JPH05119280A - ガルバノミラー - Google Patents
ガルバノミラーInfo
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- JPH05119280A JPH05119280A JP27584591A JP27584591A JPH05119280A JP H05119280 A JPH05119280 A JP H05119280A JP 27584591 A JP27584591 A JP 27584591A JP 27584591 A JP27584591 A JP 27584591A JP H05119280 A JPH05119280 A JP H05119280A
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- mirror
- mirror surface
- back surface
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ミラー部の傾斜角度を精度良くコントロール
することが可能で、そのミラー部の横すべりやエッジ部
での破壊を防止することが可能なガルバノミラーを提供
する。 【構成】 両端をトーションバー８により支持されたミ
ラー面１０を有するミラー部９と、ミラー面１０の裏面
側と対向する位置の基板７上に設けられた電極部１２
ａ，１２ｂとを備え、この電極部１２ａ，１２ｂとミラ
ー面１０の裏面との間で静電引力を作用させることによ
りミラー面１０の傾斜角度を変化させるガルバノミラー
において、トーションバー８に歪ゲージＲ１〜Ｒ４を形
成し、歪ゲージＲ１〜Ｒ４の抵抗値の変化を測定してミ
ラー面１０の傾斜角度θを制御するミラー面傾斜角度制
御手段を設けた。
することが可能で、そのミラー部の横すべりやエッジ部
での破壊を防止することが可能なガルバノミラーを提供
する。 【構成】 両端をトーションバー８により支持されたミ
ラー面１０を有するミラー部９と、ミラー面１０の裏面
側と対向する位置の基板７上に設けられた電極部１２
ａ，１２ｂとを備え、この電極部１２ａ，１２ｂとミラ
ー面１０の裏面との間で静電引力を作用させることによ
りミラー面１０の傾斜角度を変化させるガルバノミラー
において、トーションバー８に歪ゲージＲ１〜Ｒ４を形
成し、歪ゲージＲ１〜Ｒ４の抵抗値の変化を測定してミ
ラー面１０の傾斜角度θを制御するミラー面傾斜角度制
御手段を設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザプリンタのスキ
ャナや投影型のディスプレイのスキャナ等において用い
られるガルバノミラーに関する。
ャナや投影型のディスプレイのスキャナ等において用い
られるガルバノミラーに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光ディスクピックアップの光路制
御部等に用いられるガルバノミラーとしては、例えば、
「Ｓillicon ＴorsionalＳcanning Ｍirror」というタ
イトルで、IBM J.RES.DEVELOP，voL.24，NO.5，SEPTEMB
ER，1980に開示されているものがある。図６（ａ）はそ
のガルバノミラーの平面図を示し、図６（ｂ）はそのＡ
−Ａ断面図を示すものである。これは、表面が鏡面研磨
してあるＳｉ単結晶基板（以下、単に、基板１という）
をＫＯＨ水溶液により結晶軸異方性エッチングを行うこ
とによって、２本のトーションバー２と、このトーショ
ンバー２に支持されたミラー部３とを形成する。このミ
ラー部３には、その表面の鏡面側がミラー面４とされ、
その裏面側は基板１に形成された突起部５により支持さ
れている。また、そのミラー部３の裏面と対向する基板
１上には電極６が設けられている。そして、この場合、
その電極６に電圧を印加することにより裏面側との間で
静電力を作用させ、これによりミラー面４を傾斜させる
ことができる。
御部等に用いられるガルバノミラーとしては、例えば、
「Ｓillicon ＴorsionalＳcanning Ｍirror」というタ
イトルで、IBM J.RES.DEVELOP，voL.24，NO.5，SEPTEMB
ER，1980に開示されているものがある。図６（ａ）はそ
のガルバノミラーの平面図を示し、図６（ｂ）はそのＡ
−Ａ断面図を示すものである。これは、表面が鏡面研磨
