JPH051239B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH051239B2 JPH051239B2 JP61264717A JP26471786A JPH051239B2 JP H051239 B2 JPH051239 B2 JP H051239B2 JP 61264717 A JP61264717 A JP 61264717A JP 26471786 A JP26471786 A JP 26471786A JP H051239 B2 JPH051239 B2 JP H051239B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- diamond
- coil
- reaction chamber
- phase synthesis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
- B01J19/122—Incoherent waves
- B01J19/126—Microwaves
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ダイヤモンドの気相合成装置に関す
るものである。
るものである。
［従来の技術］
ダイヤモンドは、高硬度であることを利用して
古くは切削工具用途を中心に広く使用されてき
た。一方近年では、熱伝導度が大きいこと、不純
物ドーピングにより半導体として利用可能性があ
ること等に着目され、前者の特性を利用するもの
としてIC（集積回路）基板のヒートシンク（冷却
用放熱器）への適用が検討され、また後者の特性
を利用するものとして半導体素子等の電子技術分
野にも応用されるに至り、ダイヤモンドを形成す
る為の技術が急速に開発されつつある。
古くは切削工具用途を中心に広く使用されてき
た。一方近年では、熱伝導度が大きいこと、不純
物ドーピングにより半導体として利用可能性があ
ること等に着目され、前者の特性を利用するもの
としてIC（集積回路）基板のヒートシンク（冷却
用放熱器）への適用が検討され、また後者の特性
を利用するものとして半導体素子等の電子技術分
野にも応用されるに至り、ダイヤモンドを形成す
る為の技術が急速に開発されつつある。
ダイヤモンドの合成法としては、黒鉛を炭素原
料とし、Ni、Cr、Mn等を触媒として４〜７万気
圧、1000〜2000℃の高温・高圧で行なう高圧法が
知られているが、その他気体状炭化水素を炭素原
料として低圧条件下で行なう気相合成法も開発さ
れている。気相合成法によるダイヤモンドの合成
は、高圧法と比べてダイヤモンドの結晶が小さく
なるという欠点が従来より指摘されてきたが、上
述した様な電子技術分野への応用が進められる
と、却つて薄膜の形成が容易であるという利点が
着目され、有用な技術であると位置付けられてい
る。
料とし、Ni、Cr、Mn等を触媒として４〜７万気
圧、1000〜2000℃の高温・高圧で行なう高圧法が
知られているが、その他気体状炭化水素を炭素原
料として低圧条件下で行なう気相合成法も開発さ
れている。気相合成法によるダイヤモンドの合成
は、高圧法と比べてダイヤモンドの結晶が小さく
なるという欠点が従来より指摘されてきたが、上
述した様な電子技術分野への応用が進められる
と、却つて薄膜の形成が容易であるという利点が
着目され、有用な技術であると位置付けられてい
る。
第２図は従来のダイヤモンド気相合成装置を示
す概略説明図である。当該装置はマイクロ波を応
用した技術であり、その概略は下記の如くであ
る。
す概略説明図である。当該装置はマイクロ波を応
用した技術であり、その概略は下記の如くであ
る。
第２図において、マグネトロン発振機１から発
振されたマイクロ波（2.45GHz）は、アイソレー
タ２、パワーモニタ３、チユーナ４及び導波管５
をこの記載順序で導かれ、前記導波管５を貫通し
て設けられる石英製の反応管６内に設置された基
板７に照射される。前記基板７としてはTa、
Co、Ｗ、Mo等の金属材料が用いられる場合もあ
るが、一般的にはSiウエハが用いられ、該基板７
