JPH05120746A - Cartridge for overwritable magneto-optical recording medium - Google Patents
Cartridge for overwritable magneto-optical recording mediumInfo
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- JPH05120746A JPH05120746A JP3279571A JP27957191A JPH05120746A JP H05120746 A JPH05120746 A JP H05120746A JP 3279571 A JP3279571 A JP 3279571A JP 27957191 A JP27957191 A JP 27957191A JP H05120746 A JPH05120746 A JP H05120746A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 オーバーライト可能な光磁気記録ディスクに
対して、十分な初期補助磁界(Hini. )印加強度を与
え、且つこの手段を内蔵させたカートリッジ本体の機械
的強度の低下を防ぐ。
【構成】 メモリー層とライティング層の少なくとも2
層から成る光変調方式でオーバーライトが可能な光磁気
記録ディスク(3)及びHini. 磁石(5)、(6)をカ
ートリッジ本体に収納する。そして、カートリッジ本体
全体(1)あるいはその一部を磁性体によって構成し、
Hini. 磁石との間に磁気回路を形成する。
【効果】 十分なHini. 印加強度が得られ、磁性体は高
い機械的強度を有するのでカートリッジの機械的強度の
低下が防げる。
(57) [Abstract] [Purpose] A sufficient initial auxiliary magnetic field (Hini.) Application strength is applied to an overwritable magneto-optical recording disk, and the mechanical strength of the cartridge body incorporating this means is reduced. prevent. [Configuration] At least two of a memory layer and a writing layer
A magneto-optical recording disk (3) and Hini. Magnets (5) and (6) which can be overwritten by a light modulation method composed of layers are housed in a cartridge body. Then, the whole cartridge body (1) or a part thereof is made of a magnetic material,
Hini. Form a magnetic circuit with the magnet. [Effect] Sufficient Hini. Applied strength can be obtained, and the magnetic material has high mechanical strength, so that the mechanical strength of the cartridge can be prevented from lowering.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、オーバーライト可能な
光磁気記録ディスク(媒体)を収納したカートリッジに
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cartridge containing an overwritable magneto-optical recording disk (medium).
【0002】[0002]
【従来の技術】最近、高密度、大容量、高いアクセス速
度、並びに高い記録及び再生速度を含めた種々の要求を
満足する光学的記録再生方法、それに使用される記録装
置、再生装置及び記録媒体を開発しようとする努力が成
されている。広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁
気記録再生方法は、情報を記録した後、消去することが
でき、再び新たな情報を記録することが繰り返し何度も
可能であるというユニークな利点のために、最も大きな
魅力に満ちている。2. Description of the Related Art Recently, an optical recording / reproducing method satisfying various requirements including high density, large capacity, high access speed, and high recording / reproducing speed, and a recording apparatus, reproducing apparatus and recording medium used therefor. Efforts are being made to develop. Among the wide range of optical recording / reproducing methods, the magneto-optical recording / reproducing method has a unique advantage that information can be recorded and then erased, and new information can be recorded again and again. For being full of the greatest attraction.
【0003】この光磁気記録再生方法で使用される記録
媒体は、記録を残す層として1層又は多層からなる垂直
磁化膜(perpendicular magnetic layer or layers) を
有する。この磁化膜は、例えばアモルファスのGdFeやGd
Co、GdFeCo、TbFe、TbCo、TbFeCoなどからなる。垂直磁
化膜は、一般に同心円状又はらせん状のトラックを有し
ており、このトラックの上に情報が記録される。トラッ
クは明示的な場合と黙示的な場合の2通りある。 〔明示的なトラック〕光磁気記録媒体はディスク形状を
している。明示的なトラックを有するディスクは、ディ
スク平面に対し垂直方向から見た場合、情報を記録する
トラックが渦巻状又は同心円状に形成されている。そし
て、隣接する2つのトラック間にトラッキングのため及
び分離のための溝(グルーブ)が存在する。逆に溝と溝
の間をランドと呼ぶ。実際には、ディスクの裏表でラン
ドと溝が逆になる。そこで、ビームが入射するのと同じ
にディスクを見て、手前を溝、奥をランドと呼ぶ。垂直
磁化膜は、溝の上にもランドの上にも一面に形成するの
で、溝の部分をトラックにしてもよいし、ランドの部分
をトラックにしてもよい。溝の幅とランドの幅との間に
特に大小関係はない。The recording medium used in this magneto-optical recording / reproducing method has a perpendicular magnetic layer (perpendicular magnetic layer or layers) consisting of one layer or multiple layers as a layer for recording. This magnetic film is made of, for example, amorphous GdFe or Gd
It consists of Co, GdFeCo, TbFe, TbCo, TbFeCo, and the like. The perpendicular magnetic film generally has concentric or spiral tracks, and information is recorded on the tracks. There are two types of tracks, explicit and implicit. [Explicit Track] The magneto-optical recording medium has a disk shape. In a disc having explicit tracks, information recording tracks are formed in a spiral or concentric shape when viewed in a direction perpendicular to the disc plane. There is a groove for tracking and separation between two adjacent tracks. Conversely, the space between the grooves is called a land. In reality, the land and groove are reversed on the front and back of the disc. Therefore, looking at the disk in the same way as the beam enters, the front side is called a groove and the back side is called a land. Since the perpendicularly magnetized film is formed on the groove and the land over the entire surface, the groove portion may be the track or the land portion may be the track. There is no particular relationship between the width of the groove and the width of the land.
【0004】このようなランドと溝を構成するために、
基板には、表面に渦巻状又は同心円状に形成されたラン
ドと、2つの隣合うランド間に挟まれた溝が存在する。
このような基板上に垂直磁化膜が形成される。 〔マーク〕本明細書では、膜面に対し「上向き(upwar
d) 」又は「下向き(downward)」の何れか一方を、「A
向き」、他方を「逆A向き」と定義する。記録すべき情
報は、予め2値化されており、この情報が「A向き」の
磁化を有するマーク(B1)と、「逆A向き」の磁化を有
するマーク(B0)の2つの信号で記録される。これらの
マークB1 ,B0 は、デジタル信号の1,0の何れか一
方と他方にそれぞれ相当する。しかし、一般には記録さ
れるトラックの磁化は、記録前に強力な外部磁場を印加
することによって「逆A向き」に揃えられる。この磁化
の向きを揃える行為は、古い意味で「初期化* (initia
lize* )」と呼ばれる。その上でトラックに「A向き」
の磁化を有するマーク(B1)を形成する。情報は、この
マーク(B1)の有無及び/又はマーク長によって表現さ
れる。尚、マークは、過去にピット又はビットと呼ばれ
たことがあるが、最近はマークと呼ぶ。 〔マーク形成の原理〕マークの形成に於いては、レーザ
ーの特徴即ち空間的時間的に素晴らしい凝集性(coheren
ce) が有利に使用され、レーザー光の波長によって決定
される回折限界とほとんど同じ位に小さいスポットにビ
ームが絞り込まれる。絞り込まれた光はトラック表面に
照射され、垂直磁化膜に直径が1μm以下のマークを形
成することにより情報が記録される。光学的記録におい
ては、理論的に約108 マーク/cm2 までの記録密度を達
成することができる。何故ならば、レーザビームはその
波長とほとんど同じ位に小さい直径を有するスポットに
まで凝縮(concentrate)することが出来るからである。In order to form such a land and groove,
The substrate has a land formed in a spiral or concentric shape on the surface and a groove sandwiched between two adjacent lands.
A perpendicular magnetization film is formed on such a substrate. [Mark] In the present specification, “upwar (upwar
d) ”or“ downward ”,
Orientation "and the other is defined as" reverse A orientation ". The information to be recorded is binarized in advance, and this information has two signals: a mark (B 1 ) having a magnetization in the “A direction” and a mark (B 0 ) having a magnetization in the “reverse A direction”. Recorded in. These marks B 1 and B 0 correspond to either one or the other of the digital signals 1 and 0, respectively. However, generally, the magnetization of the recorded track is aligned in the "reverse A direction" by applying a strong external magnetic field before recording. In the old sense, the act of aligning the directions of magnetization is "initialization * (initia
lize * ) ”. Then, "A direction" on the truck
A mark (B 1 ) having a magnetization of 1 is formed. Information is represented by the presence or absence of this mark (B 1 ) and / or the mark length. The mark has been called a pit or a bit in the past, but is recently called a mark. [Principle of mark formation] In the formation of marks, the characteristic of the laser, that is, the excellent coherence in space and time (coheren
ce) is preferably used to focus the beam into a spot that is almost as small as the diffraction limit determined by the wavelength of the laser light. The narrowed light is applied to the track surface, and information is recorded by forming marks with a diameter of 1 μm or less on the perpendicular magnetization film. In optical recording, recording densities up to about 10 8 marks / cm 2 can theoretically be achieved. This is because the laser beam can be concentrated into a spot with a diameter as small as about its wavelength.
【0005】図3に示すように、光磁気記録において
は、レーザービーム(L)を垂直磁化膜(MO)の上に
絞りこみ、それを加熱する。その間、初期化* された向
きとは反対の向きの記録磁界(Hb)を加熱された部分に
外部から印加する。そうすると局部的に加熱された部分
の保磁力Hc(coersivity) は減少し記録磁界(Hb)より
小さくなる。その結果、その部分の磁化は、記録磁界
(Hb)の向きに並ぶ。こうして逆に磁化されたマークが
形成される。As shown in FIG. 3, in magneto-optical recording, a laser beam (L) is focused on a perpendicular magnetization film (MO) and heated. Meanwhile, a recording magnetic field (Hb) in the opposite direction to the initialized * direction is externally applied to the heated portion. Then, the coercive force Hc (coersivity) of the locally heated portion decreases and becomes smaller than the recording magnetic field (Hb). As a result, the magnetization of that portion is aligned in the direction of the recording magnetic field (Hb). In this way, the oppositely magnetized mark is formed.
【0006】フェロ磁性材料とフェリ磁性材料では、磁
化及びHc の温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキ
ュリー点付近で減少するHc を有し、この現象に基づい
て記録が実行される。従って、Tc 書込み(キュリー点
書込み)と引用される。他方、フェリ磁性材料はキュリ
ー点より低い補償温度(compensationtemperature ) T
comp. を有しており、そこでは磁化(M)はゼロにな
る。逆にその温度付近でHc が非常に大きくなり、その
温度から外れるとHc が急激に低下する。この低下した
Hc は、比較的弱い記録磁界(Hb)によって打ち負かさ
れる。つまり、記録が可能になる。この記録プロセスは
Tcomp. 書込み(補償点書込み)と呼ばれる。Ferromagnetic materials and ferrimagnetic materials have different temperature dependences of magnetization and Hc. Ferromagnetic materials have Hc that decreases near the Curie point, and recording is performed based on this phenomenon. Therefore, it is referred to as Tc writing (Curie point writing). On the other hand, ferrimagnetic materials have a compensation temperature T below the Curie point.
comp. , where the magnetization (M) becomes zero. On the contrary, Hc becomes very large near that temperature, and when it deviates from that temperature, Hc drops sharply. This lowered Hc is defeated by the relatively weak recording magnetic field (Hb). That is, recording becomes possible. This recording process is called T comp. Writing (compensation point writing).
