JPH05120746A

JPH05120746A - オーバーライト可能な光磁気記録媒体用カートリツジ

Info

Publication number: JPH05120746A
Application number: JP3279571A
Authority: JP
Inventors: Hisaharu Kaneko; 久治金子; Katsumi Kanakubo; 勝巳金久保
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1991-10-25
Filing date: 1991-10-25
Publication date: 1993-05-18

Abstract

(57)【要約】【目的】オーバーライト可能な光磁気記録ディスクに
対して、十分な初期補助磁界（Hini. ）印加強度を与
え、且つこの手段を内蔵させたカートリッジ本体の機械
的強度の低下を防ぐ。【構成】メモリー層とライティング層の少なくとも２
層から成る光変調方式でオーバーライトが可能な光磁気
記録ディスク（３）及びHini. 磁石（５）、（６）をカ
ートリッジ本体に収納する。そして、カートリッジ本体
全体（１）あるいはその一部を磁性体によって構成し、
Hini. 磁石との間に磁気回路を形成する。【効果】十分なHini. 印加強度が得られ、磁性体は高
い機械的強度を有するのでカートリッジの機械的強度の
低下が防げる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、オーバーライト可能な
光磁気記録ディスク（媒体）を収納したカートリッジに
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】最近、高密度、大容量、高いアクセス速
度、並びに高い記録及び再生速度を含めた種々の要求を
満足する光学的記録再生方法、それに使用される記録装
置、再生装置及び記録媒体を開発しようとする努力が成
されている。広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁
気記録再生方法は、情報を記録した後、消去することが
でき、再び新たな情報を記録することが繰り返し何度も
可能であるというユニークな利点のために、最も大きな
魅力に満ちている。

【０００３】この光磁気記録再生方法で使用される記録
媒体は、記録を残す層として１層又は多層からなる垂直
磁化膜(perpendicular magnetic layer or layers) を
有する。この磁化膜は、例えばアモルファスのGdFeやGd
Co、GdFeCo、TbFe、TbCo、TbFeCoなどからなる。垂直磁
化膜は、一般に同心円状又はらせん状のトラックを有し
ており、このトラックの上に情報が記録される。トラッ
クは明示的な場合と黙示的な場合の２通りある。〔明示的なトラック〕光磁気記録媒体はディスク形状を
している。明示的なトラックを有するディスクは、ディ
スク平面に対し垂直方向から見た場合、情報を記録する
トラックが渦巻状又は同心円状に形成されている。そし
て、隣接する２つのトラック間にトラッキングのため及
び分離のための溝（グルーブ）が存在する。逆に溝と溝
の間をランドと呼ぶ。実際には、ディスクの裏表でラン
ドと溝が逆になる。そこで、ビームが入射するのと同じ
にディスクを見て、手前を溝、奥をランドと呼ぶ。垂直
磁化膜は、溝の上にもランドの上にも一面に形成するの
で、溝の部分をトラックにしてもよいし、ランドの部分
をトラックにしてもよい。溝の幅とランドの幅との間に
特に大小関係はない。

【０００４】このようなランドと溝を構成するために、
基板には、表面に渦巻状又は同心円状に形成されたラン
ドと、２つの隣合うランド間に挟まれた溝が存在する。
このような基板上に垂直磁化膜が形成される。〔マーク〕本明細書では、膜面に対し「上向き（upwar
d) 」又は「下向き(downward)」の何れか一方を、「Ａ
向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。記録すべき情
報は、予め２値化されており、この情報が「Ａ向き」の
磁化を有するマーク（Ｂ₁)と、「逆Ａ向き」の磁化を有
するマーク（Ｂ₀)の２つの信号で記録される。これらの
マークＢ₁，Ｂ₀は、デジタル信号の１，０の何れか一
方と他方にそれぞれ相当する。しかし、一般には記録さ
れるトラックの磁化は、記録前に強力な外部磁場を印加
することによって「逆Ａ向き」に揃えられる。この磁化
の向きを揃える行為は、古い意味で「初期化^*（initia
lize^*）」と呼ばれる。その上でトラックに「Ａ向き」
の磁化を有するマーク（Ｂ₁)を形成する。情報は、この
マーク（Ｂ₁)の有無及び／又はマーク長によって表現さ
れる。尚、マークは、過去にピット又はビットと呼ばれ
たことがあるが、最近はマークと呼ぶ。〔マーク形成の原理〕マークの形成に於いては、レーザ
ーの特徴即ち空間的時間的に素晴らしい凝集性(coheren
ce) が有利に使用され、レーザー光の波長によって決定
される回折限界とほとんど同じ位に小さいスポットにビ
ームが絞り込まれる。絞り込まれた光はトラック表面に
照射され、垂直磁化膜に直径が１μｍ以下のマークを形
成することにより情報が記録される。光学的記録におい
ては、理論的に約10⁸マーク／cm²までの記録密度を達
成することができる。何故ならば、レーザビームはその
波長とほとんど同じ位に小さい直径を有するスポットに
まで凝縮(concentrate)することが出来るからである。

【０００５】図３に示すように、光磁気記録において
は、レーザービーム（Ｌ）を垂直磁化膜（ＭＯ）の上に
絞りこみ、それを加熱する。その間、初期化^*された向
きとは反対の向きの記録磁界（Ｈb)を加熱された部分に
外部から印加する。そうすると局部的に加熱された部分
の保磁力Ｈc(coersivity) は減少し記録磁界（Ｈb)より
小さくなる。その結果、その部分の磁化は、記録磁界
（Ｈb)の向きに並ぶ。こうして逆に磁化されたマークが
形成される。

【０００６】フェロ磁性材料とフェリ磁性材料では、磁
化及びＨc の温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキ
ュリー点付近で減少するＨc を有し、この現象に基づい
て記録が実行される。従って、Ｔc 書込み（キュリー点
書込み）と引用される。他方、フェリ磁性材料はキュリ
ー点より低い補償温度(compensationtemperature ) Ｔ
_comp.を有しており、そこでは磁化（Ｍ）はゼロにな
る。逆にその温度付近でＨc が非常に大きくなり、その
温度から外れるとＨc が急激に低下する。この低下した
Ｈc は、比較的弱い記録磁界（Ｈb)によって打ち負かさ
れる。つまり、記録が可能になる。この記録プロセスは
Ｔ_comp.書込み（補償点書込み）と呼ばれる。

