JPH0512718A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH0512718A JPH0512718A JP3192520A JP19252091A JPH0512718A JP H0512718 A JPH0512718 A JP H0512718A JP 3192520 A JP3192520 A JP 3192520A JP 19252091 A JP19252091 A JP 19252091A JP H0512718 A JPH0512718 A JP H0512718A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric layer
- optical recording
- film formation
- sputtering
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光磁気記録素子のＣ／Ｎ比を低下させずに、
基板の反りを減少させる。 【構成】 光磁気記録素子の下地誘電体層のスパッタリ
ング過程で、成膜を１秒〜１０分間程度中断する。成膜
の中断により下地誘電体層の圧縮応力を低下させ、反り
を減少させる。
基板の反りを減少させる。 【構成】 光磁気記録素子の下地誘電体層のスパッタリ
ング過程で、成膜を１秒〜１０分間程度中断する。成膜
の中断により下地誘電体層の圧縮応力を低下させ、反り
を減少させる。
Description
【０００１】
【発明の利用分野】この発明は、透明基板上に下地誘電
体層と光記録層とを積層した光記録媒体の製造方法に関
する。この発明は特に、Ｃ／Ｎ比を実質的に低下させる
ことなく、ディスクの反りを減少させた光記録媒体の製
造方法に関する。
体層と光記録層とを積層した光記録媒体の製造方法に関
する。この発明は特に、Ｃ／Ｎ比を実質的に低下させる
ことなく、ディスクの反りを減少させた光記録媒体の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】透明基板上に、誘電体層と光記録層とを積
層した光記録媒体は、大容量の次世代記録媒体として注
目されている。このような光記録媒体としては、例えば
光磁気記録媒体、あるいは相転移型の光記録媒体等が有
る。光磁気記録媒体の場合、書き込みは、レーザ光で媒
体を局所的に加熱した状態で、磁場を加えてディスクを
所定の方向に磁化させることで行う。光磁気記録媒体か
らの読み取りは、偏光したレーザ光を照射し、反射光の
カー効果やファラデー効果から行う。
層した光記録媒体は、大容量の次世代記録媒体として注
目されている。このような光記録媒体としては、例えば
光磁気記録媒体、あるいは相転移型の光記録媒体等が有
る。光磁気記録媒体の場合、書き込みは、レーザ光で媒
体を局所的に加熱した状態で、磁場を加えてディスクを
所定の方向に磁化させることで行う。光磁気記録媒体か
らの読み取りは、偏光したレーザ光を照射し、反射光の
カー効果やファラデー効果から行う。
【０００３】光磁気記録媒体では、磁気光学効果をエン
ハンスするため、透明基板と光磁気記録層との間に下地
誘電体層を設ける。下地誘電体層として一般に用いられ
る材料には、非晶質−イットリウム−サイアロン（ＹＳ
iＡlＯＮ），ＳiＯ2，ＳiＯ，ＣeＯ2，ＺrＯ2，ＴiＯ
2，Ｂi2Ｏ3，等の酸化物、あるいはＺnＳ，Ｓb2Ｓ3等の
硫化物、あるいはＳi3Ｎ4，ＮｂＳｉＮ等の窒化物等が
ある。例えば米国特許４，６８０，７４２号や特開昭６
３−１９５，８４６号は非晶質−イットリウム−サイア
ロン誘電体層を、特開昭５７−１６９，９９６号はＳｉ
Ｏ誘電体層を、特開昭５９−１２１，３６８号や特開昭
５９−１７１，０５４号、特開昭６２−１７２，５４５
号はＳｉ3Ｎ4誘電体層を開示している。また特開昭５９
−１７１，０５５号はＡｌＮ誘電体層を、特開昭６１−
２５８，３５３号は非晶質ＳｉＮx誘電体層を、特開昭
６３−８１，６４３号はＮｂＳｉＮ誘電体層を開示して
いる。
ハンスするため、透明基板と光磁気記録層との間に下地
誘電体層を設ける。下地誘電体層として一般に用いられ
る材料には、非晶質−イットリウム−サイアロン（ＹＳ
