JPH05120631A - 磁気記録ヘツド用薄膜構造物 - Google Patents
磁気記録ヘツド用薄膜構造物Info
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- H01F10/3281—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn only by use of asymmetry of the magnetic film pair itself, i.e. so-called pseudospin valve [PSV] structure, e.g. NiFe/Cu/Co
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- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 読出し／書込みヘッド用に適するような互い
に磁気結合した低い異方性を有する第１磁気材料層と高
い異方性及び低い飽和保磁力を有する第２磁気材料層と
からなり二元的な異方性のふるまいを示す磁気薄膜構造
物を提供する。 【構成】 前記第１層として、５０Ｏｅ以下の異方性磁
場を有する磁気材料を選択し、第２層として１０Ｏｅ以
上の異方性磁場及び２Ｏｅ以下の飽和保磁力を有する磁
性材料、好ましくはＣｏxＦｅyＣｕz（ｘ＝６６−９２
重量％、ｙ＝６−１４重量％、ｚ＝２−２０重量％）を
選択する。そして、２つの層を互いに磁気結合するよう
に積層させて積層板を作製する。 【効果】 積層板は、読取り作業の間比較的小さく印加
した磁場で高い初透磁率を示し且つ書込み作業の間に高
く印加した磁場で高い異方性を示すような二元的異方性
のふるまいを示す。
に磁気結合した低い異方性を有する第１磁気材料層と高
い異方性及び低い飽和保磁力を有する第２磁気材料層と
からなり二元的な異方性のふるまいを示す磁気薄膜構造
物を提供する。 【構成】 前記第１層として、５０Ｏｅ以下の異方性磁
場を有する磁気材料を選択し、第２層として１０Ｏｅ以
上の異方性磁場及び２Ｏｅ以下の飽和保磁力を有する磁
性材料、好ましくはＣｏxＦｅyＣｕz（ｘ＝６６−９２
重量％、ｙ＝６−１４重量％、ｚ＝２−２０重量％）を
選択する。そして、２つの層を互いに磁気結合するよう
に積層させて積層板を作製する。 【効果】 積層板は、読取り作業の間比較的小さく印加
した磁場で高い初透磁率を示し且つ書込み作業の間に高
く印加した磁場で高い異方性を示すような二元的異方性
のふるまいを示す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録ヘッド用薄膜
構造物、より詳細には、積層板が読出し／書込み誘導ヘ
ッドのポールに理想的な程適切な改善された磁気特性を
有するような、独自の組み合わせの材料から形成する積
層薄膜構造物に関する。
構造物、より詳細には、積層板が読出し／書込み誘導ヘ
ッドのポールに理想的な程適切な改善された磁気特性を
有するような、独自の組み合わせの材料から形成する積
層薄膜構造物に関する。
【０００２】
【従来の技術】非常に高い領域密度における磁気記録
は、厳しい要求を磁気記録ヘッドのポールを形成するの
に使用する材料の磁気特性に関して課す。よい再生感度
は、高い初透磁率μi及び低い飽和保磁力Ｈcを有するポ
ール材料を必要とする。μi 〜４πＭs／Ｈk、Ｍsは飽和
における磁化、Ｈkは異方性磁場であるので、高μiはで
きるだけ小さいＨkの選択を示唆する。最も一般的に使
用される高いμi及び低い異方性磁場Ｈkを有するヘッド
材料はパーマロイである。しかしながら、ナカムラら
が、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇ．２１（５），１９
８５年の中で、あまりにも低い異方性磁場があると望ま
しくない領域パターンの狭い磁極端を生ぜしめること示
している。５μｍ以下の幅の磁極端に於ける領域安定性
のため、パーマロイで得られうるより大きいＨkを有す
る材料を使用することが望ましい。
は、厳しい要求を磁気記録ヘッドのポールを形成するの
に使用する材料の磁気特性に関して課す。よい再生感度
は、高い初透磁率μi及び低い飽和保磁力Ｈcを有するポ
ール材料を必要とする。μi 〜４πＭs／Ｈk、Ｍsは飽和
における磁化、Ｈkは異方性磁場であるので、高μiはで
きるだけ小さいＨkの選択を示唆する。最も一般的に使
用される高いμi及び低い異方性磁場Ｈkを有するヘッド
材料はパーマロイである。しかしながら、ナカムラら
が、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇ．２１（５），１９
８５年の中で、あまりにも低い異方性磁場があると望ま
しくない領域パターンの狭い磁極端を生ぜしめること示
している。５μｍ以下の幅の磁極端に於ける領域安定性
のため、パーマロイで得られうるより大きいＨkを有す
る材料を使用することが望ましい。
【０００３】上述の従来技術において、積層薄膜構造物
は、ティーマン（Ｔｉｅｍａｎｎ）によって使用された
材料、すなわち、Ｃｏ、Ｆｅ及びＣｏＦｅは、ヘッドの
安定性及び再生感度を低めるように作用する高い飽和保
磁力を有する点において不十分であることが判明してい
る。ラザリ（Ｌａｚｚａｒｉ）による非磁性スペーサー
の添加は、サブラミネートの１つの高い飽和保磁力によ
って引き起こされる問題を少なくするが、両方の磁気層
が低い飽和保磁力及び比較的強い交換結合（ｅｘｃｈａ
ｎｇｅ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）を有するときに、やはりポ