【0007】もっとも、キュリー点又はその近辺、及び
補償温度の近辺にこだわる必要はない。要するに、室温
より高い所定の温度に於いて、低下したHc を有する磁
性材料に対し、その低下したHc を打ち負かせる記録磁
界(Hb )を印加すれば、記録は可能である。但し、室
温より高い所定の温度に達していない領域(この領域の
Hc は元の高いHc を有する)にある垂直磁化膜(M
O)の磁化を反転するような高すぎるHb は、不可であ
る。 〔再生の原理〕図4は、光磁気効果に基づく情報再生の
原理を示す。光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に
通常は発散している電磁場ベクトルを有する電磁波であ
る。光が直線偏光(Lp ) に変換され、そして垂直磁化
膜(MO)に照射されたとき、光はその表面で反射され
るか又は垂直磁化膜(MO)を透過する。このとき、偏
光面は磁化Mの向きに従って回転する。この回転する現
象は、磁気カー(Kerr)効果又は磁気ファラデー(Farada
y) 効果と呼ばれる。However, it is not necessary to stick to the Curie point or its vicinity and the compensation temperature. In short, recording is possible by applying a recording magnetic field (Hb) for compensating the lowered Hc to the magnetic material having the lowered Hc at a predetermined temperature higher than room temperature. However, the perpendicular magnetization film (Mc in the region where Hc in this region has the original high Hc) that has not reached a predetermined temperature higher than room temperature (M
Too high Hb that reverses the magnetization of (O) is not possible. [Reproduction Principle] FIG. 4 shows the principle of information reproduction based on the magneto-optical effect. Light is an electromagnetic wave that has an electromagnetic field vector that is normally divergent in all directions on a plane perpendicular to the optical path. When the light is converted to linearly polarized light (L p ) and is applied to the perpendicular magnetic film (MO), the light is reflected on its surface or transmitted through the perpendicular magnetic film (MO). At this time, the polarization plane rotates according to the direction of the magnetization M. This rotating phenomenon is caused by the magnetic Kerr effect or the magnetic Faraday.
y) Called the effect.
【0008】例えば、もし反射光の偏光面が「A向き」
磁化に対してθk 度回転するとすると、「逆A向き」磁
化に対しては−θk 度回転する。従って、光アナライザ
ー(偏光子)の軸を−θk 度傾けた面に垂直にセットし
ておくと、「逆A向き」に磁化されたマーク(B0)から
反射された光はアナライザーを透過することができな
い。それに対して「A向き」に磁化されたマーク(B1)
から反射された光は、(sin2θk)2 を乗じた分がアナラ
イザーを透過し、ディテクター(光電変換手段)に捕獲
される。その結果、「A向き」に磁化されたマーク(B
1)は「逆A向き」に磁化されたマーク(B0)よりも明る
く見え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生させ
る。このディテクターからの電気信号は、記録された情
報に従って変調されるので、情報が再生されるのであ
る。For example, if the plane of polarization of the reflected light is "A direction"
Rotation of θ k degrees with respect to magnetization causes rotation of −θ k degrees with respect to "reverse A direction" magnetization. Therefore, when the axis of the optical analyzer (polarizer) is set perpendicular to the plane inclined by -θk, the light reflected from the mark (B 0 ) magnetized in the "reverse A direction" passes through the analyzer. I can't. On the other hand, the mark (B 1 ) magnetized in “A direction”
The light reflected from is transmitted by the analyzer by the amount multiplied by (sin2θk) 2, and is captured by the detector (photoelectric conversion means). As a result, the mark (B
1 ) appears brighter than the mark (B 0 ) magnetized in the "reverse A direction", and generates a strong electric signal in the detector. The electrical signal from this detector is modulated according to the recorded information, so that the information is reproduced.
【0009】ところで、記録ずみの媒体を再使用するに
は、 (1) 媒体を再び初期化* 装置で初期化* するか、
又は (2) 記録装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを
併設するか、又は(3) 予め、前段処理として記録装置
又は消去装置を用いて記録ずみ情報を消去する必要があ
る。従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ
情報の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録でき
るオーバーライトは、不可能とされていた。By the way, in order to reuse the recorded medium, (1) initialize the medium again * initialize it with the device * , or
Alternatively, (2) it is necessary to add an erasing head similar to the recording head to the recording device, or (3) it is necessary to erase the recorded information in advance by using the recording device or the erasing device as a pre-stage process. Therefore, in the magneto-optical recording method, it has hitherto been impossible to perform overwriting capable of recording new information on the spot regardless of the presence or absence of recorded information.
【0010】もっとも、もし記録磁界Hb の向きを必要
に応じて「A向き」と「逆A向き」との間で自由に変調
することができれば、オーバーライトが可能になる。し
かしながら、記録磁界Hb の向きを高速度で変調するこ
とは不可能である。例えば、記録磁界Hb が永久磁石で
ある場合、磁石の向きを機械的に反転させる必要があ
る。しかし、磁石の向きを高速で反転させることは、無
理である。記録磁界Hbが電磁石である場合にも、大容
量の電流の向きをそのように高速で変調することは不可
能である。However, if the direction of the recording magnetic field Hb can be freely modulated between "A direction" and "reverse A direction" as required, overwriting becomes possible. However, it is impossible to modulate the direction of the recording magnetic field Hb at high speed. For example, when the recording magnetic field Hb is a permanent magnet, it is necessary to mechanically reverse the direction of the magnet. However, it is impossible to reverse the direction of the magnet at high speed. Even when the recording magnetic field Hb is an electromagnet, it is impossible to modulate the direction of a large-capacity current at such a high speed.
【0011】しかしながら、技術の進歩は著しく、記録
磁界Hb の強度を変調せずに(ON、OFF を含む) 又は記
録磁界Hb の向きを変調せずに、照射する光ビームの強
度を記録すべき2値化情報に従い変調するだけで、オー
バーライトが可能な光磁気記録方法と、それに使用され
るオーバーライト可能な光磁気記録媒体と、同じくそれ
に使用されるオーバーライト可能な記録装置が発明さ
れ、特許出願された(特開昭62−175948号=DE3,619,61
8A1 =米国特許出願中 Ser.No453,255) 。以下、この発
明を「基本発明」と引用する。 〔基本発明の説明〕基本発明では、「基本的に垂直磁化
可能な磁性薄膜からなる記録再生層recording layer
(本明細書では、この記録再生層をメモリー層 memory
layer又はM層と言う)と、垂直磁化可能な磁性薄膜か
らなる記録補助層 referencelayer (本明細書では、こ
の記録補助層をライティング層writing layer 又はW
層と言う)とを含み、両層は交換結合しており、かつ、
室温でM層の磁化の向きは変えないでW層の磁化のみを
所定の向きに向けておくことができるオーバーライト可
能な多層光磁気記録媒体」を使用する。However, the technological progress is remarkable, and the intensity of the irradiation light beam should be recorded without modulating the intensity of the recording magnetic field Hb (including ON and OFF) or without modulating the direction of the recording magnetic field Hb. A magneto-optical recording method capable of overwriting, a magneto-optical recording medium capable of being overwritten, and an overwritable recording device also employed therein have been invented simply by modulating in accordance with binary information. A patent application has been filed (JP-A-62-175948 = DE3,619,61)
8A1 = US patent pending Ser. No. 453,255). Hereinafter, this invention is referred to as a "basic invention". [Explanation of Basic Invention] In the basic invention, "a recording / reproducing layer basically consisting of a magnetic thin film capable of perpendicular magnetization is used.
(In this specification, this recording / reproducing layer is referred to as a memory layer memory
layer or M layer) and a recording auxiliary layer reference layer composed of a magnetic thin film capable of perpendicular magnetization (in this specification, this recording auxiliary layer is a writing layer writing layer or W).
Layers) and both layers are exchange-coupled, and
An overwritable multi-layered magneto-optical recording medium in which only the magnetization of the W layer can be oriented in a predetermined direction without changing the magnetization direction of the M layer at room temperature is used.
【0012】そして、情報をM層(場合によりW層に
も)における「A向き」磁化を有するマークと「逆A向
き」磁化を有するマークで表現し、記録するのである。
この媒体は、W層が外部手段(例えば初期補助磁界Hin
i. )によって、その磁化の向きを「A向き」に揃える
ことができる。しかも、そのとき、M層は、磁化の向き
は反転せず、更に、一旦「A向き」に揃えられたW層の
磁化の向きは、M層からの交換結合力を受けても反転せ
ず、逆にM層の磁化の向きは、「A向き」に揃えられた
W層からの交換結合力を受けても反転しない。Then, the information is represented and recorded by the mark having the "A direction" magnetization and the mark having the "reverse A direction" magnetization in the M layer (and also in the W layer in some cases).
In this medium, the W layer has an external means (for example, an initial auxiliary magnetic field Hin.
By i.), the direction of the magnetization can be aligned in the “A direction”. Moreover, at that time, the magnetization direction of the M layer is not reversed, and further, the magnetization direction of the W layer once aligned in the “A direction” is not reversed even when the exchange coupling force from the M layer is received. On the contrary, the magnetization direction of the M layer is not reversed even when receiving the exchange coupling force from the W layer aligned in the “A direction”.
【0013】そして、W層は、M層に比べて低い保磁力
HC と高いキュリー点TC を持つ。基本発明の記録方法
によれば、記録媒体は、記録前までに、外部手段により
W層の磁化の向きが「A向き」に揃えられる。この行為
を本明細書では特別に“初期化(initialize)”と呼ぶ。
この“初期化”はオーバーライト可能な媒体に特有なこ
とである。The W layer has a lower coercive force H C and a higher Curie point T C than the M layer. According to the recording method of the basic invention, the recording medium has the magnetization direction of the W layer aligned in the “A direction” by external means before recording. This act is specifically referred to herein as "initialize".
This "initialization" is unique to overwritable media.
【0014】その上で、2値化情報に従いパルス変調さ
れたレーザービームが媒体に照射される。レーザービー
ムの強度は、高レベルPH と低レベルPL があり、これ
はパルスの高レベルと低レベルに相当する。この低レベ
ルは、再生時に媒体を照射する再生レベルPR よりも高
い。既に知られているように、記録をしない時にも、例
えば媒体における所定の記録場所をアクセスするために
レーザービームを<非常な低レベル>で点灯することが
ある。この<非常な低レベル>も、再生レベルPR と同
一又は近似のレベルである。従って、例えば、基本発明
におけるレーザービームの出力波形は、図5の通りにな
る。Then, the medium is irradiated with the laser beam pulse-modulated according to the binarized information. The intensity of the laser beam has a high level P H and a low level P L , which correspond to the high level and low level of the pulse. This low level is higher than the reproduction level P R that illuminates the medium during reproduction. As is already known, even when recording is not performed, the laser beam may be turned on at <very low level>, for example, to access a predetermined recording location on the medium. This <very low level> is also the same as or close to the reproduction level P R. Therefore, for example, the output waveform of the laser beam in the basic invention is as shown in FIG.
【0015】なお、基本発明の明細書には明記されてい
ないが、基本発明では、記録用のビームは、1本ではな
く近接した2本のビームを用いて、先行ビームを原則と
して変調しない低レベルのレーザービーム(消去用)と
し、後行ビームを情報に従い変調する高レベルのレーザ
ービーム(書込用)としてもよい。 この場合、後行ビ
ームは、高レベルと基底レベル(低レベルと同一又はそ
れより低いレベルであり、出力がゼロでもよい)との間
でパルス変調される。この場合の出力波形は例えば図6
に示される。Although not specified in the specification of the basic invention, in the basic invention, the recording beam is not a single beam but two beams which are close to each other, and in principle, does not modulate the preceding beam. It is also possible to use a level laser beam (for erasing) and a high level laser beam (for writing) that modulates the trailing beam according to information. In this case, the trailing beam is pulse modulated between a high level and a base level (equal to or lower than the low level and may have zero output). The output waveform in this case is, for example, as shown in FIG.
Shown in.
【0016】ビームが照射された部分の媒体に、向きも
強度も変調されない記録磁界Hb が作用する。Hb は、
ビームの照射された部分(スポット領域)と同じ位の寸
法に絞ることはできず、Hb が作用する領域は、スポッ
ト領域に比べれば、ずっと大きい。低レベルのビームが
照射されると、前のマークの磁化の向きに無関係に、M
層に「A向き」のマーク(B1)又は「逆A向き」のマー
ク(B0)の一方が形成される。A recording magnetic field Hb whose direction and intensity are not modulated acts on the medium irradiated with the beam. Hb is
It cannot be narrowed down to the same size as the irradiated portion of the beam (spot area), and the area on which Hb acts is much larger than the spot area. When illuminated by a low level beam, M is independent of the direction of magnetization of the previous mark.
One of the "A-oriented" mark (B 1 ) and the "reverse A-oriented" mark (B 0 ) is formed on the layer.