iＡlＯＮ），ＳiＯ2，ＳiＯ，ＣeＯ2，ＺrＯ2，ＴiＯ
2，Ｂi2Ｏ3，等の酸化物、あるいはＺnＳ，Ｓb2Ｓ3等の
硫化物、あるいはＳi3Ｎ4，ＮｂＳｉＮ等の窒化物等が
ある。例えば米国特許４，６８０，７４２号や特開昭６
３−１９５，８４６号は非晶質−イットリウム−サイア
ロン誘電体層を、特開昭５７−１６９，９９６号はＳｉ
Ｏ誘電体層を、特開昭５９−１２１，３６８号や特開昭
５９−１７１，０５４号、特開昭６２−１７２，５４５
号はＳｉ3Ｎ4誘電体層を開示している。また特開昭５９
−１７１，０５５号はＡｌＮ誘電体層を、特開昭６１−
２５８，３５３号は非晶質ＳｉＮx誘電体層を、特開昭
６３−８１，６４３号はＮｂＳｉＮ誘電体層を開示して
いる。
【０００４】ここで問題は、下地誘電体層の内部応力が
大きいため、製造後の基板に反りが生じる点にある。基
板に反りが生じると、光磁気記録ディスクのトラッキン
グやフォーカシングが困難になる。下地誘電体層の内部
応力は、光学定数や光磁気記録ディスクのＣ／Ｎ比に関
連し、内部応力を反り角の減少との見地のみから選ぶこ
とはできない。また下地誘電体層の膜厚には、エンハン
ス効果を得るための最適値が有り、膜厚を自由に選ぶこ
ともできない。
大きいため、製造後の基板に反りが生じる点にある。基
板に反りが生じると、光磁気記録ディスクのトラッキン
グやフォーカシングが困難になる。下地誘電体層の内部
応力は、光学定数や光磁気記録ディスクのＣ／Ｎ比に関
連し、内部応力を反り角の減少との見地のみから選ぶこ
とはできない。また下地誘電体層の膜厚には、エンハン
ス効果を得るための最適値が有り、膜厚を自由に選ぶこ
ともできない。
【０００５】基板の反りの問題は、相転移型の光記録媒
体でも同様である。光記録層にＧｅＳｂＴｅ等の相転移
材料を用いた光記録媒体では、下地誘電体層の厚さが２
０００Ａ程度と、光磁気記録媒体の場合の２倍程度とな
るため、下地誘電体層の圧縮応力による基板の反りはよ
り大きくなる。これは相転移型の光記録媒体では、レー
ザーの記録パワーが２０ｍＷ程度と光磁気記録媒体の２
倍程度となるため、基板の熱的損傷を防止するため、下
地誘電体層の膜厚を大きくする必要があるからである。
そして大きな膜厚でかつエンハンスメント条件を満たす
ように膜厚を選ぶと、下地誘電体層の膜厚は２０００Ａ
程度と大きくなる。
体でも同様である。光記録層にＧｅＳｂＴｅ等の相転移
材料を用いた光記録媒体では、下地誘電体層の厚さが２
０００Ａ程度と、光磁気記録媒体の場合の２倍程度とな
るため、下地誘電体層の圧縮応力による基板の反りはよ
り大きくなる。これは相転移型の光記録媒体では、レー
ザーの記録パワーが２０ｍＷ程度と光磁気記録媒体の２
倍程度となるため、基板の熱的損傷を防止するため、下
地誘電体層の膜厚を大きくする必要があるからである。
そして大きな膜厚でかつエンハンスメント条件を満たす
ように膜厚を選ぶと、下地誘電体層の膜厚は２０００Ａ
程度と大きくなる。
【０００６】
【発明の課題】この発明の課題は、光記録媒体のＣ／Ｎ
比を実質的に低下させずに、下地誘電体層によるディス
クの反りを抑制するようにした光記録媒体の製造方法を
提供することにある。
比を実質的に低下させずに、下地誘電体層によるディス
クの反りを抑制するようにした光記録媒体の製造方法を
提供することにある。
【０００７】
【発明の構成】この発明は、透明基板上に下地誘電体層
を成膜すると共に、該下地誘電体層上に光記録層を積層
した光記録媒体の製造方法において、前記下地誘電体層
の成膜を、少なくとも２回以上に分けて行うことを特徴
とする。
を成膜すると共に、該下地誘電体層上に光記録層を積層
した光記録媒体の製造方法において、前記下地誘電体層
の成膜を、少なくとも２回以上に分けて行うことを特徴
とする。
【０００８】光記録媒体の種類は、光磁気記録媒体、あ
るいは相転移型の光記録媒体等の任意のもので良く、透
明基板上に下地誘電体層と光記録層とを積層したもので
有れば良い。また成膜の手法は、常法であるスパッタリ
ングの他、プラズマＣＶＤ、イオンプレーティング等の
任意のものを用いることができる。
るいは相転移型の光記録媒体等の任意のもので良く、透
明基板上に下地誘電体層と光記録層とを積層したもので