テンシャル利益を減ずる。
は、ティーマン（Ｔｉｅｍａｎｎ）によって使用された
材料、すなわち、Ｃｏ、Ｆｅ及びＣｏＦｅは、ヘッドの
安定性及び再生感度を低めるように作用する高い飽和保
磁力を有する点において不十分であることが判明してい
る。ラザリ（Ｌａｚｚａｒｉ）による非磁性スペーサー
の添加は、サブラミネートの１つの高い飽和保磁力によ
って引き起こされる問題を少なくするが、両方の磁気層
が低い飽和保磁力及び比較的強い交換結合（ｅｘｃｈａ
ｎｇｅ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）を有するときに、やはりポ
テンシャル利益を減ずる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、読出し作業の
再生産性をヘッド効率を犠牲にしないで改善できるよう
な読出し／書込みヘッド用薄膜磁気構造物を提供する必
要がある。
再生産性をヘッド効率を犠牲にしないで改善できるよう
な読出し／書込みヘッド用薄膜磁気構造物を提供する必
要がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、同時に達成す
る狭い磁極端用に全ての有利な特性を有する磁気材料の
層からなる磁気薄膜構造物に関する。本発明の薄膜構造
物は、５Ｏｅ以下の低い異方性磁場Ｈkを示す第１磁気
材料層と２Ｏｅ以下の低い飽和保磁力Ｈc及び約１０Ｏ
ｅ以上の高い異方性磁場Ｈkを示す第２磁気材料層とか
らなり、第１層は第２層と磁気結合する。第１磁気材料
層は、パーマロイのような高い初透磁率材料である。発
明の積層板の第２層として使用されるのに適しているに
高い異方性及び低い飽和保磁力を有する磁気材料の例と
しては、コバルト−鉄−銅（ＣｏＦｅＣｕ）合金があ
る。発明の積層板用に要求される磁気特性を有するＣｏ
ＦｅＣｕ合金は、本出願と同時に出願されている本出願
人が譲受人である米国特許出願Ｎｏ． の明
細書に開示されている。その全体的な明細書はここで引
用して挿入している。
る狭い磁極端用に全ての有利な特性を有する磁気材料の
層からなる磁気薄膜構造物に関する。本発明の薄膜構造
物は、５Ｏｅ以下の低い異方性磁場Ｈkを示す第１磁気
材料層と２Ｏｅ以下の低い飽和保磁力Ｈc及び約１０Ｏ
ｅ以上の高い異方性磁場Ｈkを示す第２磁気材料層とか
らなり、第１層は第２層と磁気結合する。第１磁気材料
層は、パーマロイのような高い初透磁率材料である。発
明の積層板の第２層として使用されるのに適しているに
高い異方性及び低い飽和保磁力を有する磁気材料の例と
しては、コバルト−鉄−銅（ＣｏＦｅＣｕ）合金があ
る。発明の積層板用に要求される磁気特性を有するＣｏ
ＦｅＣｕ合金は、本出願と同時に出願されている本出願
人が譲受人である米国特許出願Ｎｏ． の明
細書に開示されている。その全体的な明細書はここで引
用して挿入している。
【０００６】本発明の積層板は、二元的な異方性のふる
まいを示す。本発明の積層板は、従って、読出し作業の
間、比較的小さい付加磁場で高い初透磁率を示し、更
に、積層板は、大きい付加磁場出高い異方性磁場を示
す。小さい磁場における高いμiは、良好な再生感度を
もたらし、且つ、高い磁場における高いＨkは書込み作
業の後に改善された磁区（ｄｏｍａｉｎ）安定性をもた
らす。積層板の第２層の低い飽和保磁力は、低い初透磁
率を有すると同時により高い飽和保磁力を有する従来の
材料による再生感度に対する悪影響を排除する。その結
果、本発明の積層板は、読出し／書込み磁気記録ヘッド
のヨーク領域及磁極端を形成するのに特に適している。
まいを示す。本発明の積層板は、従って、読出し作業の
間、比較的小さい付加磁場で高い初透磁率を示し、更
に、積層板は、大きい付加磁場出高い異方性磁場を示
す。小さい磁場における高いμiは、良好な再生感度を
もたらし、且つ、高い磁場における高いＨkは書込み作
業の後に改善された磁区（ｄｏｍａｉｎ）安定性をもた
らす。積層板の第２層の低い飽和保磁力は、低い初透磁
率を有すると同時により高い飽和保磁力を有する従来の
材料による再生感度に対する悪影響を排除する。その結
果、本発明の積層板は、読出し／書込み磁気記録ヘッド
のヨーク領域及磁極端を形成するのに特に適している。
【０００７】種々の選択的実施態様においては、二元的
な異方性のふるまいの調整能力を提供でき、そして、そ
れによって、本発明が幅広い範囲のデザイン要求に適用
しうることを可能とする。例えば、ある実施態様におい
ては、積層板の第１及び第２の層は完全に接触してお
り、且つ磁気結合は交換結合によって与える。交換結合
は、第１層及び第２層を形成する材料が交互になってい
る多数の薄層からなる積層板を形成することによって調
整できる。別の実施態様においては、非磁性スペーサー
は、積層板の第１層と第２層との間に設けることができ
る。１つの選択として、非磁性スペーサーは、磁気層の
間の交換相互作用をかなり小さく程度に十分に厚くでき
る。この実施態様においては、第１層と第２層との間の
結合は最初に静磁気的であることが可能であり、更に、
非磁性スペーサーの厚さは静磁気結合を最適化するよう
に調整できる。別の選択として、１０Å程度の非常に薄
い非磁気スペーサーを、スペーサーの厚さを変えて使用
することによって交換相互作用の強度を弱めるか又は適
合させる。更なる実施態様では、第１層と第２層との間
にの反強磁性スペーサー材料の非常に薄い層を堆積させ
る。反強磁性スペーサーは、磁気的により安定な構造物
に逆平行に高い及び低いＨk材料の磁化を配向させるこ
とができる。
な異方性のふるまいの調整能力を提供でき、そして、そ