【０００７】もっとも、キュリー点又はその近辺、及び
補償温度の近辺にこだわる必要はない。要するに、室温
より高い所定の温度に於いて、低下したＨc を有する磁
性材料に対し、その低下したＨc を打ち負かせる記録磁
界（Ｈb ）を印加すれば、記録は可能である。但し、室
温より高い所定の温度に達していない領域（この領域の
Ｈc は元の高いＨc を有する）にある垂直磁化膜（Ｍ
Ｏ）の磁化を反転するような高すぎるＨb は、不可であ
る。〔再生の原理〕図４は、光磁気効果に基づく情報再生の
原理を示す。光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に
通常は発散している電磁場ベクトルを有する電磁波であ
る。光が直線偏光（Ｌ_p) に変換され、そして垂直磁化
膜（ＭＯ）に照射されたとき、光はその表面で反射され
るか又は垂直磁化膜（ＭＯ）を透過する。このとき、偏
光面は磁化Ｍの向きに従って回転する。この回転する現
象は、磁気カー（Kerr)効果又は磁気ファラデー(Farada
y) 効果と呼ばれる。

【０００８】例えば、もし反射光の偏光面が「Ａ向き」
磁化に対してθk 度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁
化に対しては−θk 度回転する。従って、光アナライザ
ー（偏光子）の軸を−θk 度傾けた面に垂直にセットし
ておくと、「逆Ａ向き」に磁化されたマーク（Ｂ₀)から
反射された光はアナライザーを透過することができな
い。それに対して「Ａ向き」に磁化されたマーク（Ｂ₁)
から反射された光は、(sin2θk)²を乗じた分がアナラ
イザーを透過し、ディテクター（光電変換手段）に捕獲
される。その結果、「Ａ向き」に磁化されたマーク（Ｂ
₁)は「逆Ａ向き」に磁化されたマーク（Ｂ₀)よりも明る
く見え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生させ
る。このディテクターからの電気信号は、記録された情
報に従って変調されるので、情報が再生されるのであ
る。

【０００９】ところで、記録ずみの媒体を再使用するに
は、 (１) 媒体を再び初期化^*装置で初期化^*するか、
又は (２) 記録装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを
併設するか、又は(３) 予め、前段処理として記録装置
又は消去装置を用いて記録ずみ情報を消去する必要があ
る。従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ
情報の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録でき
るオーバーライトは、不可能とされていた。

【００１０】もっとも、もし記録磁界Ｈb の向きを必要
に応じて「Ａ向き」と「逆Ａ向き」との間で自由に変調
することができれば、オーバーライトが可能になる。し
かしながら、記録磁界Ｈb の向きを高速度で変調するこ
とは不可能である。例えば、記録磁界Ｈb が永久磁石で
ある場合、磁石の向きを機械的に反転させる必要があ
る。しかし、磁石の向きを高速で反転させることは、無
理である。記録磁界Ｈbが電磁石である場合にも、大容
量の電流の向きをそのように高速で変調することは不可
能である。

【００１１】しかしながら、技術の進歩は著しく、記録
磁界Ｈb の強度を変調せずに（ON、OFF を含む) 又は記
録磁界Ｈb の向きを変調せずに、照射する光ビームの強
度を記録すべき２値化情報に従い変調するだけで、オー
バーライトが可能な光磁気記録方法と、それに使用され
るオーバーライト可能な光磁気記録媒体と、同じくそれ
に使用されるオーバーライト可能な記録装置が発明さ
れ、特許出願された（特開昭62−175948号＝DE3,619,61
8A1 ＝米国特許出願中 Ser.No453,255) 。以下、この発
明を「基本発明」と引用する。〔基本発明の説明〕基本発明では、「基本的に垂直磁化
可能な磁性薄膜からなる記録再生層recording layer
（本明細書では、この記録再生層をメモリー層 memory
layer又はＭ層と言う）と、垂直磁化可能な磁性薄膜か
らなる記録補助層 referencelayer （本明細書では、こ
の記録補助層をライティング層writing layer 又はＷ
層と言う）とを含み、両層は交換結合しており、かつ、
室温でＭ層の磁化の向きは変えないでＷ層の磁化のみを
所定の向きに向けておくことができるオーバーライト可
能な多層光磁気記録媒体」を使用する。

【００１２】そして、情報をＭ層（場合によりＷ層に
も）における「Ａ向き」磁化を有するマークと「逆Ａ向
き」磁化を有するマークで表現し、記録するのである。
この媒体は、Ｗ層が外部手段（例えば初期補助磁界Hin
i. ）によって、その磁化の向きを「Ａ向き」に揃える
ことができる。しかも、そのとき、Ｍ層は、磁化の向き
は反転せず、更に、一旦「Ａ向き」に揃えられたＷ層の
磁化の向きは、Ｍ層からの交換結合力を受けても反転せ
ず、逆にＭ層の磁化の向きは、「Ａ向き」に揃えられた
Ｗ層からの交換結合力を受けても反転しない。

【００１３】そして、Ｗ層は、Ｍ層に比べて低い保磁力
Ｈ_Cと高いキュリー点Ｔ_Cを持つ。基本発明の記録方法
によれば、記録媒体は、記録前までに、外部手段により
Ｗ層の磁化の向きが「Ａ向き」に揃えられる。この行為
を本明細書では特別に“初期化(initialize)”と呼ぶ。
この“初期化”はオーバーライト可能な媒体に特有なこ
とである。

【００１４】その上で、２値化情報に従いパルス変調さ
れたレーザービームが媒体に照射される。レーザービー
ムの強度は、高レベルＰ_Hと低レベルＰ_Lがあり、これ
はパルスの高レベルと低レベルに相当する。この低レベ
ルは、再生時に媒体を照射する再生レベルＰ_Rよりも高
い。既に知られているように、記録をしない時にも、例
えば媒体における所定の記録場所をアクセスするために
レーザービームを＜非常な低レベル＞で点灯することが
ある。この＜非常な低レベル＞も、再生レベルＰ_Rと同
一又は近似のレベルである。従って、例えば、基本発明
におけるレーザービームの出力波形は、図５の通りにな
る。

【００１５】なお、基本発明の明細書には明記されてい
ないが、基本発明では、記録用のビームは、１本ではな
く近接した２本のビームを用いて、先行ビームを原則と
して変調しない低レベルのレーザービーム（消去用）と
し、後行ビームを情報に従い変調する高レベルのレーザ
ービーム（書込用）としてもよい。この場合、後行ビ
ームは、高レベルと基底レベル（低レベルと同一又はそ
れより低いレベルであり、出力がゼロでもよい）との間
でパルス変調される。この場合の出力波形は例えば図６
に示される。

【００１６】ビームが照射された部分の媒体に、向きも
強度も変調されない記録磁界Ｈb が作用する。Ｈb は、
ビームの照射された部分（スポット領域）と同じ位の寸
法に絞ることはできず、Ｈb が作用する領域は、スポッ
ト領域に比べれば、ずっと大きい。低レベルのビームが
照射されると、前のマークの磁化の向きに無関係に、Ｍ
層に「Ａ向き」のマーク（Ｂ₁)又は「逆Ａ向き」のマー
ク（Ｂ₀)の一方が形成される。

