JPH0512895Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は基板型温度ヒユーズの改良に関するも
のである。

（先行技術と問題点） ヒューズエレメントに低融点金属材を使用した
合金型温度ヒユーズの一形式として、絶縁基板の
片面上に一対の電極を設け、これらの電極間に低
融点金属材を橋設し、該低融点金属材上にフラツ
クス層を設け、上記絶縁基板の片面を樹脂で被覆
した基板型温度ヒユーズが公知である。

合金型温度ヒユーズにおいては、低融点金属材
の融点を作動温度としており、低融点金属材が溶
融し、この溶融金属が表面張力により球状化分断
することにより、通電を遮断している。この場
合、分断距離がアーク消滅距離に達するまでは、
アークが発生・持続し、フラツクスが蒸発し、高
圧力が発生する。

上記の基板型温度ヒユーズにおいては、主に絶
縁基板の裏面側（樹脂が被覆されていない側）か
ら低融点金属材に伝達される熱によつて低融点金
属材が溶融・分断されるから、絶縁基板に熱良伝
導性のセラミツクス基板を使用することが有効で
ある。

しかしながら、セラミツクス基板においては、
樹脂被覆層との強固な接着が期待できず、上記フ
ラツクス蒸気の圧力によつて溶融金属が絶縁基板
の周辺から広範囲に飛散し、被害が広範囲に波及
する危険性がある。また、セラミツクス基板の周
囲の角が欠損し易いといつた問題もある。

（考案の目的） 本考案の目的は、セラミツクス基板を絶縁基板
として使用するにもかかわらず、溶融ヒューズエ
レメントの飛散範囲を僅少の範囲にとどめ得、絶
縁基板の欠損もよく防止できる基板型温度ヒユー
ズを提供することにある。

（考案の構成） 本考案の基板型温度ヒユーズは、セラミツクス
基板の片面上に一対の電極を設け、これらの電極
間に低融点金属材を橋設し、該低融点金属材上に
フラツクス層を設け、上記セラミツクス基板の片
面並びに全周端面を樹脂で被覆したことを特徴と
する構成である。

（実施例の説明） 以下、図面により本考案を説明する。

第１図は、本考案に係る基板型温度ヒユーズを
示す上面説明図、第２図は第１図における−
断面説明図である。

第１図並びに第２図において、１はセラミツク
ス基板である。２，２はセラミツクス基板の片面
に設けた層状電極であり、例えば、銀系、銅系又
は金系導電性ペーストの印刷と焼付けとによつて
形成できる。３は低融点金属材であり、線状又
は、箔状であり、電極間に溶接によつて橋設して
ある。４は低融点金属材上に設けたフラツクス層
である。５はエポキシ樹脂等の硬化型樹脂のモー
ルド層であり、セラミツクス基板１の片面の全体
並びにセラミツクス基板の全周端面１１を被覆し
ている。

上記において、基板型温度ヒユーズの形状は四
角形に限定されず、例えば、三角形又は円形とす
ることも可能である。

（考案の効果） 本考案の基板型温度ヒユーズは上述した通りの
構成であり、セラミツクス基板の全周端面にも樹
脂を被覆してあるから、温度ヒユーズの作動時、
溶融低融点金属材がフラツクス蒸気の圧力下、セ
ラミツクス基板と被覆樹脂との低接着力のために
セラミツクス基板の周囲から噴出しようとして
も、その噴出流がセラミツクス基板の全周端面に
被覆した樹脂部分に衝突し、広範囲に飛散するの
を防止できるから、溶融低融点金属材の飛散範囲
を僅少範囲にとどめ得、被害を軽度に抑えること
ができる。

また、セラミツクス基板の周辺の角の欠損も防
止できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案に係る基板型温度ヒユーズを示
す上面説明図、第２図は第１図における−断
面図である。 図において、１はセラミツクス基板、２，２は
電極、３は低融点金属材、５は樹脂である。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. セラミツクス基板の片面上に一対の電極を設
   け、これらの電極間に低融点金属材を橋設し、該
   低融点金属材上にフラツクス層を設け、上記セラ
   ミツクス基板の片面並びに全周端面を樹脂で被覆
   したことを特徴とする基板型温度ヒユーズ。