れによって、本発明が幅広い範囲のデザイン要求に適用
しうることを可能とする。例えば、ある実施態様におい
ては、積層板の第１及び第２の層は完全に接触してお
り、且つ磁気結合は交換結合によって与える。交換結合
は、第１層及び第２層を形成する材料が交互になってい
る多数の薄層からなる積層板を形成することによって調
整できる。別の実施態様においては、非磁性スペーサー
は、積層板の第１層と第２層との間に設けることができ
る。１つの選択として、非磁性スペーサーは、磁気層の
間の交換相互作用をかなり小さく程度に十分に厚くでき
る。この実施態様においては、第１層と第２層との間の
結合は最初に静磁気的であることが可能であり、更に、
非磁性スペーサーの厚さは静磁気結合を最適化するよう
に調整できる。別の選択として、１０Å程度の非常に薄
い非磁気スペーサーを、スペーサーの厚さを変えて使用
することによって交換相互作用の強度を弱めるか又は適
合させる。更なる実施態様では、第１層と第２層との間
にの反強磁性スペーサー材料の非常に薄い層を堆積させ
る。反強磁性スペーサーは、磁気的により安定な構造物
に逆平行に高い及び低いＨk材料の磁化を配向させるこ
とができる。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】ここで図
面について言及すると、図１ａは本発明の積層板（１
０）の断面図である。積層板（１０）は、第１磁気材料
層（１２）と第１層に結合した第２磁気材料とからな
る。本発明によれば、第１磁気材料層は５Ｏｅ以下の低
い異方性場Ｈkを示す。層（１２）は、パーマロイのよ
うな高透磁率材料である。第１層の初透磁率は、１００
０以上である。更に、第１層は約０．８〜２．５テスラ
の飽和磁束密度を示す。第２磁気材料層（１４）は、約
１０Ｏｅ以上の高い異方性磁場Ｈk及び１Ｏｅ以下の飽
和保磁力Ｈcを示す。層（１４）の初透磁率は約８００
以上である。
面について言及すると、図１ａは本発明の積層板（１
０）の断面図である。積層板（１０）は、第１磁気材料
層（１２）と第１層に結合した第２磁気材料とからな
る。本発明によれば、第１磁気材料層は５Ｏｅ以下の低
い異方性場Ｈkを示す。層（１２）は、パーマロイのよ
うな高透磁率材料である。第１層の初透磁率は、１００
０以上である。更に、第１層は約０．８〜２．５テスラ
の飽和磁束密度を示す。第２磁気材料層（１４）は、約
１０Ｏｅ以上の高い異方性磁場Ｈk及び１Ｏｅ以下の飽
和保磁力Ｈcを示す。層（１４）の初透磁率は約８００
以上である。
【０００９】本発明の技術分野でよく知られているよう
に、磁気記録ヘッドは、それぞれの組がギャップによっ
て分離しているような１組の磁極端及びヨーク部分を含
む。図１ａに示された構造物（１０）は、本発明の構造
物によって形成したある記録ヘッドの１組の磁極端及び
／又はヨーク部分の記録媒体に平行な断面である。磁極
端とヨーク部分を分離するギャップは、図１ａに示した
ような層（１２）の下のスペース又は層（１４）の上の
スペースのいずれかでよい。ギャップが層（１４）の上
のスペースにある場合は、ここでは示していないが磁極
端及び／又はヨーク部分は、ギャップに近接する層（１
４）と同一の層及びギャップから間隔をおいた層（１
２）と同一の層を有する積層板（１０）の「鏡像」を構
成することになる。同様に、ギャップが層（１２）の下
の領域にある場合は、その後に、ここでは示していない
が磁極端及び／又はヨーク領域は、ギャップに近接する
層（１２）と同一の層及びギャップから間隔をおいた層
（１４）と同一の層を有することになる。更に、上述の
ものとは異なりギャップに近接する層は、断面が１２／
１４／ギャップ／１２／１４となるようにすることもで
きる。加えて、本発明は、同様に、ポールを１つのみ有
しギャップを有さないような垂直な記録ヘッドに適用さ
れる。
に、磁気記録ヘッドは、それぞれの組がギャップによっ
て分離しているような１組の磁極端及びヨーク部分を含
む。図１ａに示された構造物（１０）は、本発明の構造
物によって形成したある記録ヘッドの１組の磁極端及び
／又はヨーク部分の記録媒体に平行な断面である。磁極
端とヨーク部分を分離するギャップは、図１ａに示した
ような層（１２）の下のスペース又は層（１４）の上の
スペースのいずれかでよい。ギャップが層（１４）の上
のスペースにある場合は、ここでは示していないが磁極
端及び／又はヨーク部分は、ギャップに近接する層（１
４）と同一の層及びギャップから間隔をおいた層（１
２）と同一の層を有する積層板（１０）の「鏡像」を構
成することになる。同様に、ギャップが層（１２）の下
の領域にある場合は、その後に、ここでは示していない
が磁極端及び／又はヨーク領域は、ギャップに近接する
層（１２）と同一の層及びギャップから間隔をおいた層
（１４）と同一の層を有することになる。更に、上述の
ものとは異なりギャップに近接する層は、断面が１２／
１４／ギャップ／１２／１４となるようにすることもで
きる。加えて、本発明は、同様に、ポールを１つのみ有
しギャップを有さないような垂直な記録ヘッドに適用さ
れる。
【００１０】積層板（１０）は、読出し作業の間、比較
的小さい加磁場において低い異方性を示し、（そしてそ
れ故、高いμi高い効率性を有し）、書込み作業の間、
高い加磁場において大きい異方性を有する。上述の二元
的な異方性のふるまいに加えて、積層板（１０）は低い
磁場及び高い磁場の両方において低い飽和保磁力を示
す。従って、積層板（１０）は、書込み作業の後に改善
された磁区安定性を提供し、更に、読出し作業の間改善
された再生感度を提供する。
的小さい加磁場において低い異方性を示し、（そしてそ
れ故、高いμi高い効率性を有し）、書込み作業の間、