有れば良い。また成膜の手法は、常法であるスパッタリ
ングの他、プラズマＣＶＤ、イオンプレーティング等の
任意のものを用いることができる。
【０００９】下地誘電体層の成膜を少なくとも２回以上
に分けて行うとは、スパッタリングの場合、スパッタリ
ング電力を低下あるいはカットしてスパッタリングが生
じないようにする、またスパッタリングに用いるＡｒ等
の圧力を低下させる等により雰囲気の圧力がスパッタリ
ングが生じる範囲からずれるようにすること等で、途中
で成膜を中断し、成膜を少なくとも２回以上のサイクル
に分けて行うことを意味する。成膜の中断の具体的な手
法は任意であり、成膜過程で実質的に成膜速度が０ある
いは極めて低いものとなれば、”成膜の中断”に含まれ
る。
に分けて行うとは、スパッタリングの場合、スパッタリ
ング電力を低下あるいはカットしてスパッタリングが生
じないようにする、またスパッタリングに用いるＡｒ等
の圧力を低下させる等により雰囲気の圧力がスパッタリ
ングが生じる範囲からずれるようにすること等で、途中
で成膜を中断し、成膜を少なくとも２回以上のサイクル
に分けて行うことを意味する。成膜の中断の具体的な手
法は任意であり、成膜過程で実質的に成膜速度が０ある
いは極めて低いものとなれば、”成膜の中断”に含まれ
る。
【００１０】成膜の中断時間は、例えば１秒〜１５分と
する。発明者はこの範囲で、Ｃ／Ｎ比を実質的に低下さ
せずに、基板の反りを抑制し得ることを見い出した（表
１参照）。僅か１秒の間成膜を中断しただけでも、基板
の反りは著しく減少する。また成膜の中断による反りの
防止効果は、１０秒程度の中断で飽和に近づく。これら
のため成膜の中断時間の下限は不明で、１秒でも大きな
反りの防止効果が得られることから、中断時間の下限は
好ましくは０．０１秒、より好ましくは０．１秒、更に
好ましくは１秒とする。一方中断時間を長くすること
は、光記録媒体の生産性を低下させる。このことから中
断時間の上限は例えば１５分、より好ましくは１０分と
する。なお中断時間を、例えば３０分と極端に長くする
と、Ｃ／Ｎ比の低下が生じた。このことからも極端に長
い中断時間、例えば１５分以上の中断時間は好ましくな
い。
する。発明者はこの範囲で、Ｃ／Ｎ比を実質的に低下さ
せずに、基板の反りを抑制し得ることを見い出した（表
１参照）。僅か１秒の間成膜を中断しただけでも、基板
の反りは著しく減少する。また成膜の中断による反りの
防止効果は、１０秒程度の中断で飽和に近づく。これら
のため成膜の中断時間の下限は不明で、１秒でも大きな
反りの防止効果が得られることから、中断時間の下限は
好ましくは０．０１秒、より好ましくは０．１秒、更に
好ましくは１秒とする。一方中断時間を長くすること
は、光記録媒体の生産性を低下させる。このことから中
断時間の上限は例えば１５分、より好ましくは１０分と
する。なお中断時間を、例えば３０分と極端に長くする
と、Ｃ／Ｎ比の低下が生じた。このことからも極端に長
い中断時間、例えば１５分以上の中断時間は好ましくな
い。
【００１１】
【発明の作用】光記録媒体で成膜する各層の内、表面の
樹脂層等を除けば、最も厚い層は下地誘電体層である。
また一般に下地誘電体層は、内部応力の大きなものを用
いる必要がある。これらのため、基板の反りには下地誘
電体層の内部応力（圧縮応力）が大きな影響を持つ。
樹脂層等を除けば、最も厚い層は下地誘電体層である。
また一般に下地誘電体層は、内部応力の大きなものを用
いる必要がある。これらのため、基板の反りには下地誘
電体層の内部応力（圧縮応力）が大きな影響を持つ。
【００１２】成膜の過程で、下地誘電体層は歪が大き
く、高い圧縮応力を持つ状態で成膜される。ここで成膜
を中断すると、下地誘電体層の歪が緩和され、圧縮応力
は減少する。この結果、下地誘電体層の圧縮応力が減少
し、基板の反りが減少する。以下に光磁気記録媒体を例
に実施例を説明する。なお発明者は、スパッタリングを
用いた相転移型の光記録媒体の成膜でも、下地誘電体層
の成膜を途中で中断することにより、基板の反りが減少
することを確認している。
く、高い圧縮応力を持つ状態で成膜される。ここで成膜
を中断すると、下地誘電体層の歪が緩和され、圧縮応力
は減少する。この結果、下地誘電体層の圧縮応力が減少