【0017】そして、高レベルのビームが照射される
と、前のマークの磁化の向きに無関係に、M層に他方の
マークが形成される。これでオーバーライトが完了す
る。基本発明では、レーザービームは、記録すべき情報
に従いパルス状に変調される。しかし、このこと自身
は、従来の光磁気記録でも行われており、記録すべき2
値化情報に従いビーム強度をパルス状に変調する手段は
既知の手段である。例えば、THE BELL SYSTEM TECHN
ICAL JOURNAL, Vol.62(1983),1923 −1936に詳しく説
明されている。従って、ビーム強度の必要な高レベルと
低レベルが与えられれば、従来の変調手段を一部修正す
るだけで容易に入手できる。当業者にとって、そのよう
な修正は、ビーム強度の高レベルと低レベルが与えられ
れば、容易であろう。When a high level beam is irradiated, the other mark is formed on the M layer regardless of the magnetization direction of the previous mark. This completes the overwrite. In the basic invention, the laser beam is pulse-modulated according to the information to be recorded. However, this is also done in the conventional magneto-optical recording, and it should be recorded.
The means for pulse-modulating the beam intensity in accordance with the digitized information is a known means. For example, THE BELL SYSTEM TECHN
ICAL JOURNAL, Vol. 62 (1983), 1923 -1936. Therefore, given the required high and low levels of beam intensity, it is readily available with only minor modifications to conventional modulation means. For a person skilled in the art, such a modification would be easy given the high and low levels of beam intensity.
【0018】基本発明に於いて特徴的なことの1つは、
ビーム強度の高レベルと低レベルである。即ち、ビーム
強度が高レベルの時に、記録磁界Hb その他の外部手段
によりW層の「A向き」磁化を「逆A向き」に反転(re
verse)させ、このW層の「逆A向き」磁化によってM層
に「逆A向き」磁化〔又は「A向き」磁化〕を有するマ
ークを形成する。ビーム強度が低レベルの時は、W層の
磁化の向きは、“初期化”状態と変わらず、そして、W
層の作用(この作用は交換結合力を通じてM層に伝わ
る)によってM層に「A向き」磁化〔又は「逆A向き」
磁化〕を有するマークを形成する。One of the features of the basic invention is that
There are high and low levels of beam intensity. That is, when the beam intensity is at a high level, the "A direction" magnetization of the W layer is reversed to "reverse A direction" by the recording magnetic field Hb or other external means (re
verse), and the "reverse A direction" magnetization of the W layer forms a mark having the "reverse A direction" magnetization (or "A direction" magnetization) in the M layer. When the beam intensity is low, the magnetization direction of the W layer is the same as in the "initialized" state, and
By the action of the layer (this action is transmitted to the M layer through the exchange coupling force), the M layer is magnetized “A direction” [or “reverse A direction”].
Magnetization] is formed.
【0019】なお、本明細書で、○○○〔又は△△△〕
という表現は、先に〔 〕の外の○○○を読んだときに
は、以下の○○○〔又は△△△〕のときにも、〔 〕の
外の○○○を読むことにする。それに対して先に○○○
を読まずに〔 〕内の△△△の方を選択して読んだとき
には、以下の○○○〔又は△△△〕のときにも○○○を
読まずに〔 〕内の△△△を読むものとする。In the present specification, ○○○ [or △△△]
With the expression, when XX outside [] is read first, XX outside [] will be read also in the following XX [or ΔΔ △ ]. On the contrary, ○○○
If you select and read the △△△ one in [] without reading, read the following △ ○ △ [or △△△ ] without reading ○○○. Should be read.
【0020】基本発明で使用される媒体は、第1実施態
様と第2実施態様とに大別される。いずれの実施態様に
おいても、 記録媒体は、M層とW層を含む多層構造を
有する。M層は、室温で保磁力が高く磁化反転温度が低
い磁性層である。W層はM層に比べ相対的に室温で保磁
力が低く磁化反転温度が高い磁性層である。なお、M層
とW層ともに、それ自体多層膜から構成されていてもよ
い。 場合によりM層とW層との間に第3の層(例え
ば、交換結合力σW の調整層:特開昭64−50257 、特開
平1−273248 参照)が存在していてもよい。更にM層
とW層との間に明確な境界がなく、一方から徐々に他方
に変わってもよい。The medium used in the basic invention is roughly classified into a first embodiment and a second embodiment. In any of the embodiments, the recording medium has a multilayer structure including an M layer and a W layer. The M layer is a magnetic layer having a high coercive force and a low magnetization reversal temperature at room temperature. The W layer is a magnetic layer having a lower coercive force and a higher magnetization reversal temperature at room temperature than the M layer. Both the M layer and the W layer may themselves be composed of a multilayer film. In some cases, a third layer (for example, an adjustment layer for the exchange coupling force σ W : see JP-A-64-50257 and JP-A-1-273248) may be present between the M layer and the W layer. Furthermore, there is no clear boundary between the M layer and the W layer, and it is possible to gradually change from one to the other.
【0021】第1実施態様では、M層の保磁力をHC1、
W層のそれをHC2、M層のキュリー点をTC1、W層のそ
れをTC2、室温をTR 、低レベルPL のレーザービーム
を照射した時の記録媒体の温度をTL 、高レベルPH の
レーザービームを照射した時のそれをTH 、M層が受け
る結合磁界をHD1(HD1はσW をM層飽和磁気モーメン
トMS とM層の膜厚tとの積で割った商で算出され
る)、W層が受ける結合磁界をHD2(HD2はσW をW層
飽和磁気モーメントMS とW層の膜厚tとの積で割った
商で算出される)とした場合、記録媒体は、下記の式1
を満足し、そして室温で式2〜5を満足するものであ
る。In the first embodiment, the coercive force of the M layer is H C1 ,
The W layer has H C2 , the M layer has a Curie point T C1 , the W layer has T C2 , the room temperature is T R , and the temperature of the recording medium when irradiated with a low-level P L laser beam is T L , When a high-level P H laser beam is irradiated, it is T H , and the coupling magnetic field received by the M layer is H D1 (H D1 is σ W multiplied by the saturation magnetic moment M S of the M layer and the film thickness t of the M layer. Is calculated by dividing the coupling magnetic field received by the W layer by H D2 (where H D2 is σ W divided by the product of the W layer saturation magnetic moment M S and the W layer thickness t). The recording medium is defined by the following formula 1
And satisfying formulas 2 to 5 at room temperature.
【0022】 TR <TC1≒TL <TC2≒TH……………式1 HC1>HC2+|HD1−(±HD2)|………式2 HC1>HD1 …………………………………式3 HC2>HD2 …………………………………式4 HC2+HD2<|Hini. |<HC1±HD1──式5 上記式中、符号「≒」は、等しいか又はほぼ等しい(±
20℃位) ことを表す。また上記式中、複合±について
は、上段が後述するA(antiparallel) タイプの媒体の
場合であり、下段は後述するP(parallel)タイプの媒体
の場合である。なお、フェロ磁性体媒体はPタイプに属
する。T R <T C1 ≈T L <T C2 ≈T H ………… Equation 1 H C1 > H C2 + | HD 1 − (± HD 2 ) | ………… Equation 2 H C1 > HD 1 ……………………………………… Formula 3 H C2 > H D2 ………………………………… Formula 4 H C2 + H D2 <| Hini. | <H C1 ± H D1 ──Equation 5 In the above equation, the symbols “≈” are equal or almost equal (±
20 ° C). Further, in the above formula, regarding the composite ±, the upper row is for an A (antiparallel) type medium described later, and the lower row is for a P (parallel) type medium described later. The ferromagnetic medium belongs to the P type.
【0023】つまり、保磁力と温度との関係をグラフで
表すと、一般には図7の如くなる。細線はM層のそれ
を、太線はW層のそれを表す。従って、この記録媒体に
室温で外部手段例えば初期補助磁界(Hini.) を印加する
と、 式5によれば、M層の磁化の向きは反転せずにW
層の磁化のみが反転する。そこで、記録前に媒体に外部
手段から作用(例えば、初期補助磁界Hini.)を及ぼす
と、W層の磁化のみが「A向き」−−−−−ここでは
「A向き」を便宜的に本明細書紙面において上向きの矢
↑で示し、「逆A向き」を下向きの矢↓で示す−−−−
−に揃えられる。そして、Hini. がなくなっても、式4
により、W層の磁化↑は再反転せずにそのまま保持され
る。That is, the relationship between the coercive force and the temperature is generally represented by a graph as shown in FIG. The thin line represents that of the M layer, and the thick line represents that of the W layer. Therefore, when an external means such as an initial auxiliary magnetic field (Hini.) Is applied to this recording medium at room temperature, according to Equation 5, the magnetization direction of the M layer is not reversed and W
Only the magnetization of the layer is reversed. Therefore, when an action (for example, an initial auxiliary magnetic field Hini.) Is applied to the medium before recording, only the magnetization of the W layer is "A direction" --- here, "A direction" is used for convenience. In the specification sheet, it is indicated by an upward arrow ↑, and "reverse A direction" is indicated by a downward arrow ↓.
Aligned to −. And even if Hini.
As a result, the magnetization ↑ of the W layer is retained as it is without being re-inverted.
【0024】外部手段によりW層の磁化のみが、記録前
までに「A向き」↑に揃えられた状態−−−−“初期
化”された状態−−−−を概念的に表すと、図8にな
る。図8でM層における磁化の向き* は、それまでに記
録されていた情報を表わす。以下の説明においては、向
きに関係がないので、これをXで示し簡略化すると、図
8は、図9の状態1で示せる。When the magnetization of only the W layer is aligned to "A direction" ↑ by the external means by the external means, the state "initialized" --- is shown conceptually. It will be 8. In FIG. 8, the magnetization direction * in the M layer represents the information recorded up to that point. In the following description, since there is no relation to the orientation, when this is shown by X and is simplified, FIG. 8 can be shown as state 1 in FIG. 9.
【0025】ここにおいて、高レベルのレーザービーム
を照射して媒体温度をTH に上昇させる。すると、TH
はキュリー点TC1より高温度なのでM層の磁化は消失し
てしまう。 更にTH はキュリー点TC2付近なのでW層
の磁化も全く又はほぼ消失する。ここで、媒体の種類に
応じて「A向き」又は「逆A向き」の記録磁界Hb を印
加する。Hb は、媒体自身からの浮遊磁界でもよい。説
明を簡単にするために「逆A向き」↓の記録磁界Hb を
印加したとする。媒体は移動しているので、照射された
部分は、レーザービームから直ぐに遠ざかり、冷却され
る。Hb の存在下で、媒体の温度が低下すると、W層の
磁化は、Hb に従い、反転されて「逆A向き」↓の磁化
となる(図9状態2)。Here, the medium temperature is raised to T H by irradiating a high level laser beam. Then, T H
Is higher than the Curie point T C1 , the magnetization of the M layer disappears. Furthermore, since T H is near the Curie point T C2 , the magnetization of the W layer disappears completely or almost. Here, the recording magnetic field Hb of "A direction" or "reverse A direction" is applied according to the type of medium. Hb may be a stray magnetic field from the medium itself. In order to simplify the explanation, it is assumed that the recording magnetic field Hb in the "reverse A direction" ↓ is applied. Since the medium is moving, the irradiated portion is immediately moved away from the laser beam and cooled. When the temperature of the medium is lowered in the presence of Hb, the magnetization of the W layer is reversed according to Hb to become "inverse A direction" ↓ magnetization (state 2 in FIG. 9).