【００１７】そして、高レベルのビームが照射される
と、前のマークの磁化の向きに無関係に、Ｍ層に他方の
マークが形成される。これでオーバーライトが完了す
る。基本発明では、レーザービームは、記録すべき情報
に従いパルス状に変調される。しかし、このこと自身
は、従来の光磁気記録でも行われており、記録すべき２
値化情報に従いビーム強度をパルス状に変調する手段は
既知の手段である。例えば、THE BELL SYSTEM TECHN
ICAL JOURNAL, Vol.62(1983),1923 −1936に詳しく説
明されている。従って、ビーム強度の必要な高レベルと
低レベルが与えられれば、従来の変調手段を一部修正す
るだけで容易に入手できる。当業者にとって、そのよう
な修正は、ビーム強度の高レベルと低レベルが与えられ
れば、容易であろう。

【００１８】基本発明に於いて特徴的なことの１つは、
ビーム強度の高レベルと低レベルである。即ち、ビーム
強度が高レベルの時に、記録磁界Ｈb その他の外部手段
によりＷ層の「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（re
verse)させ、このＷ層の「逆Ａ向き」磁化によってＭ層
に「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するマ
ークを形成する。ビーム強度が低レベルの時は、Ｗ層の
磁化の向きは、“初期化”状態と変わらず、そして、Ｗ
層の作用（この作用は交換結合力を通じてＭ層に伝わ
る）によってＭ層に「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ向き」
磁化〕を有するマークを形成する。

【００１９】なお、本明細書で、○○○〔又は△△△〕
という表現は、先に〔〕の外の○○○を読んだときに
は、以下の○○○〔又は△△△〕のときにも、〔〕の
外の○○○を読むことにする。それに対して先に○○○
を読まずに〔〕内の△△△の方を選択して読んだとき
には、以下の○○○〔又は△△△〕のときにも○○○を
読まずに〔〕内の△△△を読むものとする。

【００２０】基本発明で使用される媒体は、第１実施態
様と第２実施態様とに大別される。いずれの実施態様に
おいても、記録媒体は、Ｍ層とＷ層を含む多層構造を
有する。Ｍ層は、室温で保磁力が高く磁化反転温度が低
い磁性層である。Ｗ層はＭ層に比べ相対的に室温で保磁
力が低く磁化反転温度が高い磁性層である。なお、Ｍ層
とＷ層ともに、それ自体多層膜から構成されていてもよ
い。場合によりＭ層とＷ層との間に第３の層（例え
ば、交換結合力σ_Wの調整層：特開昭64−50257 、特開
平１−273248 参照）が存在していてもよい。更にＭ層
とＷ層との間に明確な境界がなく、一方から徐々に他方
に変わってもよい。

【００２１】第１実施態様では、Ｍ層の保磁力をＨ_C1、
Ｗ層のそれをＨ_C2、Ｍ層のキュリー点をＴ_C1、Ｗ層のそ
れをＴ_C2、室温をＴ_R、低レベルＰ_Lのレーザービーム
を照射した時の記録媒体の温度をＴ_L、高レベルＰ_Hの
レーザービームを照射した時のそれをＴ_H、Ｍ層が受け
る結合磁界をＨ_D1（Ｈ_D1はσ_WをＭ層飽和磁気モーメン
トＭ_SとＭ層の膜厚ｔとの積で割った商で算出され
る）、Ｗ層が受ける結合磁界をＨ_D2（Ｈ_D2はσ_WをＷ層
飽和磁気モーメントＭ_SとＷ層の膜厚ｔとの積で割った
商で算出される）とした場合、記録媒体は、下記の式１
を満足し、そして室温で式２〜５を満足するものであ
る。

【００２２】Ｔ_R＜Ｔ_C1≒Ｔ_L＜Ｔ_C2≒Ｔ_H……………式１Ｈ_C1＞Ｈ_C2＋｜Ｈ_D1−（±Ｈ_D2）｜………式２Ｈ_C1＞Ｈ_D1 …………………………………式３Ｈ_C2＞Ｈ_D2 …………………………………式４Ｈ_C2＋Ｈ_D2＜｜Hini. ｜＜Ｈ_C1±Ｈ_D1──式５上記式中、符号「≒」は、等しいか又はほぼ等しい（±
20℃位) ことを表す。また上記式中、複合±について
は、上段が後述するＡ（antiparallel) タイプの媒体の
場合であり、下段は後述するＰ(parallel)タイプの媒体
の場合である。なお、フェロ磁性体媒体はＰタイプに属
する。

【００２３】つまり、保磁力と温度との関係をグラフで
表すと、一般には図７の如くなる。細線はＭ層のそれ
を、太線はＷ層のそれを表す。従って、この記録媒体に
室温で外部手段例えば初期補助磁界(Hini.) を印加する
と、式５によれば、Ｍ層の磁化の向きは反転せずにＷ
層の磁化のみが反転する。そこで、記録前に媒体に外部
手段から作用（例えば、初期補助磁界Hini.)を及ぼす
と、Ｗ層の磁化のみが「Ａ向き」−−−−−ここでは
「Ａ向き」を便宜的に本明細書紙面において上向きの矢
↑で示し、「逆Ａ向き」を下向きの矢↓で示す−−−−
−に揃えられる。そして、Hini. がなくなっても、式４
により、Ｗ層の磁化↑は再反転せずにそのまま保持され
る。

【００２４】外部手段によりＷ層の磁化のみが、記録前
までに「Ａ向き」↑に揃えられた状態−−−−“初期
化”された状態−−−−を概念的に表すと、図８にな
る。図８でＭ層における磁化の向き^*は、それまでに記
録されていた情報を表わす。以下の説明においては、向
きに関係がないので、これをＸで示し簡略化すると、図
８は、図９の状態１で示せる。

【００２５】ここにおいて、高レベルのレーザービーム
を照射して媒体温度をＴ_Hに上昇させる。すると、Ｔ_H
はキュリー点Ｔ_C1より高温度なのでＭ層の磁化は消失し
てしまう。更にＴ_Hはキュリー点Ｔ_C2付近なのでＷ層
の磁化も全く又はほぼ消失する。ここで、媒体の種類に
応じて「Ａ向き」又は「逆Ａ向き」の記録磁界Ｈb を印
加する。Ｈb は、媒体自身からの浮遊磁界でもよい。説
明を簡単にするために「逆Ａ向き」↓の記録磁界Ｈb を
印加したとする。媒体は移動しているので、照射された
部分は、レーザービームから直ぐに遠ざかり、冷却され
る。Ｈb の存在下で、媒体の温度が低下すると、Ｗ層の
磁化は、Ｈb に従い、反転されて「逆Ａ向き」↓の磁化
となる（図９状態２）。