し、基板の反りが減少する。以下に光磁気記録媒体を例
に実施例を説明する。なお発明者は、スパッタリングを
用いた相転移型の光記録媒体の成膜でも、下地誘電体層
の成膜を途中で中断することにより、基板の反りが減少
することを確認している。
【００１３】
【実施例】図１に、実施例の光磁気記録媒体を示す。図
において、２はポリカーボネート樹脂製のディスク状透
明基板で（直径１３０ｍｍ）、ガラスやエポキシ樹脂、
ポリエステル樹脂、あるいはアクリル樹脂、非晶質ポリ
オレフィン樹脂等の任意の透明基板に変えることができ
る。
において、２はポリカーボネート樹脂製のディスク状透
明基板で（直径１３０ｍｍ）、ガラスやエポキシ樹脂、
ポリエステル樹脂、あるいはアクリル樹脂、非晶質ポリ
オレフィン樹脂等の任意の透明基板に変えることができ
る。
【００１４】４は下地誘電体層で、この発明は下地誘電
体層４に起因する反りの抑制に関する。下地誘電体層４
は透明基板側の第１の下地誘電体層６と、光磁気記録層
側の第２の下地誘電体層８との２層からなっている。第
１及び第２の誘電体層６，８はいずれも非晶質−イット
リウム−サイアロンで構成され、材料組成を変えても良
いが、製造上の便宜を考慮していずれも同じ材料から構
成する。第１の下地誘電体層６は、第２の下地誘電体層
８よりも、低屈折率で内部応力も小さい。第１及び第２
の下地誘電体層６，８の合計厚さは、周知技術に従い、
カーエンハンスメント効果を最大にするように定める。
また第１及び第２の下地誘電体層６，８の材質は共通と
し、実施例で示した非晶質−イットリウム−サイアロン
の他にＳiＯ2，ＳiＯ，ＣeＯ2，ＺrＯ2，ＴiＯ2，Ｂi2
Ｏ3，ＺnＳ，Ｓb2Ｓ3，Ｓi3Ｎ4等を用いる。
体層４に起因する反りの抑制に関する。下地誘電体層４
は透明基板側の第１の下地誘電体層６と、光磁気記録層
側の第２の下地誘電体層８との２層からなっている。第
１及び第２の誘電体層６，８はいずれも非晶質−イット
リウム−サイアロンで構成され、材料組成を変えても良
いが、製造上の便宜を考慮していずれも同じ材料から構
成する。第１の下地誘電体層６は、第２の下地誘電体層
８よりも、低屈折率で内部応力も小さい。第１及び第２
の下地誘電体層６，８の合計厚さは、周知技術に従い、
カーエンハンスメント効果を最大にするように定める。
また第１及び第２の下地誘電体層６，８の材質は共通と
し、実施例で示した非晶質−イットリウム−サイアロン
の他にＳiＯ2，ＳiＯ，ＣeＯ2，ＺrＯ2，ＴiＯ2，Ｂi2
Ｏ3，ＺnＳ，Ｓb2Ｓ3，Ｓi3Ｎ4等を用いる。
【００１５】１０は光磁気記録層で、基板２に垂直な磁
化方向を持った、非晶質薄膜を用いる。このような薄膜
の材料には、ＧdＤyＦe，ＧdＴbＦe，ＴbＦeＣo，ＤyＦ
eＣo，ＧdＴbＤyＦe，ＧdＴbＦeＣo，ＴbＤyＦeＣo，Ｇ
dＤyＦeＣo，ＮdＧdＤyＦe，ＮdＤyＦeＣo，ＮdＧdＤy
ＦeＣo等が有る。
化方向を持った、非晶質薄膜を用いる。このような薄膜
の材料には、ＧdＤyＦe，ＧdＴbＦe，ＴbＦeＣo，ＤyＦ
eＣo，ＧdＴbＤyＦe，ＧdＴbＦeＣo，ＴbＤyＦeＣo，Ｇ
dＤyＦeＣo，ＮdＧdＤyＦe，ＮdＤyＦeＣo，ＮdＧdＤy
ＦeＣo等が有る。
【００１６】１２は上地誘電体層で、設けなくても良
く、用いる材質は例えば第１及び第２の下地誘電体層
６，８と同様とする。１４は金属反射層で、基板側から
入射したレーザ光を反射して、カー効果による読み出し
を可能にすると共に、酸素や水蒸気等から光磁気記録層
１０を遮断して保護する。金属反射層１４には、例えば
安価で反射率の高いＡlや、耐腐食性に優れたＴiを用い
る。１６は樹脂層で、アクリル酸エステル系や、エポキ
シ系、ポリエステル系、アクリル系、アクリルウレタン
系等の紫外線硬化樹脂等を用いる。樹脂層１６は設けな
くても良い。
く、用いる材質は例えば第１及び第２の下地誘電体層
６，８と同様とする。１４は金属反射層で、基板側から
入射したレーザ光を反射して、カー効果による読み出し
を可能にすると共に、酸素や水蒸気等から光磁気記録層
１０を遮断して保護する。金属反射層１４には、例えば
安価で反射率の高いＡlや、耐腐食性に優れたＴiを用い
る。１６は樹脂層で、アクリル酸エステル系や、エポキ
