JPH034514A - ウエハの製造方法 - Google Patents
ウエハの製造方法Info
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- JPH034514A JPH034514A JP13976189A JP13976189A JPH034514A JP H034514 A JPH034514 A JP H034514A JP 13976189 A JP13976189 A JP 13976189A JP 13976189 A JP13976189 A JP 13976189A JP H034514 A JPH034514 A JP H034514A
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- oxide film
- trench
- film
- single crystal
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Links
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ＳＯＩ構造を有するウェハの製造方法に関す
る。
る。
［従来の技術］
酸化膜等の絶縁体上にシリコン単結晶層を成長させたＳ
ＯＩ （Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ
）構造を有するウェハの製造方法が各種提案されている
。第２図（ａ）乃至（Ｑ）はその−例として横方向エピ
タキシャル成長法を利用した製造方法を示すものである
。まず第２図（、）のように、シリコン単結晶基板（以
下単にシリコン基板と称する）１を用意し、酸化処理を
行なってその表面にシリコン酸化膜（以下単に酸化膜と
称する）２を形成する。次に第２図（ｂ）のように、通
常のフォトリソグラフィ技術により酸化膜２を選択的に
エツチング除去して開口部３を形成して、シリコン基板
１を露出する。続いて第２図（ｃ）のように、横方向エ
ピタキシャル成長法を行なってシリコン基板１から成長
したシリコン単結晶エピタキシャル層（以下単にエピタ
キシャル層と称する）４を形成する。すなわち横方向エ
ピタキシャル成長法を行なうことにより、シリコン基板
１を種として成長を開始したエピタキシャル層４は、開
口部３から上方に成長して最終的に酸化膜２を覆うよう
に横方向にも成長する。この場合酸化膜２の開口部３の
幅Ｗ及び間隔りを適当に設定して、横方向の酸化膜２上
にも単結晶が成長するようにエピタキシャル成長法の最
適条件を決める必要がある。これによってＳＯＩ構造を
有するウェハが得られる。
ＯＩ （Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ
）構造を有するウェハの製造方法が各種提案されている
。第２図（ａ）乃至（Ｑ）はその−例として横方向エピ
タキシャル成長法を利用した製造方法を示すものである
。まず第２図（、）のように、シリコン単結晶基板（以
下単にシリコン基板と称する）１を用意し、酸化処理を
行なってその表面にシリコン酸化膜（以下単に酸化膜と
称する）２を形成する。次に第２図（ｂ）のように、通
常のフォトリソグラフィ技術により酸化膜２を選択的に
エツチング除去して開口部３を形成して、シリコン基板
１を露出する。続いて第２図（ｃ）のように、横方向エ
ピタキシャル成長法を行なってシリコン基板１から成長
したシリコン単結晶エピタキシャル層（以下単にエピタ
キシャル層と称する）４を形成する。すなわち横方向エ
ピタキシャル成長法を行なうことにより、シリコン基板
１を種として成長を開始したエピタキシャル層４は、開
口部３から上方に成長して最終的に酸化膜２を覆うよう
に横方向にも成長する。この場合酸化膜２の開口部３の
幅Ｗ及び間隔りを適当に設定して、横方向の酸化膜２上
にも単結晶が成長するようにエピタキシャル成長法の最
適条件を決める必要がある。これによってＳＯＩ構造を
有するウェハが得られる。
［発明が解決しようとする課題］
ところで従来のウェハの製造方法では、酸化膜２の関口
部３が最後まで残っているので酸化膜２が不連続のＳＯ
Ｉ構造しか得られないという問題がある。
部３が最後まで残っているので酸化膜２が不連続のＳＯ
Ｉ構造しか得られないという問題がある。
本発明は以上のような問題に対処してなされたもので、
連続した酸化膜を有するＳＯＩ構造を得ることができる
ウェハの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
連続した酸化膜を有するＳＯＩ構造を得ることができる
ウェハの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために本発明は、半導体単結晶基板
上に形成された第１の絶縁膜に第１の開口部を設け、第
１の横方向エピタキシャル成長法により上記半導体単結
晶基板と連続する半導体単結晶層な形成する第１の工程
と、上記半導体単結晶層上に第２の絶縁膜を形成し、こ
の第２の絶縁膜に上記第１の開口部に重なる第２の開口
部を設け、上記第２の絶縁膜をマスクとして上記半導体
単結晶を異方性エツチングしてトレンチを形成する第２
の工程と、上記第２の絶縁膜をマスクとして酸素をイオ
ン注入し上記第１の開口部に酸化膜を形成し、第２の横
方向エピタキシャル成長法により上記トレンチを半導体
単結晶層で埋める第３の工程と、を含むことを特徴とす
るものである。
上に形成された第１の絶縁膜に第１の開口部を設け、第
１の横方向エピタキシャル成長法により上記半導体単結
晶基板と連続する半導体単結晶層な形成する第１の工程