【００２６】そして、さらに放冷が進み、媒体温度がＴ
_C1より少し下がると、再びＭ層の磁化が現れる。その場
合、磁気的結合（交換結合）力のために、Ｍ層の磁化の
向きは、Ｗ層の影響を受け所定の向きとなる。その結
果、媒体の種類に応じて「逆Ａ向き」↓のマーク（Ｐタ
イプの媒体の場合）又は「Ａ向き」↑のマーク（Ａタイ
プの媒体の場合）がＭ層に形成される。この状態が図９
状態３（Ｐタイプ）又は状態４（Ａタイプ）である。

【００２７】この高レベルのレーザービームによる状態
の変化をここでは高温サイクルと呼ぶことにする。次
に、低レベルＰ_Lのレーザービームを照射して媒体温
度をＴ_Lに上昇させる。Ｔ_Lはキュリー点Ｔ_C1付近なの
でＭ層の磁化は全く又はほぼ消失してしまうが、キュリ
ー点Ｔ_C2よりは低温であるのでＷ層の磁化は消失しな
い。この状態は図９状態５で示される。ここでは、記録
磁界Ｈb は、不要であるが、高速度（短時間）でＨb を
ＯＮ，ＯＦＦすることは不可能である。従って、止むを
得ず高温サイクルのときのままになっている。

【００２８】しかし、Ｈ_C2はまだ大きいままなので、Ｈ
b によってＷ層の磁化↑が反転することはない。媒体は
移動しているので、照射された部分は、レーザービーム
から直ぐに遠ざかり、冷却される。冷却が進むと、再び
Ｍ層に磁化が現れる。現れる磁化の向きは、磁気的結合
力のためにＷ層の影響を受け所定の向きとなる。その結
果、媒体の種類に応じて「Ａ向き」↑のマーク（Ｐタイ
プの媒体の場合）又は「逆Ａ向き」↓のマーク（Ａタイ
プの媒体の場合）がＭ層に形成される。この磁化は室温
でも変わらない。この状態が図９状態６（Ｐタイプ）又
は状態７（Ａタイプ）である。

【００２９】この低レベルのレーザービームによる状態
の変化をここでは低温サイクルと呼ぶことにする。以
上、説明したように、記録前のＭ層の磁化の向きがどう
であれ、高温サイクルと低温サイクルを選択することに
よって、「逆Ａ向き」↓のマークと、「Ａ向き」↑のマ
ークをＭ層に自由に形成できる。つまり、レーザービー
ムを情報に従い高レベル（高温サイクル）と低レベル
（低温サイクル）との間でパルス状に変調することによ
りオーバーライトが可能となる。図１０を参照された
い。図１０の磁化の状態は、いずれも室温又は室温に戻
ったときの結果として描いてある。

【００３０】これまでの説明は、Ｍ層、Ｗ層ともに室温
とキュリー点との間に補償温度Ｔ_comp.がない磁性体組
成について説明した。しかし、補償温度Ｔ_comp.が存在
する場合には、それを越えると磁化の向きが反転する
こと−−−−実際にはＲＥ、ＴＭの各副格子磁化の向き
は変わらないが、その大小関係が逆転するので、全体
（合金）としての磁化の向きが反転する−−−−−と、
Ａ、Ｐタイプが逆になるので、説明はそれだけ複雑に
なる。この場合、記録磁界Ｈb の向きも、室温で考えた
場合、前頁の説明の向き↓と逆になる。つまり、“初期
化”されたＷ層の磁化の向き↑と同じ向きのＨb を印加
する。

【００３１】記録媒体は一般にディスク状であり、記録
時、媒体は回転される。そのため、記録された部分（マ
ーク）は、記録後に再び外部手段例えばHini. の作用
を受け、その結果、Ｗ層の磁化は元の「Ａ向き」↑に揃
えられる。つまり、Ｗ層は“初期化”される。しかし、
室温では、Ｗ層の磁化の影響がＭ層に及ぶことはなく、
そのため記録された情報は保持される。

【００３２】そこで、Ｍ層に直線偏光を照射すれば、そ
の反射光には情報が含まれているので、従来の光磁気記
録媒体と同様に情報が再生される。このようなＭ層及び
Ｗ層を構成する垂直磁化膜は、補償温度を有せずキュ
リー点を有するフェロ磁性体及びフェリ磁性体、並びに
補償温度、キュリー点の双方を有するフェリ磁性体の
非晶質或いは結晶質からなる群から選択される。

【００３３】以上の説明は、磁化反転温度としてキュリ
ー点を利用した第１実施態様の説明である。それに対し
て第２実施態様はキュリー点より低い温度に於いて低下
したＨc を利用するものである。第２実施態様は、第１
実施態様に於けるＴ_C1の代わりにＭ層がＷ層に磁気結合
される温度Ｔ_S1を使用し、Ｔ_C2の代わりにＷ層がＨbで
反転する温度Ｔ_S2を使用すれば、第１実施態様と同様に
説明される。

【００３４】第２実施態様では、Ｍ層の保磁力をＨ_C1、
Ｗ層のそれをＨ_C2、Ｍ層がＷ層に磁気的に結合される温
度をＴ_s1とし、Ｗ層の磁化がＨb で反転する温度を
Ｔ_S2、室温をＴ_R、低レベルＰ_Lのレーザービームを照
射した時の媒体の温度をＴ_L、高レベルＰ_Hのレーザー
ビームを照射した時のそれをＴ_H、Ｍ層が受ける結合磁
界をＨ_D1（Ｈ_D1はσ_WをＭ層の飽和磁気モーメントＭ_S
とＭ層の膜厚ｔとの積で割った商で算出される）、Ｗ層
が受ける結合磁界をＨ_D2（Ｈ_D2はσ_WをＷ層飽和磁気モ
ーメントＭ_SとＷ層の膜厚ｔとの積で割った商で算出さ
れる）とした場合、記録媒体は、下記式６を満足し、か
つ室温で式７〜10を満足するものである。

【００３５】Ｔ_R＜Ｔ_s1≒Ｔ_L＜Ｔ_s2≒Ｔ_H……………式６Ｈ_C1＞Ｈ_C2＋｜Ｈ_D1−（±Ｈ_D2）｜………式７Ｈ_C1＞Ｈ_D1 …………………………………式８Ｈ_C2＞Ｈ_D2─…………………………………式９Ｈ_C2＋Ｈ_D2＜｜Hini. ｜＜Ｈ_C1±Ｈ_D1──式10 上記式中、複合±については、上段がＡ（antiparalle
l) タイプの媒体の場合であり、下段はＰ(parallel)タ
イプの媒体の場合である。