は石英製の支持台９によつて所定位置に配置され
ている。そして反応管６内には反応管入口１１側
から、H2ガスとCH4ガスを所定割合に混合（例
えばCH41％−H299％）した混合ガスが約
100SCCM（Standard Cubic Centimeters per
Minute）の流量で導入される。導入された混合
ガスは排気口１３側から所定量吸引排気され、反
応管６内は予め定めた圧力（例えば40〜50Torr）
とされる。
振されたマイクロ波（2.45GHz）は、アイソレー
タ２、パワーモニタ３、チユーナ４及び導波管５
をこの記載順序で導かれ、前記導波管５を貫通し
て設けられる石英製の反応管６内に設置された基
板７に照射される。前記基板７としてはTa、
Co、Ｗ、Mo等の金属材料が用いられる場合もあ
るが、一般的にはSiウエハが用いられ、該基板７
は石英製の支持台９によつて所定位置に配置され
ている。そして反応管６内には反応管入口１１側
から、H2ガスとCH4ガスを所定割合に混合（例
えばCH41％−H299％）した混合ガスが約
100SCCM（Standard Cubic Centimeters per
Minute）の流量で導入される。導入された混合
ガスは排気口１３側から所定量吸引排気され、反
応管６内は予め定めた圧力（例えば40〜50Torr）
とされる。
この様にして混合ガスが供給された反応管６内
にマイクロ波の様な振動電波（約300W）が導入
されると、高エネルギー電子によつて混合ガス成
分分子が原子・イオン・ラジカルに分解され、反
応管６内には定常的なプラズマが発生する。前記
基板７はプラズマ発生領域１４に配置されてお
り、当該基板７上には混合ガス中の炭素を原料と
してダイヤモンド結晶が析出する。そして基板７
の種類や処理条件に応じて微結晶又は薄膜等の様
に異なつた形態のダイヤモンドが得られる。
にマイクロ波の様な振動電波（約300W）が導入
されると、高エネルギー電子によつて混合ガス成
分分子が原子・イオン・ラジカルに分解され、反
応管６内には定常的なプラズマが発生する。前記
基板７はプラズマ発生領域１４に配置されてお
り、当該基板７上には混合ガス中の炭素を原料と
してダイヤモンド結晶が析出する。そして基板７
の種類や処理条件に応じて微結晶又は薄膜等の様
に異なつた形態のダイヤモンドが得られる。
第２図に示したダイヤモンド気相合成装置にお
いて、例えば基板７としてSiウエハを用いた場合
には、上述した処理条件で基板温度が約850℃と
なり、基板７上に約0.3μｍ／時間の成長速度で結
晶性ダイヤモンドが析出する。尚第１図中の参照
番号１５はプランジヤーであり、基板７が正確に
プラズマ発生領域１４の中央に位置する様にマイ
クロ波の反射を調整する為のものである。又参照
符号２０で示されている部材はアプリケーターで
あり、冷却水を供給管２１から供給しつつ排出管
２２から排出して反応管６が過度に加熱されるの
を防ぐ機能を果たす。
いて、例えば基板７としてSiウエハを用いた場合
には、上述した処理条件で基板温度が約850℃と
なり、基板７上に約0.3μｍ／時間の成長速度で結
晶性ダイヤモンドが析出する。尚第１図中の参照
番号１５はプランジヤーであり、基板７が正確に
プラズマ発生領域１４の中央に位置する様にマイ
クロ波の反射を調整する為のものである。又参照
符号２０で示されている部材はアプリケーターで
あり、冷却水を供給管２１から供給しつつ排出管
２２から排出して反応管６が過度に加熱されるの
を防ぐ機能を果たす。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら前記第２図に示した様な気相合成
装置においては、基板７の大きさを10×10mm程度
にしかできないといつた問題があつた。この理由
は下記の通りである。即ち気相合成に用いられる
マイクロ波は工業的にも限られており、2.45GHz
のものが一般的であるが、反応管６の口径を前記
マイクロ波の半波長（約６cm）以上にするとマイ
クロ波が外部に漏洩するので、反応管６の口径は
６cm以下に制限する必要がある。また反応管６で
