JPH06196614A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JPH06196614A JPH06196614A JP43A JP34428092A JPH06196614A JP H06196614 A JPH06196614 A JP H06196614A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 34428092 A JP34428092 A JP 34428092A JP H06196614 A JPH06196614 A JP H06196614A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- lead frame
- adhesive layer
- heat dissipation
- stress
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】耐応力クラック性、リード形状の保持性、機械
的強度および放熱性に優れたリードフレームの提供。 【構成】放熱性基台と、該放熱性基台の上部に絶縁性接
着層を介して接着された応力緩衝部材と、該放熱性基台
の端部に絶縁性接着剤によって接着された、剛性金属か
らなる外側リード部材とを有し、前記応力緩衝部材の上
部に接着剤層を介して半導体装置が固設されるようにし
てなるリードフレーム。
的強度および放熱性に優れたリードフレームの提供。 【構成】放熱性基台と、該放熱性基台の上部に絶縁性接
着層を介して接着された応力緩衝部材と、該放熱性基台
の端部に絶縁性接着剤によって接着された、剛性金属か
らなる外側リード部材とを有し、前記応力緩衝部材の上
部に接着剤層を介して半導体装置が固設されるようにし
てなるリードフレーム。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームに関
し、特に、耐応力クラック性、リード形状の保持性、機
械的強度および放熱性に優れたリードフレームに関す
る。
し、特に、耐応力クラック性、リード形状の保持性、機
械的強度および放熱性に優れたリードフレームに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置は、リード
フレームに搭載され、さらに金属、セラミックまたは樹
脂からなるハウジング内に収納されたり、あるいは全体
を樹脂モールドにより封止されたパッケージとして実用
に供される。このパッケージは、プリント配線板等に実
装され、また市販に供される。このパッケージとして、
樹脂モールドによる封止型のパッケージを例にとると、
図２の模式断面図に示すように、半導体装置２１と、該
半導体装置２１を搭載し、かつ半導体装置２１の配線パ
ターンと外部回路とを連絡する役割を担うリードフレー
ム２２と、半導体装置２１とリードフレーム２２を被包
する樹脂モールド２３とから構成される。リードフレー
ム２２は、半導体装置２１をその上部に搭載する基台２
４と、基台２４の端部２５に連結された外側リード部材
２６とからなる。半導体装置２１は、基台２４の上部に
絶縁性接着層２７によって接着されて固定される。ま
た、外側リード部材２６は、基台２４の端部２５に絶縁
性接着層２８によって接続されている。また、基台２４
は、半導体装置２１の動作時の発熱を吸収し、外部に放
熱する放熱板としての役割をも担うものであり、通常、
熱伝導性の高い金属、例えば、銅等で形成されている。
また、外側リード部材２６は、半導体装置２１とワイヤ
ボンディング等（図示せず）によって電気的に接続され
る。さらに、図２においては、外側リード部材２６は単
独で示されているが、通常、リードフレームでは、搭載
される半導体装置２１が有する入出力端に対応して複数
個、多いときには数１００ピンの外側リード部材が、基
台２４に設けられる。
フレームに搭載され、さらに金属、セラミックまたは樹
脂からなるハウジング内に収納されたり、あるいは全体
を樹脂モールドにより封止されたパッケージとして実用
に供される。このパッケージは、プリント配線板等に実
装され、また市販に供される。このパッケージとして、
樹脂モールドによる封止型のパッケージを例にとると、
図２の模式断面図に示すように、半導体装置２１と、該
半導体装置２１を搭載し、かつ半導体装置２１の配線パ
ターンと外部回路とを連絡する役割を担うリードフレー
ム２２と、半導体装置２１とリードフレーム２２を被包
する樹脂モールド２３とから構成される。リードフレー
ム２２は、半導体装置２１をその上部に搭載する基台２
４と、基台２４の端部２５に連結された外側リード部材
２６とからなる。半導体装置２１は、基台２４の上部に
絶縁性接着層２７によって接着されて固定される。ま
た、外側リード部材２６は、基台２４の端部２５に絶縁
性接着層２８によって接続されている。また、基台２４