と、上記半導体単結晶層上に第２の絶縁膜を形成し、こ
の第２の絶縁膜に上記第１の開口部に重なる第２の開口
部を設け、上記第２の絶縁膜をマスクとして上記半導体
単結晶を異方性エツチングしてトレンチを形成する第２
の工程と、上記第２の絶縁膜をマスクとして酸素をイオ
ン注入し上記第１の開口部に酸化膜を形成し、第２の横
方向エピタキシャル成長法により上記トレンチを半導体
単結晶層で埋める第３の工程と、を含むことを特徴とす
るものである。
［作用］
第２の絶縁膜をマスクとして異方性エツチングを行なっ
て半導体単結晶層にトレンチを形成した後、基板を酸化
して酸化膜を形成することにより第１の絶縁膜を連続さ
せる０次にトレンチをエピタキシャル層によって埋める
ことによりＳＯＩ構造を完成する。これによって酸化膜
のような絶縁膜が連続したＳＯＩ構造を得ることができ
る。
て半導体単結晶層にトレンチを形成した後、基板を酸化
して酸化膜を形成することにより第１の絶縁膜を連続さ
せる０次にトレンチをエピタキシャル層によって埋める
ことによりＳＯＩ構造を完成する。これによって酸化膜
のような絶縁膜が連続したＳＯＩ構造を得ることができ
る。
［実施例］
以下図面を参照して本発明実施例を説明する。
第１図（ａ）乃至（ｊ）は本発明のウェハの製造方法の
実施例を示す工程図で、以下工程順に説明する。
実施例を示す工程図で、以下工程順に説明する。
まず第１図（ａ）のように、シリコン基板１を用意し、
この表面に第１の酸化膜２を形成する。
この表面に第１の酸化膜２を形成する。
次に第１図（ｂ）のように、第１の酸化膜２を選択的に
エツチング除去して第１の開口部３を形成する。続いて
第１図（ｃ）のように、横方向エピタキシャル成長法に
よってエピタキシャル層４を形成する。なお以上の各工
程は従来と同じである。
エツチング除去して第１の開口部３を形成する。続いて
第１図（ｃ）のように、横方向エピタキシャル成長法に
よってエピタキシャル層４を形成する。なお以上の各工
程は従来と同じである。
次に第１図（ｄ）のように、酸化処理を行なってエピタ
キシャル層４上に第２の酸化膜５を形成した後、第１図
（ｅ）のように、フォトリングラフィ技術により第２の
酸化膜５を選択的にエツチング除去して第１の開口部３
に重なるように第２の開口部６を形成する。この場合第
２の開口部６の面積は第１の開口部３よりも少し大きく
設けて、位置合せのずれが生じないようにする。続いて
第１図（ｆ）のように、第２の酸化膜５をマスクとして
ＲＩＥ法等によってエピタキシャル層４を異方性エツチ
ングを行ない選択的に除去してトレンチ７を形成する。
キシャル層４上に第２の酸化膜５を形成した後、第１図
（ｅ）のように、フォトリングラフィ技術により第２の
酸化膜５を選択的にエツチング除去して第１の開口部３
に重なるように第２の開口部６を形成する。この場合第
２の開口部６の面積は第１の開口部３よりも少し大きく
設けて、位置合せのずれが生じないようにする。続いて
第１図（ｆ）のように、第２の酸化膜５をマスクとして
ＲＩＥ法等によってエピタキシャル層４を異方性エツチ
ングを行ない選択的に除去してトレンチ７を形成する。
この異方性エツチングは第１の開口部３を介してシリコ
ン基板１の表面が露出する深さまで行なう０次に第１図
（ｇ）のように、第２の酸化膜５をマスクとしてトレン
チ７を介してシリコン基板１に酸素を傾斜角０度で高ド
ーズ量イオン注入した後、第１図（ｈ）のように、高温
の不活性ガス雰囲気中でアニール処理することによりシ
リコン基板１表面を酸化して第１の開口部３を酸化膜２
で覆う、これによってシリコン基板１は全面にわたって
連続した第１の酸化膜２によって覆われる。このとき酸
素のイオン注入はシリコン基板１に対して傾斜角０度で
、つまり垂直に行なわれるためトレンチ７の側壁部には
酸素は注入されないので、この側壁部には酸化膜は形成
されない。
ン基板１の表面が露出する深さまで行なう０次に第１図
（ｇ）のように、第２の酸化膜５をマスクとしてトレン
チ７を介してシリコン基板１に酸素を傾斜角０度で高ド
ーズ量イオン注入した後、第１図（ｈ）のように、高温
の不活性ガス雰囲気中でアニール処理することによりシ
リコン基板１表面を酸化して第１の開口部３を酸化膜２
で覆う、これによってシリコン基板１は全面にわたって
連続した第１の酸化膜２によって覆われる。このとき酸
素のイオン注入はシリコン基板１に対して傾斜角０度で
、つまり垂直に行なわれるためトレンチ７の側壁部には
酸素は注入されないので、この側壁部には酸化膜は形成
されない。
続いて第１図（ｉ）のように、再度エビタキシャル成長
法を行なってトレンチ７をエピタキシャル層４で埋めた
後、第１図（ｊ）のように、第２の酸化膜５をエツチン
グ除去してＳＯＩ構造を完成する。
法を行なってトレンチ７をエピタキシャル層４で埋めた
後、第１図（ｊ）のように、第２の酸化膜５をエツチン
グ除去してＳＯＩ構造を完成する。
このような本実施例によれば、第１図（ｂ）工程で第１
の開口部３を介して不連続に形成された第１の酸化膜２
は、第１図（ｇ）工程で酸素をイオン注入したシリコン
基板１を第１図（ｈ）工程でアニール処理することによ
って新たに形成した酸化膜によって連続化することがで
きる。
の開口部３を介して不連続に形成された第１の酸化膜２
は、第１図（ｇ）工程で酸素をイオン注入したシリコン
基板１を第１図（ｈ）工程でアニール処理することによ
って新たに形成した酸化膜によって連続化することがで
きる。
従って連続した酸化膜を有する完全なＳＯＩ構造を得る
ことができる。
ことができる。
本文実施例ではシリコン基板を用いて酸化膜を形成した
例で説明したが、半導体単結晶基板及び絶縁膜であれば