【0026】そして、さらに放冷が進み、媒体温度がT
C1より少し下がると、再びM層の磁化が現れる。その場
合、磁気的結合(交換結合)力のために、M層の磁化の
向きは、W層の影響を受け所定の向きとなる。その結
果、媒体の種類に応じて「逆A向き」↓のマーク(Pタ
イプの媒体の場合)又は「A向き」↑のマーク(Aタイ
プの媒体の場合)がM層に形成される。この状態が図9
状態3(Pタイプ)又は状態4(Aタイプ)である。Then, the cooling is further advanced, and the medium temperature becomes T
When it is slightly lower than C1, the magnetization of the M layer appears again. In that case, due to the magnetic coupling (exchange coupling) force, the magnetization direction of the M layer is influenced by the W layer and becomes a predetermined direction. As a result, a "reverse A direction" ↓ mark (P type medium) or an "A direction" ↑ mark (A type medium) is formed in the M layer depending on the type of medium. This state is shown in Figure 9.
State 3 (P type) or state 4 (A type).
【0027】この高レベルのレーザービームによる状態
の変化をここでは高温サイクルと呼ぶことにする。次
に、低レベルPL のレーザービームを照射して 媒体温
度をTL に上昇させる。TL はキュリー点TC1付近なの
でM層の磁化は全く又はほぼ消失してしまうが、キュリ
ー点TC2よりは低温であるのでW層の磁化は消失しな
い。この状態は図9状態5で示される。ここでは、記録
磁界Hb は、不要であるが、高速度(短時間)でHb を
ON,OFFすることは不可能である。従って、止むを
得ず高温サイクルのときのままになっている。The change in state caused by this high level laser beam will be referred to as a high temperature cycle here. Next, the medium temperature is raised to T L by irradiating the laser beam of low level P L. Since T L is near the Curie point T C1, the magnetization of the M layer disappears at all or almost disappears. However, since the temperature is lower than the Curie point T C2 , the magnetization of the W layer does not disappear. This state is shown as state 5 in FIG. Here, the recording magnetic field Hb is unnecessary, but it is impossible to turn the Hb on and off at a high speed (short time). Therefore, it is unavoidable and remains as it was during the high temperature cycle.
【0028】しかし、HC2はまだ大きいままなので、H
b によってW層の磁化↑が反転することはない。媒体は
移動しているので、照射された部分は、レーザービーム
から直ぐに遠ざかり、冷却される。冷却が進むと、再び
M層に磁化が現れる。現れる磁化の向きは、磁気的結合
力のためにW層の影響を受け所定の向きとなる。その結
果、媒体の種類に応じて「A向き」↑のマーク(Pタイ
プの媒体の場合)又は「逆A向き」↓のマーク(Aタイ
プの媒体の場合)がM層に形成される。この磁化は室温
でも変わらない。この状態が図9状態6(Pタイプ)又
は状態7(Aタイプ)である。However, since H C2 is still large, H
The magnetization ↑ of the W layer is not reversed by b. Since the medium is moving, the irradiated portion is immediately moved away from the laser beam and cooled. As cooling progresses, magnetization again appears in the M layer. The direction of the appearing magnetization has a predetermined direction due to the influence of the W layer due to the magnetic coupling force. As a result, depending on the type of medium, a mark “A direction” ↑ (for P type medium) or a mark “reverse A direction” ↓ (for A type medium) is formed in the M layer. This magnetization does not change even at room temperature. This state is the state 6 (P type) or the state 7 (A type) in FIG.
【0029】この低レベルのレーザービームによる状態
の変化をここでは低温サイクルと呼ぶことにする。以
上、説明したように、記録前のM層の磁化の向きがどう
であれ、高温サイクルと低温サイクルを選択することに
よって、「逆A向き」↓のマークと、「A向き」↑のマ
ークをM層に自由に形成できる。つまり、レーザービー
ムを情報に従い高レベル(高温サイクル)と低レベル
(低温サイクル)との間でパルス状に変調することによ
りオーバーライトが可能となる。図10を参照された
い。図10の磁化の状態は、いずれも室温又は室温に戻
ったときの結果として描いてある。The change in state caused by the low-level laser beam will be referred to as a low temperature cycle here. As described above, regardless of the magnetization direction of the M layer before recording, by selecting the high temperature cycle and the low temperature cycle, the mark of “reverse A direction” ↓ and the mark of “A direction” ↑ can be obtained. It can be freely formed on the M layer. That is, overwriting is possible by modulating the laser beam in a pulse shape between a high level (high temperature cycle) and a low level (low temperature cycle) according to information. See FIG. 10. The states of magnetization in FIG. 10 are all drawn as a result of room temperature or returning to room temperature.
【0030】これまでの説明は、M層、W層ともに室温
とキュリー点との間に補償温度Tcomp. がない磁性体組
成について説明した。しかし、補償温度Tcomp. が存在
する場合には、それを越えると磁化の向きが反転する
こと−−−−実際にはRE、TMの各副格子磁化の向き
は変わらないが、その大小関係が逆転するので、全体
(合金)としての磁化の向きが反転する−−−−−と、
A、Pタイプが逆になるので、説明はそれだけ複雑に
なる。この場合、記録磁界Hb の向きも、室温で考えた
場合、前頁の説明の向き↓と逆になる。つまり、“初期
化”されたW層の磁化の向き↑と同じ向きのHb を印加
する。In the above description, the magnetic material composition in which there is no compensation temperature T comp. Between the room temperature and the Curie point for both the M layer and the W layer has been described. However, if the compensating temperature T comp. Exists, the direction of the magnetization is reversed when the compensating temperature T comp. Is exceeded. In reality, the directions of the sublattice magnetizations of RE and TM do not change, but the magnitude relation is large. Is reversed, the direction of the magnetization as a whole (alloy) is reversed -----
The explanation becomes more complicated because the A and P types are reversed. In this case, the direction of the recording magnetic field Hb is also opposite to the direction ↓ in the description on the previous page when considering at room temperature. That is, Hb having the same direction as the magnetization direction ↑ of the “initialized” W layer is applied.
【0031】記録媒体は一般にディスク状であり、記録
時、媒体は回転される。そのため、記録された部分(マ
ーク)は、記録後に 再び外部手段例えばHini. の作用
を受け、その結果、W層の磁化は元の「A向き」↑に揃
えられる。つまり、W層は“初期化”される。しかし、
室温では、W層の磁化の影響がM層に及ぶことはなく、
そのため記録された情報は保持される。The recording medium is generally disc-shaped, and the medium is rotated during recording. Therefore, the recorded portion (mark) is again subjected to the action of external means such as Hini. After recording, and as a result, the magnetization of the W layer is aligned in the original “A direction” ↑. That is, the W layer is “initialized”. But,
At room temperature, the influence of the magnetization of the W layer does not affect the M layer,
Therefore, the recorded information is retained.
【0032】そこで、M層に直線偏光を照射すれば、そ
の反射光には情報が含まれているので、従来の光磁気記
録媒体と同様に情報が再生される。このようなM層及び
W層を構成する垂直磁化膜は、補償温度を有せずキュ
リー点を有するフェロ磁性体及びフェリ磁性体、並びに
補償温度、キュリー点の双方を有するフェリ磁性体の
非晶質或いは結晶質からなる群から選択される。Therefore, when the M layer is irradiated with linearly polarized light, the reflected light contains information, so that the information is reproduced as in the conventional magneto-optical recording medium. The perpendicularly magnetized films forming the M layer and the W layer have a ferromagnetic material and a ferrimagnetic material having no Curie point without a compensation temperature, and an amorphous ferrimagnetic material having both a compensation temperature and a Curie point. Selected from the group consisting of crystalline or crystalline.
【0033】以上の説明は、磁化反転温度としてキュリ
ー点を利用した第1実施態様の説明である。それに対し
て第2実施態様はキュリー点より低い温度に於いて低下
したHc を利用するものである。第2実施態様は、第1
実施態様に於けるTC1の代わりにM層がW層に磁気結合
される温度TS1を使用し、TC2の代わりにW層がHbで
反転する温度TS2を使用すれば、第1実施態様と同様に
説明される。The above description is for the first embodiment using the Curie point as the magnetization reversal temperature. On the other hand, the second embodiment utilizes Hc lowered at a temperature lower than the Curie point. The second embodiment is the first
If the temperature T S1 at which the M layer is magnetically coupled to the W layer is used instead of T C1 and the temperature T S2 at which the W layer is inverted at Hb is used instead of T C2 in the embodiment, the first embodiment It is described similarly to the embodiment.
【0034】第2実施態様では、M層の保磁力をHC1、
W層のそれをHC2、M層がW層に磁気的に結合される温
度をTs1とし、W層の磁化がHb で反転する温度を
TS2、室温をTR 、低レベルPL のレーザービームを照
射した時の媒体の温度をTL 、高レベルPH のレーザー
ビームを照射した時のそれをTH 、M層が受ける結合磁
界をHD1(HD1はσW をM層の飽和磁気モーメントMS
とM層の膜厚tとの積で割った商で算出される)、W層
が受ける結合磁界をHD2(HD2はσW をW層飽和磁気モ
ーメントMS とW層の膜厚tとの積で割った商で算出さ
れる)とした場合、記録媒体は、下記式6を満足し、か
つ室温で式7〜10を満足するものである。In the second embodiment, the coercive force of the M layer is H C1 ,
Let W C2 be that of the W layer, T s1 be the temperature at which the M layer is magnetically coupled to the W layer, T S2 be the temperature at which the magnetization of the W layer is reversed at Hb, T R be the room temperature, and L be the low level P L. the temperature of the medium when irradiated with a laser beam T L, it T H when irradiated with a laser beam of high level P H, the coupling magnetic field M layer receives H D1 (H D1 is the sigma W of the M layer Saturation magnetic moment M S
Calculated by the quotient divided by the product of M and the film thickness t of the M layer), and the coupling magnetic field received by the W layer is H D2 (where H D2 is σ W is the W layer saturation magnetic moment M S and the W layer thickness t). (Calculated by the quotient divided by the product of and), the recording medium satisfies the following expression 6 and satisfies the expressions 7 to 10 at room temperature.
【0035】 TR <Ts1≒TL <Ts2≒TH ……………式6 HC1>HC2+|HD1−(±HD2)|………式7 HC1>HD1 …………………………………式8 HC2>HD2─…………………………………式9 HC2+HD2<|Hini. |<HC1±HD1──式10 上記式中、複合±については、上段がA(antiparalle
l) タイプの媒体の場合であり、下段はP(parallel)タ
イプの媒体の場合である。T R <T s1 ≈T L <T s2 ≈T H ………… Equation 6 H C1 > H C2 + | HD 1 − (± HD 2 ) | …… Equation 7 H C1 > HD 1 ……………………………………… Formula 8 H C2 > H D2 ─ …………………………………… Formula 9 H C2 + H D2 <| Hini. | <H C1 ± H D1 ──Equation 10 In the above equation, for composite ±, the upper row is A (antiparalle
In the case of the l) type medium, the lower row shows the case of the P (parallel) type medium.
【0036】第2実施態様では、高温TH のとき、W層
の磁化は消失していないが、十分に弱く、M層の磁化は
消失しているか、又は十分に弱い。M層、W層ともに十
分に弱い磁化を残留していても、記録磁界Hb ↓が十分
に大きいので、Hb ↓がW層及び場合によりM層の磁化
の向きをHb ↓に従わせることができる。この状態が図
11状態2である。この後、直ちに又はレーザービ
ームの照射が無くなって放冷が進み、媒体温度がTH よ
り下がった時又はHb から遠ざかった時、W層がσW
を介してM層に影響を及ぼしてM層の磁化の向きを安定
な向きに従わせる。その結果、図11状態3(Pタイ
プ)又は状態4(Aタイプ)となる。In the second embodiment, at high temperature T H , the magnetization of the W layer has not disappeared, but is sufficiently weak, and the magnetization of the M layer has disappeared or is sufficiently weak. The recording magnetic field Hb ↓ is sufficiently large even if a sufficiently weak magnetization remains in both the M layer and the W layer, so that the Hb ↓ can cause the magnetization direction of the W layer and, in some cases, the M layer to follow the Hb ↓. . This state is state 2 in FIG. Immediately thereafter, or when the laser beam is no longer emitted and cooling is allowed to proceed and the medium temperature falls below T H or moves away from H b, the W layer is σ W.
To influence the M layer through the magnetic field to make the magnetization direction of the M layer follow a stable direction. As a result, the state becomes the state 3 (P type) or the state 4 (A type) in FIG.
