JPH05129462A - セラミツクパツケージ - Google Patents
セラミツクパツケージInfo
- Publication number
- JPH05129462A JPH05129462A JP3311685A JP31168591A JPH05129462A JP H05129462 A JPH05129462 A JP H05129462A JP 3311685 A JP3311685 A JP 3311685A JP 31168591 A JP31168591 A JP 31168591A JP H05129462 A JPH05129462 A JP H05129462A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die attach
- buffer plate
- ceramic package
- joint portion
- plate
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07351—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 緩衝板を介してヒートシンク等の金属製底板
をセラミック製パッケージ本体にろう付け等がなされて
得られたセラミックパッケージにおいて、熱等に因る緩
衝板のダイアタッチ接合部の反り発生を防止してダイア
タッチが水平に接合されたセラミックパッケージを提供
する。 【構成】 セラミック製パッケージ本体のキャビティ内
に挿入される半導体チップが搭載されるダイアタッチと
前記パッケージとの底面に、ヒートシンク等の金属製底
板が反り防止用の緩衝板を介して接合されたセラミック
パッケージにおいて、該ダイアタッチが接合された緩衝
板のダイアタッチ接合部の周縁に複数のスリット等が形
成されていると共に、前記ダイアタッチ接合部と緩衝板
本体とがスリット等の間に形成された連結部によって連
結されていることを特徴とする。
をセラミック製パッケージ本体にろう付け等がなされて
得られたセラミックパッケージにおいて、熱等に因る緩
衝板のダイアタッチ接合部の反り発生を防止してダイア
タッチが水平に接合されたセラミックパッケージを提供
する。 【構成】 セラミック製パッケージ本体のキャビティ内
に挿入される半導体チップが搭載されるダイアタッチと
前記パッケージとの底面に、ヒートシンク等の金属製底
板が反り防止用の緩衝板を介して接合されたセラミック
パッケージにおいて、該ダイアタッチが接合された緩衝
板のダイアタッチ接合部の周縁に複数のスリット等が形
成されていると共に、前記ダイアタッチ接合部と緩衝板
本体とがスリット等の間に形成された連結部によって連
結されていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミックパッケージに
関し、更に詳細には半導体装置に使用されるセラミック
パッケージに関する。
関し、更に詳細には半導体装置に使用されるセラミック
パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置用のセラミックパッケージと
しては、従来、図４に示すものが使用されている。図４
に示すセラミックパッケージ１００には、セラミックパ
ッケージ本体１０２の中央部に開口されたキャビティ１
１４を覆うように、銅(Cu)ータングステン(W) 合金等に
よって形成されたヒートシンク等の金属製底板１０６が
セラミックパッケージ本体１０２の底面側に緩衝板１０
４を介してろう付けされている。この緩衝板１０４は、
セラミックパッケージ本体１０２と金属底板１０６との
熱膨張係数差に起因して発生する熱応力を緩和するため
のものであり、銅(Cu)等の易変形性金属によって形成さ
れている。また、緩衝板１０４のキャビティ１１４に相
当する部分には、ダイアタッチ１０８が銀ろう付けされ
ている。このダイアタッチ１０８は、半導体チップ１１
０が搭載される金属板であり、半導体チップ１１０の熱
膨張係数に近似した金属、例えばモリブデン(Mo)によっ
て形成されている。
しては、従来、図４に示すものが使用されている。図４
に示すセラミックパッケージ１００には、セラミックパ
ッケージ本体１０２の中央部に開口されたキャビティ１