してあるＳｉ単結晶基板（以下、単に、基板１という）
をＫＯＨ水溶液により結晶軸異方性エッチングを行うこ
とによって、２本のトーションバー２と、このトーショ
ンバー２に支持されたミラー部３とを形成する。このミ
ラー部３には、その表面の鏡面側がミラー面４とされ、
その裏面側は基板１に形成された突起部５により支持さ
れている。また、そのミラー部３の裏面と対向する基板
１上には電極６が設けられている。そして、この場合、
その電極６に電圧を印加することにより裏面側との間で
静電力を作用させ、これによりミラー面４を傾斜させる
ことができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したようなガルバ
ノミラーにおいては、ミラー面４を傾斜させることはで
きるが、その傾斜角度θを検出してその角度を制御する
ための手段がない。しかも、この場合、作用する静電引
力は、電極６とミラー部３との距離が短くなるほど力が
強くなるために、傾斜角度を検出せずに電極６への印加
電圧のみで正確に角度制御（オープンループ）を行おう
とするのは非常に難しい。また、このように角度制御を
行っていないため、ミラー部３のエッジ部分が電極６に
衝突する場合があり、これにより有害な振動とエッジ部
分の破壊が生じる恐れがある。
ノミラーにおいては、ミラー面４を傾斜させることはで
きるが、その傾斜角度θを検出してその角度を制御する
ための手段がない。しかも、この場合、作用する静電引
力は、電極６とミラー部３との距離が短くなるほど力が
強くなるために、傾斜角度を検出せずに電極６への印加
電圧のみで正確に角度制御（オープンループ）を行おう
とするのは非常に難しい。また、このように角度制御を
行っていないため、ミラー部３のエッジ部分が電極６に
衝突する場合があり、これにより有害な振動とエッジ部
分の破壊が生じる恐れがある。
【０００４】また、図６（ｂ）に示すように、電極６と
の間で作用する静電引力はＹ方向のみならずＸ方向にも
作用するが、ミラー面４の裏面側は平坦になっているた
めそのＸ方向に力に対してミラー部３が横スベリを起こ
す結果となる。このような横スベリの現象により傾斜角
度θが変化してビームの光路が所望の方向からはずれる
ことになる。
の間で作用する静電引力はＹ方向のみならずＸ方向にも
作用するが、ミラー面４の裏面側は平坦になっているた
めそのＸ方向に力に対してミラー部３が横スベリを起こ
す結果となる。このような横スベリの現象により傾斜角
度θが変化してビームの光路が所望の方向からはずれる
ことになる。
【０００５】さらに、ミラー部３の裏面のエッジ部分が
電極６に接触した場合でも、ミラー部３の裏面と電極６
との間にはギャップが存在する。静電引力は電極間距離
が遠いほど力は弱くなる。従って、０．０２の傾斜角度
θを出すためには、３００Ｖの印加電圧が必要となる。
また、ミラー部３の裏面のエッジのみが電極６に衝突す
るためこの部分に衝突の際の応力が集中し、エッジ部分
が破壊しやすくなる。
電極６に接触した場合でも、ミラー部３の裏面と電極６
との間にはギャップが存在する。静電引力は電極間距離
が遠いほど力は弱くなる。従って、０．０２の傾斜角度
θを出すためには、３００Ｖの印加電圧が必要となる。
また、ミラー部３の裏面のエッジのみが電極６に衝突す
るためこの部分に衝突の際の応力が集中し、エッジ部分
が破壊しやすくなる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、両端をトーションバーにより支持されたミラー面を
有するミラー部と、前記ミラー面の裏面側と対向する位
置の基板上に設けられた電極部とを備え、この電極部と
前記ミラー面の裏面との間で静電引力を作用させること
により前記ミラー面の傾斜角度を変化させるガルバノミ
ラーにおいて、前記トーションバーに歪ゲージを形成
し、前記歪ゲージの抵抗値の変化を測定して前記ミラー
面の傾斜角度を制御するミラー面傾斜角度制御手段を設
けた。
は、両端をトーションバーにより支持されたミラー面を
有するミラー部と、前記ミラー面の裏面側と対向する位
置の基板上に設けられた電極部とを備え、この電極部と
前記ミラー面の裏面との間で静電引力を作用させること
により前記ミラー面の傾斜角度を変化させるガルバノミ
ラーにおいて、前記トーションバーに歪ゲージを形成
し、前記歪ゲージの抵抗値の変化を測定して前記ミラー
面の傾斜角度を制御するミラー面傾斜角度制御手段を設
けた。