【００３６】第２実施態様では、高温Ｔ_Hのとき、Ｗ層
の磁化は消失していないが、十分に弱く、Ｍ層の磁化は
消失しているか、又は十分に弱い。Ｍ層、Ｗ層ともに十
分に弱い磁化を残留していても、記録磁界Ｈb ↓が十分
に大きいので、Ｈb ↓がＷ層及び場合によりＭ層の磁化
の向きをＨb ↓に従わせることができる。この状態が図
１１状態２である。この後、直ちに又はレーザービ
ームの照射が無くなって放冷が進み、媒体温度がＴ_Hよ
り下がった時又はＨb から遠ざかった時、Ｗ層がσ_W
を介してＭ層に影響を及ぼしてＭ層の磁化の向きを安定
な向きに従わせる。その結果、図１１状態３（Ｐタイ
プ）又は状態４（Ａタイプ）となる。

【００３７】他方、低温Ｔ_Lのとき、Ｗ層はもちろんＭ
層も磁化を消失していない。しかし、Ｍ層のそれは比
較的小さい。この場合、マークの状態には、Ｐタイプの
場合図１１状態５と状態６の２種類あり、Ａタイプの場
合、図１１状態７と状態８の２種類ある。状態６及び状
態８では、Ｍ層とＷ層との間に界面磁壁（太線━で示
す）が生じており、やや不安定（準安定）な状態であ
る。状態１は状態５〜８のいずれかを示す。この状態の
媒体部分が、レーザービームの照射位置に来る直前に、
Ｈb ↓の印加を受ける。それでも、この状態６又は状態
８は保持される。何故ならば、Ｗ層は、室温で、十分な
磁化を有するので、磁化がＨb ↓によって反転すること
はない。また、Ｈb ↓と向きが反対の状態８のメモリー
層は、Ｈb ↓の影響より大きなＷ層からの交換結合力σ
_Wの影響を受け、Ｐタイプ故にＷ層と同じ向きに、磁化
の向きが保持される。

【００３８】その後、まもなく状態６又は状態８は低レ
ベルのレーザービームの照射を受ける。そのため、媒体
温度は上昇する。それに伴い両層の保磁力は低下する。
しかし、Ｗ層は高いキュリー点を有するので、保磁力Ｈ
_C2の低下は小さく、Ｈb ↓に負けることがなく、“初期
化”されたときの磁化の向き「Ａ向き」↑が維持され
る。他方、Ｍ層は低いキュリー点を有するものの、媒体
温度は未だＭ層のキュリー点Ｔ_c1より低いので、保磁力
Ｈ_C1は残存する。しかし、Ｈ_C1は小さいので、Ｗ層は
Ｈb ↓の影響とＷ層からの交換結合力σ_wを介した影
響（Ｐタイプの場合、同じ向きに向かせようとする力）
を受ける。この場合、後者の方が強く、式10の2 ：Ｈ_c1＋Ｈb ＜（σ_w／２Ｍ_S1ｔ₁）式10の3 ：Ｈ_c2＋Ｈb ＞（σ_w／２Ｍ_S2ｔ₂）の２つの式が同時に満足される。これらの式が同時に満
足される最も低い温度をＴ_LSと呼ぶ。換言すれば、状態
６又は状態８の磁壁が消滅する最低温度がＴ_LSである。

【００３９】その結果、状態６は状態９に移行し、状態
８は状態１０に移行する。他方、磁壁が元々ない状態５
は状態９と同じであり、同じく磁壁が元々ない状態７は
状態１０と同じであるから、結局、前の状態（Ｐタイプ
の場合、状態５か６か、Ａタイプの場合、状態７か８
か）に関係なく、低レベルのビームの照射により状態９
（Ｐタイプ）又は状態１０（Ａタイプ）のマークが形成
される。

【００４０】この状態は、その後マークがレーザービー
ムの照射が止んだり又は照射位置から外れたりすること
により、媒体温度が低下し、室温に戻った時にも、変わ
らない。この図１１状態９（Ｐタイプ）又は状態１０
（Ａタイプ）は、図９状態６（Ｐタイプ）又は状態７
（Ａタイプ）と同一である。これにより、Ｍ層のキュリ
ー点Ｔ_C1まで媒体温度を高めることなく、低温サイクル
が実現されることが理解されよう。

【００４１】実は低温サイクルをＴ_C1以上で実施する第
１実施態様の場合にも、媒体温度が室温からＴ_C1に上昇
する途中でＴ_LSを通るので、そのとき、Ｐタイプの場
合、状態６から状態９への移行が、Ａタイプの場合、状
態８から状態10への移行がそれぞれ起こるのである。そ
の後、Ｔ_C1に至り、図９状態５となるのである。以上の
説明は、Ｍ層、Ｗ層ともに室温とキュリー点との間に補
償温度Ｔ_comp.がない磁性体組成について説明した。し
かし、補償温度Ｔ_comp.が存在する場合には、それを越
えると磁化の向きが反転することとＡ、Ｐタイプが
逆になるので、説明はそれだけ複雑になる。また、記録
磁界Ｈb の向きも、室温で考えた場合の向きと逆にな
る。

【００４２】第１、第２実施態様ともに、Ｍ層及びＷ層
が遷移金属（例えばFe, Co) −重希土類金属( 例えばG
d,Tb,Dyその他) 合金組成から選択された非晶質フェリ
磁性体である記録媒体が好ましい。Ｍ層、Ｗ層の双方と
も、遷移金属(transition metal)−重希土類金属(heavy
rare earth metal）合金組成から選択された場合に
は、各合金としての外部に現れる磁化の向き及び大きさ
は、合金内部の遷移金属原子（ＴＭ）の副格子磁化の向
き及び大きさと重希土類金属原子（ＲＥ）の副格子磁化
の向き及び大きさとの関係で決まる。例えばＴＭの副格
子磁化の向き及び大きさを点線の矢印で示すベクトルで
表わし、ＲＥの副格子磁化のそれを実線の矢で示すベク
トルで表し、合金全体の磁化の向き及び大きさを白抜き
の矢で示すベクトルで表す。このとき白抜きの矢（ベク
トル）は点線の矢（ベクトル）と実線の矢（ベクトル）
との和として表わされる。ただし、合金の中ではＴＭの
副格子磁化とＲＥ副格子磁化との相互作用のために点線
の矢（ベクトル）と実線の矢（ベクトル）とは、向きが
必ず逆になっている。従って、点線の矢（ベクトル）と
実線の矢（ベクトル）との和は、両者の強度が等しいと
き、合金のベクトルはゼロ（つまり、外部に現れる磁化
の大きさはゼロ）になる。このゼロになるときの合金組
成は補償組成(compensation composition ) と呼ばれ
る。それ以外の組成のときには、合金は両方の副格子磁
化の強度差に等しい強度を有し、いずれか大きい方のベ
クトルの向きに等しい向きを有する白抜きの矢（ベクト
ル）を持つ。