１４を覆うように、銅(Cu)ータングステン(W) 合金等に
よって形成されたヒートシンク等の金属製底板１０６が
セラミックパッケージ本体１０２の底面側に緩衝板１０
４を介してろう付けされている。この緩衝板１０４は、
セラミックパッケージ本体１０２と金属底板１０６との
熱膨張係数差に起因して発生する熱応力を緩和するため
のものであり、銅(Cu)等の易変形性金属によって形成さ
れている。また、緩衝板１０４のキャビティ１１４に相
当する部分には、ダイアタッチ１０８が銀ろう付けされ
ている。このダイアタッチ１０８は、半導体チップ１１
０が搭載される金属板であり、半導体チップ１１０の熱
膨張係数に近似した金属、例えばモリブデン(Mo)によっ
て形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図４に示すセラミック
パッケージ１００によれば、セラミックパッケージ本体
１０２と金属製底板１０６との熱膨張係数差に起因して
発生する熱応力は、緩衝板１０４の変形によって緩和す
ることができる。しかしながら、ヒートシンク等の金属
製底板１０６と緩衝板１０４とをセラミックパッケージ
本体１０２にろう付けすると、図５に示す如く、緩衝板
１０４のダイアタッチと接合するダイアタッチ接合部に
反りが発生し、接合されたダイアタッチ１０８に傾斜を
生じさせる場合があることが判明した。そこで、本発明
の目的は、緩衝板を介してヒートシンク等の金属製底板
をセラミックパッケージ本体にろう付け等がなされて得
られたセラミックパッケージにおいて、熱等に因る緩衝
板のダイアタッチ接合部の反り発生を防止し、ダイアタ
ッチが水平に接合されたセラミックパッケージを提供す
ることにある。
パッケージ１００によれば、セラミックパッケージ本体
１０２と金属製底板１０６との熱膨張係数差に起因して
発生する熱応力は、緩衝板１０４の変形によって緩和す
ることができる。しかしながら、ヒートシンク等の金属
製底板１０６と緩衝板１０４とをセラミックパッケージ
本体１０２にろう付けすると、図５に示す如く、緩衝板
１０４のダイアタッチと接合するダイアタッチ接合部に
反りが発生し、接合されたダイアタッチ１０８に傾斜を
生じさせる場合があることが判明した。そこで、本発明
の目的は、緩衝板を介してヒートシンク等の金属製底板
をセラミックパッケージ本体にろう付け等がなされて得
られたセラミックパッケージにおいて、熱等に因る緩衝
板のダイアタッチ接合部の反り発生を防止し、ダイアタ
ッチが水平に接合されたセラミックパッケージを提供す
ることにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、先ず、図
５に示す緩衝板１０４のダイアタッチ接合部に反りが発
生する様子を観察したところ、緩衝板１０４のダイアタ
ッチ接合部を含む部分がセラミックパッケージ本体１０
２に設けられたキャビティ１１４に臨んでいるため、熱
等によって緩衝板１０４に発生した変形力によってダイ
アタッチ接合部がキャビティ１１４の内方向に押し出さ
れて反りが発生する。この反りによって緩衝板１０４と
金属製底板１０６との間に発生した空隙１１２には、ろ
う付け等の際に加えられる熱によって溶融したろう材や
気泡が侵入する。このため、ろう付け等が完了して緩衝
板１０４が冷却されても依然としてダイアタッチ接合部
に反りが残留するのである。本発明者等は、この様な観
察結果を踏まえて検討を重ねた結果、緩衝板のダイアタ
ッチ接合部の周縁にスリット等を形成することによっ
て、熱等によって緩衝板にダイアタッチ接合部に反りを
発生させる変形力が発生しても、ダイアタッチ接合部に
作用する反り発生力を可及的に小さくでき、ダイアタッ
チ接合部の反りを防止できることを知り、本発明に到達
した。
５に示す緩衝板１０４のダイアタッチ接合部に反りが発
生する様子を観察したところ、緩衝板１０４のダイアタ
ッチ接合部を含む部分がセラミックパッケージ本体１０
２に設けられたキャビティ１１４に臨んでいるため、熱
等によって緩衝板１０４に発生した変形力によってダイ
アタッチ接合部がキャビティ１１４の内方向に押し出さ
れて反りが発生する。この反りによって緩衝板１０４と
金属製底板１０６との間に発生した空隙１１２には、ろ
う付け等の際に加えられる熱によって溶融したろう材や
気泡が侵入する。このため、ろう付け等が完了して緩衝
