JPH05121317A - Ｓｏｉ構造形成方法 - Google Patents

Ｓｏｉ構造形成方法

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JPH05121317A
JPH05121317A JP3277496A JP27749691A JPH05121317A JP H05121317 A JPH05121317 A JP H05121317A JP 3277496 A JP3277496 A JP 3277496A JP 27749691 A JP27749691 A JP 27749691A JP H05121317 A JPH05121317 A JP H05121317A
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seed crystal
layer
crystal layer
forming
epitaxial growth
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Tomohito Nakamura
智史 中村
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Rohm Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 平坦であって面積の広いエピタキシャル成長
層を、絶縁層の上に得ることを目的とする。 【構成】 図１Ａに示すように、シリコン基板２の表面
を酸化して絶縁膜である酸化シリコン膜４を成長させ
る。次に、レジスト６を用いて、シリコン酸化層４をエ
ッチングして、開口１０を形成する。その後、レジスト
６を除去する。次に、この開口１０からシリコンの種結
晶層１１を選択的にエピタキシャル成長させる（図１
Ｄ）。次に、フッ酸によって、酸化シリコン膜４をエッ
チバックする。このエッチバックによって、図１Ｅに示
すように、種結晶層１１の側面１４が露出する。その
後、この種結晶層１１からエピタキシャル成長を行う。
この際に、種結晶層１１の側面１４が露出しているの
で、横方向への成長が十分に行われる。したがって、よ
り広い面積の平坦なエピタキシャル成長層１６を得るこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はＥＬＯ（Epitaxial La
teral Overgrowth）法によるエピタキシャル成長法に関
するものであり、特に制御の容易なＳＯＩ構造形成方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】集積回路に形成される素子の高速化等を
目的として、絶縁層の上にエピタキシャル成長層を形成
することが行われている。これを、ＳＯＩ(Semiconduct
or OnInsulator)構造と呼ぶ。
【０００３】図３に、ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Over
growth）法による従来のＳＯＩ技術を示す（Lateral Ep
itaxial Overgrowth of Silicon on SiO2 : D.D.Rathma
n et. al. : JOURNAL OF ELECTRO-CHEMICAL SOCIETY SO
LID-STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY、1982年10月号、23
03頁）。まず、半導体基板２の上面にシリコン酸化膜４
を成長させる。次に、図３Ｂに示すように、その上にレ
ジスト６を塗布する。さらに、フォトマスクを用いて露
光、現像を行い、レジスト６に開口８を形成する（図３
Ｃ）。次に、レジスト６をマスクとして、シリコン酸化
層４をエッチングして、開口１０を形成する（図３
Ｄ）。
【０００４】その後、この開口１０からシリコンの選択
エピタキシャル成長を行う（図３Ｅ）。さらに成長を続
けることにより、図３Ｆに示すようなエピタキシャル成
長層１２が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来のＳＯＩ構造形成方法には、次のような問題
点があった。
【０００６】第一に、図３Ｅの状態までは縦方向の成長
を行い、その後は横方向への成長を行わねばならなかっ
た。したがって、成長条件の制御が困難であり、大面積
あるいは厚いエピタキシャル成長層を得ることができな
かった。
【０００７】第二に、開口１０付近での盛り上がりが大
きく、平坦なエピタキシャル成長層を得ることが困難で
あった。
【０００８】この発明は、上記のような問題点を解決し
て、所望のエピタキシャル成長層を容易に得ることので
きるＳＯＩ構造形成方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に係るＳＯＩ構
造形成方法は、半導体基板の表面に絶縁膜を形成する酸
化膜形成ステップ、絶縁膜に開口を形成する開口形成ス
テップ、開口に種結晶層を形成する種結晶層形成ステッ
プ、半導体基板の表面に絶縁膜を残しつつ、絶縁膜の一
部を取り除き、種結晶層の側面を露出させる絶縁膜一部
除去ステップ、種結晶層に基づいて、絶縁膜上にエピタ
キシャル成長層を形成するエピタキシャル成長層形成ス
テップ、を備えたことを特徴としている。
【００１０】請求項２に係るＳＯＩ構造形成方法は、種
結晶層形成ステップの後、エピタキシャル成長層形成ス
テップの前に、種結晶層の上面に成長阻止層を形成する
成長阻止層形成ステップを設けたこと、を特徴としてい
る。
【００１１】
【作用】請求項１のＳＯＩ構造形成方法は、種結晶層を
形成した後、半導体基板の表面に絶縁膜を残しつつ、絶
縁膜の一部を取り除き、種結晶層の側面を露出させ、さ
らにその後エピタキシャル成長を行うようにしている。