【０００７】請求項２記載の発明では、両端をトーショ
ンバーにより支持されたミラー面を有するミラー部と、
前記ミラー面の裏面側と対向する位置の基板上に設けら
れた電極部とを備え、この電極部と前記ミラー面の裏面
との間で静電引力を作用させることにより前記ミラー面
の傾斜角度を変化させるガルバノミラーにおいて、前記
ミラー面の裏面にＶ字型の溝を形成し、このＶ字型の溝
に対向する前記基板上にその溝と嵌合する突起部を形成
した。
ンバーにより支持されたミラー面を有するミラー部と、
前記ミラー面の裏面側と対向する位置の基板上に設けら
れた電極部とを備え、この電極部と前記ミラー面の裏面
との間で静電引力を作用させることにより前記ミラー面
の傾斜角度を変化させるガルバノミラーにおいて、前記
ミラー面の裏面にＶ字型の溝を形成し、このＶ字型の溝
に対向する前記基板上にその溝と嵌合する突起部を形成
した。
【０００８】請求項３記載の発明では、両端をトーショ
ンバーにより支持されたミラー面を有するミラー部と、
前記ミラー面の裏面側と対向する位置の基板上に設けら
れた電極部とを備え、この電極部と前記ミラー面の裏面
との間で静電引力を作用させることにより前記ミラー面
の傾斜角度を変化させるガルバノミラーにおいて、前記
ミラー面の裏面側と対向する位置の前記基板にＶ字型の
傾斜面を形成し、この傾斜面に前記電極を配設した。
ンバーにより支持されたミラー面を有するミラー部と、
前記ミラー面の裏面側と対向する位置の基板上に設けら
れた電極部とを備え、この電極部と前記ミラー面の裏面
との間で静電引力を作用させることにより前記ミラー面
の傾斜角度を変化させるガルバノミラーにおいて、前記
ミラー面の裏面側と対向する位置の前記基板にＶ字型の
傾斜面を形成し、この傾斜面に前記電極を配設した。
【０００９】
【作用】請求項１記載の発明では、トーションバーに形
成した歪ゲージの抵抗値変化によりミラー面の傾斜角度
を測定し、その測定値を電極へ印加する電圧へフィード
バックすることにより、ミラー傾斜角度を精度良く制御
することが可能となる。
成した歪ゲージの抵抗値変化によりミラー面の傾斜角度
を測定し、その測定値を電極へ印加する電圧へフィード
バックすることにより、ミラー傾斜角度を精度良く制御
することが可能となる。
【００１０】請求項２記載の発明では、ミラー部の裏面
に形成されたＶ字型の溝と基板に形成された突起部とを
嵌め合わせ、両者の接点を支点としてミラー部を傾斜さ
せることにより、ミラー部の横すべりを防止することが
可能となる。
に形成されたＶ字型の溝と基板に形成された突起部とを
嵌め合わせ、両者の接点を支点としてミラー部を傾斜さ
せることにより、ミラー部の横すべりを防止することが
可能となる。
【００１１】請求項３記載の発明では、電極はＶ字型の
なだらかな傾斜面に形成しているため、ミラー部の裏面
と電極間の距離を短くすることができ、これにより従来
よりも一段と小さな電圧でミラー部の傾斜角度を必要な
だけ得ることが可能となる。
なだらかな傾斜面に形成しているため、ミラー部の裏面
と電極間の距離を短くすることができ、これにより従来
よりも一段と小さな電圧でミラー部の傾斜角度を必要な
だけ得ることが可能となる。
【００１２】
【実施例】請求項１記載の発明の一実施例を図１〜図３
に基づいて説明する。図１はガルバノミラーの全体構成
を示すものである。基板７上には、２本のトーションバ
ー８が形成されており、このトーションバー８に支持さ
れた中央部にはミラー部９が形成されている。このミラ
ー部９の表面側は鏡面に仕上げられたミラー面１０が形
成されている。また、ミラー部９はその裏面側で基板７
の突起部１１にて保持されている。この突起部１１の左
右両側のミラー部９の裏面と対向する位置の基板７上に
は電極部１２ａ，１２ｂが設けられている。
に基づいて説明する。図１はガルバノミラーの全体構成
を示すものである。基板７上には、２本のトーションバ
ー８が形成されており、このトーションバー８に支持さ
れた中央部にはミラー部９が形成されている。このミラ
ー部９の表面側は鏡面に仕上げられたミラー面１０が形
成されている。また、ミラー部９はその裏面側で基板７
の突起部１１にて保持されている。この突起部１１の左
右両側のミラー部９の裏面と対向する位置の基板７上に
は電極部１２ａ，１２ｂが設けられている。
【００１３】そして、このようなガルバノミラーにおい
て、前記トーションバー８の根本付近には歪ゲージＲ１