板１０４が冷却されても依然としてダイアタッチ接合部
に反りが残留するのである。本発明者等は、この様な観
察結果を踏まえて検討を重ねた結果、緩衝板のダイアタ
ッチ接合部の周縁にスリット等を形成することによっ
て、熱等によって緩衝板にダイアタッチ接合部に反りを
発生させる変形力が発生しても、ダイアタッチ接合部に
作用する反り発生力を可及的に小さくでき、ダイアタッ
チ接合部の反りを防止できることを知り、本発明に到達
した。
【０００５】即ち、本発明は、セラミック製パッケージ
本体のキャビティ内に挿入される半導体チップが搭載さ
れるダイアタッチと前記パッケージとの底面に、ヒート
シンク等の金属製底板が反り防止用の緩衝板を介して接
合されたセラミックパッケージにおいて、該ダイアタッ
チが接合された緩衝板のダイアタッチ接合部の周縁に複
数のスリット及び／又は透孔が形成されていると共に、
前記ダイアタッチ接合部と緩衝板本体とが前記スリット
及び／又は透孔の間に形成された連結部によって連結さ
れていることを特徴とするセラミックパッケージにあ
る。かかる構成を有する本発明において、スリット又は
透孔が緩衝板に接合されたダイアタッチとパッケージ本
体との間に形成されていることが、緩衝板のダイアタッ
チ接合部の反りを防止するうえで好適である。
本体のキャビティ内に挿入される半導体チップが搭載さ
れるダイアタッチと前記パッケージとの底面に、ヒート
シンク等の金属製底板が反り防止用の緩衝板を介して接
合されたセラミックパッケージにおいて、該ダイアタッ
チが接合された緩衝板のダイアタッチ接合部の周縁に複
数のスリット及び／又は透孔が形成されていると共に、
前記ダイアタッチ接合部と緩衝板本体とが前記スリット
及び／又は透孔の間に形成された連結部によって連結さ
れていることを特徴とするセラミックパッケージにあ
る。かかる構成を有する本発明において、スリット又は
透孔が緩衝板に接合されたダイアタッチとパッケージ本
体との間に形成されていることが、緩衝板のダイアタッ
チ接合部の反りを防止するうえで好適である。
【０００６】
【作用】本発明によれば、緩衝板のダイアタッチ接合部
は緩衝板本体と複数のスリット及び／又は透孔の間に形
成された連結部によって連結されているに過ぎず、熱等
によって緩衝板本体に発生した変形力は連結部を介して
のみダイアタッチ接合部に加えられる。このため、緩衝
板にダイアタッチ接合部に反りを発生させるような変形
力が発生しても、ダイアタッチ接合部に作用する反り発
生力を可及的に小さくできる結果、ろう付け等の熱を緩
衝板に加えてもダイアタッチ接合部の反り発生を実質的
に防止できるため、緩衝板のダイアタッチ接合部にダイ
アタッチを水平に接合できる。尚、熱等に因るダイアタ
ッチ接合部自身の伸び等の変形は、ダイアタッチ接合部
の反りとして発現することなくダイアタッチ接合部周縁
のスリットに吸収される。
は緩衝板本体と複数のスリット及び／又は透孔の間に形
成された連結部によって連結されているに過ぎず、熱等
によって緩衝板本体に発生した変形力は連結部を介して
のみダイアタッチ接合部に加えられる。このため、緩衝
板にダイアタッチ接合部に反りを発生させるような変形
力が発生しても、ダイアタッチ接合部に作用する反り発
生力を可及的に小さくできる結果、ろう付け等の熱を緩
衝板に加えてもダイアタッチ接合部の反り発生を実質的
に防止できるため、緩衝板のダイアタッチ接合部にダイ
アタッチを水平に接合できる。尚、熱等に因るダイアタ
ッチ接合部自身の伸び等の変形は、ダイアタッチ接合部
の反りとして発現することなくダイアタッチ接合部周縁
のスリットに吸収される。
【０００７】
【実施例】本発明を図面によって更に詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施例を示す断面図であり、セラミ
ックパッケージ１０はアルミナセラミック系のセラミッ
クによって形成されたセラミック製パッケージ本体１２
（以下、パッケージ本体１２と称することがある）に
は、その中央部にキャビティ２２が形成されている。こ
のキャビティ２２を覆うように、ヒートシンクとしての
銅(Cu)ータングステン(W) 合金から成る金属製底板１６
が、銅(Cu)から成る緩衝板１４を介してパッケージ本体
１２の底面に銀ろう付けされている。かかる緩衝板１４