高い加磁場において大きい異方性を有する。上述の二元
的な異方性のふるまいに加えて、積層板（１０）は低い
磁場及び高い磁場の両方において低い飽和保磁力を示
す。従って、積層板（１０）は、書込み作業の後に改善
された磁区安定性を提供し、更に、読出し作業の間改善
された再生感度を提供する。
【００１１】本発明は、高いＨkの薄膜と低いＨkの薄膜
との間の磁気結合の最適化を提供する。パーマロイから
製造した５μｍ又はそれ以下の狭い磁極端用に、磁区パ
ターンは、磁束線の流れ方向に平行な困難軸方向におけ
る磁化を示すことができる。本発明の積層板の結合は、
低いＨkパーマロイ材料内において磁束の流れを横断し
た方向、すなわち容易軸方向に磁化を再貯蔵しうる程度
に十分に強い。同時に、結合は、積層板が２次元的な異
方性に関して対応できる程度に十分に弱い。
との間の磁気結合の最適化を提供する。パーマロイから
製造した５μｍ又はそれ以下の狭い磁極端用に、磁区パ
ターンは、磁束線の流れ方向に平行な困難軸方向におけ
る磁化を示すことができる。本発明の積層板の結合は、
低いＨkパーマロイ材料内において磁束の流れを横断し
た方向、すなわち容易軸方向に磁化を再貯蔵しうる程度
に十分に強い。同時に、結合は、積層板が２次元的な異
方性に関して対応できる程度に十分に弱い。
【００１２】更に、薄膜を型取って、狭いストライプ
（ｓｔｒｉｐｅ）にするときに、磁気容易軸は、応力作
用によってその配向を変えることができる。低い固有Ｈ
kを有するパーマロイは、応力によってＨkが特に変化し
易い。これが起こると、「不良」配向がストライプに含
まれる。しかしながら、本発明の積層ストライプでは、
高Ｈk材料は、低Ｈk材料を配向（又は整列）するのに有
利であり、更に、積層板は、パーマロイが「適切に」配
向したときより更に高い初透磁率を有する。容易軸がど
の方向にそって配向しても低Ｈk材料のＨkの範囲は０〜
５Ｏｅであるが、高Ｈk材料の容易軸に垂直又は平行な
方向に配向させるのが好ましい。
（ｓｔｒｉｐｅ）にするときに、磁気容易軸は、応力作
用によってその配向を変えることができる。低い固有Ｈ
kを有するパーマロイは、応力によってＨkが特に変化し
易い。これが起こると、「不良」配向がストライプに含
まれる。しかしながら、本発明の積層ストライプでは、
高Ｈk材料は、低Ｈk材料を配向（又は整列）するのに有
利であり、更に、積層板は、パーマロイが「適切に」配
向したときより更に高い初透磁率を有する。容易軸がど
の方向にそって配向しても低Ｈk材料のＨkの範囲は０〜
５Ｏｅであるが、高Ｈk材料の容易軸に垂直又は平行な
方向に配向させるのが好ましい。
【００１３】必要な磁気特性を示す層（１４）用に使用
できる材料の例としては、組成ＣｏxＦｅyＣｕzであっ
て、ｘ、ｙ及びｚは合金に含まれるＣｏ、Ｆｅ及びＣｕ
のそれぞれの重量％を表すような合金がある。ｘは約６
６〜９２の範囲にあり、約７３〜８９が好ましい。ｙは
約６〜１４の範囲にあり、約８〜１３が好ましい。ｚは
約２〜２０の範囲にあり、約４〜１４が好ましい。本発
明の使用に適するＣｏＦｅＣｕ合金は、同時に出願され
た米国特許出願第 号明細書に開示されてお
り、これは上で引用しており、更にここでも引用する。
ＣｏＦｅＣｕ合金は、以下のような磁気特性を示す。す
なわち、約１６，０００以上、好ましくは約１８，００
０〜２０，０００ガウスの飽和誘導値、約８００以上、
好ましくは約１５００の初透磁率値、約１０Ｏｅ、好ま
しくは約１３〜１８Ｏｅの異方性値値、２Ｏｅ以下、好
ましくは１Ｏｅ以下の飽和保磁力値、１０-6以下の磁歪
値を示す。
できる材料の例としては、組成ＣｏxＦｅyＣｕzであっ
て、ｘ、ｙ及びｚは合金に含まれるＣｏ、Ｆｅ及びＣｕ
のそれぞれの重量％を表すような合金がある。ｘは約６
６〜９２の範囲にあり、約７３〜８９が好ましい。ｙは
約６〜１４の範囲にあり、約８〜１３が好ましい。ｚは
約２〜２０の範囲にあり、約４〜１４が好ましい。本発
明の使用に適するＣｏＦｅＣｕ合金は、同時に出願され
た米国特許出願第 号明細書に開示されてお
り、これは上で引用しており、更にここでも引用する。
ＣｏＦｅＣｕ合金は、以下のような磁気特性を示す。す
なわち、約１６，０００以上、好ましくは約１８，００
０〜２０，０００ガウスの飽和誘導値、約８００以上、
好ましくは約１５００の初透磁率値、約１０Ｏｅ、好ま
しくは約１３〜１８Ｏｅの異方性値値、２Ｏｅ以下、好
ましくは１Ｏｅ以下の飽和保磁力値、１０-6以下の磁歪
値を示す。
【００１４】上述のＣｏＦｅＣｕ合金は、通常の製造技
術によって製造できる。更に、本発明の積層板を形成す
る種々の層の積層は、よく知られた電気めっき又は他の
堆積技術を使用して製造できる。
術によって製造できる。更に、本発明の積層板を形成す
る種々の層の積層は、よく知られた電気めっき又は他の
堆積技術を使用して製造できる。
【００１５】パーマロイのような層（１２）に適してい
る材料の例は、以下のような磁気特性を示す。すなわ
ち、約１０，０００ガウスの磁気飽和誘導値、５Ｏｅ以
下、好ましくは約−５〜２Ｏｅの異方性値、１Ｏｅ以
下、好ましくは０．５以下の飽和保磁力値、１０-6以下
の磁歪値を示す。
る材料の例は、以下のような磁気特性を示す。すなわ
ち、約１０，０００ガウスの磁気飽和誘導値、５Ｏｅ以
下、好ましくは約−５〜２Ｏｅの異方性値、１Ｏｅ以
下、好ましくは０．５以下の飽和保磁力値、１０-6以下
の磁歪値を示す。
【００１６】図１ｂは、層（１２）がパーマロイで且つ
層（１４）がＣｏＦｅＣｕ合金であるような図１ａの積
層板に関する容易軸方向のＢ−Ｈ磁化曲線を示す。飽和
保磁力Ｈcは、磁化曲線の幅の約半分に等しい。みてわ
