JPH05121205A - 白金薄膜測温抵抗体 - Google Patents
白金薄膜測温抵抗体Info
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- JPH05121205A JPH05121205A JP28464791A JP28464791A JPH05121205A JP H05121205 A JPH05121205 A JP H05121205A JP 28464791 A JP28464791 A JP 28464791A JP 28464791 A JP28464791 A JP 28464791A JP H05121205 A JPH05121205 A JP H05121205A
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- platinum thin
- platinum
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- Pending
Links
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 74
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- MUMZUERVLWJKNR-UHFFFAOYSA-N oxoplatinum Chemical compound [Pt]=O MUMZUERVLWJKNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003446 platinum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 150000003481 tantalum Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 リソグラフィのレジスト剥離やダイジング工
程で白金薄膜が剥離しにくいガラス基板の測温抵抗体を
提供する。 【構成】 ガラス基板１上にスパッタリングでタンタル
の薄膜２を形成し、その上にスパッタリングで白金の薄
膜３を形成する。その後でガラス基板の耐熱温度より低
く、かつ白金の再結晶温度より高い５００°Ｃで空気中
で熱処理する。
程で白金薄膜が剥離しにくいガラス基板の測温抵抗体を
提供する。 【構成】 ガラス基板１上にスパッタリングでタンタル
の薄膜２を形成し、その上にスパッタリングで白金の薄
膜３を形成する。その後でガラス基板の耐熱温度より低
く、かつ白金の再結晶温度より高い５００°Ｃで空気中
で熱処理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフルィディック空気流量
計の流体振動測定用センサとか、ガスメータ流量の温度
補正用温度センサとして用いる白金薄膜測温抵抗体に関
する。
計の流体振動測定用センサとか、ガスメータ流量の温度
補正用温度センサとして用いる白金薄膜測温抵抗体に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の白金薄膜測温抵抗体はガラス基板
上にスパッタリングによって白金薄膜を形成し、リソグ
ラフィ技術によって抵抗パターンを形成し、その後、チ
ップ状にダイシングする工程を用いて製作していた。
上にスパッタリングによって白金薄膜を形成し、リソグ
ラフィ技術によって抵抗パターンを形成し、その後、チ
ップ状にダイシングする工程を用いて製作していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術では、
リソグラフィのレジスト剥離又はダイシング工程で白金
薄膜ガラス基板から剥離するという問題点からがあっ
た。
リソグラフィのレジスト剥離又はダイシング工程で白金
薄膜ガラス基板から剥離するという問題点からがあっ
た。
【０００４】これは、ガラス基板とこの基板上にスパッ
タリングによって形成した白金薄膜との付着力が小さい
ためである。もっとも、白金薄膜の付着力を強くするた
めに、基板と白金薄膜の間に白金の酸化物層を形成する
方法が周知であり、この方法を実用するには、白金の酸
化物を生成するのに十分な高温に加熱しても変形しない
高融点材料のアルミナとかサファイアを基板材料として
用いる必要があり、このような高価な基板材料を用いる
と、測温抵抗体のコストが高くなるため、実用的でない
という問題点があった。
タリングによって形成した白金薄膜との付着力が小さい
ためである。もっとも、白金薄膜の付着力を強くするた
めに、基板と白金薄膜の間に白金の酸化物層を形成する
方法が周知であり、この方法を実用するには、白金の酸
化物を生成するのに十分な高温に加熱しても変形しない
高融点材料のアルミナとかサファイアを基板材料として
用いる必要があり、このような高価な基板材料を用いる
と、測温抵抗体のコストが高くなるため、実用的でない
という問題点があった。
【０００５】そこで本発明はガラス基板を用い、しかも
白金薄膜の付着力が大きい白金薄膜測温抵抗体を提供す
ることを目的とする。
白金薄膜の付着力が大きい白金薄膜測温抵抗体を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の白金薄膜測温抵抗体は、ガラス基板（１）
上にスパッタリングによってタンタルの薄膜（２）を形
成し、その上に所望の厚さの白金薄膜（３）をスパッタ
リングで形成したガラス基板（１）上にスパッタリング
で形成した。
に、本発明の白金薄膜測温抵抗体は、ガラス基板（１）
上にスパッタリングによってタンタルの薄膜（２）を形
成し、その上に所望の厚さの白金薄膜（３）をスパッタ
リングで形成したガラス基板（１）上にスパッタリング
で形成した。
【０００７】ガラス基板（１）上にスパッタリングで形
成したタンタルと白金の薄膜をリソグラフィ技術で加工
して白金薄膜の抵抗パターン（４）を作成し、ガラス基
板（１）の耐熱温度以下の一定以上の温度で加熱して白