【0037】他方、低温TL のとき、W層はもちろんM
層も磁化を消失していない。 しかし、M層のそれは比
較的小さい。この場合、マークの状態には、Pタイプの
場合図11状態5と状態6の2種類あり、Aタイプの場
合、図11状態7と状態8の2種類ある。状態6及び状
態8では、M層とW層との間に界面磁壁(太線━で示
す)が生じており、やや不安定(準安定)な状態であ
る。状態1は状態5〜8のいずれかを示す。この状態の
媒体部分が、レーザービームの照射位置に来る直前に、
Hb ↓の印加を受ける。それでも、この状態6又は状態
8は保持される。何故ならば、W層は、室温で、十分な
磁化を有するので、磁化がHb ↓によって反転すること
はない。また、Hb ↓と向きが反対の状態8のメモリー
層は、Hb ↓の影響より大きなW層からの交換結合力σ
W の影響を受け、Pタイプ故にW層と同じ向きに、磁化
の向きが保持される。On the other hand, at low temperature T L , the W layer is, of course, M
The layers have not lost their magnetization. However, that of the M layer is relatively small. In this case, there are two types of mark states, that is, state 5 and state 6 in FIG. 11 for the P type, and state 7 and state 8 in FIG. 11 for the A type. In the states 6 and 8, the interface domain wall (indicated by a thick line ━) is formed between the M layer and the W layer, and the state is slightly unstable (metastable). State 1 indicates any of states 5 to 8. Just before the medium part in this state reaches the irradiation position of the laser beam,
Hb ↓ is applied. Nevertheless, this state 6 or state 8 is retained. Because the W layer has sufficient magnetization at room temperature, the magnetization is not reversed by Hb ↓. In addition, the memory layer in the state 8 whose direction is opposite to Hb ↓ has a larger exchange coupling force σ from the W layer than the influence of Hb ↓.
Under the influence of W, the magnetization direction is maintained in the same direction as the W layer due to the P type.
【0038】その後、まもなく状態6又は状態8は低レ
ベルのレーザービームの照射を受ける。そのため、媒体
温度は上昇する。それに伴い両層の保磁力は低下する。
しかし、W層は高いキュリー点を有するので、保磁力H
C2の低下は小さく、Hb ↓に負けることがなく、“初期
化”されたときの磁化の向き「A向き」↑が維持され
る。他方、M層は低いキュリー点を有するものの、媒体
温度は未だM層のキュリー点Tc1より低いので、保磁力
HC1は残存する。しかし、HC1は小さいので、W層は
Hb ↓の影響とW層からの交換結合力σw を介した影
響(Pタイプの場合、同じ向きに向かせようとする力)
を受ける。この場合、後者の方が強く、 式10の2 :Hc1+Hb <(σw /2MS1t1 ) 式10の3 :Hc2+Hb >(σw /2MS2t2 ) の2つの式が同時に満足される。これらの式が同時に満
足される最も低い温度をTLSと呼ぶ。換言すれば、状態
6又は状態8の磁壁が消滅する最低温度がTLSである。Shortly thereafter, the state 6 or the state 8 is irradiated with a low level laser beam. Therefore, the medium temperature rises. Along with that, the coercive force of both layers decreases.
However, since the W layer has a high Curie point, the coercive force H
The decrease in C2 is small, it does not lose to Hb ↓, and the magnetization direction "A direction" ↑ when "initialized" is maintained. On the other hand, although the M layer has a low Curie point, since the medium temperature is still lower than the Curie point T c1 of the M layer, the coercive force H C1 remains. However, since H C1 is small, the effect of Hb ↓ on the W layer and the effect via the exchange coupling force σ w from the W layer (in the case of the P type, the force to turn the same direction)
Receive. In this case, the latter is stronger, and two equations of 2: H c1 + Hb <(σ w / 2M S1 t 1 ) 3 of Equation 10: H c2 + Hb> (σ w / 2M S2 t 2 ) are obtained. At the same time satisfied. The lowest temperature at which these equations are satisfied simultaneously is called T LS . In other words, the minimum temperature at which the domain wall in state 6 or state 8 disappears is T LS .
【0039】その結果、状態6は状態9に移行し、状態
8は状態10に移行する。他方、磁壁が元々ない状態5
は状態9と同じであり、同じく磁壁が元々ない状態7は
状態10と同じであるから、結局、前の状態(Pタイプ
の場合、状態5か6か、Aタイプの場合、状態7か8
か)に関係なく、低レベルのビームの照射により状態9
(Pタイプ)又は状態10(Aタイプ)のマークが形成
される。As a result, the state 6 shifts to the state 9 and the state 8 shifts to the state 10. On the other hand, there is no domain wall 5
Is the same as the state 9, and similarly, the state 7 without the domain wall is the same as the state 10, so that in the end, the previous state (state 5 or 6 in the case of the P type, state 7 or 8 in the case of the A type).
Irrespective of whether), the state 9
A mark of (P type) or state 10 (A type) is formed.
【0040】この状態は、その後マークがレーザービー
ムの照射が止んだり又は照射位置から外れたりすること
により、媒体温度が低下し、室温に戻った時にも、変わ
らない。この図11状態9(Pタイプ)又は状態10
(Aタイプ)は、図9状態6(Pタイプ)又は状態7
(Aタイプ)と同一である。これにより、M層のキュリ
ー点TC1まで媒体温度を高めることなく、低温サイクル
が実現されることが理解されよう。This state does not change even when the medium temperature is lowered by returning the irradiation of the laser beam to the mark or deviating from the irradiation position, and then returning to room temperature. This FIG. 11 state 9 (P type) or state 10
(A type) is state 6 (P type) or state 7 in FIG.
It is the same as (A type). It will be appreciated that this allows a low temperature cycle to be achieved without raising the medium temperature to the Curie point T C1 of the M layer.
【0041】実は低温サイクルをTC1以上で実施する第
1実施態様の場合にも、媒体温度が室温からTC1に上昇
する途中でTLSを通るので、そのとき、Pタイプの場
合、状態6から状態9への移行が、Aタイプの場合、状
態8から状態10への移行がそれぞれ起こるのである。そ
の後、TC1に至り、図9状態5となるのである。以上の
説明は、M層、W層ともに室温とキュリー点との間に補
償温度Tcomp. がない磁性体組成について説明した。し
かし、補償温度Tcomp. が存在する場合には、それを越
えると磁化の向きが反転することとA、Pタイプが
逆になるので、説明はそれだけ複雑になる。また、記録
磁界Hb の向きも、室温で考えた場合の向きと逆にな
る。In fact, also in the case of the first embodiment in which the low temperature cycle is carried out at T C1 or more, since the medium temperature passes through T LS during the rise from room temperature to T C1 , at this time, in the case of the P type, the state 6 The transition from state 8 to state 9 occurs in the case of type A, and the transition from state 8 to state 10 respectively. After that, T C1 is reached, and the state 5 in FIG. 9 is reached. The above description has explained the magnetic material composition in which there is no compensation temperature T comp. Between the room temperature and the Curie point for both the M layer and the W layer. However, if the compensating temperature T comp. Exists, the direction of the magnetization is reversed when the compensating temperature T comp. Is exceeded, and the A and P types are reversed, and the explanation becomes complicated accordingly. Further, the direction of the recording magnetic field Hb is also opposite to the direction when considered at room temperature.
【0042】第1、第2実施態様ともに、M層及びW層
が遷移金属(例えばFe, Co) −重希土類金属( 例えばG
d,Tb,Dyその他) 合金組成から選択された非晶質フェリ
磁性体である記録媒体が好ましい。M層、W層の双方と
も、遷移金属(transition metal)−重希土類金属(heavy
rare earth metal)合金組成から選択された場合に
は、各合金としての外部に現れる磁化の向き及び大きさ
は、合金内部の遷移金属原子(TM)の副格子磁化の向
き及び大きさと重希土類金属原子(RE)の副格子磁化
の向き及び大きさとの関係で決まる。例えばTMの副格
子磁化の向き及び大きさを点線の矢印で示すベクトルで
表わし、REの副格子磁化のそれを実線の矢で示すベク
トルで表し、合金全体の磁化の向き及び大きさを白抜き
の矢で示すベクトルで表す。このとき白抜きの矢(ベク
トル)は点線の矢(ベクトル)と実線の矢(ベクトル)
との和として表わされる。ただし、合金の中ではTMの
副格子磁化とRE副格子磁化との相互作用のために点線
の矢(ベクトル)と実線の矢(ベクトル)とは、向きが
必ず逆になっている。従って、点線の矢(ベクトル)と
実線の矢(ベクトル)との和は、両者の強度が等しいと
き、合金のベクトルはゼロ(つまり、外部に現れる磁化
の大きさはゼロ)になる。このゼロになるときの合金組
成は補償組成(compensation composition ) と呼ばれ
る。それ以外の組成のときには、合金は両方の副格子磁
化の強度差に等しい強度を有し、いずれか大きい方のベ
クトルの向きに等しい向きを有する白抜きの矢(ベクト
ル)を持つ。In both the first and second embodiments, the M layer and the W layer are made of a transition metal (eg Fe, Co) -heavy rare earth metal (eg G).
d, Tb, Dy, etc.) A recording medium which is an amorphous ferrimagnetic material selected from alloy compositions is preferable. Both the M layer and the W layer are a transition metal and a heavy rare earth metal (heavy metal).
When selected from the alloy composition, the direction and magnitude of the magnetization appearing externally as each alloy is the direction and magnitude of the sublattice magnetization of the transition metal atom (TM) inside the alloy and the heavy rare earth metal. It is determined by the relationship with the direction and size of the sublattice magnetization of the atom (RE). For example, the direction and magnitude of the sublattice magnetization of TM is represented by a vector indicated by a dotted arrow, and that of RE sublattice magnetization is represented by a vector indicated by a solid line arrow, and the direction and magnitude of magnetization of the entire alloy are outlined. It is represented by the vector indicated by the arrow. At this time, the white arrow (vector) is a dotted arrow (vector) and the solid arrow (vector)
Expressed as the sum of and. However, in the alloy, due to the interaction between the TM sublattice magnetization and the RE sublattice magnetization, the dotted arrow (vector) and the solid arrow (vector) always have opposite directions. Therefore, the sum of the dotted arrows (vectors) and the solid arrows (vectors) makes the alloy vector zero (that is, the magnitude of the magnetization appearing outside) when the strengths of the two are equal. The alloy composition when it reaches zero is called the compensation composition. For any other composition, the alloy has an intensity equal to the intensity difference of both sublattice magnetizations and has a hollow arrow (vector) with an orientation equal to the orientation of the larger vector.
【0043】そこで、合金の磁化ベクトルを点線のベク
トルと実線のベクトルを隣接して書き、例えば図12に
示すように書き表す。RE、TMの副格子磁化の状態は
大別すると4通りあり、これらを図13の(1A)〜(4A)に
示す。そして、各状態における合金の磁化ベクトル(白
抜きの矢)を図13の(1B)〜(4B)に対応して示す。例え
ば、REベクトルがTMベクトルに比べて大きい場合、
副格子磁化の状態は(1A)に示され、合金の磁化ベクトル
は、(1B)に示される。Therefore, the magnetization vector of the alloy is written adjacent to the vector of the dotted line and the vector of the solid line, for example, as shown in FIG. The sublattice magnetization states of RE and TM are roughly classified into four states, which are shown in (1A) to (4A) of FIG. And the magnetization vector (open arrow) of the alloy in each state is shown corresponding to (1B) to (4B) of FIG. For example, if the RE vector is larger than the TM vector,
The state of sublattice magnetization is shown in (1A), and the magnetization vector of the alloy is shown in (1B).