シ系、ポリエステル系、アクリル系、アクリルウレタン
系等の紫外線硬化樹脂等を用いる。樹脂層１６は設けな
くても良い。
【００１７】光磁気記録媒体の製造例と、性能試験の結
果とを以下に示す。基板２に、直径１３０ｍｍのポリカ
ーボネート樹脂（中心の穴径３０ｍｍ）を用い、真空下
での加熱脱気とイオンボンバードメントとの前処理を施
した後、Ａｒ雰囲気でのマグネトロンスパッタリングで
下地誘電体層４〜金属反射層１４を成膜し、光記録媒体
を製造した。到達真空度は５×１０-7Ｔorr、基板２と
ターゲットとの間隔は１２０ｍｍ、スパッタリング電力
は１ＫＷである。第１及び第２の下地誘電体層６，８の
成膜に用いたＡｒ圧力は３ｍＴｏｒｒで、アモルファス
・イットリウム・サイアロン系の下地誘電体層を成膜す
る場合の最適値である。第１及び第２の下地誘電体層
６，８の材質をアモルファス。イットリウム・サイアロ
ン以外のものに変える場合、スパッタリング圧力はそれ
に応じて、例えば１ｍＴｏｒｒ〜１０ｍＴｏｒｒ程度の
範囲で変えれば良い。
果とを以下に示す。基板２に、直径１３０ｍｍのポリカ
ーボネート樹脂（中心の穴径３０ｍｍ）を用い、真空下
での加熱脱気とイオンボンバードメントとの前処理を施
した後、Ａｒ雰囲気でのマグネトロンスパッタリングで
下地誘電体層４〜金属反射層１４を成膜し、光記録媒体
を製造した。到達真空度は５×１０-7Ｔorr、基板２と
ターゲットとの間隔は１２０ｍｍ、スパッタリング電力
は１ＫＷである。第１及び第２の下地誘電体層６，８の
成膜に用いたＡｒ圧力は３ｍＴｏｒｒで、アモルファス
・イットリウム・サイアロン系の下地誘電体層を成膜す
る場合の最適値である。第１及び第２の下地誘電体層
６，８の材質をアモルファス。イットリウム・サイアロ
ン以外のものに変える場合、スパッタリング圧力はそれ
に応じて、例えば１ｍＴｏｒｒ〜１０ｍＴｏｒｒ程度の
範囲で変えれば良い。
【００１８】ターゲットにＳi3Ｎ4：Ａl2Ｏ3：Ｙ2Ｏ3の
モル比が８６：１０：４の焼結体を用い、非晶質−イッ
トリウム−サイアロンの第１及び第２の下地誘電体層
６，８を成膜した。最初に３ｍＴｏｒｒのＡr圧でスパ
ッタリングし、低屈折率で内部応力の小さな第１の下地
誘電体層６を、４９ｎｍ厚に成膜した。次いで高周波電
力を遮断してプラズマを消し、スパッタリングを１秒〜
３０分間中断した。高周波電力を遮断すると、Ａｒプラ
ズマの発光が消えプラズマは消滅した。成膜の中断に
は、この他にＡｒ圧を低下させプラズマを消滅させるも
の等、１時的に成膜を中断させ、第１の下地誘電体層６
の圧縮応力を低下させるものであれば、任意のものを用
いることができる。この後スパッタリングを再開し、同
じターゲットのまま同じ３ｍＴｏｒｒのＡr圧で、第２
の下地誘電体層８を４９ｎｍに成膜した（試料２〜
７）。成膜を中断する回数は１回に限らず、２回あるい
は３回等としても良く、第１の下地誘電体層６と第２の
下地誘電体層８の膜厚の比は１：１に限らず、例えば
２：１や１：２等としても良い。比較例として、成膜の
中断無しに３ｍＴｏｒｒのＡｒ圧で９８ｎｍの下地誘電
体層を成膜したものを設けた（試料１）。
モル比が８６：１０：４の焼結体を用い、非晶質−イッ
トリウム−サイアロンの第１及び第２の下地誘電体層
６，８を成膜した。最初に３ｍＴｏｒｒのＡr圧でスパ
ッタリングし、低屈折率で内部応力の小さな第１の下地
誘電体層６を、４９ｎｍ厚に成膜した。次いで高周波電
力を遮断してプラズマを消し、スパッタリングを１秒〜
３０分間中断した。高周波電力を遮断すると、Ａｒプラ
ズマの発光が消えプラズマは消滅した。成膜の中断に
は、この他にＡｒ圧を低下させプラズマを消滅させるも
の等、１時的に成膜を中断させ、第１の下地誘電体層６
の圧縮応力を低下させるものであれば、任意のものを用
いることができる。この後スパッタリングを再開し、同
じターゲットのまま同じ３ｍＴｏｒｒのＡr圧で、第２
の下地誘電体層８を４９ｎｍに成膜した（試料２〜
７）。成膜を中断する回数は１回に限らず、２回あるい
は３回等としても良く、第１の下地誘電体層６と第２の
下地誘電体層８の膜厚の比は１：１に限らず、例えば
２：１や１：２等としても良い。比較例として、成膜の
中断無しに３ｍＴｏｒｒのＡｒ圧で９８ｎｍの下地誘電