は、半導体装置２１の動作時の発熱を吸収し、外部に放
熱する放熱板としての役割をも担うものであり、通常、
熱伝導性の高い金属、例えば、銅等で形成されている。
また、外側リード部材２６は、半導体装置２１とワイヤ
ボンディング等（図示せず）によって電気的に接続され
る。さらに、図２においては、外側リード部材２６は単
独で示されているが、通常、リードフレームでは、搭載
される半導体装置２１が有する入出力端に対応して複数
個、多いときには数１００ピンの外側リード部材が、基
台２４に設けられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来のリ
ードフレームにおいては、基台と半導体装置、例えば、
銅板からなる基台とＳｉウェーハからなる半導体装置で
は、両者の熱膨張率が大きく相違し、半導体装置の動作
時の発熱によって応力が発生し、半導体装置にクラック
が発生してしまう問題があった。そのため、従来のリー
ドフレームでは、近年の半導体装置の高集積化および高
速化に伴って増加する動作時の発熱量に対応することが
できなかったり、基台と半導体装置の接着に特殊な接着
剤が必要となり、コスト上昇の原因となるなどの問題が
あった。また、従来のリードフレームでは、外側リード
部材は、銅等の柔らかく機械的強度が低い材質で形成さ
れているため、取扱い中に折れ曲がって形状が保持され
なかったり、あるいは配線基板等に実装する際に、折れ
曲がりにより実装作業が困難となるなどの問題があっ
た。
ードフレームにおいては、基台と半導体装置、例えば、
銅板からなる基台とＳｉウェーハからなる半導体装置で
は、両者の熱膨張率が大きく相違し、半導体装置の動作
時の発熱によって応力が発生し、半導体装置にクラック
が発生してしまう問題があった。そのため、従来のリー
ドフレームでは、近年の半導体装置の高集積化および高
速化に伴って増加する動作時の発熱量に対応することが
できなかったり、基台と半導体装置の接着に特殊な接着
剤が必要となり、コスト上昇の原因となるなどの問題が
あった。また、従来のリードフレームでは、外側リード
部材は、銅等の柔らかく機械的強度が低い材質で形成さ
れているため、取扱い中に折れ曲がって形状が保持され
なかったり、あるいは配線基板等に実装する際に、折れ
曲がりにより実装作業が困難となるなどの問題があっ
た。
【０００４】そこで本発明の目的は、耐応力クラック
性、リード形状の保持性、機械的強度および放熱性に優
れたリードフレームを提供することにある。
性、リード形状の保持性、機械的強度および放熱性に優
れたリードフレームを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、放熱性基台と、該放熱性基台の上部に絶
縁性接着層を介して接着された応力緩衝部材と、該放熱
性基台の端部に絶縁性接着層を介して接着された、剛性
金属からなる外側リード部材とを有し、前記応力緩衝部
材の上部に接着剤層を介して半導体装置が固設されるよ
うにしてなるリードフレームを提供するものである。
に、本発明は、放熱性基台と、該放熱性基台の上部に絶
縁性接着層を介して接着された応力緩衝部材と、該放熱
性基台の端部に絶縁性接着層を介して接着された、剛性
金属からなる外側リード部材とを有し、前記応力緩衝部
材の上部に接着剤層を介して半導体装置が固設されるよ
うにしてなるリードフレームを提供するものである。
【０００６】前記応力緩衝部材が、半導体装置の基板の
熱膨張率と等しいもしくは近似している熱膨張率を有す
る素材から形成されていると、好ましい。
熱膨張率と等しいもしくは近似している熱膨張率を有す
る素材から形成されていると、好ましい。
【０００７】以下、本発明の実施態様に係るリードフレ
ームを用いてなる半導体装置パッケージの模式部分断面
図を示す図１に基づいて、本発明のリードフレームにつ
いて詳細に説明する。
ームを用いてなる半導体装置パッケージの模式部分断面
図を示す図１に基づいて、本発明のリードフレームにつ
いて詳細に説明する。
【０００８】図１に示す半導体装置パッケージは、半導
体装置１と、該半導体装置１を搭載するための本発明の
リードフレーム２と、半導体装置１を封止する樹脂モー
ルド３とから構成される。
体装置１と、該半導体装置１を搭載するための本発明の
リードフレーム２と、半導体装置１を封止する樹脂モー
ルド３とから構成される。
【０００９】リードフレーム２は、基本的に、放熱性基
台４と、該放熱性基台４上に絶縁性接着層５を介して接
着された応力緩衝部材６と、該放熱性基台４の端部７に
絶縁性接着層８によって接着された、外側リード部材９
とからなるものである。
台４と、該放熱性基台４上に絶縁性接着層５を介して接
着された応力緩衝部材６と、該放熱性基台４の端部７に
絶縁性接着層８によって接着された、外側リード部材９
とからなるものである。
【００１０】放熱性基台４は、半導体装置の動作時に発
生する熱を吸収し、その熱をパッケージ外に放熱できる