のキャビティ２２に臨む部分に、半導体チップ２０が搭
載される矩形のダイアタッチ１８が接合されている。こ
のダイアタッチ１８は、モリブデン(Mo)によって形成さ
れた金属板である。
図１は、本発明の一実施例を示す断面図であり、セラミ
ックパッケージ１０はアルミナセラミック系のセラミッ
クによって形成されたセラミック製パッケージ本体１２
（以下、パッケージ本体１２と称することがある）に
は、その中央部にキャビティ２２が形成されている。こ
のキャビティ２２を覆うように、ヒートシンクとしての
銅(Cu)ータングステン(W) 合金から成る金属製底板１６
が、銅(Cu)から成る緩衝板１４を介してパッケージ本体
１２の底面に銀ろう付けされている。かかる緩衝板１４
のキャビティ２２に臨む部分に、半導体チップ２０が搭
載される矩形のダイアタッチ１８が接合されている。こ
のダイアタッチ１８は、モリブデン(Mo)によって形成さ
れた金属板である。
【０００８】本実施例においては、ダイアタッチ１８が
接合された緩衝板１４として、図２に示す緩衝板１４を
使用している。図２に示す緩衝板１４は、矩形のダイア
タッチ接合部２６の周囲に複数個のスリット２４が設け
られており、ダイアタッチ接合部２６と緩衝板本体２８
とは、ダイアタッチ接合部２６の四隅の各々において、
各スリット２４との間に形成された帯状の連結部３０、
３０・・を介して連結されている。かかる緩衝板１４に
熱等によってダイアタッチ接合部２６に反りを発生させ
るような変形力、例えば矢印Ａ方向の変形力が発生して
も、ダイアタッチ接合部２６には帯状の連結部３０、３
０・・を介して変形力の一部が作用するに過ぎず、ダイ
アタッチ接合部２６の反りを実質的に防止できる。
接合された緩衝板１４として、図２に示す緩衝板１４を
使用している。図２に示す緩衝板１４は、矩形のダイア
タッチ接合部２６の周囲に複数個のスリット２４が設け
られており、ダイアタッチ接合部２６と緩衝板本体２８
とは、ダイアタッチ接合部２６の四隅の各々において、
各スリット２４との間に形成された帯状の連結部３０、
３０・・を介して連結されている。かかる緩衝板１４に
熱等によってダイアタッチ接合部２６に反りを発生させ
るような変形力、例えば矢印Ａ方向の変形力が発生して
も、ダイアタッチ接合部２６には帯状の連結部３０、３
０・・を介して変形力の一部が作用するに過ぎず、ダイ
アタッチ接合部２６の反りを実質的に防止できる。
【０００９】しかも、図２の緩衝板１４に設けられたス
リット２４、２４・・は、図１に示す様に、緩衝板１４
に接合されたダイアタッチ１８とパッケージ本体１２と
の間に形成されている。このため、ダイアタッチ接合部
２６に帯状の連結部３０、３０・・を介して作用する変
形力Ａの一部を、図２の矢印Ｂの方向にダイアタッチ接
合部２６を回転する回転力に変換でき、ダイアタッチ接
合部２６の反り発生力を更に一層小さくできる。尚、緩
衝板本体２８は、パッケージ本体１２と金属製底板１６
とによって挟まれているため、緩衝板１４の面に対して
直角方向への変形を防止できる。
リット２４、２４・・は、図１に示す様に、緩衝板１４
に接合されたダイアタッチ１８とパッケージ本体１２と
の間に形成されている。このため、ダイアタッチ接合部
２６に帯状の連結部３０、３０・・を介して作用する変
形力Ａの一部を、図２の矢印Ｂの方向にダイアタッチ接
合部２６を回転する回転力に変換でき、ダイアタッチ接
合部２６の反り発生力を更に一層小さくできる。尚、緩
衝板本体２８は、パッケージ本体１２と金属製底板１６
とによって挟まれているため、緩衝板１４の面に対して
直角方向への変形を防止できる。
【００１０】図１に示すパッケージ本体１２と図２に示
す緩衝板１４との接合、及び緩衝板１４とダイアタッチ
１８及び金属製底板１６との接合は、銀ろう等のろう付
けによって行う。このろう付けは、セラミック本体１２
等を加熱雰囲気中で銀ろう等のろう材を溶解して行われ
るため、緩衝板１４のダイアタッチ接合部２６も熱に因
る伸び等の変形が発生する。しかし、かかる変形はスリ
ット２４、２４・・によって吸収されるため、ダイアタ
ッチ接合部２６の反りとしては発現しない。
す緩衝板１４との接合、及び緩衝板１４とダイアタッチ
１８及び金属製底板１６との接合は、銀ろう等のろう付
けによって行う。このろう付けは、セラミック本体１２
等を加熱雰囲気中で銀ろう等のろう材を溶解して行われ