したがって、種結晶層の側面をどの程度露出させるかに
より、横方向への成長を制御することができる。請求項
２のＳＯＩ構造形成方法は、種結晶層形成ステップの
後、エピタキシャル成長層形成ステップの前に、種結晶
層の上面に成長阻止層を形成する成長阻止層形成ステッ
プを設けている。したがって、平坦なエピタキシャル成
長層を得ることができる。
【００１２】
【実施例】図１に、この発明の一実施例によるＳＯＩ構
造形成方法の過程を示す。まず、図１Ａに示すように、
シリコン基板２の表面を酸化して絶縁膜である酸化シリ
コン膜４を成長させる。次に、図１Ｂに示すように、レ
ジスト６を塗布する。次に、フォトマスクを用いて露
光、現像を行い、レジスト６に開口８を形成する（図１
Ｃ）。次に、レジスト６をマスクとして、シリコン酸化
層４をエッチングして、開口１０を形成する。その後、
レジスト６を除去する。
【００１３】次に、この開口１０からシリコンの種結晶
層１１を選択的にエピタキシャル成長させる。図１Ｄに
示すように、種結晶層１１が開口１０とほぼ同じ高さま
で達したところで成長を止める。種結晶層１１が開口１
０より僅かにへこんだ状態でもよいし、僅かに突出した
状態でもよい。
【００１４】次に、フッ酸によって、酸化シリコン膜４
をエッチバックする。このエッチバックによって、図１
Ｅに示すように、種結晶層１１の側面１４が露出する。
その後、この種結晶層１１からエピタキシャル成長を行
う。この際に、種結晶層１１の側面１４が露出している
ので、横方向への成長が十分に行われる。したがって、
より広い面積の平坦なエピタキシャル成長層１６を得る
ことができる。
【００１５】なお、酸化シリコン膜４のエッチバック量
を調整することにより、エピタキシャル成長層１６の広
がり等を制御することができる。
【００１６】図２に、他の実施例によるＳＯＩ構造形成
方法を示す。まず、図２Ａに示すように、シリコン基板
２の表面を酸化して絶縁膜である酸化シリコン膜４を成
長させる。次に、図２Ｂに示すように、レジスト６を塗
布する。次に、フォトマスクを用いて露光、現像を行
い、レジスト６に開口８を形成する（図２Ｃ）。次に、
レジスト６をマスクとして、シリコン酸化層４をエッチ
ングして、開口１０を形成する。その後、レジスト６を
除去する。
【００１７】次に、この開口１０からシリコンの種結晶
層１１を選択的にエピタキシャル成長させる。図２Ｄに
示すように、種結晶層１１が開口１０とほぼ同じ高さま
で達したところで成長を止める。種結晶層１１が開口１
０より僅かにへこんだ状態でもよいし、僅かに突出した
状態でもよい。次に、図１Ｅに示すように、種結晶層１
１の表面を窒化して、成長阻止層である窒化シリコン膜
１８を形成する。
【００１８】その後、フッ酸によって、酸化シリコン膜
４をエッチバックする。このエッチバックによって、図
１Ｆに示すように、種結晶層１１の側面１４が露出す
る。その後、この種結晶層１１からエピタキシャル成長
を行う。この際に、種結晶層１１の側面１４が露出して
いるので、横方向への成長が十分に行われる。その上、
種結晶層１１の上面には窒化シリコン膜１８が形成され
ているので、上方向への成長が阻止される。すなわち、
より平坦なエピタキシャル成長層１６を得ることができ
る。
【００１９】なお、上記実施例においては、窒化シリコ
ン膜１８を成長阻止層として用いたが、酸化シリコン膜
等の種結晶層１１の成長を阻止するものでもよい。
【００２０】また、上記実施例においては、シリコンを
成長させるようにしたが、炭化シリコンを成長させても
よい。
【００２１】
【発明の効果】請求項１のＳＯＩ構造形成方法は、種結
晶層を形成した後、半導体基板の表面に絶縁膜を残しつ
つ、絶縁膜の一部を取り除き、種結晶層の側面を露出さ
せ、さらにその後エピタキシャル成長を行うようにして
いる。したがって、種結晶層の側面をどの程度露出させ
るかにより、横方向への成長を制御することができる。
すなわち、平坦で面積の広いエピタキシャル成長層を、
絶縁層の上に得ることができる。
【００２２】請求項２のＳＯＩ構造形成方法は、種結晶
層形成ステップの後、エピタキシャル成長層形成ステッ
プの前に、種結晶層の上面に成長阻止層を形成する成長
阻止層形成ステップを設けている。したがって、より平
坦なエピタキシャル成長層を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例によるＳＯＩ構造形成方法
を示す図である。
【図２】この発明の他の実施例によるＳＯＩ構造形成方
法を示す図である。
【図３】従来のＥＬＯ法によるＳＯＩ構造形成方法を示
す図である。
【符号の説明】
２・・・シリコン基板 ４・・・酸化シリコン膜 １０・・・開口 １１・・・種結晶層 １６・・・シリコン成長層

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体基板の表面に絶縁膜を形成する絶縁
    膜形成ステップ、 絶縁膜に開口を形成する開口形成ステップ、 開口に種結晶層を形成する種結晶層形成ステップ、 半導体基板の表面に絶縁膜を残しつつ、絶縁膜の一部を
    取り除き、種結晶層の側面を露出させる絶縁膜一部除去
    ステップ、 種結晶層に基づいて、絶縁膜上にエピタキシャル成長層
    を形成するエピタキシャル成長層形成ステップ、 を備えたことを特徴とするＳＯＩ構造形成方法。
  2. 【請求項２】請求項１のＳＯＩ構造形成方法において、 種結晶層形成ステップの後、エピタキシャル成長層形成
    ステップの前に、種結晶層の上面に成長阻止層を形成す
    る成長阻止層形成ステップを設けたこと、 を特徴とするＳＯＩ構造形成方法。
JP3277496A 1991-10-24 1991-10-24 Ｓｏｉ構造形成方法 Pending JPH05121317A (ja)

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