かるように、積層板の複合Ｈcは、約０．８７Ｏｅであ
って非常に低く、そして、それは、０．５Ｏｅのパーマ
ロイのＨc及び約１ＯｅのＣｏＦｅＣｕのＨcに起因す
る。図１ｃは、二元的異方性のふるまいを観察できる困
難軸方向にの磁化曲線を示す。困難軸領域における増大
は、低いＨk材料の層（１２）の高初透磁率に起因し
て、領域（１６）における急激な初期応答を生ぜしめ
る。加領域が低い異方性材料のＨkに達したときに、低
いＨk薄膜（１２）は明らかに飽和を得る。困難領域に
於ける更なる増大は、領域（１８）において、高Ｈkの
より緩い勾配特性を有する応答を生ぜしめる。
層（１４）がＣｏＦｅＣｕ合金であるような図１ａの積
層板に関する容易軸方向のＢ−Ｈ磁化曲線を示す。飽和
保磁力Ｈcは、磁化曲線の幅の約半分に等しい。みてわ
かるように、積層板の複合Ｈcは、約０．８７Ｏｅであ
って非常に低く、そして、それは、０．５Ｏｅのパーマ
ロイのＨc及び約１ＯｅのＣｏＦｅＣｕのＨcに起因す
る。図１ｃは、二元的異方性のふるまいを観察できる困
難軸方向にの磁化曲線を示す。困難軸領域における増大
は、低いＨk材料の層（１２）の高初透磁率に起因し
て、領域（１６）における急激な初期応答を生ぜしめ
る。加領域が低い異方性材料のＨkに達したときに、低
いＨk薄膜（１２）は明らかに飽和を得る。困難領域に
於ける更なる増大は、領域（１８）において、高Ｈkの
より緩い勾配特性を有する応答を生ぜしめる。
【００１７】図１ａで示した積層板（１０）において、
磁性層（１２）及び（１４）は、層の間の交換結合を生
ぜしめるような密接な接触をしている。交換結合は、層
の間の境界の両側に平行に整列した磁化を保持する。２
つの薄膜の磁化ベクトルは界面において平行であり、且
つ、交換はそれらが十分の数ミクロンの幅までほとんど
平行にあるようにする。図１ｃの困難軸応答を分析する
と、困難軸領域が０から増大したときに、交換結合のた
めに磁化が連続的に変化するような２層の間の境界に近
いトランジッション領域を除いて、高Ｈk薄膜が高Ｈk薄
膜から独立して応答することが分かる。このトランジッ
ション領域は、平面が薄膜の平面と同一の空間を占める
ような磁壁に似ている。この壁の厚さは、交換エネルギ
ーのバランスによって決定する。壁は厚くなるような傾
向にある。更に、加領域に関して有効異方性エネルギー
は壁を薄くする傾向にある。この磁壁は、共通に発生す
る磁区を分離するような壁の本質的な特徴を有するの
で、厚さはバルク材料のブローチ（Ｂｌｏｃｈ）壁の幅
にほぼ等しいようにすることができる。パーマロイにお
いては、このような壁は、約１μｍの厚さである。
磁性層（１２）及び（１４）は、層の間の交換結合を生
ぜしめるような密接な接触をしている。交換結合は、層
の間の境界の両側に平行に整列した磁化を保持する。２
つの薄膜の磁化ベクトルは界面において平行であり、且
つ、交換はそれらが十分の数ミクロンの幅までほとんど
平行にあるようにする。図１ｃの困難軸応答を分析する
と、困難軸領域が０から増大したときに、交換結合のた
めに磁化が連続的に変化するような２層の間の境界に近
いトランジッション領域を除いて、高Ｈk薄膜が高Ｈk薄
膜から独立して応答することが分かる。このトランジッ
ション領域は、平面が薄膜の平面と同一の空間を占める
ような磁壁に似ている。この壁の厚さは、交換エネルギ
ーのバランスによって決定する。壁は厚くなるような傾
向にある。更に、加領域に関して有効異方性エネルギー
は壁を薄くする傾向にある。この磁壁は、共通に発生す
る磁区を分離するような壁の本質的な特徴を有するの
で、厚さはバルク材料のブローチ（Ｂｌｏｃｈ）壁の幅
にほぼ等しいようにすることができる。パーマロイにお
いては、このような壁は、約１μｍの厚さである。
【００１８】別の実施態様においては、図２ａで示すよ
うに、スペーサー（２２）を層（１２）と（１４）との
間に設けて積層板（２０）を形成する。１つの選択とし
て、積層板（２０）に非常に薄い非磁性スペーサー（２
２）（例えば、１０Åの銅）を備えて、交換相互作用を
弱めている。交換はスペーサーの厚さを変えることによ
って変えることができる。このようにして、交換は異な
るＨkを有する２つの薄膜の間に未だ作用しうるが、相
互作用領域の厚さは減じうる。
うに、スペーサー（２２）を層（１２）と（１４）との
間に設けて積層板（２０）を形成する。１つの選択とし
て、積層板（２０）に非常に薄い非磁性スペーサー（２
２）（例えば、１０Åの銅）を備えて、交換相互作用を
弱めている。交換はスペーサーの厚さを変えることによ
って変えることができる。このようにして、交換は異な
るＨkを有する２つの薄膜の間に未だ作用しうるが、相
互作用領域の厚さは減じうる。
【００１９】もう一つの選択では、反強磁性スペーサー
材料からなる非常に薄い層として層（２２）を堆積させ
る。これは、高及び低Ｈk材料を磁気的により安定な形
状にするために逆平行に配向できるというような有利性
を有しうる。スペーサーは、ＮｉＦｅ表面を酸化して結
果としてＮｉＯを形成するようにするか又はクロムのよ
うな材料の非常に薄い層を堆積させるかして得ることが
できる。クロム及びＮｉＯは両方とも反強磁性である。
材料からなる非常に薄い層として層（２２）を堆積させ
る。これは、高及び低Ｈk材料を磁気的により安定な形
状にするために逆平行に配向できるというような有利性
を有しうる。スペーサーは、ＮｉＦｅ表面を酸化して結
果としてＮｉＯを形成するようにするか又はクロムのよ
うな材料の非常に薄い層を堆積させるかして得ることが
できる。クロム及びＮｉＯは両方とも反強磁性である。
【００２０】更に別の選択では、図２ａの積層板（２
０）は、低Ｈk材料層（１２）と高Ｈk材料層（１４）と