るため、緩衝板１４のダイアタッチ接合部２６も熱に因
る伸び等の変形が発生する。しかし、かかる変形はスリ
ット２４、２４・・によって吸収されるため、ダイアタ
ッチ接合部２６の反りとしては発現しない。
【００１１】これまで説明してきた図２に示す緩衝板１
４は、矩形のダイアタッチ接合板２６の四隅の各々に帯
状の連結部３０、３０・・が形成されていたが、帯状の
連結部３０、３０・・は、図３ａに示す如く、矩形のダ
イアタッチ接合部２６の略中央部であってもよい。ま
た、図３ｂの様に、ダイアタッチ接合部２６の周縁に、
スリット２４、２４・・に代えて透孔２５、２５・・・
を形成してもよい。この場合、連結部３０、３０・・・
は、透孔２５、２５・・・の間に形成される。かかる図
３に示す緩衝板１４において、図２に示す緩衝板１４の
様に、ダイアタッチ接合部２６に加えられる反り発生力
をダイアタッチ接合部２６を回転させる回転力に変換で
きないが、ダイアタッチ接合部に作用する反り発生力を
可及的に小さくできる。更に、図２に示す連結部３０、
３０・・・を、図３ｃに示す様に、斜めにしてもよい。
この場合にも、図２に示す様に、ダイアタッチ接合部２
６に連結部３０、３０・・を介して作用する変形力の一
部をダイアタッチ接合部２６を回転する回転力に変換で
きる。尚、図２及び図３に示す緩衝板１４のスリット２
４又は透孔２５の一部がダイアタッチ１８及び／又はパ
ッケージ本体１２に下面側に位置してもよい、この場合
においても、ダイアタッチ接合部２６に作用する反り発
生力を可及的に小さくできる。以上、述べてきた図２及
ぶ図３には、ダイアタッチ接合部２６の周縁にスリット
２４又は透孔２５が形成された緩衝板１４を示したが、
ダイアタッチ接合部２６の周縁にスリット２４と透孔２
５とが混在していてもよいことは勿論のことである。
４は、矩形のダイアタッチ接合板２６の四隅の各々に帯
状の連結部３０、３０・・が形成されていたが、帯状の
連結部３０、３０・・は、図３ａに示す如く、矩形のダ
イアタッチ接合部２６の略中央部であってもよい。ま
た、図３ｂの様に、ダイアタッチ接合部２６の周縁に、
スリット２４、２４・・に代えて透孔２５、２５・・・
を形成してもよい。この場合、連結部３０、３０・・・
は、透孔２５、２５・・・の間に形成される。かかる図
３に示す緩衝板１４において、図２に示す緩衝板１４の
様に、ダイアタッチ接合部２６に加えられる反り発生力
をダイアタッチ接合部２６を回転させる回転力に変換で
きないが、ダイアタッチ接合部に作用する反り発生力を
可及的に小さくできる。更に、図２に示す連結部３０、
３０・・・を、図３ｃに示す様に、斜めにしてもよい。
この場合にも、図２に示す様に、ダイアタッチ接合部２
６に連結部３０、３０・・を介して作用する変形力の一
部をダイアタッチ接合部２６を回転する回転力に変換で
きる。尚、図２及び図３に示す緩衝板１４のスリット２
４又は透孔２５の一部がダイアタッチ１８及び／又はパ
ッケージ本体１２に下面側に位置してもよい、この場合
においても、ダイアタッチ接合部２６に作用する反り発
生力を可及的に小さくできる。以上、述べてきた図２及
ぶ図３には、ダイアタッチ接合部２６の周縁にスリット
２４又は透孔２５が形成された緩衝板１４を示したが、
ダイアタッチ接合部２６の周縁にスリット２４と透孔２
５とが混在していてもよいことは勿論のことである。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、ろう付け等の際に、緩
衝板のダイアタッチ接合部に発生する反りを可及的に防
止できるため、緩衝板のダイアタッチ接合部にダイアタ
ッチを水平に接合できる。このため、ダイアタッチに半
導体チップを水平に搭載でき、最終的に得られる半導体
装置の信頼性を高めることができる。
衝板のダイアタッチ接合部に発生する反りを可及的に防
止できるため、緩衝板のダイアタッチ接合部にダイアタ
ッチを水平に接合できる。このため、ダイアタッチに半
導体チップを水平に搭載でき、最終的に得られる半導体
装置の信頼性を高めることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】図１のセラミックパッケージに使用した緩衝板
の正面図である。
の正面図である。
【図３】他の緩衝板の例を示す正面図である。