【0044】ある合金組成のTMベクトルとREベクト
ルの強度が、どちらか一方が大きいとき、その合金組成
は、強度の大きい方の名をとって○○リッチ例えばRE
リッチであると呼ばれる。M層とW層の両方について、
TMリッチな組成とREリッチな組成とに分けられる。
従って、縦軸座標にM層の組成を横軸座標にW層の組成
をとると、基本発明の媒体全体としては、種類を図14
に示す4象限に分類することができる。先に述べたPタ
イプは1象限と3象限に属するものであり、Aタイプは
2象限と4象限に属するものである。When the strength of the TM vector or RE vector of a certain alloy composition is larger, the alloy composition is named as the one having the larger strength and is XX rich, for example, RE.
Called to be rich. For both M and W layers,
It is divided into TM-rich composition and RE-rich composition.
Therefore, when the composition of the M layer is plotted on the ordinate and the composition of the W layer is plotted on the abscissa, the types of the medium of the basic invention are shown in FIG.
It can be classified into the four quadrants shown in. The P type described above belongs to the first and third quadrants, and the A type belongs to the second and fourth quadrants.
【0045】一方、温度変化に対する保磁力の変化を見
ると、キュリー点(保磁力ゼロの温度)に達する前に保
磁力が一旦無限大に増加してまた降下すると言う特性を
持つ合金組成がある。この無限大のときに相当する温度
は補償温度(Tcomp. )と呼ばれる。補償温度より低い
温度ではREベクトル(実線の矢)の方がTMベクトル
(点線の矢) より大きく、そのためTMリッチと言うこ
とができ、補償温度より高い温度ではその逆になる。従
って、補償組成の合金の補償温度は、室温にあると言う
ことができる。On the other hand, looking at the change of the coercive force with respect to the temperature change, there is an alloy composition having a characteristic that the coercive force temporarily increases to infinity and then drops before reaching the Curie point (temperature at which the coercive force is zero). .. The temperature corresponding to this infinity is called the compensation temperature (T comp. ). At a temperature lower than the compensation temperature, the RE vector (solid arrow) is larger than the TM vector (dotted arrow), so it can be said to be TM rich, and vice versa at a temperature higher than the compensation temperature. Therefore, it can be said that the compensation temperature of the alloy having the compensation composition is at room temperature.
【0046】逆に補償温度はTMリッチの合金組成にお
いては、室温からキュリー点の間には存在しない。室温
より下にある補償温度は、光磁気記録においては無意味
であるので、この明細書で補償温度とは室温からキュリ
ー点の間に存在するものを言うことにする。M層とW層
の補償温度の有無について分類すると、媒体はタイプ1
〜4の4つのタイプに分類される。1象限の媒体は、4
つ全部のタイプが含まれる。そこで、M層とW層の両方
についてREリッチかTMリッチかで分け、かつ補償温
度を持つか持たないかで分けると、記録媒体は図15に
示す9クラスに分類される。 〔クラス1−1の説明〕ここで図15に示したクラス1
の記録媒体(Pタイプ・1象限・タイプ1)に属する媒
体No.1−1 を例にとり、オーバーライト原理について詳
細に説明する。On the contrary, the compensation temperature does not exist between room temperature and the Curie point in the TM-rich alloy composition. Since the compensation temperature below room temperature is meaningless in magneto-optical recording, the compensation temperature in this specification means that it exists between room temperature and the Curie point. Classifying the presence or absence of the compensation temperature of the M layer and the W layer, the medium is type 1
Are classified into four types. 1 quadrant medium is 4
All types are included. Therefore, if both the M layer and the W layer are classified into RE-rich or TM-rich and whether or not they have a compensation temperature, the recording medium is classified into 9 classes shown in FIG. [Explanation of Class 1-1] Class 1 shown in FIG. 15 here
The overwrite principle will be described in detail by taking as an example the medium No. 1-1 belonging to the recording medium (P type, 1 quadrant, type 1).
【0047】この媒体No.1−1 は、次式11: TR <Tcomp.1<TL <TH ≦TC1≦Tc2 及び式11の2:Tcomp.2 <TC1 の関係を有する。本明細書では「≦」の「=」は等しい
か又はほぼ等しい(±20℃位) ことを意味する。同じく
「≒」もほぼ等しい(±20℃位) ことを意味する。説明
を簡単にする目的から、以下の説明は、TH <TC1<T
c2の関係を有するものについて説明する。Tcomp.2は、
TL よりも高くとも等しくとも、低くともよいが、説明
を簡単にする目的から、以下の説明では、TL <T
comp.2とする。以上の関係をグラフで示すと、図16の
如くなる。なお、細線はM層のグラフを示し、太線はW
層のグラフを示す。[0047] The medium No.1-1, the following equation 11: T R <T comp.1 < T L <T H ≦ T C1 ≦ T c2 and 2 of Formula 11: T comp.2 <relation T C1 Have. In the present specification, “=” in “≦” means that they are equal or almost equal (± 20 ° C. or so). Similarly, “≒” means that they are almost equal (± 20 ° C). For the purpose of simplifying the explanation, the following explanation is T H <T C1 <T
Those having the relationship of c2 will be described. T comp.2 is
It may be higher than, equal to, or lower than T L , but for the purpose of simplifying the description, in the following description, T L <T
It will be comp.2 . FIG. 16 is a graph showing the above relationship. The thin line shows the graph of the M layer, and the thick line shows W.
A layer graph is shown.
【0048】室温TR でM層の磁界が初期補助磁界Hin
i. により反転せずにW層のみが反転する条件は、At room temperature T R , the magnetic field of the M layer is the initial auxiliary magnetic field Hin.
The condition that only W layer is inverted without being inverted by i.
【0049】[0049]
【数1】 [Equation 1]
【0050】として示す式12である。この媒体No.1−1
は式12を満足する。 但し、HC1:M層の保磁力 HC2:W層の保磁力 MS1:M層の飽和磁気モーメント(saturation magnet
ization) MS2:W層の飽和磁気モーメント t1 :M層の膜厚 t2 :W層の膜厚 σw :界面磁壁エネルギー=交換結合力 (interface wa
ll energy) このとき、Hini. の条件式は、数4に示す式15で示され
る。Hini. が無くなると、M層、W層の磁化は交換結合
力により互いに影響を受ける。それでもM層、W層の磁
化が反転せずに保持される条件は、式13〜14で示され
る。この媒体No.1−1 は式13〜14を満足する。Equation 12 is expressed as This medium No.1-1
Satisfies Equation 12. However, H C1 : Coercive force of M layer H C2 : Coercive force of W layer M S1 : Saturation magnet moment of M layer (saturation magnet)
ization) M S2 : saturation magnetic moment of W layer t 1 : thickness of M layer t 2 : thickness of W layer σ w : domain wall energy = exchange coupling force (interface wa
ll energy) At this time, the conditional expression of Hini. is expressed by Expression 15 shown in Expression 4. When the Hini. Disappears, the magnetizations of the M layer and the W layer are affected by the exchange coupling force. Nevertheless, the conditions under which the magnetizations of the M layer and W layer are maintained without being inverted are expressed by equations 13-14. This medium No. 1-1 satisfies equations 13-14.
【0051】[0051]
【数2】 [Equation 2]
【0052】[0052]
【数3】 [Equation 3]
【0053】室温で式12〜14の条件を満足する記録媒体
のW層の磁化は、記録の直前までにThe magnetization of the W layer of the recording medium which satisfies the conditions of equations 12 to 14 at room temperature should be measured by the time immediately before recording.
【0054】[0054]
【数4】 [Equation 4]
【0055】に示す式15を満足するHini. により例えば
「A向き」↑に揃えられる。このときM層は前の記録状
態のままで残る。この状態は図17の状態1又は状態2
のいずれかで示される。この状態1、状態2は記録直前
まで保持される。そして、記録磁界Hb は「A向き」↑
に印加することにする。Hini. That satisfies the expression 15 shown in FIG. At this time, the M layer remains in the previous recording state. This state is state 1 or state 2 in FIG.
Indicated by either. The states 1 and 2 are held until just before recording. The recording magnetic field Hb is "A direction" ↑
Will be applied to.
【0056】なお、記録磁界Hb は、一般の磁界がそう
であるように、レーザービームの照射領域(スポット領
域)と同一の範囲に絞ることは難しい。媒体がディスク
状の場合、一旦記録された情報(マーク)は、1回転し
た場合、途中でHini. の影響を受け、再び状態1又は状
態2となる。その後、そのマークは、レーザービームの
照射領域(スポット領域)に近いところを通過する。こ
のとき、状態1、状態2のマークは、記録磁界Hb 印加
手段に近づくのでその影響を受ける。この場合Hb と反
対向きの磁化を有する状態2のマークのM層の磁化の向
きがHb によって反転させられたとすると、1回転前に
記録されたばかりの情報が消失することになる。そうな
ってはならない条件は、Note that it is difficult to narrow the recording magnetic field Hb to the same range as the irradiation area (spot area) of the laser beam, as is the case with general magnetic fields. When the medium is a disc, once the recorded information (mark) is rotated once, it is in the state 1 or 2 again under the influence of Hini. After that, the mark passes near a laser beam irradiation region (spot region). At this time, the marks in state 1 and state 2 are affected by the approach to the recording magnetic field Hb applying means. In this case, if the magnetization direction of the M layer of the mark in the state 2 having the magnetization opposite to Hb is reversed by Hb, the information just recorded one rotation before disappears. The conditions that should not be so are
【0057】[0057]
【数5】 [Equation 5]
【0058】に示す式15の2で表される。ディスク状媒
体No.1−1 は、室温でこの条件式15の2を満足させる必
要がある。逆に言えば、Hb を決定する1つの条件は、
式15の2で示される。さて、状態1、2のマークは、い
よいよレーザービームのスポット領域に到達する。レー
ザービームの強度は、基本発明と同様に、低レベルと高
レベルの2種がある。It is represented by 2 of the equation 15 shown in The disk-shaped medium No. 1-1 must satisfy the condition (2) of conditional expression 15 at room temperature. Conversely, one condition that determines Hb is
It is shown by 2 in Expression 15. The marks in states 1 and 2 finally reach the spot area of the laser beam. There are two types of laser beam intensities, low level and high level, as in the basic invention.
【0059】−−−−−低温サイクル−−−− 低レベルのレーザービームが照射されて、 媒体温度が
Tcomp.1以上に上昇する。そうすると、PタイプからA
タイプに移行する。そして、M層のRE、TM各スピン
の方向は変わらないが、強度の大小関係が図13の(3A)
から(4A)へと逆転する。そのため、M層の磁化は図13
の(3B)から(4B)へと反転する。その結果、状態1のマー
クは状態3に移行し、状態2のマークは状態4に移行す
る。----- Low Temperature Cycle ---- When a low level laser beam is irradiated, the medium temperature rises above T comp.1 . Then, from P type to A
Move to type. Then, although the directions of the RE and TM spins of the M layer do not change, the magnitude relationship between the strengths is (3A) in FIG.
To reverse (4A). Therefore, the magnetization of the M layer is as shown in FIG.
Invert from (3B) to (4B). As a result, the mark in state 1 shifts to state 3, and the mark in state 2 shifts to state 4.
【0060】レーザービームの照射が続いて、媒体温度
は、やがてTLSになる。すると、式10の2 並びに式10の
3 が同時に満足される。その結果、Hb ↑が存在して
も、状態4のマークは状態5に遷移する。他方、状態3
のマークは、Hb ↑が存在しても10の2 並びに式10の3
が同時に満足されているため、そのままの状態を保つ。
つまり、状態3から、同じ状態である状態5になるだけ
である。Following the irradiation of the laser beam, the medium temperature eventually becomes T LS . Then, the two in Equation 10 and the one in Equation 10
3 are satisfied at the same time. As a result, even if Hb ↑ exists, the mark in state 4 transits to state 5. On the other hand, state 3
The mark of 10 is 2 even in the presence of Hb ↑ and 3 of 10
Is satisfied at the same time, so it remains as it is.
That is, the state 3 is changed to the same state as the state 5.
