JPH05128908A - 導体ペースト - Google Patents
導体ペーストInfo
- Publication number
- JPH05128908A JPH05128908A JP31857191A JP31857191A JPH05128908A JP H05128908 A JPH05128908 A JP H05128908A JP 31857191 A JP31857191 A JP 31857191A JP 31857191 A JP31857191 A JP 31857191A JP H05128908 A JPH05128908 A JP H05128908A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- weight
- glass
- conductor paste
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半田付けが容易で、しかも半田付け後のエー
ジングによるセラミック基板との接合強度の劣化の小さ
い電形を形成するための導体ペーストを提供する。 【構成】 銀とパラジウムを含む複合導電粉末とガラス
粉末及び酸化ビスマス粉末をビヒクルに分散混練した導
体ペーストであって、固形分中にガラス粉末が2.4〜
8.4重量%含有され、ガラス粉末100重量部当り
0.1〜25重量部のアノーサイト粉末を含有せしめ
た。
ジングによるセラミック基板との接合強度の劣化の小さ
い電形を形成するための導体ペーストを提供する。 【構成】 銀とパラジウムを含む複合導電粉末とガラス
粉末及び酸化ビスマス粉末をビヒクルに分散混練した導
体ペーストであって、固形分中にガラス粉末が2.4〜
8.4重量%含有され、ガラス粉末100重量部当り
0.1〜25重量部のアノーサイト粉末を含有せしめ
た。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半田付けした状態で熱履
歴を受けたときの接合強度の劣化の小さい電極を形成す
るための導体ペーストに関する。
歴を受けたときの接合強度の劣化の小さい電極を形成す
るための導体ペーストに関する。
【0002】
【従来の技術】厚膜電極材料として、銀とパラジウムを
含む複合粉末と、無機結合剤とをビヒクル中に分散した
Ag/Pd系導体ペーストが用いられている。銀とパラ
ジウムを含む複合粉末としては、銀とパラジウムの混合
粉の外、銀パラジウム合金粉、銀パラジウム共沈粉また
はこれらと銀粉及び/又はパラジウム粉との混合粉が用
いられ通常Ag/Pd比が1.5〜19になる組成でペ
ースト固形分中に85〜95重量%含有される。
含む複合粉末と、無機結合剤とをビヒクル中に分散した
Ag/Pd系導体ペーストが用いられている。銀とパラ
ジウムを含む複合粉末としては、銀とパラジウムの混合
粉の外、銀パラジウム合金粉、銀パラジウム共沈粉また
はこれらと銀粉及び/又はパラジウム粉との混合粉が用
いられ通常Ag/Pd比が1.5〜19になる組成でペ
ースト固形分中に85〜95重量%含有される。
【0003】無機結合剤には、通常ガラスフリットと酸
化ビスマス粉末が用いられる。ガラス粉末は、PbO−
B2 O3 −SiO2 系ガラス、PbO−B2 O3 −Zn
O系ガラス等が使用される場合が多い。導体ペースト
は、セラミック基板に印刷、焼成されるため、ガラスは
セラミック基板の熱膨張係数に近い値の熱膨張係数を持
つものが使われており、例えば、アルミナ基板に対して
は、70〜75×10-6/℃程度の熱膨張係数をもつガ
ラスが用いられる。ガラス粉末はペースト固形分中に2
〜7重量%含有される。又酸化ビスマス粉末は、ペース
ト固形分中に3〜13重量%含有される。
化ビスマス粉末が用いられる。ガラス粉末は、PbO−
B2 O3 −SiO2 系ガラス、PbO−B2 O3 −Zn
O系ガラス等が使用される場合が多い。導体ペースト
は、セラミック基板に印刷、焼成されるため、ガラスは
セラミック基板の熱膨張係数に近い値の熱膨張係数を持
つものが使われており、例えば、アルミナ基板に対して
は、70〜75×10-6/℃程度の熱膨張係数をもつガ
ラスが用いられる。ガラス粉末はペースト固形分中に2
〜7重量%含有される。又酸化ビスマス粉末は、ペース
ト固形分中に3〜13重量%含有される。
【0004】これらの固形物粉末を均一に混合してセラ
ミック基板上に印刷できるようにするために、固形分を
ビヒクルと混練してペースト状の組成物にする。このビ
ヒクルとして有機溶剤と樹脂の混合物が用いられてい
る。有機溶剤としてはターピネオール、ブチルカルビト
ール等が、又樹脂としてはエチルセロルース、ニトロセ
ルロース、ポリ酢酸ビニル等が用いられる。ターピネオ
ール中にエチルセルロースを20重量%含有するものが
用いられる事が多い。また、印刷を円滑にするため、銀
とパラジウムを含む複合粉末、ガラス粉末及び酸化ビス
マス粉末は325メッシュより小さいものが用いられる
場合が多い。