の間に交換結合をごく小さくするのに十分な程度の厚さ
の非磁性材料層（２２）を含む。この実施態様における
低Ｈk薄膜と高Ｈk薄膜との間の結合は最初は静磁気であ
る。この結合が、Ｓｃｌｏｎｃｚｅｗｓｋｉらが、ＩＥ
ＥＥ Ｔｒａｎｓ． Ｍａｇ．２４（３） １９８８で
著した１００Åの厚さのスペーサーに関しては非常に強
くできる。
０）は、低Ｈk材料層（１２）と高Ｈk材料層（１４）と
の間に交換結合をごく小さくするのに十分な程度の厚さ
の非磁性材料層（２２）を含む。この実施態様における
低Ｈk薄膜と高Ｈk薄膜との間の結合は最初は静磁気であ
る。この結合が、Ｓｃｌｏｎｃｚｅｗｓｋｉらが、ＩＥ
ＥＥ Ｔｒａｎｓ． Ｍａｇ．２４（３） １９８８で
著した１００Åの厚さのスペーサーに関しては非常に強
くできる。
【００２１】図２ｂは容易軸の磁化曲線であり、且つ、
図２は静磁気結合を与える厚いスペーサー（２２）を含
んで形成する積層板（２０）の困難軸の曲線である。図
２ｂは複合飽和保磁力が約１．３Ｏｅであることを示
す。曲線は２つの薄膜がお互いに独立してスイッチする
ことを示す。図２ｃの曲線と図１ｃの曲線を比較する
と、困難軸方向に示される二元的な異方性のふるまいは
非常に小さいことがわかる。従って、高透磁率の低Ｈk
材料のために領域（２４）の初期勾配応答があり、更
に、高Ｈk材料の領域（２６）のために高付加磁場にお
いて非常に緩やかな勾配がある。磁気的安定結合はスペ
ーサー層（２２）の厚さを変えることによって最適化で
き、且つ、最適化は特別な適用による。層（１２）及び
（１４）が約１μｍの厚さのような薄膜構造物に関して
は、約１００Åの非磁性スペーサーは望ましい量の静磁
気結合を与えうる。
図２は静磁気結合を与える厚いスペーサー（２２）を含
んで形成する積層板（２０）の困難軸の曲線である。図
２ｂは複合飽和保磁力が約１．３Ｏｅであることを示
す。曲線は２つの薄膜がお互いに独立してスイッチする
ことを示す。図２ｃの曲線と図１ｃの曲線を比較する
と、困難軸方向に示される二元的な異方性のふるまいは
非常に小さいことがわかる。従って、高透磁率の低Ｈk
材料のために領域（２４）の初期勾配応答があり、更
に、高Ｈk材料の領域（２６）のために高付加磁場にお
いて非常に緩やかな勾配がある。磁気的安定結合はスペ
ーサー層（２２）の厚さを変えることによって最適化で
き、且つ、最適化は特別な適用による。層（１２）及び
（１４）が約１μｍの厚さのような薄膜構造物に関して
は、約１００Åの非磁性スペーサーは望ましい量の静磁
気結合を与えうる。
【００２２】高Ｈk材料及び低Ｈk材料の数及び配置はい
ろいろ変えられる。例えば、高いＨk材料と低いＨk材料
との間により強い結合を望む場合には、積層板の全体の
厚さは、いくつかのより薄い材料の交互層からなすこと
ができる。このより強い結合の１例は、図３ａで示した
ような積層板（３０）である。積層板（３０）は層（３
２）より薄い低Ｈk材料の２つの層（３４）と（３６）
との間にはさまれた高Ｈｋ材料の厚層（３２）を含むと
考えられる。相対的な厚さの例としては、約１ｕｍの厚
さの層及び約１．４ｕｍの厚さの層（３４）及び（３
６）がある。この実施態様においては、結合は、高Ｈk
薄膜と低Ｈk薄膜との間の２つの界面のためにより強
い。図３ｂからかわるように、容易軸の応答は、積層板
（１０）に関して図１ｂで示した応答に類似している。
しかしながら、図３ｂで示した困難軸応答は２つの勾配
の間で多少不明確に定義された変化及びより湾曲形を有
しており、積層板（１０）の１つの薄膜界面に対して２
つの薄膜界面の増大する影響を反映する。
ろいろ変えられる。例えば、高いＨk材料と低いＨk材料
との間により強い結合を望む場合には、積層板の全体の
厚さは、いくつかのより薄い材料の交互層からなすこと
ができる。このより強い結合の１例は、図３ａで示した
ような積層板（３０）である。積層板（３０）は層（３
２）より薄い低Ｈk材料の２つの層（３４）と（３６）
との間にはさまれた高Ｈｋ材料の厚層（３２）を含むと
考えられる。相対的な厚さの例としては、約１ｕｍの厚
さの層及び約１．４ｕｍの厚さの層（３４）及び（３
６）がある。この実施態様においては、結合は、高Ｈk
薄膜と低Ｈk薄膜との間の２つの界面のためにより強
い。図３ｂからかわるように、容易軸の応答は、積層板
（１０）に関して図１ｂで示した応答に類似している。
しかしながら、図３ｂで示した困難軸応答は２つの勾配
の間で多少不明確に定義された変化及びより湾曲形を有
しており、積層板（１０）の１つの薄膜界面に対して２
つの薄膜界面の増大する影響を反映する。
【００２３】１０ＭＨｚ以上の高周波作業のような別の
適用においては、高い電気抵抗のスペーサーと磁性層と
を多数積層させることが望ましい。本発明の構造物を組
み合わせた層の順序の例としては、図１ａの積層板（１
０）からなるサブラミネートによって形成する積層板が
ある。この実施例におけるそれぞれのサブラミネートは
非磁性スペーサーによって分離されうる。多層システム
の別の実施態様においては、図２ａの積層板（２０）に
よって形成した多数のサブラミネートからなる。
適用においては、高い電気抵抗のスペーサーと磁性層と
を多数積層させることが望ましい。本発明の構造物を組
み合わせた層の順序の例としては、図１ａの積層板（１
０）からなるサブラミネートによって形成する積層板が
ある。この実施例におけるそれぞれのサブラミネートは
非磁性スペーサーによって分離されうる。多層システム
の別の実施態様においては、図２ａの積層板（２０）に
よって形成した多数のサブラミネートからなる。
【００２４】本発明の種々の積層板を使用して、誘導ヘ