体層を成膜したものを設けた（試料１）。
【００１９】第１及び第２の下地誘電体層６，８の成膜
後に、ＧdＤyＦeをターゲットとし、アモルファスＧdＤ
yＦeの垂直磁化膜からなる光磁気記録層１０を２０ｎｍ
に形成した。更にＡr圧３ｍＴorrで、非晶質−イットリ
ウム−サイアロンの上地誘電体層１２ を３０ｎｍに形
成し、この上部に金属Ａlと炭素チップとの混合ターゲ
ットを用いて、８０ｎｍ厚の金属反射層１４を積層し
た。スパッタリングの終了後に、ウレタンアクリレート
とアクリル酸エステルの共重合体系紫外線硬化樹脂をス
ピンコートし、紫外線で硬化させて、厚さ１０μｍの樹
脂層１６を形成した。
後に、ＧdＤyＦeをターゲットとし、アモルファスＧdＤ
yＦeの垂直磁化膜からなる光磁気記録層１０を２０ｎｍ
に形成した。更にＡr圧３ｍＴorrで、非晶質−イットリ
ウム−サイアロンの上地誘電体層１２ を３０ｎｍに形
成し、この上部に金属Ａlと炭素チップとの混合ターゲ
ットを用いて、８０ｎｍ厚の金属反射層１４を積層し
た。スパッタリングの終了後に、ウレタンアクリレート
とアクリル酸エステルの共重合体系紫外線硬化樹脂をス
ピンコートし、紫外線で硬化させて、厚さ１０μｍの樹
脂層１６を形成した。
【００２０】製造後の光磁気記録ディスクについて、反
り角やＣ／Ｎ比等の特性を測定した。反り角は、図２の
角度αとして測定した。表１に、性能試験結果を示す。
Ｃ／Ｎ比は、波長８３０ｎｍのレーザ光で測定した。
り角やＣ／Ｎ比等の特性を測定した。反り角は、図２の
角度αとして測定した。表１に、性能試験結果を示す。
Ｃ／Ｎ比は、波長８３０ｎｍのレーザ光で測定した。
【００２１】
【表１】 表 １ 性能試験 No. 成 膜 条 件 中断時間 反り角 Ｃ／Ｎ比 (mRad) (dB) １* ３mTorr ０ ３．０ ４８．８ ２ ３mTorr ／３mTorr １秒 １．９２ ４９．１ ３ ３mTorr ／３mTorr １０秒 １．７０ ４８．９ ４ ３mTorr ／３mTorr ３０秒 １．６８ ４８．８ ５ ３mTorr ／３mTorr １分 １．８１ ４９．２ ６ ３mTorr ／３mTorr １０分 １．６５ ４８．６ ７ ３mTorr ／３mTorr ３０分 １．６３ ４７．９ * *印は比較例、
【００２２】表１の試料１（比較例）と実施例の試料３
とを比較すると、相違点は途中で３０秒間の中断時間を
置いたことのみである。両者のＣ／Ｎ比は共に４８．８
ｄＢで変化は無い。しかし基板の反り角は、３．０ｍＲ
ａｄから１．６８ｍＲａｄへと約１／２に減少する。基
板の反りが減少する原因を検討する。スパッタリングの
過程で第１の下地誘電体層６は歪が大きく、圧縮応力が
高い状態で成膜される。ここでスパッタリングを中断す
ると、膜の内部の歪を緩和し圧縮応力を減少させる時間
が生じる。この間に第１の下地誘電体層６の圧縮応力は
低下し、この結果成膜後に基板２に働く圧縮応力が低下
して、反りが減少する。次に、反りが減少する他の原因
として熱的なものが考えられるが、僅か１秒間の中断で
も反り角が３．０ｍＲａｄから１．９２ｍＲａｄに減少
することから、熱的な寄与は考えられない。１秒間の中
断では、基板２の表面温度はほとんど変化しないと考え
られるからである。
とを比較すると、相違点は途中で３０秒間の中断時間を
置いたことのみである。両者のＣ／Ｎ比は共に４８．８
ｄＢで変化は無い。しかし基板の反り角は、３．０ｍＲ
ａｄから１．６８ｍＲａｄへと約１／２に減少する。基
板の反りが減少する原因を検討する。スパッタリングの
過程で第１の下地誘電体層６は歪が大きく、圧縮応力が
高い状態で成膜される。ここでスパッタリングを中断す
ると、膜の内部の歪を緩和し圧縮応力を減少させる時間
が生じる。この間に第１の下地誘電体層６の圧縮応力は
低下し、この結果成膜後に基板２に働く圧縮応力が低下
して、反りが減少する。次に、反りが減少する他の原因
として熱的なものが考えられるが、僅か１秒間の中断で
も反り角が３．０ｍＲａｄから１．９２ｍＲａｄに減少
することから、熱的な寄与は考えられない。１秒間の中
断では、基板２の表面温度はほとんど変化しないと考え
られるからである。
【００２３】表１の各試料を比較すると、僅か１秒間の