ミック基板上に印刷できるようにするために、固形分を
ビヒクルと混練してペースト状の組成物にする。このビ
ヒクルとして有機溶剤と樹脂の混合物が用いられてい
る。有機溶剤としてはターピネオール、ブチルカルビト
ール等が、又樹脂としてはエチルセロルース、ニトロセ
ルロース、ポリ酢酸ビニル等が用いられる。ターピネオ
ール中にエチルセルロースを20重量%含有するものが
用いられる事が多い。また、印刷を円滑にするため、銀
とパラジウムを含む複合粉末、ガラス粉末及び酸化ビス
マス粉末は325メッシュより小さいものが用いられる
場合が多い。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】セラミック基板上に形
成された電極は、半田付けの工程を経た後ある時間の熱
履歴を受ける場合がある。例えば、前記電極を有する部
品を樹脂モールドする際に150℃程度の温度で数時間
の熱履歴を受けるし、完成部品を熱的雰囲気に曝される
自動車などに搭載した場合などには熱履歴を受ける。こ
のような熱履歴を受けると、半田中のSnが導体層へ徐
々に拡散して金属間化合物を多く生成し、これにより体
積膨張を起こしてセラミック基板との接合強度が低下す
る。甚だしい場合には、半田付け直後の接合強度の10
%以下にまで低下し、その結果リード付け部分が取れて
しまうことがある。
成された電極は、半田付けの工程を経た後ある時間の熱
履歴を受ける場合がある。例えば、前記電極を有する部
品を樹脂モールドする際に150℃程度の温度で数時間
の熱履歴を受けるし、完成部品を熱的雰囲気に曝される
自動車などに搭載した場合などには熱履歴を受ける。こ
のような熱履歴を受けると、半田中のSnが導体層へ徐
々に拡散して金属間化合物を多く生成し、これにより体
積膨張を起こしてセラミック基板との接合強度が低下す
る。甚だしい場合には、半田付け直後の接合強度の10
%以下にまで低下し、その結果リード付け部分が取れて
しまうことがある。
【0006】この欠点は、金属成分を減らし、ガラス分
を多くすることにより、ある程度解消するが、そのよう
にすると今度は半田濡れ性が低下し、半田付けが困難に
なる。したがって、半田付け特性を維持しながらエージ
ング特性を高めるには無機結合剤に何らかの工夫が必要
である。
を多くすることにより、ある程度解消するが、そのよう
にすると今度は半田濡れ性が低下し、半田付けが困難に
なる。したがって、半田付け特性を維持しながらエージ
ング特性を高めるには無機結合剤に何らかの工夫が必要
である。
【0007】本発明の目的は半田付け後のエージングに
よるセラミック基板との接合強度の劣化を抑制し、しか
も半田付けが容易な電極が形成できる導体ペーストを提
供することにある。
よるセラミック基板との接合強度の劣化を抑制し、しか
も半田付けが容易な電極が形成できる導体ペーストを提
供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明者等は種々研究の結果、ガラス粉末、酸化ビスマ
ス粉末のほかに添加剤としてアノーサイト粉末を用いれ
ば良いことを見いだして本発明に到達した。さらに詳し
くは、本発明のペーストは、銀とパラジウムを含む混合
粉末、ガラス粉末及び酸化ビスマス粉末がビヒクル中に
分散されているAg−Pd系導体ペーストであって、ペ
ースト固形分中にガラス粉末を2.4〜8.4重量%含
有しかつアノーサイト(CaO・Al2 O3 ・2SiO
2 )粉末を、ガラス粉末100重量部当り、0.1〜2
5重量部含有する点に特徴がある。
本発明者等は種々研究の結果、ガラス粉末、酸化ビスマ
ス粉末のほかに添加剤としてアノーサイト粉末を用いれ
ば良いことを見いだして本発明に到達した。さらに詳し
くは、本発明のペーストは、銀とパラジウムを含む混合
粉末、ガラス粉末及び酸化ビスマス粉末がビヒクル中に
分散されているAg−Pd系導体ペーストであって、ペ
ースト固形分中にガラス粉末を2.4〜8.4重量%含
有しかつアノーサイト(CaO・Al2 O3 ・2SiO
2 )粉末を、ガラス粉末100重量部当り、0.1〜2
5重量部含有する点に特徴がある。
【0009】
【作用】アノーサイトは膨張係数が小さく、ガラスと混
合溶融することにより焼成後の無機結合剤層の熱応力が
緩和され、導体層の体積膨張があっても破壊されにくく
なるものと推測される。
合溶融することにより焼成後の無機結合剤層の熱応力が
緩和され、導体層の体積膨張があっても破壊されにくく
なるものと推測される。
【0010】ガラス量をペースト固形分中に2.4〜
8.4重量%とするのは、2.4重量%未満では半田濡
れ性は良いが、セラミック基板との接合力が不充分とな
り、又8.4重量%を超えると、逆に、セラミック基板
との接合力は向上するが、半田濡れ性が低下し、実用上
不都合を生じるからである。
8.4重量%とするのは、2.4重量%未満では半田濡
れ性は良いが、セラミック基板との接合力が不充分とな
り、又8.4重量%を超えると、逆に、セラミック基板