それらに限らずに同様に適用することができる。
例で説明したが、半導体単結晶基板及び絶縁膜であれば
それらに限らずに同様に適用することができる。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、異方性エツチング及
び横方向エピタキシャル成長法を利用してＳＯＩ構造を
製造するようにしたので、絶縁膜が連続した完全なＳＯ
Ｉ構造を得ることができる。
び横方向エピタキシャル成長法を利用してＳＯＩ構造を
製造するようにしたので、絶縁膜が連続した完全なＳＯ
Ｉ構造を得ることができる。
第１図（ａ）乃至（ｊ）は本発明のウェハの製造方法の
実施例を示す工程図、第２図（ａ）乃至（ｃ）は従来例
を示す工程図である。 １・・・・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・・
・・第１の酸化膜、３・・・・・・・・・第１の開口部
、４・・・・・・・・・エピタキシャル層、５・・・・
・・・・・第２の酸化膜、６・・・・・・・・・第２の
開口部、７・・・・・・・・・トレンチ。
実施例を示す工程図、第２図（ａ）乃至（ｃ）は従来例
を示す工程図である。 １・・・・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・・
・・第１の酸化膜、３・・・・・・・・・第１の開口部
、４・・・・・・・・・エピタキシャル層、５・・・・
・・・・・第２の酸化膜、６・・・・・・・・・第２の
開口部、７・・・・・・・・・トレンチ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体単結晶基板上に形成された第１の絶縁膜に第１の
開口部を設け、第１の横方向エピタキシャル成長法によ
り上記半導体単結晶基板と連続する半導体単結晶層を形
成する第１の工程と、上記半導体単結晶層上に第２の絶
縁膜を形成し、この第２の絶縁膜に上記第１の開口部に
重なる第２の開口部を設け、上記第２の絶縁膜をマスク
として上記半導体単結晶を異方性エッチングしてトレン
チを形成する第２の工程と、 上記第２の絶縁膜をマスクとして酸素をイオン注入し上
記第１の開口部に酸化膜を形成し、第２の横方向エピタ
キシャル成長法により上記トレンチを半導体単結晶層で
埋める第３の工程と、を含むことを特徴とするウェハの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13976189A JPH034514A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | ウエハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13976189A JPH034514A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | ウエハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH034514A true JPH034514A (ja) | 1991-01-10 |
Family
ID=15252774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13976189A Pending JPH034514A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | ウエハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH034514A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61214424A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-24 | Ibiden Co Ltd | 耐熱性治具 |
| JP2006210927A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体基板の埋設分離領域を形成する方法及び埋設分離領域をもつ半導体デバイス |
| JP2007520891A (ja) * | 2004-02-04 | 2007-07-26 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | ローカルｓｏｉを備えた半導体装置を形成するための方法 |
-
1989
- 1989-06-01 JP JP13976189A patent/JPH034514A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61214424A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-24 | Ibiden Co Ltd | 耐熱性治具 |
| JP2007520891A (ja) * | 2004-02-04 | 2007-07-26 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | ローカルｓｏｉを備えた半導体装置を形成するための方法 |
| JP2006210927A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体基板の埋設分離領域を形成する方法及び埋設分離領域をもつ半導体デバイス |
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