【００４３】そこで、合金の磁化ベクトルを点線のベク
トルと実線のベクトルを隣接して書き、例えば図１２に
示すように書き表す。ＲＥ、ＴＭの副格子磁化の状態は
大別すると４通りあり、これらを図１３の(1A)〜(4A)に
示す。そして、各状態における合金の磁化ベクトル（白
抜きの矢）を図１３の(1B)〜(4B)に対応して示す。例え
ば、ＲＥベクトルがＴＭベクトルに比べて大きい場合、
副格子磁化の状態は(1A)に示され、合金の磁化ベクトル
は、(1B)に示される。

【００４４】ある合金組成のＴＭベクトルとＲＥベクト
ルの強度が、どちらか一方が大きいとき、その合金組成
は、強度の大きい方の名をとって○○リッチ例えばＲＥ
リッチであると呼ばれる。Ｍ層とＷ層の両方について、
ＴＭリッチな組成とＲＥリッチな組成とに分けられる。
従って、縦軸座標にＭ層の組成を横軸座標にＷ層の組成
をとると、基本発明の媒体全体としては、種類を図１４
に示す４象限に分類することができる。先に述べたＰタ
イプは１象限と３象限に属するものであり、Ａタイプは
２象限と４象限に属するものである。

【００４５】一方、温度変化に対する保磁力の変化を見
ると、キュリー点（保磁力ゼロの温度）に達する前に保
磁力が一旦無限大に増加してまた降下すると言う特性を
持つ合金組成がある。この無限大のときに相当する温度
は補償温度（Ｔ_comp.）と呼ばれる。補償温度より低い
温度ではＲＥベクトル（実線の矢）の方がＴＭベクトル
（点線の矢) より大きく、そのためＴＭリッチと言うこ
とができ、補償温度より高い温度ではその逆になる。従
って、補償組成の合金の補償温度は、室温にあると言う
ことができる。

【００４６】逆に補償温度はＴＭリッチの合金組成にお
いては、室温からキュリー点の間には存在しない。室温
より下にある補償温度は、光磁気記録においては無意味
であるので、この明細書で補償温度とは室温からキュリ
ー点の間に存在するものを言うことにする。Ｍ層とＷ層
の補償温度の有無について分類すると、媒体はタイプ１
〜４の４つのタイプに分類される。１象限の媒体は、４
つ全部のタイプが含まれる。そこで、Ｍ層とＷ層の両方
についてＲＥリッチかＴＭリッチかで分け、かつ補償温
度を持つか持たないかで分けると、記録媒体は図１５に
示す９クラスに分類される。〔クラス１−１の説明〕ここで図１５に示したクラス１
の記録媒体（Ｐタイプ・１象限・タイプ１）に属する媒
体No.1−1 を例にとり、オーバーライト原理について詳
細に説明する。

【００４７】この媒体No.1−1 は、次式11：Ｔ_R＜Ｔ_comp.1＜Ｔ_L＜Ｔ_H≦Ｔ_C1≦Ｔ_c2 及び式11の２：Ｔ_comp.2 ＜Ｔ_C1 の関係を有する。本明細書では「≦」の「＝」は等しい
か又はほぼ等しい（±20℃位) ことを意味する。同じく
「≒」もほぼ等しい（±20℃位) ことを意味する。説明
を簡単にする目的から、以下の説明は、Ｔ_H＜Ｔ_C1＜Ｔ
_c2の関係を有するものについて説明する。Ｔ_comp.2は、
Ｔ_Lよりも高くとも等しくとも、低くともよいが、説明
を簡単にする目的から、以下の説明では、Ｔ_L＜Ｔ
_comp.2とする。以上の関係をグラフで示すと、図１６の
如くなる。なお、細線はＭ層のグラフを示し、太線はＷ
層のグラフを示す。

【００４８】室温Ｔ_RでＭ層の磁界が初期補助磁界Hin
i. により反転せずにＷ層のみが反転する条件は、

【００４９】

【数１】

【００５０】として示す式12である。この媒体No.1−1
は式12を満足する。但し、Ｈ_C1：Ｍ層の保磁力Ｈ_C2：Ｗ層の保磁力Ｍ_S1：Ｍ層の飽和磁気モーメント（saturation magnet
ization) Ｍ_S2：Ｗ層の飽和磁気モーメントｔ₁：Ｍ層の膜厚ｔ₂：Ｗ層の膜厚 σ_w：界面磁壁エネルギー＝交換結合力 (interface wa
ll energy) このとき、Hini. の条件式は、数４に示す式15で示され
る。Hini. が無くなると、Ｍ層、Ｗ層の磁化は交換結合
力により互いに影響を受ける。それでもＭ層、Ｗ層の磁
化が反転せずに保持される条件は、式13〜14で示され
る。この媒体No.1−1 は式13〜14を満足する。

【００５１】

【数２】

【００５２】

【数３】

【００５３】室温で式12〜14の条件を満足する記録媒体
のＷ層の磁化は、記録の直前までに

【００５４】

【数４】

【００５５】に示す式15を満足するHini. により例えば
「Ａ向き」↑に揃えられる。このときＭ層は前の記録状
態のままで残る。この状態は図１７の状態１又は状態２
のいずれかで示される。この状態１、状態２は記録直前
まで保持される。そして、記録磁界Ｈb は「Ａ向き」↑
に印加することにする。

【００５６】なお、記録磁界Ｈb は、一般の磁界がそう
であるように、レーザービームの照射領域（スポット領
域）と同一の範囲に絞ることは難しい。媒体がディスク
状の場合、一旦記録された情報（マーク）は、１回転し
た場合、途中でHini. の影響を受け、再び状態１又は状
態２となる。その後、そのマークは、レーザービームの
照射領域（スポット領域）に近いところを通過する。こ
のとき、状態１、状態２のマークは、記録磁界Ｈb 印加
手段に近づくのでその影響を受ける。この場合Ｈb と反
対向きの磁化を有する状態２のマークのＭ層の磁化の向
きがＨb によって反転させられたとすると、１回転前に
記録されたばかりの情報が消失することになる。そうな
ってはならない条件は、

【００５７】

【数５】

【００５８】に示す式15の２で表される。ディスク状媒
体No.1−1 は、室温でこの条件式15の２を満足させる必
要がある。逆に言えば、Ｈb を決定する１つの条件は、
式15の２で示される。さて、状態１、２のマークは、い
よいよレーザービームのスポット領域に到達する。レー
ザービームの強度は、基本発明と同様に、低レベルと高
レベルの２種がある。

【００５９】−−−−−低温サイクル−−−− 低レベルのレーザービームが照射されて、媒体温度が
Ｔ_comp.1以上に上昇する。そうすると、ＰタイプからＡ
タイプに移行する。そして、Ｍ層のＲＥ、ＴＭ各スピン
の方向は変わらないが、強度の大小関係が図１３の(3A)
から(4A)へと逆転する。そのため、Ｍ層の磁化は図１３
の(3B)から(4B)へと反転する。その結果、状態１のマー
クは状態３に移行し、状態２のマークは状態４に移行す
る。