ものであれば、特に制限されず、例えば、Ｃｕ等の熱伝
導性の高いもので形成すればよい。
生する熱を吸収し、その熱をパッケージ外に放熱できる
ものであれば、特に制限されず、例えば、Ｃｕ等の熱伝
導性の高いもので形成すればよい。
【００１１】応力緩衝部材６は、その上部に接着剤層１
０を介して半導体装置１を接着し、該半導体装置１を固
定するものであり、また、加熱時における半導体装置１
の熱膨張と放熱性基台４の熱膨張の差に起因する応力を
緩和して、該緩和による半導体装置１のクラックの発生
を防止するためのものである。この応力緩衝部材の材質
は、半導体装置の動作時の発熱あるいは信頼性試験等に
おける加熱による半導体装置１の熱膨張と放熱性基台４
の熱膨張の差により発生する応力を緩和して、半導体装
置１のクラックの発生を防止できる材質のものであれ
ば、特に限定されない。例えば、半導体装置１を構成す
る素材の熱膨張率と等しいもしくは近似の熱膨張率を有
するものから構成すればよい。具体的には、半導体装置
１がＳｉウェーハからなるものである場合は、この応力
緩衝部材を、Ｓｉと熱膨張率が等しいまたはほぼ等し
い、Ｓｉ板等で構成すればよい。
０を介して半導体装置１を接着し、該半導体装置１を固
定するものであり、また、加熱時における半導体装置１
の熱膨張と放熱性基台４の熱膨張の差に起因する応力を
緩和して、該緩和による半導体装置１のクラックの発生
を防止するためのものである。この応力緩衝部材の材質
は、半導体装置の動作時の発熱あるいは信頼性試験等に
おける加熱による半導体装置１の熱膨張と放熱性基台４
の熱膨張の差により発生する応力を緩和して、半導体装
置１のクラックの発生を防止できる材質のものであれ
ば、特に限定されない。例えば、半導体装置１を構成す
る素材の熱膨張率と等しいもしくは近似の熱膨張率を有
するものから構成すればよい。具体的には、半導体装置
１がＳｉウェーハからなるものである場合は、この応力
緩衝部材を、Ｓｉと熱膨張率が等しいまたはほぼ等し
い、Ｓｉ板等で構成すればよい。
【００１２】この応力緩衝部材の厚さ、形状、面積等
は、搭載される半導体装置の形状、大きさ、動作時の発
熱量等に応じて適宜決定される。
は、搭載される半導体装置の形状、大きさ、動作時の発
熱量等に応じて適宜決定される。
【００１３】外側リード部材９は、ボンディングワイヤ
（図示せず）によって、半導体装置１の配線パターンに
おける入出力端と接続され、この半導体装置と外部回路
とを電気的に接続するものである。
（図示せず）によって、半導体装置１の配線パターンに
おける入出力端と接続され、この半導体装置と外部回路
とを電気的に接続するものである。
【００１４】本発明のリードフレームにおいて、この外
側リード部材９は、曲がり変形による不良の発生を防止
するために、剛性金属から構成されている。この剛性金
属としては、例えば、鉄、銅−ニッケル合金（例えば、
４２合金）等が挙げられる。
側リード部材９は、曲がり変形による不良の発生を防止
するために、剛性金属から構成されている。この剛性金
属としては、例えば、鉄、銅−ニッケル合金（例えば、
４２合金）等が挙げられる。
【００１５】また、図１のリードフレームにおいて、絶
縁性接着層５、絶縁性接着層８および接着剤層１０は、
特に制限されず、常用の接着剤を使用することができ
る。特に、本発明においては、応力緩衝部材６によって
半導体装置と基台との熱膨張の差に起因する応力を緩和
することができるため、半導体装置と基台の熱膨張の差
が大きいため、両者の接着に使用できる接着剤が制限さ
れ、高価な接着剤を必要としたりするため、コスト上昇
の原因となるという従来の問題を解消することができ
る。
縁性接着層５、絶縁性接着層８および接着剤層１０は、
特に制限されず、常用の接着剤を使用することができ
る。特に、本発明においては、応力緩衝部材６によって
半導体装置と基台との熱膨張の差に起因する応力を緩和
することができるため、半導体装置と基台の熱膨張の差
が大きいため、両者の接着に使用できる接着剤が制限さ
れ、高価な接着剤を必要としたりするため、コスト上昇
の原因となるという従来の問題を解消することができ
る。
【００１６】本発明のリードフレームの製造は、常法に
したがって、基台、外側リード部材等の構成部材をエッ
チングやプレス等に形成し、これらを接着して所定の構
造に組立て、さらに応力緩衝部材を基台上に接着するこ
とにより、行なうことができ、通常のリードフレームの
製造工程に応力緩衝部材の接着工程を追加することによ
り簡便に行なうことができる。
したがって、基台、外側リード部材等の構成部材をエッ
チングやプレス等に形成し、これらを接着して所定の構
造に組立て、さらに応力緩衝部材を基台上に接着するこ
とにより、行なうことができ、通常のリードフレームの
製造工程に応力緩衝部材の接着工程を追加することによ
り簡便に行なうことができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明のリードフレームは、耐応力クラ