【0061】この状態でレーザービームのスポット領域
から外れると媒体温度は低下を始める。媒体温度がT
comp.1以下に冷えると、Aタイプから元のPタイプに戻
る。そして、M層のREスピンとTMスピンとの大小関
係が、図13の(2A)から(1A)へと逆転する。そのため、
M層の磁化は図13の(2B)から(1B)へと反転する。 そ
の結果、状態5のマークは状態6(M層の磁化は「A向
き」↑)に移行する。この状態6は媒体温度が室温まで
下がっても保持される。こうして、M層に「A向き」↑
のマークが形成される。In this state, when the laser beam deviates from the spot area, the medium temperature starts to drop. Medium temperature is T
When it cools down below comp.1, it will return to the original P type from A type. Then, the magnitude relationship between the RE spin and the TM spin of the M layer is reversed from (2A) to (1A) in FIG. for that reason,
The magnetization of the M layer is reversed from (2B) to (1B) in FIG. As a result, the mark in the state 5 shifts to the state 6 (the magnetization of the M layer is “A direction” ↑). This state 6 is maintained even when the medium temperature drops to room temperature. In this way, M layer "A direction" ↑
Mark is formed.
【0062】−−−−−高温サイクル−−−−− 高レベルのレーザービームが照射されると、媒体温度
は、Tcomp.1を経て低温TL に上昇する。その結果、状
態5と同じ状態7になる。高レベルのレーザービームの
照射により、媒体温度は更に上昇する。媒体温度がW層
のTcomp.2を越えると、AタイプがPタイプに移行す
る。そして、W層のRE、TM各スピンの方向は変わら
ないが、強度の大小関係が、図13の(1A)から(2A)へと
逆転する。そのため、W層の磁化は図13の(1B)から(2
B)へと反転する。その結果、W層の磁化は、「逆A向
き」↓となる。この状態が状態8である。 しかし、こ
の温度ではHC2がまだ大きいので、↑Hb によってW層
の磁化が反転されることはない。さらに温度が上昇し、
TH になると、M層、W層は、その温度がキュリー点に
近いので保磁力が小さくなる。その結果、媒体は、[0062] ----- When the laser beam of the high-temperature cycle ----- high level is irradiated, the medium temperature is increased to the low temperature T L via T Comp.1. As a result, the state 7 is the same as the state 5. Irradiation with a high level laser beam further raises the medium temperature. When the medium temperature exceeds T comp.2 of the W layer, the A type shifts to the P type. Then, although the directions of the RE and TM spins of the W layer are not changed, the magnitude relationship of the strength is reversed from (1A) to (2A) in FIG. Therefore, the magnetization of the W layer changes from (1B) to (2
Invert to B). As a result, the magnetization of the W layer becomes “inverse A direction” ↓. This state is state 8. However, since H C2 is still large at this temperature, the magnetization of the W layer is not reversed by ↑ Hb. The temperature rises further,
At T H , the temperatures of the M layer and the W layer are close to the Curie point, so that the coercive force becomes small. As a result, the medium is
【0063】[0063]
【数6】 [Equation 6]
【0064】に示す(1)又は(1) or
【0065】[0065]
【数7】 [Equation 7]
【0066】に示す(2)又は(2) or
【0067】[0067]
【数8】 [Equation 8]
【0068】に示す(3)のいずれかに示した2つの式
を同時に満足する。そのため、両層の磁化は、ほぼ同時
に反転し、Hb ↑の向きに従う。この状態が状態9であ
る。この状態でレーザービームのスポット領域から外れ
ると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がTcomp.2以
下になると、PタイプからAタイプに移行する。そし
て、RE、TMの各スピンの方向は変わらないが、強度
の大小関係が、図13の(4A)から(3A)へと逆転する。そ
のため、W層の磁化は図13の(4B)から(3B)へと反転す
る。その結果、W層の磁化は、「逆A向き」↓となる。
この状態が状態10である。状態10では、媒体は、The two expressions shown in either of (3) shown in (3) are simultaneously satisfied. Therefore, the magnetizations of both layers are reversed almost at the same time and follow the direction of Hb ↑. This state is state 9. In this state, when the laser beam deviates from the spot area, the medium temperature starts to drop. When the medium temperature becomes T comp. 2 or less, the P type shifts to the A type. Then, the directions of the spins of RE and TM do not change, but the magnitude relationship of the strength is reversed from (4A) to (3A) in FIG. Therefore, the magnetization of the W layer is reversed from (4B) to (3B) in FIG. As a result, the magnetization of the W layer becomes “inverse A direction” ↓.
This state is state 10. In state 10, the medium is
【0069】[0069]
【数9】 [Equation 9]
【0070】に示す式15の4を満足する。そのため、W
層にHb ↑が作用しても反転することはない。媒体の温
度がこの状態10のときの温度から更に低下して、T
comp.1以下になると、Aタイプから元のPタイプに戻
る。そして、M層のREスピンとTMスピンの強度の大
小関係が、図13の(4A)から(3A)へと逆転する。そのた
め、M層の磁化は図13の(4B)から(3B)へと反転する。
その結果、M層の磁化は、「逆A向き」↓となる。この
状態が状態11である。4 of Expression 15 shown in is satisfied. Therefore, W
Even if Hb ↑ acts on the layer, it does not reverse. When the temperature of the medium further decreases from the temperature in the state 10,
When it becomes comp.1 or less, it returns from the A type to the original P type. Then, the magnitude relation between the intensity of the RE spin and the intensity of the TM spin of the M layer is reversed from (4A) to (3A) in FIG. Therefore, the magnetization of the M layer is reversed from (4B) to (3B) in FIG.
As a result, the magnetization of the M layer becomes “inverse A direction” ↓. This state is state 11.
【0071】やがて媒体の温度は、状態11のときの温
度から室温まで低下する。室温でのHC1は十分に大きい
(数11に示す式15の5参照)ので、M層の磁化↓は、↑
Hbによって反転されることなく、状態11が保持され
る。Eventually, the temperature of the medium drops from the temperature in state 11 to room temperature. Since H C1 at room temperature is sufficiently large (see 5 in Equation 15 shown in Formula 11), the magnetization ↓ of the M layer is ↑
State 11 is maintained without being inverted by Hb.
【0072】[0072]
【数10】 [Equation 10]
【0073】こうして、M層に「逆A向き」↓のマーク
が形成される。ところで、光磁気記録媒体をほこりや破
損又は傷等から保護するために、媒体をカートリッジに
収納する必要がある。In this way, the mark of "inverse A direction" ↓ is formed on the M layer. By the way, in order to protect the magneto-optical recording medium from dust, damage or scratches, it is necessary to store the medium in a cartridge.
【0074】しかし、オーバーライト可能な媒体をカー
トリッジに収納した場合、光磁気記録装置に設けられた
初期補助磁界(Hini. )印加手段から遠のいてしまい、
“初期化”に必要な強さの磁界が得られなくなるので、
該Hini. 印加手段、(例えば、永久磁石や電磁石)を大
型化しなければならないという第一の問題点が生じた。
また、オーバーライトのできない光磁気記録媒体と、オ
ーバーライト可能な光磁気記録媒体の両方が使用可能な
光磁気記録装置を設定した場合、この光磁気記録装置に
はオーバーライトのためのHini. 印加手段を設置しなけ
ればならない。However, when the overwritable medium is housed in the cartridge, it is far from the initial auxiliary magnetic field (Hini.) Applying means provided in the magneto-optical recording device,
Since the magnetic field with the strength required for “initialization” cannot be obtained,
The first problem arises in that the Hini. Applying means (for example, a permanent magnet or an electromagnet) must be upsized.
When a magneto-optical recording device that can use both a non-overwritable magneto-optical recording medium and an over-writable magneto-optical recording medium is set, the Hini. Means must be set up.
【0075】この場合、前記オーバーライトのできない
媒体の使用時には前記Hini. 印加手段を媒体から遠ざ
け、前記オーバーライト可能な媒体の使用時にはHini.
印加手段を媒体に近づける必要が生じる。その結果、Hi
ni. 印加手段を移動させるための駆動装置が必要とな
り、光磁気記録装置の構造が複雑になるという第二の問
題点があった。In this case, the Hini. Applying means is moved away from the medium when the medium that cannot be overwritten is used, and the Hini.
It is necessary to bring the applying means close to the medium. As a result, Hi
ni. A second problem is that a driving device for moving the applying means is required, which complicates the structure of the magneto-optical recording device.
【0076】第一、第二の問題点を解決するために、Hi
ni. 印加手段を内蔵させたカートリッジが発明された
(特開昭64-46247号参照)。このカートリッジは、従来
のオーバーライトのできる光磁気記録装置でも記録する
ことができる。In order to solve the first and second problems, Hi
ni. A cartridge incorporating an applying means was invented (see JP-A-64-46247). This cartridge can also be recorded by a conventional overwritable magneto-optical recording device.
【0077】[0077]
【発明が解決しようとする課題】ところで、オーバーラ
イトのできない光磁気記録装置に使用する場合、カート
リッジの外形寸法は、従来通りでなければならない。一
般に、Hini. の大きさは2000〜4000 Oe で、このように
強い磁界を発生する永久磁石は、相当に大きい。そのた
め、樹脂その他の非磁性体で形成されているカートリッ
ジ本体に、大きな永久磁石を内蔵させた場合、その部分
の本体の肉厚を薄くするか、あるいは磁石自体を薄く構
成する必要があった。When used in a magneto-optical recording device that cannot be overwritten, the outer dimensions of the cartridge must be the same as before. Generally, the size of Hini. Is 2000 to 4000 Oe, and the permanent magnet that generates such a strong magnetic field is considerably large. Therefore, when a large permanent magnet is built in the cartridge main body made of resin or other non-magnetic material, it is necessary to reduce the thickness of the main body at that portion or to make the magnet itself thin.
【0078】しかし、肉厚を薄くすると、カートリッジ
の強度が低下してしまい、また、磁石を薄くすると十分
なHini. が得られないという第三の問題点が生じた。本
発明の目的は、カートリッジの強度を不足させずに且つ
十分な磁界強度を与えるHini. の印加手段を内蔵したカ
ートリッジを提供することにある。However, if the wall thickness is made thin, the strength of the cartridge is lowered, and if the magnet is made thin, a sufficient Hini. Cannot be obtained. It is an object of the present invention to provide a cartridge containing Hini. Application means for providing sufficient magnetic field strength without compromising the strength of the cartridge.
【0079】[0079]
【課題を解決するための手段】本発明は「メモリー層と
ライティング層の少なくとも2層からなる光変調方式で
オーバーライトが可能な光磁気記録ディスクを収納する
とともに、初期補助磁界印加手段を内蔵した光磁気記録
媒体用カートリッジにおいて、カートリッジの本体全体
あるいはその一部を磁性体によって形成し、該磁性体と
前記印加手段とで磁気回路を形成したことを特徴とする
カートリッジ」を提供する。According to the present invention, "a magneto-optical recording disk which can be overwritten by an optical modulation method comprising at least two layers of a memory layer and a writing layer is housed and an initial auxiliary magnetic field applying means is incorporated. In a cartridge for magneto-optical recording medium, the whole or a part of the main body of the cartridge is made of a magnetic material, and a magnetic circuit is formed by the magnetic material and the applying means.
【0080】[0080]
【作用】カートリッジの本体全体あるいはその一部を構
成する磁性体は、本体とほぼ同等又はそれ以上の強度を
持つので、カートリッジの強度低下はなく、しかも磁気
回路のヨークの役割を果たすのでHini. の強度が高ま
り、小さな磁石をHini. 印加手段として用いても十分な
Hini. が得られる。[Function] The magnetic body that constitutes the whole body or a part of the cartridge has strength that is almost equal to or higher than that of the body, so that the strength of the cartridge does not decrease, and it also functions as a yoke of the magnetic circuit. Strength increases, and it is enough to use a small magnet as Hini.
Hini. Is obtained.
【0081】以下、実施例により本発明をより具体的に
説明するが、本発明はこれに限られるものではない。Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto.