発生するプラズマ発生領域１４が広がりすぎる
と、生じたプラズマによつて反応管６の内壁が過
度に加熱されるといつた障害が生じる為、プラズ
マ発生領域１４の直径は約３cm程度に調整されて
いる。この様な条件のもとで、プラズマを乱すこ
となくダイヤモンドを基板７上に一様に成膜する
には、基板７の大きさは前述した程度に限定され
るのである。
装置においては、基板７の大きさを10×10mm程度
にしかできないといつた問題があつた。この理由
は下記の通りである。即ち気相合成に用いられる
マイクロ波は工業的にも限られており、2.45GHz
のものが一般的であるが、反応管６の口径を前記
マイクロ波の半波長（約６cm）以上にするとマイ
クロ波が外部に漏洩するので、反応管６の口径は
６cm以下に制限する必要がある。また反応管６で
発生するプラズマ発生領域１４が広がりすぎる
と、生じたプラズマによつて反応管６の内壁が過
度に加熱されるといつた障害が生じる為、プラズ
マ発生領域１４の直径は約３cm程度に調整されて
いる。この様な条件のもとで、プラズマを乱すこ
となくダイヤモンドを基板７上に一様に成膜する
には、基板７の大きさは前述した程度に限定され
るのである。
本発明はこの様な状況のもとでなされたものて
あつて、その目的とするところは、波長等によつ
て基板の大きさが限定されることなく、比較的大
きな基板上においてもダイヤモンドの気相合成が
可能なダイヤモンドの気相合成装置を提供するこ
とにある。
あつて、その目的とするところは、波長等によつ
て基板の大きさが限定されることなく、比較的大
きな基板上においてもダイヤモンドの気相合成が
可能なダイヤモンドの気相合成装置を提供するこ
とにある。
［問題点を解決する為の手段］
上記目的を達成し得た本発明の構成とは、基板
を配置した反応室内にプラズマを発生させて該基
板上にダイヤモンドを気相合成する装置であつ
て、前記反応室内には前記基板を囲繞する様にリ
ジタノ・コイルを配置し、該ジリタノ・コイルの
壁面には同軸ケーブルを介してマイクロ波が伝達
される構成とし、前記リジタノ・コイルによつて
前記基板の周囲にプラズマを発生させる様にした
点に要旨を有するダイヤモンドの気相合成装置で
ある。
を配置した反応室内にプラズマを発生させて該基
板上にダイヤモンドを気相合成する装置であつ
て、前記反応室内には前記基板を囲繞する様にリ
ジタノ・コイルを配置し、該ジリタノ・コイルの
壁面には同軸ケーブルを介してマイクロ波が伝達
される構成とし、前記リジタノ・コイルによつて
前記基板の周囲にプラズマを発生させる様にした
点に要旨を有するダイヤモンドの気相合成装置で
ある。
［作用］
本発明は上述の如く構成されるが、要はプラズ
マを発生させる手段としてリジタノ・コイルを採
用した点に最大の特徴を有するものである。そし
て前記リジタノ・コイルに同軸ケーブルを介して
マイクロ波を伝達することによつて該リジタノ・
コイルに囲繞された基板周囲にプラズマを発生さ
せ該基板上にダイヤモンドの薄膜を形成しようと
するものである。
マを発生させる手段としてリジタノ・コイルを採
用した点に最大の特徴を有するものである。そし
て前記リジタノ・コイルに同軸ケーブルを介して
マイクロ波を伝達することによつて該リジタノ・
コイルに囲繞された基板周囲にプラズマを発生さ
せ該基板上にダイヤモンドの薄膜を形成しようと
するものである。
本発明におけるリジタノ・コイルの大きさは、
マイクロ波の周波数とは無関係に選ぶことができ
ると共に、原理的にも制限はない。従つてリジタ
ノ・コイルの大きさに対応させて入力するマイク
ロ波のパワーを増大させれば、プラズマ発生領域
を大きなものとすることができるので比較的大き
な基板上にもダイヤモンド薄膜を形成することが
できる様になる。
マイクロ波の周波数とは無関係に選ぶことができ
ると共に、原理的にも制限はない。従つてリジタ
ノ・コイルの大きさに対応させて入力するマイク
ロ波のパワーを増大させれば、プラズマ発生領域
を大きなものとすることができるので比較的大き
な基板上にもダイヤモンド薄膜を形成することが
できる様になる。
以下、本発明を実施例によつて更に詳細に説明