成膜の中断でも反り角は著しく減少する。このことから
成膜の中断時間の下限は例えば０．０１秒程度であり、
より好ましくは０．１秒程度、更に好ましくは１秒程度
と考えられる。次に１秒〜１０分の中断時間では、反り
角は１．９２〜１．６５ｍＲａｄと、比較例の３．０ｍ
Ｒａｄよりも４０％〜５０％小さく、Ｃ／Ｎ比は４８．
６〜４９．２ｍＲａｄで比較例の４８．８ｍＲａｄとほ
ぼ等しい値になる。一方中断時間を３０秒以上に伸ばし
ても、反り角は１．６ｍＲａｄレベルから変化せず、３
０分間中断した試料７ではＣ／Ｎ比が４７．９ｄＢと約
１ｄＢ低下する。このことから中断時間の上限は、好ま
しくは１５分以下、より好ましくは１０分以下とする。
１０秒以上の中断時間では、反り角の変化は小さく、ほ
ぼ１．７ｍＲａｄ以下となる。反りの原因には下地誘電
体層４以外にも、樹脂層１６への吸湿、光磁気記録層１
０や上地誘電体層１２、金属反射層１４の圧縮応力等
の、種々の原因が考えられる。これらのことから１０秒
以上の中断時間を置くことで、下地誘電体層４に起因す
る反りは、限界まで除かれたものと考えられる。
成膜の中断でも反り角は著しく減少する。このことから
成膜の中断時間の下限は例えば０．０１秒程度であり、
より好ましくは０．１秒程度、更に好ましくは１秒程度
と考えられる。次に１秒〜１０分の中断時間では、反り
角は１．９２〜１．６５ｍＲａｄと、比較例の３．０ｍ
Ｒａｄよりも４０％〜５０％小さく、Ｃ／Ｎ比は４８．
６〜４９．２ｍＲａｄで比較例の４８．８ｍＲａｄとほ
ぼ等しい値になる。一方中断時間を３０秒以上に伸ばし
ても、反り角は１．６ｍＲａｄレベルから変化せず、３
０分間中断した試料７ではＣ／Ｎ比が４７．９ｄＢと約
１ｄＢ低下する。このことから中断時間の上限は、好ま
しくは１５分以下、より好ましくは１０分以下とする。
１０秒以上の中断時間では、反り角の変化は小さく、ほ
ぼ１．７ｍＲａｄ以下となる。反りの原因には下地誘電
体層４以外にも、樹脂層１６への吸湿、光磁気記録層１
０や上地誘電体層１２、金属反射層１４の圧縮応力等
の、種々の原因が考えられる。これらのことから１０秒
以上の中断時間を置くことで、下地誘電体層４に起因す
る反りは、限界まで除かれたものと考えられる。
【００２４】
【発明の効果】この発明では、Ｃ／Ｎ比を実質的に低下
させずに、基板の反りを減少させることができる。反り
の減少は、トラッキングやフォーカシングを容易にし、
より安定した記録・再生を可能にする。
させずに、基板の反りを減少させることができる。反り
の減少は、トラッキングやフォーカシングを容易にし、
より安定した記録・再生を可能にする。
【図１】 実施例の光記録媒体の断面図
【図２】 光記録媒体での反り角の意味を示す断面図
２ 透明基板 ４ 下地誘電体層 ６ 第１の下地誘電体層 ８ 第２の下地誘電体層 １０ 光磁気記録層 １２ 上地誘電体層 １４ 金属反射層 １６ 樹脂層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 透明基板上に下地誘電体層を成膜すると
共に、該下地誘電体層上に光記録層を積層した光記録媒
体の製造方法において、 前記下地誘電体層の成膜を、少なくとも２回以上に分け
て行うことを特徴とする、光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3192520A JPH0512718A (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3192520A JPH0512718A (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0512718A true JPH0512718A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16292655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3192520A Pending JPH0512718A (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0512718A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090183984A1 (en) * | 2006-01-31 | 2009-07-23 | Takashi Sakuma | Seed Film Forming Method, Plasma-Assisted Film Forming System and Storage Medium |