〜Ｒ４が４個形成されている。また、それら歪ゲージＲ
１〜Ｒ４の抵抗値の変化を測定して前記ミラー面１０の
傾斜角度θを制御するミラー面傾斜角度制御手段１３が
設けられている。このミラー面傾斜角度制御手段１３
は、図２に示すように、前記歪ゲージＲ１〜Ｒ４を接続
してなるホイーストンブリッジ１４と、差動アンプ１５
と、帰還回路１６と、反転増幅器１７とによりなってい
る。図３はそのホイーストンブリッジ回路１４（以下、
単に回路１４と呼ぶ）を示すものである。なお、このよ
うな形状をなすガルバノミラーは、例えば、基板７とし
てＳｉ単結晶基板を用い、周知の結晶軸異方性エッチン
グ、イオン注入法、固相拡散法等を用いて作製すること
ができる。
て、前記トーションバー８の根本付近には歪ゲージＲ１
〜Ｒ４が４個形成されている。また、それら歪ゲージＲ
１〜Ｒ４の抵抗値の変化を測定して前記ミラー面１０の
傾斜角度θを制御するミラー面傾斜角度制御手段１３が
設けられている。このミラー面傾斜角度制御手段１３
は、図２に示すように、前記歪ゲージＲ１〜Ｒ４を接続
してなるホイーストンブリッジ１４と、差動アンプ１５
と、帰還回路１６と、反転増幅器１７とによりなってい
る。図３はそのホイーストンブリッジ回路１４（以下、
単に回路１４と呼ぶ）を示すものである。なお、このよ
うな形状をなすガルバノミラーは、例えば、基板７とし
てＳｉ単結晶基板を用い、周知の結晶軸異方性エッチン
グ、イオン注入法、固相拡散法等を用いて作製すること
ができる。
【００１４】このような構成において、今、図１（ｂ）
に示すように、ミラー部９が電極１２ａ側に傾斜角度θ
だけ傾き引き寄せられたとすると、２本のトーションバ
ー８に歪が発生する。この歪により左側に位置する歪ゲ
ージＲ１，Ｒ４は引張りの歪を受け、右側に位置するＲ
２，Ｒ３は圧縮の歪を受ける。今、歪ゲージＲ１〜Ｒ４
はＰ型拡散抵抗により形成されているとすると、Ｒ１，
Ｒ４は抵抗値が増加し、Ｒ２，Ｒ３は抵抗値が減少する
ことになるため、図３の回路１４において出力電圧Ｖは
Ｖ＝Ｖａ−Ｖｂの値は負（−ΔＶ）となる。一方、ミラ
ー面１０が電極１２ｂ側に引き寄せられた場合には、出
力電圧Ｖは正（＋ΔＶ）となる。この場合、Ｒ１〜Ｒ４
に生じる歪とミラー部９の傾斜角度θとの間には直線関
係があるため、図３の回路１４により得られた出力電圧
Ｖにより、ミラー面１０の傾斜角度θを測定することが
できる。このようにして検出された出力電圧Ｖを図２に
示すようなミラー面傾斜角度制御手段１３にて演算を行
う。すなわち、出力電圧Ｖを差動アンプ１５にて検出し
た後、その出力電圧Ｖを帰還回路１６に入力することに
より傾斜角度θに見合った値として算出し、この算出さ
れた値を電圧値として電極１２ａ，１２ｂに一方は反転
増幅器１７を介してフィードバックする。これにより、
静電引力を用いて傾斜角度θを決定しているにもかかわ
らず、その角度制御を精度良く行うことができる。しか
も、このようなミラー面傾斜角度制御手段１３を用いて
制御を行うことにより、ミラー部９のエッジ部が電極１
２ａ，１２ｂに勢いよく衝突するようなこともなくな
り、そのエッジ部分での破壊を防止することが可能とな
る。
に示すように、ミラー部９が電極１２ａ側に傾斜角度θ
だけ傾き引き寄せられたとすると、２本のトーションバ
ー８に歪が発生する。この歪により左側に位置する歪ゲ
ージＲ１，Ｒ４は引張りの歪を受け、右側に位置するＲ
２，Ｒ３は圧縮の歪を受ける。今、歪ゲージＲ１〜Ｒ４
はＰ型拡散抵抗により形成されているとすると、Ｒ１，
Ｒ４は抵抗値が増加し、Ｒ２，Ｒ３は抵抗値が減少する
ことになるため、図３の回路１４において出力電圧Ｖは
Ｖ＝Ｖａ−Ｖｂの値は負（−ΔＶ）となる。一方、ミラ
ー面１０が電極１２ｂ側に引き寄せられた場合には、出
力電圧Ｖは正（＋ΔＶ）となる。この場合、Ｒ１〜Ｒ４
に生じる歪とミラー部９の傾斜角度θとの間には直線関
係があるため、図３の回路１４により得られた出力電圧
Ｖにより、ミラー面１０の傾斜角度θを測定することが
できる。このようにして検出された出力電圧Ｖを図２に
示すようなミラー面傾斜角度制御手段１３にて演算を行
う。すなわち、出力電圧Ｖを差動アンプ１５にて検出し
た後、その出力電圧Ｖを帰還回路１６に入力することに
より傾斜角度θに見合った値として算出し、この算出さ
れた値を電圧値として電極１２ａ，１２ｂに一方は反転
増幅器１７を介してフィードバックする。これにより、
静電引力を用いて傾斜角度θを決定しているにもかかわ