する。
する。
［実施例］
第１図は、本発明の一実施例の概略説明図であ
る。本発明においても、前記第２図に示したマグ
ネトロン発振機１、アイソレータ２、パワーモニ
タ３、チユーナ４及び導波管５がそのまま使用さ
れ、第１図においても同一の参照符号を付してあ
る。
る。本発明においても、前記第２図に示したマグ
ネトロン発振機１、アイソレータ２、パワーモニ
タ３、チユーナ４及び導波管５がそのまま使用さ
れ、第１図においても同一の参照符号を付してあ
る。
本発明においては、第１図に示す様に反応室８
が独立して設けられており、該反応室８内には基
板７が支持台９によつて所定位置に配置されると
共に、該基板７を囲繞する様にリジタノ・コイル
１０が配置されている。そしてH2ガスとCH4ガ
スを所定割合に混合した混合ガスが供給管１６を
介して一定流量反応室８内に導入されると共に、
導入された混合ガスは排気管１７を介して所定量
吸引排気され、反応室８内は予め定めた圧力（例
えば2Torr程度）とされる。
が独立して設けられており、該反応室８内には基
板７が支持台９によつて所定位置に配置されると
共に、該基板７を囲繞する様にリジタノ・コイル
１０が配置されている。そしてH2ガスとCH4ガ
スを所定割合に混合した混合ガスが供給管１６を
介して一定流量反応室８内に導入されると共に、
導入された混合ガスは排気管１７を介して所定量
吸引排気され、反応室８内は予め定めた圧力（例
えば2Torr程度）とされる。
一方前記リジタノ・コイル１０は、同軸ケーブ
ル１８及び変換器１９を介して前記導波管５に連
結されている。第１図において、マグネトロン発
振器１から発振されたマイクロ波（2.45GHz）
は、アイソレータ２、パワーモニタ３、チユーナ
４及び導波管５をこの記載順序で導かれ、その後
変換器１９によつて電気信号に変換され、更に同
軸ケーブル１８を介してリジタノ・コイル１０の
壁面に伝達される。マイクロ波がリジタノ・コイ
ル１０に伝達されると、リジタノ・コイル１０内
にはプラズマが発生するがプラズマ発生領域１４
内に基板７が配置されている。
ル１８及び変換器１９を介して前記導波管５に連
結されている。第１図において、マグネトロン発
振器１から発振されたマイクロ波（2.45GHz）
は、アイソレータ２、パワーモニタ３、チユーナ
４及び導波管５をこの記載順序で導かれ、その後
変換器１９によつて電気信号に変換され、更に同
軸ケーブル１８を介してリジタノ・コイル１０の
壁面に伝達される。マイクロ波がリジタノ・コイ
ル１０に伝達されると、リジタノ・コイル１０内
にはプラズマが発生するがプラズマ発生領域１４
内に基板７が配置されている。
第１図に示した装置においてH2ガスとCH4ガ
スを所定割合に混合した混合ガスを、供給管１６
を介して反応室８内に供給すると共に、リジタ
ノ・コイルによつて基板７の周囲にプラズマを発
生させることによつて、基板７上にはダイヤモン
ドの薄膜が気相合成される。この様な構成を採用
することによつて、基板７を何の制限を受けるこ
となく大きくすることができ、マイクロ波の周波
数によつて基板７の大きさが限定されるといつた
従来の技術的課題を解決し得たのである。
スを所定割合に混合した混合ガスを、供給管１６
を介して反応室８内に供給すると共に、リジタ
ノ・コイルによつて基板７の周囲にプラズマを発
生させることによつて、基板７上にはダイヤモン
ドの薄膜が気相合成される。この様な構成を採用
することによつて、基板７を何の制限を受けるこ
となく大きくすることができ、マイクロ波の周波
数によつて基板７の大きさが限定されるといつた
従来の技術的課題を解決し得たのである。
尚リジタノ・コイル１０の構成については、何
ら限定するものではなく、核融合の分野で従来か
ら知られている構成のものを採用することができ
る。例えば第３図１に示す様に、金属製円筒部材
にジグザグ状のギヤツプ２５ａ（約２mm）を形成
した所謂スロツト型リジタノ・コイル１０ａ、或
は第３図２に示す様に金属製円筒部材に螺旋状の
ギヤツプ２５ｂを形成した所謂ヘリカル型リジタ
ノ・コイル２５ｂ等を例示することができる。