-
1991
- 1991-07-05 JP JP3192520A patent/JPH0512718A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090183984A1 (en) * | 2006-01-31 | 2009-07-23 | Takashi Sakuma | Seed Film Forming Method, Plasma-Assisted Film Forming System and Storage Medium |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0413251A (ja) | 光磁気記録素子及びその製造方法 | |
| US5293373A (en) | Optical disk and method of manufacturing the same | |
| US5382460A (en) | Optical recording disk and production process therefor | |
| JP2955112B2 (ja) | 光磁気記憶媒体 | |
| JPS61196439A (ja) | 光磁気記録媒体とその製造方法 | |
| EP0516178B1 (en) | Optical information recording medium in which a protective layer comprises a mixture layer containing ZnS and SiO2 | |
| EP0475452B1 (en) | Use of a quasi-amorphous or amorphous zirconia dielectric layer for optical or magneto-optic data storage media | |
| KR100272595B1 (ko) | 광자기 기록매체 | |
| JPS6316439A (ja) | 光学的磁気記録媒体の製造法 | |
| JP2728503B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS62243150A (ja) | 磁気光学記憶素子の製造方法 | |
| JPS63282942A (ja) | 光磁気記録用媒体及びその製造方法 | |
| JPH01292649A (ja) | 光情報記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS62234253A (ja) | 光磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP3205921B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS63171454A (ja) | 光磁気媒体 | |
| JPH0518187B2 (ja) | ||
| JPH01173457A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0536142A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS62164241A (ja) | 記録媒体の製造方法 | |
| JPS60197967A (ja) | 光学的記録媒体 | |
| JPS62184643A (ja) | 光学的磁気記録媒体の製造法 | |
| JPS62109247A (ja) | 光学的磁気記録媒体 | |
| JPS62222445A (ja) | 光ディスク | |
| JPH02252150A (ja) | 光ディスクおよびその製造方法 |