【図４】従来のセラミックパッケージの断面図である。
【図５】図４に示すセラミックパッケージに使用されて
いた緩衝板の反り状態を説明する断面図である。
いた緩衝板の反り状態を説明する断面図である。
１０ セラミックパッケージ １２ セラミック製パッケージ本体 １４ 緩衝板 １６ 金属製底板 １８ ダイアタッチ ２０ 半導体チップ ２２ キャビティ ２４ スリット ２５ 透孔 ２６ ダイアタッチ接合部 ２８ 緩衝板本体 ３０ 連結部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/36 7220−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 23/36 Ｄ (72)発明者 矢島 昭良 長野県長野市大字栗田字舎利田711番地 新光電気工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミック製パッケージ本体のキャビテ
ィ内に挿入される半導体チップが搭載されるダイアタッ
チと前記パッケージとの底面に、ヒートシンク等の金属
製底板が反り防止用の緩衝板を介して接合されたセラミ
ックパッケージにおいて、 該ダイアタッチが接合された緩衝板のダイアタッチ接合
部の周縁に複数のスリット及び／又は透孔が形成されて
いると共に、 前記ダイアタッチ接合部と緩衝板本体とが前記スリット
及び／又は透孔の間に形成された連結部によって連結さ
れていることを特徴とするセラミックパッケージ。 - 【請求項２】 スリット又は透孔が、緩衝板に接合され
たダイアタッチとパッケージ本体との間に形成されてい
る請求項１記載のセラミックパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3311685A JPH05129462A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | セラミツクパツケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3311685A JPH05129462A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | セラミツクパツケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129462A true JPH05129462A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=18020236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3311685A Pending JPH05129462A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | セラミツクパツケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05129462A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7132748B2 (en) | 2002-12-09 | 2006-11-07 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor apparatus |
| JP2007115793A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 高放熱型電子部品収納用パッケージ |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP3311685A patent/JPH05129462A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7132748B2 (en) | 2002-12-09 | 2006-11-07 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor apparatus |
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