らず、その角度制御を精度良く行うことができる。しか
も、このようなミラー面傾斜角度制御手段１３を用いて
制御を行うことにより、ミラー部９のエッジ部が電極１
２ａ，１２ｂに勢いよく衝突するようなこともなくな
り、そのエッジ部分での破壊を防止することが可能とな
る。
【００１５】次に、請求項２記載の発明の一実施例を図
４に基づいて説明する。なお、請求項１記載の発明と同
一部分については同一符号を用いる。
４に基づいて説明する。なお、請求項１記載の発明と同
一部分については同一符号を用いる。
【００１６】基板７の中央部で両端を２本のトーション
バー８により支持されたミラー面１０を有するミラー部
９と、前記ミラー面１０の裏面側と対向する位置の基板
７上に設けられた電極部１２ａ，１２ｂとを備えたガル
バノミラーにおいて、図４（ｂ）に示すように、前記ミ
ラー面１０の裏面にはＶ字型の溝としての長溝１８が形
成されている。また、このＶ字型の長溝１８に対向する
基板７上には、その長溝１８と嵌合するＶ字型の突起部
１９（これは図１（ｂ）の突起部１１に相当するもの）
が形成されている。この場合、長溝１８と突起部１９と
は、周知のＳｉを用いた結晶軸異方性エッチングにより
形成することが可能である。また、基板７側のＶ字型の
突起部１９の先端が鋭すぎて傾斜角度θを変化させる際
の抵抗が大きい場合は、等方性エッチング等により先端
部を丸めればよい。また、摩擦抵抗が大きい場合には、
硬質炭素膜、Ｓｉ3Ｎ4膜等をコートすればよい。
バー８により支持されたミラー面１０を有するミラー部
９と、前記ミラー面１０の裏面側と対向する位置の基板
７上に設けられた電極部１２ａ，１２ｂとを備えたガル
バノミラーにおいて、図４（ｂ）に示すように、前記ミ
ラー面１０の裏面にはＶ字型の溝としての長溝１８が形
成されている。また、このＶ字型の長溝１８に対向する
基板７上には、その長溝１８と嵌合するＶ字型の突起部
１９（これは図１（ｂ）の突起部１１に相当するもの）
が形成されている。この場合、長溝１８と突起部１９と
は、周知のＳｉを用いた結晶軸異方性エッチングにより
形成することが可能である。また、基板７側のＶ字型の
突起部１９の先端が鋭すぎて傾斜角度θを変化させる際
の抵抗が大きい場合は、等方性エッチング等により先端
部を丸めればよい。また、摩擦抵抗が大きい場合には、
硬質炭素膜、Ｓｉ3Ｎ4膜等をコートすればよい。
【００１７】このようにして、ミラー部９の裏面に形成
された長溝１８と、基板７上に形成された突起部１９と
の接点を支点とすることにより、ミラー面１０が傾斜す
ることになるため、ミラー部９の横すべりを防止するこ
とができる。
された長溝１８と、基板７上に形成された突起部１９と
の接点を支点とすることにより、ミラー面１０が傾斜す
ることになるため、ミラー部９の横すべりを防止するこ
とができる。
【００１８】次に、請求項３記載の発明の一実施例を図
５に基づいて説明する。なお、請求項１記載の発明と同
一部分については同一符号を用いる。
５に基づいて説明する。なお、請求項１記載の発明と同
一部分については同一符号を用いる。
【００１９】基板７の中央部で両端を２本のトーション
バー８により支持されたミラー面１０を有するミラー部
９と、前記ミラー面１０の裏面側と対向する位置の基板
７上に設けられた電極部１２ａ，１２ｂとを備えたガル
バノミラーにおいて、図５（ｂ）に示すように、ミラー
面１０の裏面側と対向する位置の基板７にはＶ字型の傾
斜面２０が形成されている。このなだらかな傾斜面２０
に電極１２ａ，１２ｂが形成されており、この傾斜角度
がミラー面１０の最大傾斜角度を規定している。
バー８により支持されたミラー面１０を有するミラー部
９と、前記ミラー面１０の裏面側と対向する位置の基板
７上に設けられた電極部１２ａ，１２ｂとを備えたガル
バノミラーにおいて、図５（ｂ）に示すように、ミラー
面１０の裏面側と対向する位置の基板７にはＶ字型の傾
斜面２０が形成されている。このなだらかな傾斜面２０
に電極１２ａ，１２ｂが形成されており、この傾斜角度
がミラー面１０の最大傾斜角度を規定している。
【００２０】このようなガルバノミラーにおいて、電極
１２ｂの静電引力が作用してミラー部９が傾斜すると、
図５（ｂ）に示すように、ミラー部９の裏面と電極１２
ｂとが全面に渡って面接触する。一般に、静電引力は、
引き合う電極間（ここでは、ミラー部９の裏面と電極１
２ｂとの間）の距離が短いほど、同じ電圧を印加した場