ック性、リード形状の保持性、機械的強度および放熱性
に優れるものである。そのため、本発明のリードフレー
ムは、近年、益々高集積化および高速化が進み、動作時
の発熱が問題となる半導体装置のリードフレームとして
有用である。また、特殊な接着剤を使用する必要がな
く、常用の接着剤で十分である、という利点もある。
ック性、リード形状の保持性、機械的強度および放熱性
に優れるものである。そのため、本発明のリードフレー
ムは、近年、益々高集積化および高速化が進み、動作時
の発熱が問題となる半導体装置のリードフレームとして
有用である。また、特殊な接着剤を使用する必要がな
く、常用の接着剤で十分である、という利点もある。
【図１】 本発明の実施態様に係るリードフレームを用
いてなる半導体装置パッケージを説明する模式部分断面
図。
いてなる半導体装置パッケージを説明する模式部分断面
図。
【図２】 従来のリードフレームについて説明する模式
部分断面図。
部分断面図。
１ 半導体装置 ２ リードフレーム ３ 樹脂モールド ４ 放熱性基台 ５ 絶縁性接着層 ６ 応力緩衝部材 ７ 端部 ８ 絶縁性接着剤 ９ 外側リード部材 １０ 接着剤層 ２１ 半導体装置 ２２ リードフレーム ２３ 樹脂モールド ２４ 基台 ２５ 端部 ２６ 外側リード部材 ２７ 絶縁性接着層 ２８ 絶縁性接着層
Claims (2)
- 【請求項１】放熱性基台と、該放熱性基台の上部に絶縁
性接着層を介して接着された応力緩衝部材と、該放熱性
基台の端部に絶縁性接着層を介して接着された、剛性金
属からなる外側リード部材とを有し、前記応力緩衝部材
の上部に接着剤層を介して半導体装置が固設されるよう
にしてなるリードフレーム。 - 【請求項２】前記応力緩衝部材が、半導体装置の基板の
熱膨張率と等しいもしくは近似している熱膨張率を有す
る素材から形成されてなる請求項１に記載のリードフレ
ーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06196614A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06196614A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196614A true JPH06196614A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18368019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP43A Pending JPH06196614A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06196614A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5834831A (en) * | 1994-08-16 | 1998-11-10 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with improved heat dissipation efficiency |
| US5929513A (en) * | 1994-08-16 | 1999-07-27 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and heat sink used therein |
| US7298039B2 (en) | 2003-08-08 | 2007-11-20 | Hitachi, Ltd. | Electronic circuit device |
-
1992
- 1992-12-24 JP JP43A patent/JPH06196614A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5834831A (en) * | 1994-08-16 | 1998-11-10 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with improved heat dissipation efficiency |
| US5929513A (en) * | 1994-08-16 | 1999-07-27 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and heat sink used therein |
| US7298039B2 (en) | 2003-08-08 | 2007-11-20 | Hitachi, Ltd. | Electronic circuit device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010925 |