ッド及び磁気抵抗ヘッドのような種々のタイプの磁気記
録ヘッドのヨーク領域及び磁極端を形成する。ヘッド
は、単一の又は多数のチップを有し且つタイプは長手又
は垂直方向がある。本発明の積層板を用いて形成したこ
のような記録ヘッドは、より高いモーメントのためによ
り優れたオーバー書込み特性を有し、そして同時に、磁
極端における低い飽和保磁力及び優先的に横方向の磁化
を有するために優れた再生感度を有する。長手方向の記
録ヘッドの場合、効果的な読出し及び書込みギャップ
は、高いモーメントの材料をギャップの内側又は外側に
使用するかに応じて異なる長さを有しうる。この特徴
は、ヘッドの実行を最適化する場合に有利性を提供しう
る。
ッド及び磁気抵抗ヘッドのような種々のタイプの磁気記
録ヘッドのヨーク領域及び磁極端を形成する。ヘッド
は、単一の又は多数のチップを有し且つタイプは長手又
は垂直方向がある。本発明の積層板を用いて形成したこ
のような記録ヘッドは、より高いモーメントのためによ
り優れたオーバー書込み特性を有し、そして同時に、磁
極端における低い飽和保磁力及び優先的に横方向の磁化
を有するために優れた再生感度を有する。長手方向の記
録ヘッドの場合、効果的な読出し及び書込みギャップ
は、高いモーメントの材料をギャップの内側又は外側に
使用するかに応じて異なる長さを有しうる。この特徴
は、ヘッドの実行を最適化する場合に有利性を提供しう
る。
【００２５】いくつかの磁気抵抗性読出しヘッドのデザ
インにおいては、磁気抵抗要素は、ヘッドの磁極端領域
から取り除き、ヨーク領域に設ける。このタイプのヘッ
ドにおいては、信号磁束は磁束ガイドと呼ばれる磁性材
料のストリップを使用して要素となす。本発明の磁束ガ
イドの実施態様においては、磁束ガイドは、上述の発明
の積層板のいずれからでも製造しうる。
インにおいては、磁気抵抗要素は、ヘッドの磁極端領域
から取り除き、ヨーク領域に設ける。このタイプのヘッ
ドにおいては、信号磁束は磁束ガイドと呼ばれる磁性材
料のストリップを使用して要素となす。本発明の磁束ガ
イドの実施態様においては、磁束ガイドは、上述の発明
の積層板のいずれからでも製造しうる。
【００２６】本発明は、パーマロイのような低Ｈｋ材料
に交換結合することを通して又は静磁気的にのいずれか
によって結合するような二元的異方性のふるまいを示す
磁気薄膜構造物を提供する。本発明の磁気薄膜構造物
は、高異方性材料の低い飽和保磁力のために高い再生感
度を保持しつつ、誘導ヘッド磁区の安定性の問題を解決
している。更に、高Ｈｋ材料用に使用する合金は非常に
低い磁歪を示す組成を有するために、公称ゼロの磁歪を
有しうる（１０-6以下）。更に、高Ｈk材料は非常に高
い固有異方性を有するので、積層板の磁気特性は装置の
製造の間にひき起こされる応力に非常に鈍感である。
に交換結合することを通して又は静磁気的にのいずれか
によって結合するような二元的異方性のふるまいを示す
磁気薄膜構造物を提供する。本発明の磁気薄膜構造物
は、高異方性材料の低い飽和保磁力のために高い再生感
度を保持しつつ、誘導ヘッド磁区の安定性の問題を解決
している。更に、高Ｈｋ材料用に使用する合金は非常に
低い磁歪を示す組成を有するために、公称ゼロの磁歪を
有しうる（１０-6以下）。更に、高Ｈk材料は非常に高
い固有異方性を有するので、積層板の磁気特性は装置の
製造の間にひき起こされる応力に非常に鈍感である。
【００２７】本発明はその好適な実施態様に関して特に
示し且つ詳述しているが、当業者が請求項の範囲によっ
てのみ限定されるべき本発明の範囲及び趣旨から逸脱す
ることなく形態及び細部における前述の及び他の変更を
なしうることは理解されたい。
示し且つ詳述しているが、当業者が請求項の範囲によっ
てのみ限定されるべき本発明の範囲及び趣旨から逸脱す
ることなく形態及び細部における前述の及び他の変更を
なしうることは理解されたい。
【図１】図１ａは、本発明の積層薄膜構造物の断面であ
る。 図１ｂは、図１ａの構造物の容易軸の磁化曲線である。 図１ｃは、図１ａの構造物の困難軸の磁化曲線である。
る。 図１ｂは、図１ａの構造物の容易軸の磁化曲線である。 図１ｃは、図１ａの構造物の困難軸の磁化曲線である。
【図２】図２ａは、本発明の積層薄膜構造物の別の実施
態様の断面である。 図２ｂは、図２ａの構造物の容易軸の磁化曲線である。 図２ｃは、図２ａの構造物の困難軸の磁化曲線である。
態様の断面である。 図２ｂは、図２ａの構造物の容易軸の磁化曲線である。 図２ｃは、図２ａの構造物の困難軸の磁化曲線である。
【図３】図３ａは、本発明の積層薄膜構造物のもう一つ
別の実施態様の断面である。 図３ｂは、図３ａの構造物の容易軸の磁化曲線である。 図３ｃは、図３ａの構造物の困難軸の磁化曲線である。
別の実施態様の断面である。 図３ｂは、図３ａの構造物の容易軸の磁化曲線である。 図３ｃは、図３ａの構造物の困難軸の磁化曲線である。
１０ 積層板 １２ 低Ｈk材料層 １４ 高Ｈk材料層 ２０ 積層板 ２２ スペーサー ３０ 積層品 ３２ 高Ｈk材料層 ３４ 低Ｈk材料層 ３６ 低Ｈk材料層
【手続補正書】
【提出日】平成４年１０月３０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 パナヨテイス・コンスタンチノウ・アンド リカコス アメリカ合衆国10520、ニユーヨーク州 クロトン−オン−ハドソン、セニツク・ド ライブ、アンバーランズ・アパートメン ト、29エル（番地なし） (72)発明者 ジエイ−ウエイ・チヤン アメリカ合衆国10707、ニユーヨーク州 タツカホー、ロウレンス・アベニユー 54 番地 (72)発明者 ボジヤン・ペテク アメリカ合衆国10520、ニユーヨーク州 クロトン−オン−ハドソン、ホリス・レー ン 28番地 (72)発明者 ルボンヤー・テイー・ロマンキユー アメリカ合衆国10510、ニユーヨーク州ブ ライアークリフ・マナー、ダン・レーン ７番地