金薄膜を再結晶させ、その後、チップ状にダイシングす
ると効果的である。
成したタンタルと白金の薄膜をリソグラフィ技術で加工
して白金薄膜の抵抗パターン（４）を作成し、ガラス基
板（１）の耐熱温度以下の一定以上の温度で加熱して白
金薄膜を再結晶させ、その後、チップ状にダイシングす
ると効果的である。
【０００８】
【作用】タンタルの薄膜が、ガラス基板と白金薄膜の間
の接着層として作用し、リソグラフィのレジスト剥離
や、ダイシング工程での白金薄膜の剥離を防止する。
の接着層として作用し、リソグラフィのレジスト剥離
や、ダイシング工程での白金薄膜の剥離を防止する。
【０００９】
【実施例】図の実施例で、１はガラス基板、２はガラス
基板１上にスパッタリングによって形成したタンタルの
薄膜で厚みが約２０ｎｍ、３はこのタンタルの薄膜２の
上にスパッタリングによって所望の厚さに形成した白金
の薄膜で、両薄膜２と３は、その後リソグラフィ技術に
よって、同時に図１の白金薄膜の抵抗パターン４に形成
される。
基板１上にスパッタリングによって形成したタンタルの
薄膜で厚みが約２０ｎｍ、３はこのタンタルの薄膜２の
上にスパッタリングによって所望の厚さに形成した白金
の薄膜で、両薄膜２と３は、その後リソグラフィ技術に
よって、同時に図１の白金薄膜の抵抗パターン４に形成
される。
【００１０】更に、その後でガラス基板の耐熱温度以
下、白金の再結晶温度以上の温度である５００°Ｃで空
気中で加熱し、白金を再結晶させる。この熱処理後にチ
ップ上にダイシングする。
下、白金の再結晶温度以上の温度である５００°Ｃで空
気中で加熱し、白金を再結晶させる。この熱処理後にチ
ップ上にダイシングする。
【００１１】このように、比較的融点の高い（２９９６
°Ｃ）、しかも熱膨張係数が白金（８．９×１０-6／°
Ｃ）とガラス基板（４．６×１０-6／°Ｃ）の間の値
（６．６×１０-6／°Ｃ）であるタンタルを用いること
でタンタルの薄膜がガラス基板と白金薄膜を強く接着す
る。
°Ｃ）、しかも熱膨張係数が白金（８．９×１０-6／°
Ｃ）とガラス基板（４．６×１０-6／°Ｃ）の間の値
（６．６×１０-6／°Ｃ）であるタンタルを用いること
でタンタルの薄膜がガラス基板と白金薄膜を強く接着す
る。
【００１２】
【発明の効果】本発明の白金薄膜測温抵抗体は上述のよ
うに、構成されているので、低コストで、耐熱性の低い
ガラス基板の上に、付着力が大きく、本来の抵抗値や温
度係数の特性を損ねない白金薄膜を形成した測温抵抗体
を得ることができた。
うに、構成されているので、低コストで、耐熱性の低い
ガラス基板の上に、付着力が大きく、本来の抵抗値や温
度係数の特性を損ねない白金薄膜を形成した測温抵抗体
を得ることができた。
【図１】本発明の実施例の正面図。
【図２】本発明の実施例の平面図である。
１ ガラス基板 ２ タンタルの薄膜 ３ 白金の薄膜 ４ 抵抗パターン
Claims (3)
- 【請求項１】 ガラス基板（１）上にスパッタリングに
よってタンタルの薄膜（２）を形成し、その上に所望の
厚さの白金薄膜（３）をスパッタリングで形成した白金
薄膜測温抵抗体。 - 【請求項２】 ガラス基板（１）上にスパッタリングで
形成したタンタルと白金の薄膜をリソグラフィ技術で加
工して白金薄膜の抵抗パターン（４）を作成し、ガラス
基板（１）の耐熱温度以下の一定以上の温度で加熱して
白金薄膜を再結晶させ、その後、チップ状にダイシング
した請求項１の白金薄膜測温抵抗体。 - 【請求項３】 白金薄膜を再結晶させるための加熱処理
を空気中で行った請求項２の白金薄膜測温抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28464791A JPH05121205A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 白金薄膜測温抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28464791A JPH05121205A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 白金薄膜測温抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121205A true JPH05121205A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17681177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28464791A Pending JPH05121205A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 白金薄膜測温抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121205A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115219056A (zh) * | 2022-07-18 | 2022-10-21 | 山东大学 | 一种快响应且耐高温的薄膜型温度传感器及其制备方法 |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP28464791A patent/JPH05121205A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115219056A (zh) * | 2022-07-18 | 2022-10-21 | 山东大学 | 一种快响应且耐高温的薄膜型温度传感器及其制备方法 |
| CN115219056B (zh) * | 2022-07-18 | 2024-09-03 | 山东大学 | 一种快响应且耐高温的薄膜型温度传感器及其制备方法 |
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