【００６０】レーザービームの照射が続いて、媒体温度
は、やがてＴ_LSになる。すると、式10の2 並びに式10の
3 が同時に満足される。その結果、Ｈb ↑が存在して
も、状態４のマークは状態５に遷移する。他方、状態３
のマークは、Ｈb ↑が存在しても10の2 並びに式10の3
が同時に満足されているため、そのままの状態を保つ。
つまり、状態３から、同じ状態である状態５になるだけ
である。

【００６１】この状態でレーザービームのスポット領域
から外れると媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ
_comp.1以下に冷えると、Ａタイプから元のＰタイプに戻
る。そして、Ｍ層のＲＥスピンとＴＭスピンとの大小関
係が、図１３の(2A)から(1A)へと逆転する。そのため、
Ｍ層の磁化は図１３の(2B)から(1B)へと反転する。そ
の結果、状態５のマークは状態６（Ｍ層の磁化は「Ａ向
き」↑）に移行する。この状態６は媒体温度が室温まで
下がっても保持される。こうして、Ｍ層に「Ａ向き」↑
のマークが形成される。

【００６２】−−−−−高温サイクル−−−−− 高レベルのレーザービームが照射されると、媒体温度
は、Ｔ_comp.1を経て低温Ｔ_Lに上昇する。その結果、状
態５と同じ状態７になる。高レベルのレーザービームの
照射により、媒体温度は更に上昇する。媒体温度がＷ層
のＴ_comp.2を越えると、ＡタイプがＰタイプに移行す
る。そして、Ｗ層のＲＥ、ＴＭ各スピンの方向は変わら
ないが、強度の大小関係が、図１３の(1A)から(2A)へと
逆転する。そのため、Ｗ層の磁化は図１３の(1B)から(2
B)へと反転する。その結果、Ｗ層の磁化は、「逆Ａ向
き」↓となる。この状態が状態８である。しかし、こ
の温度ではＨ_C2がまだ大きいので、↑Ｈb によってＷ層
の磁化が反転されることはない。さらに温度が上昇し、
Ｔ_Hになると、Ｍ層、Ｗ層は、その温度がキュリー点に
近いので保磁力が小さくなる。その結果、媒体は、

【００６３】

【数６】

【００６４】に示す（１）又は

【００６５】

【数７】

【００６６】に示す（２）又は

【００６７】

【数８】

【００６８】に示す（３）のいずれかに示した２つの式
を同時に満足する。そのため、両層の磁化は、ほぼ同時
に反転し、Ｈb ↑の向きに従う。この状態が状態９であ
る。この状態でレーザービームのスポット領域から外れ
ると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴ_comp.2以
下になると、ＰタイプからＡタイプに移行する。そし
て、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わらないが、強度
の大小関係が、図１３の(4A)から(3A)へと逆転する。そ
のため、Ｗ層の磁化は図１３の(4B)から(3B)へと反転す
る。その結果、Ｗ層の磁化は、「逆Ａ向き」↓となる。
この状態が状態１０である。状態１０では、媒体は、

【００６９】

【数９】

【００７０】に示す式15の４を満足する。そのため、Ｗ
層にＨb ↑が作用しても反転することはない。媒体の温
度がこの状態１０のときの温度から更に低下して、Ｔ
_comp.1以下になると、Ａタイプから元のＰタイプに戻
る。そして、Ｍ層のＲＥスピンとＴＭスピンの強度の大
小関係が、図１３の(4A)から(3A)へと逆転する。そのた
め、Ｍ層の磁化は図１３の(4B)から(3B)へと反転する。
その結果、Ｍ層の磁化は、「逆Ａ向き」↓となる。この
状態が状態１１である。

【００７１】やがて媒体の温度は、状態１１のときの温
度から室温まで低下する。室温でのＨ_C1は十分に大きい
（数11に示す式15の５参照）ので、Ｍ層の磁化↓は、↑
Ｈbによって反転されることなく、状態１１が保持され
る。

【００７２】

【数10】

【００７３】こうして、Ｍ層に「逆Ａ向き」↓のマーク
が形成される。ところで、光磁気記録媒体をほこりや破
損又は傷等から保護するために、媒体をカートリッジに
収納する必要がある。

【００７４】しかし、オーバーライト可能な媒体をカー
トリッジに収納した場合、光磁気記録装置に設けられた
初期補助磁界（Hini. ）印加手段から遠のいてしまい、
“初期化”に必要な強さの磁界が得られなくなるので、
該Hini. 印加手段、（例えば、永久磁石や電磁石）を大
型化しなければならないという第一の問題点が生じた。
また、オーバーライトのできない光磁気記録媒体と、オ
ーバーライト可能な光磁気記録媒体の両方が使用可能な
光磁気記録装置を設定した場合、この光磁気記録装置に
はオーバーライトのためのHini. 印加手段を設置しなけ
ればならない。

【００７５】この場合、前記オーバーライトのできない
媒体の使用時には前記Hini. 印加手段を媒体から遠ざ
け、前記オーバーライト可能な媒体の使用時にはHini.
印加手段を媒体に近づける必要が生じる。その結果、Hi
ni. 印加手段を移動させるための駆動装置が必要とな
り、光磁気記録装置の構造が複雑になるという第二の問
題点があった。

【００７６】第一、第二の問題点を解決するために、Hi
ni. 印加手段を内蔵させたカートリッジが発明された
（特開昭64-46247号参照）。このカートリッジは、従来
のオーバーライトのできる光磁気記録装置でも記録する
ことができる。

【００７７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、オーバーラ
イトのできない光磁気記録装置に使用する場合、カート
リッジの外形寸法は、従来通りでなければならない。一
般に、Hini. の大きさは2000〜4000 Oe で、このように
強い磁界を発生する永久磁石は、相当に大きい。そのた
め、樹脂その他の非磁性体で形成されているカートリッ
ジ本体に、大きな永久磁石を内蔵させた場合、その部分
の本体の肉厚を薄くするか、あるいは磁石自体を薄く構
成する必要があった。

【００７８】しかし、肉厚を薄くすると、カートリッジ
の強度が低下してしまい、また、磁石を薄くすると十分
なHini. が得られないという第三の問題点が生じた。本
発明の目的は、カートリッジの強度を不足させずに且つ
十分な磁界強度を与えるHini. の印加手段を内蔵したカ
ートリッジを提供することにある。

【００７９】

【課題を解決するための手段】本発明は「メモリー層と
ライティング層の少なくとも２層からなる光変調方式で
オーバーライトが可能な光磁気記録ディスクを収納する
とともに、初期補助磁界印加手段を内蔵した光磁気記録
媒体用カートリッジにおいて、カートリッジの本体全体
あるいはその一部を磁性体によって形成し、該磁性体と
前記印加手段とで磁気回路を形成したことを特徴とする
カートリッジ」を提供する。