【0082】[0082]
【実施例】図1は、本発明の第一の実施例におけるカー
トリッジの概略垂直断面図である。図1では、ディスク
状のオーバーライト可能な光磁気記録媒体(3)は、所
定の寸法に形成されているカートリッジ本体(1)に回
転可能な状態で軸支されている。軸支する回転軸は、直
接又は間接にカートリッジ本体(1)外部に露出してい
るカプラー(不図示)に連結している。この該カプラー
を光磁気記録装置側のカプラーと連結させることによ
り、装置側のスピンドルモーター(回転手段)からの回
転力を回転軸に伝えることができる。この回転により媒
体(3)が回転する。1 is a schematic vertical sectional view of a cartridge according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, a disc-shaped overwritable magneto-optical recording medium (3) is rotatably supported by a cartridge body (1) having a predetermined size. The rotating shaft that supports the shaft is directly or indirectly connected to a coupler (not shown) exposed to the outside of the cartridge body (1). By connecting this coupler to the coupler on the side of the magneto-optical recording device, the rotational force from the spindle motor (rotating means) on the side of the device can be transmitted to the rotary shaft. This rotation causes the medium (3) to rotate.
【0083】Hini. 印加手段である永久磁石(5)、
(6)は、光磁気記録媒体(3)を挟み込むように互い
に向かい合うように設置されている。カートリッジ本体
(1)は全体を磁性体によって形成してあり、永久磁石
(5)、(6)とで磁気回路を形成している。この磁気
回路が媒体(3)の磁性膜に対して上向き又は下向きの
Hini. を与える。ここでは磁気回路は、媒体(3)の記
録領域に対して半径方向の全域にわたって形成されてい
る。Hini. Permanent magnet (5) as an applying means,
(6) are installed to face each other so as to sandwich the magneto-optical recording medium (3). The entire cartridge body (1) is made of a magnetic material, and the permanent magnets (5) and (6) form a magnetic circuit. This magnetic circuit faces upward or downward with respect to the magnetic film of the medium (3).
Give Hini. Here, the magnetic circuit is formed over the entire recording area of the medium (3) in the radial direction.
【0084】また、カートリッジ本体(1)の一部に
は、レーザービームを媒体(3)に照射するための開口
部(4)が設けられている。そして、開口部(4)には
シャッター(2)とシャッターレール(2a)が設けて
あり、図示していない手段によって必要に応じてシャッ
ター(2)を開閉できるようになっている。Further, an opening (4) for irradiating the medium (3) with a laser beam is provided in a part of the cartridge body (1). The opening (4) is provided with a shutter (2) and a shutter rail (2a) so that the shutter (2) can be opened and closed as needed by means not shown.
【0085】尚、永久磁石(5)、(6)の配置位置は
図1に示す場所に限るものではなく、媒体上の任意の位
置に設置しても同様の効果が得られる。図2は、本発明
の第二の実施例における概略垂直断面図である。第二の
実施例では、樹脂等の非磁性体によって構成されたカー
トリッジ本体(1a)の一部のみを磁性体で形成し、こ
の磁性体がヨーク(5a)を構成する。そして、ヨーク
(5a)は永久磁石(5)、(6)とで磁気回路を形成
する。The arrangement positions of the permanent magnets (5) and (6) are not limited to the positions shown in FIG. 1, and similar effects can be obtained even if they are installed at arbitrary positions on the medium. FIG. 2 is a schematic vertical sectional view of the second embodiment of the present invention. In the second embodiment, only a part of the cartridge body (1a) made of a non-magnetic material such as resin is made of a magnetic material, and this magnetic material constitutes the yoke (5a). The yoke (5a) and the permanent magnets (5) and (6) form a magnetic circuit.
【0086】尚、ヨーク(5a)の幅は少なくとも永久
磁石(5)、(6)と同じ幅にすることが磁束密度を高
める上で望ましい。この場合、磁気回路を図2に示す位
置に形成させず、光磁気媒体上の任意の位置に形成させ
ても、同様の効果が得られることは言うまでない。The width of the yoke (5a) is preferably at least the same as that of the permanent magnets (5) and (6) in order to increase the magnetic flux density. In this case, it goes without saying that the same effect can be obtained even if the magnetic circuit is not formed at the position shown in FIG. 2 but is formed at an arbitrary position on the magneto-optical medium.
【0087】[0087]
【発明の効果】以上の通り、本発明は、カートリッジの
本体全体あるいは本体一部を磁性体で形成し、これをHi
ni. 印加手段との間に磁気回路を形成させる。そのた
め、高磁束密度のHini. を媒体に与えることができる。
従って、カートリッジの機械的強度を低下させることな
く、十分なHini. を与えることができる。As described above, according to the present invention, the entire main body or a part of the main body of the cartridge is formed of a magnetic material, and the
ni. Form a magnetic circuit with the applying means. Therefore, Hini. With high magnetic flux density can be given to the medium.
Therefore, sufficient Hini. Can be given without lowering the mechanical strength of the cartridge.
【図1】は、本発明の第一の実施例におけるカートリッ
ジの概略垂直断面図である。FIG. 1 is a schematic vertical sectional view of a cartridge according to a first embodiment of the present invention.
【図2】は、本発明の第二の実施例におけるカートリッ
ジの概略垂直断面図である。FIG. 2 is a schematic vertical sectional view of a cartridge according to a second embodiment of the present invention.
【図3】は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念
図である。FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating a recording principle of a magneto-optical recording method.
【図4】は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概念
図である。FIG. 4 is a conceptual diagram illustrating a reproducing principle of a magneto-optical recording method.
【図5】は、基本発明に従いオーバーライトする場合の
レーザービームの波形図である。FIG. 5 is a waveform diagram of a laser beam when overwriting according to the basic invention.
【図6】は、基本発明に従い2本のビームでオーバーラ
イトする場合のレーザービームの波形図である。FIG. 6 is a waveform diagram of a laser beam when overwriting with two beams according to the basic invention.
【図7】は、オーバーライト可能な光磁気記録媒体のM
層、W層について保磁力と温度との関係を示すグラフで
ある。FIG. 7 shows M of an overwritable magneto-optical recording medium.
It is a graph which shows the relationship between coercive force and temperature about a layer and a W layer.
【図8】は、M層とW層の磁化の向きを示す概念図であ
る。FIG. 8 is a conceptual diagram showing the magnetization directions of the M layer and the W layer.
【図9】は、M層とW層の磁化の向きの変化を示す説明
図である。FIG. 9 is an explanatory diagram showing changes in the magnetization directions of the M layer and the W layer.
【図10】は、Pタイプ媒体、Aタイプ媒体について、
低温サイクル、高温サイクルの結果、M層とW層の磁化
の向きがどう変化するかを示す説明図である。いずれも
室温での状態を示す。FIG. 10 shows a P-type medium and an A-type medium,
It is explanatory drawing which shows how the direction of magnetization of M layer and W layer changes as a result of a low temperature cycle and a high temperature cycle. Both show the state at room temperature.
【図11】は、M層とW層の磁化の向きの変化を示す説
明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram showing changes in the magnetization directions of the M layer and the W layer.
【図12】は、希土類(RE)原子の副格子磁化を示す
ベクトル(実線の矢)と遷移金属(TM)原子の副格子
磁化を示すベクトル(点線の矢)とを比較するための説
明図である。FIG. 12 is an explanatory diagram for comparing a vector indicating a sublattice magnetization of a rare earth (RE) atom (solid arrow) with a vector indicating a sublattice magnetization of a transition metal (TM) atom (dotted arrow). Is.
【図13】は、副格子磁化のベクトルと合金の磁化の向
きを示すベクトル(白抜き矢)との関係を示す説明図で
ある。FIG. 13 is an explanatory diagram showing the relationship between the vector of sublattice magnetization and the vector (open arrow) indicating the direction of magnetization of the alloy.
【図14】は、M層とW層について、それぞれREリッ
チ、TMリッチに分けた場合、オーバーライト可能な媒
体が4つの分類(1象限〜4象限)に分けられることを
説明する説明図である。FIG. 14 is an explanatory diagram illustrating that, when the M layer and the W layer are divided into RE-rich and TM-rich, the overwritable medium is divided into four classifications (quadrants 1 to 4). is there.
【図15】は、基本発明の媒体を種々の観点から分類す
ると、結局、クラス1〜クラス9の9のクラスに分類さ
れることを説明する説明図である。FIG. 15 is an explanatory diagram illustrating that when the medium of the basic invention is classified from various viewpoints, the medium is eventually classified into nine classes of class 1 to class 9.
【図16】は、オーバーライト可能な光磁気記録媒体N
o. 1−1のM層、W層について保磁力と温度との関係
を示すグラフである。FIG. 16 is an overwritable magneto-optical recording medium N.
10 is a graph showing the relationship between coercive force and temperature for the M layer and W layer of 1-1.
【図17】は、媒体No. 1−1の媒体について、低温サ
イクルと高温サイクルの結果、M層とW層の磁化の向き
がどう変化するかを示す概念図である。FIG. 17 is a conceptual diagram showing how the directions of magnetization of the M layer and the W layer change as a result of a low temperature cycle and a high temperature cycle for the medium of medium No. 1-1.
1・・・カートリッジ本体(全体が磁性体で作られてい
る) 1a・・カートリッジ本体(全体が樹脂等で作られてい
る) 2・・・シャッター 2a・・シャッターレール 3・・・光磁気記録ディスク(媒体) 4・・・開口部 5・・・永久磁石(初期補助磁界印加手段の一例) 5a・・ヨーク 6・・・永久磁石(初期補助磁界印加手段の一例) L・・・レーザービーム Lp ・・直線偏光 B1 ・・「A向き」の磁化を有するマーク(又はマー
ク) B0 ・・「逆A向き」の磁化を有するマーク(又はマー
ク) S・・・基板 SS・・・2P基板 G・・・ガラス基板 PP・・・硬化した溝材樹脂 MO・・垂直磁化膜(光磁気記録層) M・・・メモリー層 W・・・ライティング層 以上1 ... Cartridge body (whole body is made of magnetic material) 1a ... Cartridge body (whole body is made of resin etc.) 2 ... Shutter 2a ... Shutter rail 3 ... Magneto-optical recording Disk (medium) 4 ... Aperture 5 ... Permanent magnet (an example of initial auxiliary magnetic field applying means) 5a ... Yoke 6 ... Permanent magnet (an example of initial auxiliary magnetic field applying means) L ... Laser beam Lp ··· Linearly polarized light B 1 ··· Mark (or mark) with “A direction” magnetization B 0 ··· Mark (or mark) with “reverse A direction” magnetization S ・ ・ ・ Substrate SS ・ ・ ・ 2P Substrate G: Glass substrate PP: Cured groove material resin MO: Perpendicular magnetization film (magneto-optical recording layer) M: Memory layer W: Writing layer
Claims (1)
2層からなる光変調方式でオーバーライトが可能な光磁
気記録ディスクを収納するとともに、初期補助磁界印加
手段を内蔵した光磁気記録媒体用カートリッジにおい
て、 カートリッジの本体全体あるいはその一部を磁性体によ
って形成し、該磁性体と前記印加手段とで磁気回路を形
成したことを特徴とするカートリッジ。1. A cartridge for a magneto-optical recording medium, which accommodates a magneto-optical recording disk which is composed of at least two layers of a memory layer and a writing layer and which can be overwritten by an optical modulation method, and which has a built-in initial auxiliary magnetic field applying means. A cartridge characterized in that the whole or a part of the main body of the cartridge is made of a magnetic material, and the magnetic material and the applying means form a magnetic circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3279571A JPH05120746A (en) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | Cartridge for overwritable magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3279571A JPH05120746A (en) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | Cartridge for overwritable magneto-optical recording medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05120746A true JPH05120746A (en) | 1993-05-18 |
Family
ID=17612836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3279571A Pending JPH05120746A (en) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | Cartridge for overwritable magneto-optical recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05120746A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5719831A (en) * | 1993-12-20 | 1998-02-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium cartridge which employs magnets |
-
1991
- 1991-10-25 JP JP3279571A patent/JPH05120746A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5719831A (en) * | 1993-12-20 | 1998-02-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium cartridge which employs magnets |
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