Claims (33)
- 【請求項１】 異方性磁場Ｈkが５Ｏｅ以下の第１磁気
材料層と異方性磁場Ｈkが約１０Ｏｅ以上で且つ飽和保
磁力Ｈcが２Ｏｅ以下の第２磁気材料層とからなり、前
記第１層は前記第２層と磁気結合する磁気薄膜構造物。 - 【請求項２】 前記第２層はＨkが約１３〜１８Ｏｅで
あり且つＨcが１Ｏｅ以下である、請求項１に記載の構
造物。 - 【請求項３】 前記第２層はＣｏＦｅＣｕからなる合金
である、請求項２に記載の構造物。 - 【請求項４】 前記合金は、 ＣｏxＦｅyＣｕz （ｘ、ｙ及びｚはそれぞれ前記合金中のＣｏ、Ｆｅ及び
Ｃｕの重量％を表す）であ表され、且つ、 ｘ＝６６〜９２ ｙ＝６〜１４ ｚ＝２〜２０ である、請求項３に記載の構造物。 - 【請求項５】 ｘ＝７３〜８６ ｙ＝１１〜１３ ｚ＝３〜１４ である、請求項４に記載の構造物。
- 【請求項６】 前記第２層は飽和磁化値が１０-6以下で
ある、請求項１に記載の構造物。 - 【請求項７】 前記第２層は飽和磁化値が約１６，００
０ガウス以上である、請求項６に記載の構造物。 - 【請求項８】 前記第２層は飽和磁化値が約２０，００
０ガウスである、請求項７に記載の構造物。 - 【請求項９】 前記第２層は初透磁率μiが約８００以
上である、請求項７に記載の構造物。 - 【請求項１０】 前記第２層はμiが約１，５００であ
る、請求項９に記載の構造物。 - 【請求項１１】 前記第１層と前記第２層との間にはさ
まれた非磁性材料層を更に含み、前記非磁性材料層は前
記第１層と前記第２層との間に静磁気結合を与えるよう
な厚さを有する、請求項１に記載の構造物。 - 【請求項１２】 前記第１層の反対側で前記第２磁気材
料層と結合した第３磁気材料層を更に含み、前記第３層
は異方性磁場Ｈkが５Ｏｅ以下である、請求項１に記載
の構造物。 - 【請求項１３】 前記構造物は磁気記録ヘッドの一部を
構成する、請求項１に記載の構造物。 - 【請求項１４】 前記構造物は前記磁気記録ヘッドの少
なくとも１つの磁極端及びヨーク領域を構成する、請求
項１３に記載の構造物。 - 【請求項１５】 前記構造物は、更に、前記磁気記録ヘ
ッドの磁束ガイドを構成する、請求項１４に記載の構造
物。 - 【請求項１６】 前記第１及び第２層は積層板のサブラ
ミネートを形成しており、その積層板が少なくとも１組
のサブラミネートから構成されている、請求項１に記載
の構造物。 - 【請求項１７】 前記サブラミネートのそれぞれの組の
間にはさまれた非磁性材料層を更に含む、請求項１６に
記載の方法。 - 【請求項１８】 前記第１、第２及び非磁性層は、少な
くとも１組の前記サブラミネート及び前記サブラミネー
トのそれぞれの組の間にはさまれた前記非磁性材料の更
なる層からなるサブラミネートの積層板を形成する、請
求項１１に記載の構造物。 - 【請求項１９】 前記構造物は磁気記録ヘッドの一部を
構成する、請求項１６に記載の構造物。 - 【請求項２０】 前記構造物は前記磁気記録ヘッドの少
なくとも１つの磁極端及びヨーク領域を構成する、請求
項１９に記載の構造物。 - 【請求項２１】 前記構造物は、更に、前記磁気記録ヘ
ッドの磁束ガイドを含む、請求項１９に記載の構造物。 - 【請求項２２】 前記構造物は、磁気記録ヘッドの一部
を構成する、請求項１７に記載の構造物。 - 【請求項２３】 前記構造物は、前記磁気記録ヘッドの
少なくとも１つの磁極端及びヨーク領域からなる、請求
項２２に記載の構造物。 - 【請求項２４】 前記構造物は、更に、前記磁気記録ヘ
ッドの磁束ガイドを構成する、請求項２３に記載の構造
物。 - 【請求項２５】 前記構造物は磁気記録ヘッドの一部を
構成する、請求項１８に記載の構造物。 - 【請求項２６】 前記構造物は、前記磁気記録ヘッドの
少なくとも１つの磁極端及びヨーク領域を構成する、請
求項２５に記載の構造物。 - 【請求項２７】 前記構造物は、更に、前記磁気記録ヘ
ッドの磁束ガイドを含む、請求項２６に記載の構造物。 - 【請求項２８】 前記第１層と第２層との間にはさまれ
た非磁性材料層を更に含み、前記非磁性材料層は第１層
と第２層との間で弱い磁気交換結合を与えるような厚さ
を有する、請求項１に記載の構造物。 - 【請求項２９】 前記第１層と第２層との間にはさまれ
た反強磁性材料層を更に含む、請求項１に記載の構造
物。 - 【請求項３０】 前記第１層と第２層との間にはさまれ
た非磁性材料層を更に含み、前記非磁性材料層は前記第
１と第２の層との間で弱い磁気交換結合を与える、請求
項１７に記載の構造物。 - 【請求項３１】 前記第１と第２の層との間にはさんだ
反強磁性材料層を更に含む、請求項１７に記載の構造
物。 - 【請求項３２】 前記第１、第２及び非磁性の層は、積
層板のサブラミネートを形成し、その積層板は少なくと
も１組の前記サブラミネート及び前記サブラミネートの
それぞれの組の間にはさまれた前記非磁性材料の更なる
層から構成されている、請求項２８に記載の構造物。 - 【請求項３３】 前記第１、第２及び非磁性の層は、積
層板のサブラミネートを形成し、その積層板は少なくと
も１組の前記サブラミネート及び前記サブラミネートの
それぞれの組の間にはさまれた前記非磁性材料の更なる
層から構成されている、請求項２９に記載の構造物。
Applications Claiming Priority (2)
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