との接合力は向上するが、半田濡れ性が低下し、実用上
不都合を生じるからである。
【0011】アノーサイトをガラス粉末100重量部当
り0.1〜25重量部とするのは、0.1重量部未満で
は熱応力を緩和する効果が小さく、接合強度の向上にあ
まり寄与せず、25重量部を超えると焼成時に無機結合
剤の流動性が悪くなるため接合強度が低下し、半田濡れ
性も悪くなるからである。
り0.1〜25重量部とするのは、0.1重量部未満で
は熱応力を緩和する効果が小さく、接合強度の向上にあ
まり寄与せず、25重量部を超えると焼成時に無機結合
剤の流動性が悪くなるため接合強度が低下し、半田濡れ
性も悪くなるからである。
【0012】アノーサイト粉末は、目標組成になるよう
に各成分の原料を秤量して圧粉固化し、1400℃で4
時間焼結を行い、その焼結体を、例えばアルミナボール
ミルにより粉砕することで得ることができる。粉砕の程
度は、325メッシュより小さいことが望ましい。
に各成分の原料を秤量して圧粉固化し、1400℃で4
時間焼結を行い、その焼結体を、例えばアルミナボール
ミルにより粉砕することで得ることができる。粉砕の程
度は、325メッシュより小さいことが望ましい。
【0013】
【実施例】アノーサイト粉末を種々の割合で配合した無
機結合剤を含有するAg−Pd系導体ペーストを調製
し、試験に供した。ペーストの組成を表1に示す。ガラ
スは重量比でPbO:B2 O3 :SiO2 :CaO:A
l2 O3 =55:10:15:10:10からなる組成
のものを用いた。ビヒクルはターピネオール中にエチル
セルロースを20重量%含有するものを用いた。
機結合剤を含有するAg−Pd系導体ペーストを調製
し、試験に供した。ペーストの組成を表1に示す。ガラ
スは重量比でPbO:B2 O3 :SiO2 :CaO:A
l2 O3 =55:10:15:10:10からなる組成
のものを用いた。ビヒクルはターピネオール中にエチル
セルロースを20重量%含有するものを用いた。
【0014】試験は下記の方法により行なった。 (1)接合強度 2.54cm角のアルミナ基板に導体ペーストを2mm
角のパターンで5個印刷し、850℃で焼成後、導体部
に0.65mmφの錫メッキ導線を鉛37重量%、残部
錫のPb−Sn半田で接合し、引張り試験を行なった。
半田接合直後の初期接合強度、150℃の炉に24時間
放置した後の強度の2種類についてそれぞれ基板を10
枚用意し測定を行なった。初期強度は平均値が4.5k
g、150℃で24時間放置後の強度は平均値が1.5
kg以上を合格とする。
角のパターンで5個印刷し、850℃で焼成後、導体部
に0.65mmφの錫メッキ導線を鉛37重量%、残部
錫のPb−Sn半田で接合し、引張り試験を行なった。
半田接合直後の初期接合強度、150℃の炉に24時間
放置した後の強度の2種類についてそれぞれ基板を10
枚用意し測定を行なった。初期強度は平均値が4.5k
g、150℃で24時間放置後の強度は平均値が1.5
kg以上を合格とする。
【0015】(2)半田濡れ性 2.54cm角のアルミナ基板に導体ペーストを10m
m角パータンで印刷し、850℃で焼成後導体部にフラ
ックスを滴下し、直径4mm、高さ2.85mmの円柱
状に成形された鉛37重量%、残部錫のSn−Pb半田
をのせ、該基板を230℃の半田浴上に浮かべ、10秒
後に取り出し、溶融固化した半田の広がり直径を測定し
た。直径5.6mm以上を合格とした。
m角パータンで印刷し、850℃で焼成後導体部にフラ
ックスを滴下し、直径4mm、高さ2.85mmの円柱
状に成形された鉛37重量%、残部錫のSn−Pb半田
をのせ、該基板を230℃の半田浴上に浮かべ、10秒
後に取り出し、溶融固化した半田の広がり直径を測定し
た。直径5.6mm以上を合格とした。
【0016】試験結果を表1にまとめて示す。
【0017】
【表1】
【0018】表1の結果から、ガラス粉末は固形分中に
2.4〜8.4重量%必要で、アノーサイト添加量は、
ガラス100重量部に対して0.1〜25重量部とする
ことが必要であることがわかる。
2.4〜8.4重量%必要で、アノーサイト添加量は、
ガラス100重量部に対して0.1〜25重量部とする
ことが必要であることがわかる。
【0019】
【発明の効果】本発明のペーストによれば、エージング
後のセラミック基板との接合強度の劣化を抑制し、しか
も半田付けが容易な電極を形成することができる。
後のセラミック基板との接合強度の劣化を抑制し、しか
も半田付けが容易な電極を形成することができる。
Claims (1)
- 【請求項1】 銀とパラジウムを含む複合粉末、ガラス
粉末及び酸化ビスマス粉末がビヒクル中に分散されてい
る導体ペーストにおいて、ペースト固形分中にガラス粉
末を2.4〜8.4重量%含有しかつアノーサイト(C
aO・Al2O3 ・2SiO2 )粉末を、ガラス粉末1
00重量部当り0.1〜25重量部含有することを特徴
