JPH051221U - 減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
減圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH051221U JPH051221U JP4752191U JP4752191U JPH051221U JP H051221 U JPH051221 U JP H051221U JP 4752191 U JP4752191 U JP 4752191U JP 4752191 U JP4752191 U JP 4752191U JP H051221 U JPH051221 U JP H051221U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pipe
- gas blowing
- gas
- pressure cvd
- outer tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 減圧ＣＶＤ装置で、ガス吹き出し管をエッチ
ング洗浄し穴が広がっても、膜特性に影響を及ぼさない
装置を提供する。 【構成】 ガス吹き出し管をこの二重構造とし、内管３
ａと外管３ｂと同位置にガス吹き出し穴（７ａ，７ｂ）
を設け、かつ外管３ｂを着脱可能とする。 【効果】エッチング洗浄は外管３ｂのみすればよく、内
管３ａの穴は広がらないためガス速度は一定に保つこと
ができ、ＣＶＤ成長した膜特性に影響を及ぼすことはな
い。エッチング洗浄ごとの膜特性合わせ込みのための条
件変更が不要となるばかりでなく、内管３ａ外管３ｂと
も使用寿命が延びる効果がある。
ング洗浄し穴が広がっても、膜特性に影響を及ぼさない
装置を提供する。 【構成】 ガス吹き出し管をこの二重構造とし、内管３
ａと外管３ｂと同位置にガス吹き出し穴（７ａ，７ｂ）
を設け、かつ外管３ｂを着脱可能とする。 【効果】エッチング洗浄は外管３ｂのみすればよく、内
管３ａの穴は広がらないためガス速度は一定に保つこと
ができ、ＣＶＤ成長した膜特性に影響を及ぼすことはな
い。エッチング洗浄ごとの膜特性合わせ込みのための条
件変更が不要となるばかりでなく、内管３ａ外管３ｂと
も使用寿命が延びる効果がある。
Description
【０００１】
この考案は減圧ＣＶＤ装置に関し、特に複数個の穴のあいたガス吹き出し管を
有する減圧ＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
従来の減圧ＣＶＤ装置について、図３を参照して説明する。
【０００３】
図において１は反応管外管、２は反応管内管、３はガス吹き出し管、４がガス
導入管、５がボート、６はウェーハである。
【０００４】
上記各部品は石英ガラスでなっている。ガス導入管４により導入されたガスは
図２に示すようにガス吹き出し管３にあけられた複数個の穴７より反応管内管２
内に吹き出し、図には示さない反応管外管１の周囲に設けられたヒータにより加
熱されたウェーハ近傍で減圧下で化学反応が起こり、ウェーハ６上にＣＶＤ膜が
成長する。
【０００５】
上記の従来の減圧ＣＶＤ装置は、ガス吹き出し管３がヒータにより直接または
ボート５，ウェーハ６からの輻射熱で間接的に加熱されて高温になるため、その
表面に反応生成物が付着し、それがはがれてウェーハ６上に付着するとウェーハ
６は不良となるため、ガス吹き出し管３の定期的なエッチング洗浄により、付着
した反応生成物を除去することが不可欠である。このエッチング洗浄の際、ガス
吹き出し管３自身もエッチングされることが避けられず、ガス吹き出し穴７の穴
径がわずかに広がる。ガス吹き出し穴７の穴径が変化した場合、ガス吹き出し速
度が変化し、ＣＶＤ成長した膜の膜特性，特にリン，ホウ素等の不純物を含むＣ
ＶＤ膜を成長する場合は、その不純物濃度が変化する。したがって、ガス吹き出
し管３のエッチング洗浄ごとに膜特性が振らつき、膜特性合わせ込みのためガス
流量等の条件をたびたび変更しなければならなかった。またガス吹き出し管３の
穴７の径がある程度以上に広がると使用できなくなるため、ガス吹き出し管３の
寿命が短いという欠点があった。
【０００６】
この考案は、上記の課題を解決するために、ガス吹き出し管を二重構造とし、
内管・外管の同位置にガス吹き出し穴を設け、かつ外管を着脱にしたことを特徴
とする。
【０００７】
上記の構成によると、反応生成物が付着するのは外管のみである。外管は着脱
可能でありエッチング洗浄を外管のみに施すことができる。エッチング洗浄を行
わない内管のガス吹き出し穴の穴径は一定であり、したがってガスの線速度をエ
ッチング洗浄にかかわらず一定に保つことができる。
【０００８】
以下、この考案について、図１を参照して説明する。
【０００９】
図において３ａはガス吹き出し管内管、３ｂは吹き出し管外管であり、外管３
ｂには内管３ｄのガス吹き出し（穴７ａ）と同位置にガス吹き出し穴７ｂを設け
てある。外管３ｂのガス吹き出し穴穴径は、内管３ａのガス吹き出し穴穴径と同
じかそれ以上であればよい。また外管３ｂは着脱可能であり、内管３ａと外管３
ｂは極力密着させて用いる。
【００１０】
この実施例によればガスの線速度は内管３ａの穴径のみと依存し外管３ｂの穴
径には依存しない。したがって、外管３ｂの穴径がエッチング洗浄によりガスの
線速度は一定に保てるという利点がある。
【００１１】
なお、内外３ａと外管３ｂのガス吹き出し穴７ａ，７ｂの位置合わせを容易に
するため、例えば、内管３ａのガス吹き出し穴７ａと反射側に軸方向の突条を設
け、外管３ｂの対応位置に軸方向の凹条を設ける等の位置合わせ手段を設けても
よい。この位置合わせ手段は、内管３ａの外周面と外管３ｂの内周面に螺旋状に
形成してもよい。
【００１２】
以上説明したように、この考案はガス吹き出し管を二重構造とし、外管を着脱
自在にしたことにより、外管のみ取り外してエッチング洗浄することが可能で、
外管をエッチング洗浄してその穴径が増大してもガス速度を一定に保つことがで
きる。したがってＣＶＤ成長した膜の膜特性、特にリン、ホウ素等の不純物濃度
を一定に保つことができるため、ガス流量等の条件変更が不要となる。また、ガ
ス吹き出し管内管は、エッチング洗浄頻度が少なくなるため使用寿命が延び、外
