Ba5-(n+p+q) Zq Gev Siw O4 X6 :Eun 2+ ,Dp m+ ,Mz (式中Zはストロンチウム及びカルシウムからなる群か
ら選択した少なくとも1種の共宿主金属であり、 qは0〜0.5の範囲であり、 vは0であるか又は大きくても1に等しく、v+w=1
であり、 Xは臭素及び/又は塩素であり、 nは0.0001〜0.15の範囲であり、 pは0〜0.015の範囲であり、 DはEu2+及びCe3+以外の稀土類金属イオン、Na+
及びK+ からなる群から選択した少なくとも1種の共ド
ープ剤であり、 mは1又は3であり、 Mはニオブ及び/又はタンタルであり、 zは0.001〜0.1の範囲である)の範囲内にある
ことを特徴とする請求項1のリン光体。 - 【請求項4】 Mがニオブであり、zが0.001〜
0.02の範囲であることを特徴とする請求項3のリン
光体。 - 【請求項5】 Mがタンタルであり、zが0.02〜
0.1の範囲であることを特徴とする請求項3のリン光
体。 - 【請求項6】 リン光体が下記実験式: Sr5-(n+p+q) Zq Gev Siw O4 X6 :Eun 2+ ,Dp m+ ,Mz (式中Zはバリウム及びカルシウムからなる群から選択
した少なくとも1種の共宿主金属であり、 qは0〜0.5の範囲であり、 vは0であるか又は大きくても1に等しく、v+w=1
であり、 Xは臭素であり、 nは0.0001〜0.15の範囲であり、 pは0〜0.015の範囲であり、 DはEu2+及びCe3+以外の稀土類金属イオン、Na+
及びK+ からなる群から選択した少なくとも1種の共ド
ープ剤であり、 mは1又は3であり、 Mはニオブ及び/又はタンタルであり、 zは0.001〜0.1の範囲である)の範囲内にある
ことを特徴とする請求項1のリン光体。 - 【請求項7】 リン光体が、下記実験式(I)又は(I
I): (I)Ba5-(n+p) Gev Siw O4 X6 :Eun 2+ ,Dp m+ ,Mz (II)Sr5-(n+p) Gev Siw O4 Br6 :Eun 2+ ,Dp m+ ,Mz (式中vは0であるか又は大きくても1に等しく、v+
w=1であり、 Xは臭素及び/又は塩素であり、 nは0.0001〜0.15の範囲であり、 pは0〜0.015の範囲であり、 DはEu2+及びCe3+以外の稀土類金属イオン、Na+
及びK+ からなる群から選択した少なくとも1種の共ド
ープ剤であり、 mは1又は3であり、 Mはニオブ及び/又はタンタルであり、 zは0.001〜0.1の範囲である)の一つの範囲内
にあることを特徴とする請求項1のリン光体。 - 【請求項8】 リン光体が、下記実験式(III) 又は(I
V): (III) Ba5-n Gev Siw O4 X6 ,Eun 2+ ,Mz (IV) Sr5-n Gev Siw O4 Br6 ,Eun 2+ ,Mz (式中vは0≦v≦1の範囲であり、v+wは1に等し
い、 Xは臭素及び/又は塩素であり、 Mはニオブ及び/又はタンタルであり、 zは0.001〜0.1の範囲である)の一つの範囲内
にあることを特徴とする請求項1のリン光体。 - 【請求項9】 X線像を記録及び再生する方法であっ
て、前記方法が、 (1)X線に対し光刺激可能リン光体を像に従って露光
し、 (2)前記リン光体を可視光及び赤外光から選択した刺
激性電磁放射線で光刺激して、吸収されたX線に従って
前記リン光体から光刺激に使用した放射線とは波長特性
において異なる電磁放射線を放出させ、 (3)工程(2)で適用した光刺激によって放射された
光を検出する工程を含有する方法において、前記リン光
体が、宿主金属として少なくとも1種のアルカリ土類金
属、ハロゲンとしてCl,Br及びIからなる群から選
択した少なくとも1員、ドープ剤としてEu2+、及び共
ドープ剤としてニオブ及びタンタルからなる群から選択
した少なくとも1員を含有することを特徴とするX線像
を記録及び再生する方法。 - 【請求項10】 リン光体が、宿主金属としてBa,S
r及びCaからなる群から選択した少なくとも1種のア
ルカリ土類金属を含有することを特徴とする請求項9の