とする導体ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31857191A JPH05128908A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 導体ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31857191A JPH05128908A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 導体ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05128908A true JPH05128908A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=18100622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31857191A Pending JPH05128908A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 導体ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05128908A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5518663A (en) * | 1994-12-06 | 1996-05-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film conductor compositions with improved adhesion |
| CN102270513A (zh) * | 2010-06-03 | 2011-12-07 | 西安宏星电子浆料科技有限责任公司 | 氧化铝基板使用的厚膜导体浆料及其制备方法 |
-
1991
- 1991-11-07 JP JP31857191A patent/JPH05128908A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5518663A (en) * | 1994-12-06 | 1996-05-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film conductor compositions with improved adhesion |
| CN102270513A (zh) * | 2010-06-03 | 2011-12-07 | 西安宏星电子浆料科技有限责任公司 | 氧化铝基板使用的厚膜导体浆料及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4122232A (en) | Air firable base metal conductors | |
| JP2793912B2 (ja) | 熱サイクル接着性およびエージング接着性の高い銀に富む導電体組成物 | |
| US4503090A (en) | Thick film resistor circuits | |
| JPH07302510A (ja) | 導電ペースト組成物 | |
| JP2008181759A (ja) | 銅導体ペースト、導体回路板及び電子部品 | |
| JPH10224004A (ja) | 厚膜抵抗体ペースト | |
| JPH0653594B2 (ja) | 導体組成物 | |
| JPH0773731A (ja) | 厚膜導電性ペースト組成物 | |
| JP3297531B2 (ja) | 導電性ペースト | |
| JP2795467B2 (ja) | 接着性良好な金属ペースト | |
| JPH05174617A (ja) | 導体ペースト | |
| JPH05128910A (ja) | 導体ペースト | |
| JPH05151818A (ja) | 導体ペースト | |
| JPH05174616A (ja) | 導体ペースト | |
| JPH05151820A (ja) | 導体ペースト | |
| JPH05159619A (ja) | 導体ペースト | |
| JP2631010B2 (ja) | 厚膜銅ペースト | |
| JP2931450B2 (ja) | 導体ペースト | |
| JP3780945B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
| JPH0349108A (ja) | 銅導体組成物 | |
| JPH0737420A (ja) | 導体ペースト組成物及びそれを用いた回路基板 | |
| JP2531023B2 (ja) | 導電性ペ―スト | |
| JPH0541110A (ja) | 導体ペースト | |
| JPH0850806A (ja) | 厚膜導体用組成物 | |
| JP2992958B2 (ja) | 低温焼成多層配線基板用導体ペースト |