ら限定するものではなく、核融合の分野で従来か
ら知られている構成のものを採用することができ
る。例えば第３図１に示す様に、金属製円筒部材
にジグザグ状のギヤツプ２５ａ（約２mm）を形成
した所謂スロツト型リジタノ・コイル１０ａ、或
は第３図２に示す様に金属製円筒部材に螺旋状の
ギヤツプ２５ｂを形成した所謂ヘリカル型リジタ
ノ・コイル２５ｂ等を例示することができる。
本発明者らは、第１図に示した気相合成装置を
用いて実験を行なつた。即ちマイクロ波の出力を
1KWとし、供給管１６からH2ガスとCH4ガスの
混合ガス（CH41％−H299％）を50SCCMの流量
で供給した。尚反応室８の圧力は、前記混合ガス
を排気管１７から所定量排気することによつて
2Torrに調整し、基板７としてはSiウエハを用い
た。そして反応を15時間進行させたところ、基板
７上には直径約0.5μｍのダイヤモンド粒子の生成
が認められた。
用いて実験を行なつた。即ちマイクロ波の出力を
1KWとし、供給管１６からH2ガスとCH4ガスの
混合ガス（CH41％−H299％）を50SCCMの流量
で供給した。尚反応室８の圧力は、前記混合ガス
を排気管１７から所定量排気することによつて
2Torrに調整し、基板７としてはSiウエハを用い
た。そして反応を15時間進行させたところ、基板
７上には直径約0.5μｍのダイヤモンド粒子の生成
が認められた。
本発明に従う気相合成装置の構成は、基本的に
は第１図に示した通りであるが、その他各種の構
成をも採用することができる。
は第１図に示した通りであるが、その他各種の構
成をも採用することができる。
第４図は本発明の他の実施例の要部を示す概略
説明図である。特に反応室８の圧力が1Torr以下
になる様な場合には、発生するプラズマが拡大し
過ぎてしまい、期待する程の効果が発揮できない
といつた事態が生じることがある。第４図に示し
た構成は、上述の様な事態を回避する為になされ
たものである。即ち、反応室８の近傍に電磁石３
０を配置し、反応室８に磁場を形成して反応室８
内で電子サイクロン共鳴（ECR）が起こる条件
にすれば（2.45GHzのマイクロ波の場合には約
9000ガウス）、反応室８で発生するプラズマが拡
大することが防止でき、プラズマを反応室内に閉
じ込めることができるので効果的な気相合成が達
成できるのである。
説明図である。特に反応室８の圧力が1Torr以下
になる様な場合には、発生するプラズマが拡大し
過ぎてしまい、期待する程の効果が発揮できない
といつた事態が生じることがある。第４図に示し
た構成は、上述の様な事態を回避する為になされ
たものである。即ち、反応室８の近傍に電磁石３
０を配置し、反応室８に磁場を形成して反応室８
内で電子サイクロン共鳴（ECR）が起こる条件
にすれば（2.45GHzのマイクロ波の場合には約
9000ガウス）、反応室８で発生するプラズマが拡
大することが防止でき、プラズマを反応室内に閉
じ込めることができるので効果的な気相合成が達
成できるのである。
第５図は本発明の更に他の実施例の要部を示す
概略説明図である。この実施例では、混合ガスが
導入される反応室８の下流側（第５図における下
方）を比較的大きな容量を有する反応室８ａと
し、この反応室８ａ内に面積を広くした基板７を
設置し、この基板７上にダイヤモンドを析出させ
るものである。尚この際基板７は補助ヒータ３１
によつて800〜1000℃に加熱される必要がある。
この様に磁場を加えつつリジタノ・コイル１０で
プラズマを発生させる部分と、基板７を配置する
部分とを別々に設けた構成を採用することもでき
る。
概略説明図である。この実施例では、混合ガスが
導入される反応室８の下流側（第５図における下
方）を比較的大きな容量を有する反応室８ａと
し、この反応室８ａ内に面積を広くした基板７を
設置し、この基板７上にダイヤモンドを析出させ
るものである。尚この際基板７は補助ヒータ３１
によつて800〜1000℃に加熱される必要がある。
この様に磁場を加えつつリジタノ・コイル１０で
プラズマを発生させる部分と、基板７を配置する
部分とを別々に設けた構成を採用することもでき
る。
［発明の効果］