合、強い力を発生する。従って、本実施例の場合、ミラ
ー部９が傾斜した場合、電極１２ｂとミラー部９の裏面
との間の距離がはるかに短くなるため、従来よりもはる
かに小さな電圧で同じ傾斜角度θを得ることが可能とな
る。また、ここでは、ミラー部９が最大に傾斜した場
合、電極１２ｂとミラー部９の裏面とが面接触の状態と
なるため、従来のようにエッジ部分に応力が集中するよ
うなことがないため、このエッジ部分での破壊を防止す
ることもできる。
１２ｂの静電引力が作用してミラー部９が傾斜すると、
図５（ｂ）に示すように、ミラー部９の裏面と電極１２
ｂとが全面に渡って面接触する。一般に、静電引力は、
引き合う電極間（ここでは、ミラー部９の裏面と電極１
２ｂとの間）の距離が短いほど、同じ電圧を印加した場
合、強い力を発生する。従って、本実施例の場合、ミラ
ー部９が傾斜した場合、電極１２ｂとミラー部９の裏面
との間の距離がはるかに短くなるため、従来よりもはる
かに小さな電圧で同じ傾斜角度θを得ることが可能とな
る。また、ここでは、ミラー部９が最大に傾斜した場
合、電極１２ｂとミラー部９の裏面とが面接触の状態と
なるため、従来のようにエッジ部分に応力が集中するよ
うなことがないため、このエッジ部分での破壊を防止す
ることもできる。
【００２１】
【発明の効果】請求項１記載の発明は、両端をトーショ
ンバーにより支持されたミラー面を有するミラー部と、
前記ミラー面の裏面側と対向する位置の基板上に設けら
れた電極部とを備え、この電極部と前記ミラー面の裏面
との間で静電引力を作用させることにより前記ミラー面
の傾斜角度を変化させるガルバノミラーにおいて、前記
トーションバーに歪ゲージを形成し、前記歪ゲージの抵
抗値の変化を測定して前記ミラー面の傾斜角度を制御す
るミラー面傾斜角度制御手段を設けたので、トーション
バーに形成した歪ゲージの抵抗値変化によりミラー面の
傾斜角度を測定し、その測定値を電極へ印加する電圧へ
フィードバックすることにより、ミラー傾斜角度を精度
良く制御することができ、しかも、これによりミラー部
のエッジでの破壊を防止することができるものである。
ンバーにより支持されたミラー面を有するミラー部と、
前記ミラー面の裏面側と対向する位置の基板上に設けら
れた電極部とを備え、この電極部と前記ミラー面の裏面
との間で静電引力を作用させることにより前記ミラー面
の傾斜角度を変化させるガルバノミラーにおいて、前記
トーションバーに歪ゲージを形成し、前記歪ゲージの抵
抗値の変化を測定して前記ミラー面の傾斜角度を制御す
るミラー面傾斜角度制御手段を設けたので、トーション
バーに形成した歪ゲージの抵抗値変化によりミラー面の
傾斜角度を測定し、その測定値を電極へ印加する電圧へ
フィードバックすることにより、ミラー傾斜角度を精度
良く制御することができ、しかも、これによりミラー部
のエッジでの破壊を防止することができるものである。
【００２２】請求項２記載の発明は、両端をトーション
バーにより支持されたミラー面を有するミラー部と、前
記ミラー面の裏面側と対向する位置の基板上に設けられ
た電極部とを備え、この電極部と前記ミラー面の裏面と
の間で静電引力を作用させることにより前記ミラー面の
傾斜角度を変化させるガルバノミラーにおいて、前記ミ
ラー面の裏面にＶ字型の溝を形成し、このＶ字型の溝に
対向する前記基板上にその溝と嵌合する突起部を形成し
たので、ミラー部の裏面に形成されたＶ字型の溝と基板
に形成された突起部とを嵌め合わせ、両者の接点を支点
としてミラーを傾斜させることにより、ミラー部の横す
べりを防止することができるものである。
バーにより支持されたミラー面を有するミラー部と、前
記ミラー面の裏面側と対向する位置の基板上に設けられ
た電極部とを備え、この電極部と前記ミラー面の裏面と
の間で静電引力を作用させることにより前記ミラー面の
傾斜角度を変化させるガルバノミラーにおいて、前記ミ
ラー面の裏面にＶ字型の溝を形成し、このＶ字型の溝に
対向する前記基板上にその溝と嵌合する突起部を形成し
たので、ミラー部の裏面に形成されたＶ字型の溝と基板
に形成された突起部とを嵌め合わせ、両者の接点を支点
としてミラーを傾斜させることにより、ミラー部の横す
べりを防止することができるものである。
【００２３】請求項３記載の発明は、両端をトーション
バーにより支持されたミラー面を有するミラー部と、前
記ミラー面の裏面側と対向する位置の基板上に設けられ
た電極部とを備え、この電極部と前記ミラー面の裏面と