【００８０】

【作用】カートリッジの本体全体あるいはその一部を構
成する磁性体は、本体とほぼ同等又はそれ以上の強度を
持つので、カートリッジの強度低下はなく、しかも磁気
回路のヨークの役割を果たすのでHini. の強度が高ま
り、小さな磁石をHini. 印加手段として用いても十分な
Hini. が得られる。

【００８１】以下、実施例により本発明をより具体的に
説明するが、本発明はこれに限られるものではない。

【００８２】

【実施例】図１は、本発明の第一の実施例におけるカー
トリッジの概略垂直断面図である。図１では、ディスク
状のオーバーライト可能な光磁気記録媒体（３）は、所
定の寸法に形成されているカートリッジ本体（１）に回
転可能な状態で軸支されている。軸支する回転軸は、直
接又は間接にカートリッジ本体（１）外部に露出してい
るカプラー（不図示）に連結している。この該カプラー
を光磁気記録装置側のカプラーと連結させることによ
り、装置側のスピンドルモーター（回転手段）からの回
転力を回転軸に伝えることができる。この回転により媒
体（３）が回転する。

【００８３】Hini. 印加手段である永久磁石（５）、
（６）は、光磁気記録媒体（３）を挟み込むように互い
に向かい合うように設置されている。カートリッジ本体
（１）は全体を磁性体によって形成してあり、永久磁石
（５）、（６）とで磁気回路を形成している。この磁気
回路が媒体（３）の磁性膜に対して上向き又は下向きの
Hini. を与える。ここでは磁気回路は、媒体（３）の記
録領域に対して半径方向の全域にわたって形成されてい
る。

【００８４】また、カートリッジ本体（１）の一部に
は、レーザービームを媒体（３）に照射するための開口
部（４）が設けられている。そして、開口部（４）には
シャッター（２）とシャッターレール（２ａ）が設けて
あり、図示していない手段によって必要に応じてシャッ
ター（２）を開閉できるようになっている。

【００８５】尚、永久磁石（５）、（６）の配置位置は
図１に示す場所に限るものではなく、媒体上の任意の位
置に設置しても同様の効果が得られる。図２は、本発明
の第二の実施例における概略垂直断面図である。第二の
実施例では、樹脂等の非磁性体によって構成されたカー
トリッジ本体（１ａ）の一部のみを磁性体で形成し、こ
の磁性体がヨーク（５ａ）を構成する。そして、ヨーク
（５ａ）は永久磁石（５）、（６）とで磁気回路を形成
する。

【００８６】尚、ヨーク（５ａ）の幅は少なくとも永久
磁石（５）、（６）と同じ幅にすることが磁束密度を高
める上で望ましい。この場合、磁気回路を図２に示す位
置に形成させず、光磁気媒体上の任意の位置に形成させ
ても、同様の効果が得られることは言うまでない。

【００８７】

【発明の効果】以上の通り、本発明は、カートリッジの
本体全体あるいは本体一部を磁性体で形成し、これをHi
ni. 印加手段との間に磁気回路を形成させる。そのた
め、高磁束密度のHini. を媒体に与えることができる。
従って、カートリッジの機械的強度を低下させることな
く、十分なHini. を与えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】は、本発明の第一の実施例におけるカートリッ
ジの概略垂直断面図である。

【図２】は、本発明の第二の実施例におけるカートリッ
ジの概略垂直断面図である。

【図３】は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念
図である。

【図４】は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概念
図である。

【図５】は、基本発明に従いオーバーライトする場合の
レーザービームの波形図である。

【図６】は、基本発明に従い２本のビームでオーバーラ
イトする場合のレーザービームの波形図である。

【図７】は、オーバーライト可能な光磁気記録媒体のＭ
層、Ｗ層について保磁力と温度との関係を示すグラフで
ある。

【図８】は、Ｍ層とＷ層の磁化の向きを示す概念図であ
る。

【図９】は、Ｍ層とＷ層の磁化の向きの変化を示す説明
図である。

【図１０】は、Ｐタイプ媒体、Ａタイプ媒体について、
低温サイクル、高温サイクルの結果、Ｍ層とＷ層の磁化
の向きがどう変化するかを示す説明図である。いずれも
室温での状態を示す。

【図１１】は、Ｍ層とＷ層の磁化の向きの変化を示す説
明図である。

【図１２】は、希土類（ＲＥ）原子の副格子磁化を示す
ベクトル（実線の矢）と遷移金属（ＴＭ）原子の副格子
磁化を示すベクトル（点線の矢）とを比較するための説
明図である。

【図１３】は、副格子磁化のベクトルと合金の磁化の向
きを示すベクトル（白抜き矢）との関係を示す説明図で
ある。

【図１４】は、Ｍ層とＷ層について、それぞれＲＥリッ
チ、ＴＭリッチに分けた場合、オーバーライト可能な媒
体が４つの分類（１象限〜４象限）に分けられることを
説明する説明図である。

【図１５】は、基本発明の媒体を種々の観点から分類す
ると、結局、クラス１〜クラス９の９のクラスに分類さ
れることを説明する説明図である。

【図１６】は、オーバーライト可能な光磁気記録媒体N
o. １−１のＭ層、Ｗ層について保磁力と温度との関係
を示すグラフである。

【図１７】は、媒体No. １−１の媒体について、低温サ
イクルと高温サイクルの結果、Ｍ層とＷ層の磁化の向き
がどう変化するかを示す概念図である。

【符号の説明】

１・・・カートリッジ本体（全体が磁性体で作られてい
る）１ａ・・カートリッジ本体（全体が樹脂等で作られてい
る）２・・・シャッター２ａ・・シャッターレール３・・・光磁気記録ディスク（媒体）４・・・開口部５・・・永久磁石（初期補助磁界印加手段の一例）５ａ・・ヨーク６・・・永久磁石（初期補助磁界印加手段の一例）Ｌ・・・レーザービームＬp ・・直線偏光Ｂ₁・・「Ａ向き」の磁化を有するマーク（又はマー
ク）Ｂ₀・・「逆Ａ向き」の磁化を有するマーク（又はマー
ク）Ｓ・・・基板 SS・・・２Ｐ基板Ｇ・・・ガラス基板 PP・・・硬化した溝材樹脂ＭＯ・・垂直磁化膜（光磁気記録層）Ｍ・・・メモリー層Ｗ・・・ライティング層以上

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】メモリー層とライティング層の少なくとも
２層からなる光変調方式でオーバーライトが可能な光磁
気記録ディスクを収納するとともに、初期補助磁界印加
手段を内蔵した光磁気記録媒体用カートリッジにおい
て、カートリッジの本体全体あるいはその一部を磁性体によ
って形成し、該磁性体と前記印加手段とで磁気回路を形
成したことを特徴とするカートリッジ。