管はエッチング洗浄により穴径が広がっても使用できるため、これも使用寿命が
延びるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この考案に係る減圧ＣＶＤ装置のガス吹き出
し管の断面図である
し管の断面図である
【図２】 従来の減圧ＣＶＤ装置のガス吹き出し管の断
面図である
面図である
【図３】 従来の減圧ＣＶＤ装置の断面図である
３ａ ガス吹き出し管内管
３ｂ ガス吹き出し管外管
７ａ，７ｂ ガス吹き出し穴
Claims (2)
- 【請求項１】複数個の穴のあいたガス吹き出し管を反応
管の内部に有する減圧ＣＶＤ装置において、ガス吹き出
し管を二重構造とし、内管，外管同位置にガス吹き出し
穴を設け、かつ外管を着脱可能にしたことを特徴とする
減圧ＣＶＤ装置。 - 【請求項２】前記二重構造のガス吹き出し管の内管，外
管が密着されていることを特徴とする請求項１記載の減
圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4752191U JPH051221U (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4752191U JPH051221U (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH051221U true JPH051221U (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=12777423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4752191U Pending JPH051221U (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH051221U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20240106229A (ko) * | 2022-12-29 | 2024-07-08 | 고려대학교 산학협력단 | 모듈 교체형 챔버 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62113419A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-25 | Nec Corp | 気相エピタキシヤル成長装置 |
-
1991
- 1991-06-24 JP JP4752191U patent/JPH051221U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62113419A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-25 | Nec Corp | 気相エピタキシヤル成長装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20240106229A (ko) * | 2022-12-29 | 2024-07-08 | 고려대학교 산학협력단 | 모듈 교체형 챔버 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5561087A (en) | Method of forming a uniform thin film by cooling wafers during CVD | |
| US5194401A (en) | Thermally processing semiconductor wafers at non-ambient pressures | |
| US6881295B2 (en) | Air-tight vessel equipped with gas feeder uniformly supplying gaseous component around plural wafers | |
| CN211170882U (zh) | 内筒壁吹扫装置 | |
| JPS615515A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| EP1162652A2 (en) | Semiconductor-manufacturing device | |
| EP0311158A2 (en) | Improved evaporator for coolant fluids | |
| JPH051221U (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| US5573566A (en) | Method of making a quartz dome reactor chamber | |
| KR101094814B1 (ko) | 벨로우즈 히터장치 | |
| CN113088928A (zh) | 内筒壁吹扫装置 | |
| JPH0349355Y2 (ja) | ||
| JP3047344B2 (ja) | 常圧ｃｖｄ装置 | |
| JPH06112140A (ja) | 枚葉式気相成長装置の排気管 | |
| JP3047969B2 (ja) | ガス拡大整流器 | |
| JPH046825A (ja) | 半導体成長装置 | |
| KR200493388Y1 (ko) | 일체형 압력 센서 | |
| JPH05304093A (ja) | 縦型減圧ｃｖｄ装置 | |
| KR0133677B1 (ko) | 열처리장치 | |
| JPS61171965A (ja) | 封止部材およびその冷却方法 | |
| KR20000008577U (ko) | 반도체 소자의 산화막 형성 장치 | |
| JPH0513336A (ja) | 減圧ｃｖｄ装置用反応管 | |
| KR0174996B1 (ko) | 마주보기 가스흐름 방식의 저압화학기상증착장치 | |
| JPH1116837A (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JPS638127Y2 (ja) |