の間で静電引力を作用させることにより前記ミラー面の
傾斜角度を変化させるガルバノミラーにおいて、前記ミ
ラー面の裏面側と対向する位置の前記基板にＶ字型の傾
斜面を形成し、この傾斜面に前記電極を配設したので、
このように電極はＶ字型のなだらかな傾斜面に形成して
いるためミラー部の裏面と電極との間の距離を短くする
ことができ、これにより従来よりも一段と小さな電圧で
ミラー部の傾斜角度を必要なだけ得ることができ、しか
も、ミラー部の裏面と電極とは面接触するためミラー部
に衝突応力が集中するということがなくなり、ミラー部
の破損を防止することができるものである。
バーにより支持されたミラー面を有するミラー部と、前
記ミラー面の裏面側と対向する位置の基板上に設けられ
た電極部とを備え、この電極部と前記ミラー面の裏面と
の間で静電引力を作用させることにより前記ミラー面の
傾斜角度を変化させるガルバノミラーにおいて、前記ミ
ラー面の裏面側と対向する位置の前記基板にＶ字型の傾
斜面を形成し、この傾斜面に前記電極を配設したので、
このように電極はＶ字型のなだらかな傾斜面に形成して
いるためミラー部の裏面と電極との間の距離を短くする
ことができ、これにより従来よりも一段と小さな電圧で
ミラー部の傾斜角度を必要なだけ得ることができ、しか
も、ミラー部の裏面と電極とは面接触するためミラー部
に衝突応力が集中するということがなくなり、ミラー部
の破損を防止することができるものである。
【図１】請求項１記載の発明の一実施例であるガルバノ
ミラーの形状を示すものであり、（ａ）は平面図、
（ｂ）はそのＡ−Ａ断面形状を示す断面図である。
ミラーの形状を示すものであり、（ａ）は平面図、
（ｂ）はそのＡ−Ａ断面形状を示す断面図である。
【図２】図１のガルバノミラーにおけるミラー面傾斜角
度制御手段を含めた回路構成を示す回路構成図である。
度制御手段を含めた回路構成を示す回路構成図である。
【図３】ホイーストンブリッジの回路構成図である。
【図４】請求項２記載の発明の一実施例を示すものであ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ断面形状を示
す断面図である。
り、（ａ）は平面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ断面形状を示
す断面図である。
【図５】請求項３記載の発明の一実施例を示すものであ
り、（ａ）はガルバノミラーに静電力が作用する前の状
態を示す断面図、（ｂ）はガルバノミラーに静電力が作
用した後の電極と面接触した状態を示す断面図である。
り、（ａ）はガルバノミラーに静電力が作用する前の状
態を示す断面図、（ｂ）はガルバノミラーに静電力が作
用した後の電極と面接触した状態を示す断面図である。
【図６】従来例を示すものであり、（ａ）は平面図、
（ｂ）はそのＡ−Ａ断面形状を示す断面図である。
（ｂ）はそのＡ−Ａ断面形状を示す断面図である。
７ 基板 ８ トーションバー ９ ミラー部 １０ ミラー面 １２ａ，１２ｂ 電極部 １３ ミラー面傾斜角度制御手段 １８ 溝 １９ 突起部 ２０ 傾斜面 Ｒ１〜Ｒ４ 歪ゲージ θ 傾斜角度
Claims (3)
- 【請求項１】 両端をトーションバーにより支持された
ミラー面を有するミラー部と、前記ミラー面の裏面側と
対向する位置の基板上に設けられた電極部とを備え、こ
の電極部と前記ミラー面の裏面との間で静電引力を作用
させることにより前記ミラー面の傾斜角度を変化させる
ガルバノミラーにおいて、前記トーションバーに歪ゲー
ジを形成し、前記歪ゲージの抵抗値の変化を測定して前
記ミラー面の傾斜角度を制御するミラー面傾斜角度制御
手段を設けたことを特徴とするガルバノミラー。 - 【請求項２】 両端をトーションバーにより支持された
ミラー面を有するミラー部と、前記ミラー面の裏面側と
対向する位置の基板上に設けられた電極部とを備え、こ
の電極部と前記ミラー面の裏面との間で静電引力を作用
させることにより前記ミラー面の傾斜角度を変化させる
ガルバノミラーにおいて、前記ミラー面の裏面にＶ字型
の溝を形成し、このＶ字型の溝に対向する前記基板上に
その溝と嵌合する突起部を形成したことを特徴とするガ
ルバノミラー。 - 【請求項３】 両端をトーションバーにより支持された
ミラー面を有するミラー部と、前記ミラー面の裏面側と
対向する位置の基板上に設けられた電極部とを備え、こ
の電極部と前記ミラー面の裏面との間で静電引力を作用