以上述べた如く本発明によれば、周波数等によ
つて基板の大きさが限定されることなく、比較的
大きな基板上にもダイヤモンドの気相合成が可能
になつた。
つて基板の大きさが限定されることなく、比較的
大きな基板上にもダイヤモンドの気相合成が可能
になつた。
第１図は本発明の一実施例の概略説明図、第２
図は従来のダイヤモンド気相合成装置を示す概略
説明図、第３図１はスロツト型リジタノ・コイル
１０ａの斜視図、第３図２はヘリカル型リジタ
ノ・コイル１０ｂの斜視図、第４図は本発明の他
の実施例の要部を示す概略説明図、第５図は本発
明の更に他の実施例の要部を示す概略説明図であ
る。 １……マグネトロン発振機、５……導波管、７
……基板、８……反応室、１０，１０ａ，１０ｂ
……リジタノ・コイル、１８……同軸ケーブル。
図は従来のダイヤモンド気相合成装置を示す概略
説明図、第３図１はスロツト型リジタノ・コイル
１０ａの斜視図、第３図２はヘリカル型リジタ
ノ・コイル１０ｂの斜視図、第４図は本発明の他
の実施例の要部を示す概略説明図、第５図は本発
明の更に他の実施例の要部を示す概略説明図であ
る。 １……マグネトロン発振機、５……導波管、７
……基板、８……反応室、１０，１０ａ，１０ｂ
……リジタノ・コイル、１８……同軸ケーブル。
Claims (1)
- １ 基板を配置した反応室内にプラズマを発生さ
せて該基板上にダイヤモンドを気相合成する装置
であつて、前記反応室内には前記基板を囲繞する
様にリジタノ・コイルを配置し、該リジタノ・コ
イルの壁面には同軸ケーブルを介してマイクロ波
が伝達される構成とし、前記リジタノ・コイルに
よつて前記基板の周囲にプラズマを発生させる様
にしたことを特徴とするダイヤモンドの気相合成
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61264717A JPS63117992A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | ダイヤモンドの気相合成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61264717A JPS63117992A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | ダイヤモンドの気相合成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63117992A JPS63117992A (ja) | 1988-05-21 |
| JPH051239B2 true JPH051239B2 (ja) | 1993-01-07 |
Family
ID=17407203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61264717A Granted JPS63117992A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | ダイヤモンドの気相合成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63117992A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5258206A (en) * | 1989-01-13 | 1993-11-02 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Method and apparatus for producing diamond thin films |
-
1986
- 1986-11-05 JP JP61264717A patent/JPS63117992A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63117992A (ja) | 1988-05-21 |
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