方法。 - 【請求項11】 リン光体が、下記実験式: Ba5-(n+p+q) Zq Gev Siw O4 X6 :Eun 2+ ,Dp m+ ,Mz (式中Zはストロンチウム及びカルシウムからなる群か
ら選択した少なくとも1種の共宿主金属であり、 qは0〜0.5の範囲であり、 vは0であるか又は大きくても1に等しく、v+w=1
であり、 Xは臭素及び/又は塩素であり、 nは0.0001〜0.15の範囲であり、 pは0〜0.015の範囲であり、 DはEu2+及びCe3+以外の稀土類金属イオン、Na+
及びK+ からなる群から選択した少なくとも1種の共ド
ープ剤であり、 mは1又は3であり、 Mはニオブ及び/又はタンタルであり、 zは0.001〜0.1の範囲である)の範囲内にある
ことを特徴とする請求項9の方法。 - 【請求項12】 Mがニオブであり、zが0.001〜
0.02の範囲であることを特徴とする請求項11の方
法。 - 【請求項13】 Mがタンタルであり、zが0.02〜
0.1の範囲であることを特徴とする請求項11の方
法。 - 【請求項14】 リン光体が、下記実験式: Sr5-(n+p+q) Zq Gev Siw O4 X6 :Eun 2+ ,Dp m+ ,Mz (式中Zはバリウム及びカルシウムからなる群から選択
した少なくとも1種の共宿主金属であり、 qは0〜0.5の範囲であり、 vは0であるか又は大きくても1に等しく、v+w=1
であり、 Xは臭素であり、 nは0.0001〜0.15の範囲であり、 pは0〜0.015の範囲であり、 DはEu2+及びCe3+以外の稀土類金属イオン、Na+
及びK+ からなる群から選択した少なくとも1種の共ド
ープ剤であり、 mは1又は3であり、 Mはニオブ及び/又はタンタルであり、 zは0.001〜0.1の範囲である)の範囲内にある
ことを特徴とする請求項9の方法。 - 【請求項15】 リン光体が、下記実験式(I)又は
(II): (I)Ba5-(n+p) Gev Siw O4 X6 :Eun 2+ ,Dp m+ ,Mz (II)Sr5-(n+p) Gev Siw O4 Br6 :Eun 2+ ,Dp m+ ,Mz (式中vは0であるか又は大きくても1に等しく、v+
w=1であり、 Xは臭素及び/又は塩素であり、 nは0.0001〜0.15の範囲であり、 pは0〜0.015の範囲であり、 DはEu2+及びCe3+以外の稀土類金属イオン、Na+
及びK+ からなる群から選択した少なくとも1種の共ド
ープ剤であり、 mは1又は3であり、 Mはニオブ及び/又はタンタルであり、 zは0.001〜0.1の範囲である)の一つの範囲内
にあることを特徴とする請求項9の方法。 - 【請求項16】 リン光体が、下記実験式(III) 又は(I
V): (III) Ba5-n Gev Siw O4 X6 ,Eun 2+ ,Mz (IV) Sr5-n Gev Siw O4 Br6 ,Eun 2+ ,Mz (式中nは0.0001〜0.15の範囲であり、 vは0≦v≦1の範囲であり、v+wは1に等しい、 Xは臭素及び/又は塩素であり、 Mはニオブ及び/又はタンタルであり、 zは0.001〜0.1の範囲である)の一つの範囲内
にあることを特徴とする請求項9の方法。 - 【請求項17】 光刺激を480〜560nmの波長範
囲における可視光で行うことを特徴とする請求項9の方
法。 - 【請求項18】 光刺激を、514.5で放出するアル
ゴンイオンレーザーのレーザービームで又は周波数二重
Nd:YAGレーザーのレーザービームで行うことを特
徴とする請求項17の方法。 - 【請求項19】 光刺激により放出される光を検出する
前に、刺激性光を、光刺激で放出された光に対して高透
過率を有する一つ以上の光学フィルターによって露光す
ることを特徴とする請求項9の方法。 - 【請求項20】 光刺激時に放出される光を光電子的に
検出し、ディジタル化及び貯蔵される電気信号を生ぜし
め、陰極線管上に表示するか又は写真材料を走査するた
めの書込みレーザービームを変調するために使用するこ
とを特徴とする請求項9の方法。
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