させることにより前記ミラー面の傾斜角度を変化させる
ガルバノミラーにおいて、前記ミラー面の裏面側と対向
する位置の前記基板にＶ字型の傾斜面を形成し、この傾
斜面に前記電極を配設したことを特徴とするガルバノミ
ラー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27584591A JPH05119280A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | ガルバノミラー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27584591A JPH05119280A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | ガルバノミラー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05119280A true JPH05119280A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17561239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27584591A Pending JPH05119280A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | ガルバノミラー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05119280A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0712121A3 (en) * | 1994-11-10 | 1996-12-27 | Toshiba Kk | Galvanomirroir and optical disk drive apparatus using such a mirror |
| US5740150A (en) * | 1995-11-24 | 1998-04-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Galvanomirror and optical disk drive using the same |
| US6262827B1 (en) | 1999-06-29 | 2001-07-17 | Fujitsu Limited | Galvano-mirror |
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| US6677695B2 (en) * | 2001-09-18 | 2004-01-13 | Jds Uniphase Corporation | MEMS electrostatic actuators with reduced actuation voltage |
| JP2006171182A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Olympus Corp | 光偏向器 |
| WO2007148664A1 (ja) | 2006-06-23 | 2007-12-27 | Alps Electric Co., Ltd. | アクチュエータ |
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| JP2010049191A (ja) * | 2008-08-25 | 2010-03-04 | Toyota Central R&D Labs Inc | 光学装置 |
-
1991
- 1991-10-24 JP JP27584591A patent/JPH05119280A/ja active Pending
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| US7697179B2 (en) | 2001-11-14 | 2010-04-13 | Ricoh Company, Ltd. | Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror |
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