JPH0513120A - 異方性導電テープコネクタと光硬化性樹脂を用いた電子部品実装構造 - Google Patents
異方性導電テープコネクタと光硬化性樹脂を用いた電子部品実装構造Info
- Publication number
- JPH0513120A JPH0513120A JP3164483A JP16448391A JPH0513120A JP H0513120 A JPH0513120 A JP H0513120A JP 3164483 A JP3164483 A JP 3164483A JP 16448391 A JP16448391 A JP 16448391A JP H0513120 A JPH0513120 A JP H0513120A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anisotropic conductive
- conductive tape
- tape connector
- electronic component
- mounting structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/15—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition on active surfaces of flip-chip devices, e.g. underfills
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】異方性導電テープコネクタ内の導電性フィラー
によって電気的にショートする可能性のある部分の絶縁
性を安定且つ高性能に保持するとともに電子部品の信頼
性を向上する。 【構成】回路基板1上の回路パターン5と電子部品の端
子間が異方性導電テープコネクタ3を介して接続され、
この異方性導電テープコネクタ3と電子部品底面間が光
硬化した絶縁性樹脂15で固定されている。
によって電気的にショートする可能性のある部分の絶縁
性を安定且つ高性能に保持するとともに電子部品の信頼
性を向上する。 【構成】回路基板1上の回路パターン5と電子部品の端
子間が異方性導電テープコネクタ3を介して接続され、
この異方性導電テープコネクタ3と電子部品底面間が光
硬化した絶縁性樹脂15で固定されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、LSIチップ等を基板
上に実装するのに異方性テープコネクタを使用する場合
の実装構造に関する。
上に実装するのに異方性テープコネクタを使用する場合
の実装構造に関する。
【0002】
【従来の技術】異方性テープコネクタを使用して電子部
品の一例のLSIチップを基板上に実装する場合の外観
斜視図を図4に示す。同図において、X−X´一部断面
図を図5に、Y−Y´一部断面図を図6に示す。回路基
板1は、ポリイミドやガラスエポキシ、ポリエステルと
いった絶縁性基材4上に、銅箔にスズメッキやニッケル
−金メッキを施した回路パターン5を形成して構成され
る。この上に、シリコン単結晶6の上に各種元素をドー
ピング拡散させ、蒸着薄膜を使って半導体素子を作りこ
み、外部との電気信号のやりとりをする電極を金メッキ
等で凸起状に加工したバンプ電極7を設けたLSIチッ
プ2を異方性導電テープコネクタ3を挟むことによって
実装接続する。この異方性導電テープコネクタ3は、ホ
ットメルト系接着剤8の中にニッケルや金等の導電性フ
ィラー9を添加したものである。この異方性導電テープ
コネクタ3を挟んで熱圧着加工することによって、図に
示すようにバンプ電極7と回路パターン5間は導電粉末
である導電性フィラー9によって接続され、且つ接着剤
によってLSIチップ2と基板1とが強固に固定され
る。
品の一例のLSIチップを基板上に実装する場合の外観
斜視図を図4に示す。同図において、X−X´一部断面
図を図5に、Y−Y´一部断面図を図6に示す。回路基
板1は、ポリイミドやガラスエポキシ、ポリエステルと
いった絶縁性基材4上に、銅箔にスズメッキやニッケル
−金メッキを施した回路パターン5を形成して構成され
る。この上に、シリコン単結晶6の上に各種元素をドー
ピング拡散させ、蒸着薄膜を使って半導体素子を作りこ
み、外部との電気信号のやりとりをする電極を金メッキ
等で凸起状に加工したバンプ電極7を設けたLSIチッ
プ2を異方性導電テープコネクタ3を挟むことによって
実装接続する。この異方性導電テープコネクタ3は、ホ
ットメルト系接着剤8の中にニッケルや金等の導電性フ
ィラー9を添加したものである。この異方性導電テープ
コネクタ3を挟んで熱圧着加工することによって、図に
示すようにバンプ電極7と回路パターン5間は導電粉末
である導電性フィラー9によって接続され、且つ接着剤
によってLSIチップ2と基板1とが強固に固定され
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記の構造において
は、異方性導電テープコネクタ3の中に含まれる導電性
フィラー9がLSIチップ2のバンプ電極7と回路基板
1の回路パターン5とを電気的に接続させることが必要
であるが、これ以外の、本来電気的に接続してはならな
い隣接する電極間や、LSIベース6と基板の回路パタ
ーン5との間は電気的に絶縁性を保持することが必要で
ある。特に、LSIチップには、その製造方法に起因し
てLSIの背面10、側面11、およびエッジ端面12
は絶縁処理がなされていない(LSIチップ2の底面は
パッシベーション膜14(図7参照)によって絶縁保護
がなされている)。したがって、LSIチップ2のエッ
ジ端面12と基板の回路パターン5とが異方性導電テー
プコネクタ3の導電性フィラー9によっ電気的にショー
トを起こす危険性が高い問題がある。図7は、エッジ端
面12と回路パターン5とが導電性フィラー9によって
電気的にショートした状態を示している。また、同時に
異方性導電テープコネクタの加圧,加熱時に、導電性フ
ィラー9が横方向に流動し凝集してしまい、その凝集位
置によっては隣接端子間のショートも引き起こすおそれ
がある。さらに、LSIチップ2の中央部と基板1との
間に隙間18が形成され、この部分に水分が進入するこ
とによってLSIチップの誤動作や破壊を引き起こすお
それもある。
は、異方性導電テープコネクタ3の中に含まれる導電性
フィラー9がLSIチップ2のバンプ電極7と回路基板
1の回路パターン5とを電気的に接続させることが必要
であるが、これ以外の、本来電気的に接続してはならな
い隣接する電極間や、LSIベース6と基板の回路パタ
ーン5との間は電気的に絶縁性を保持することが必要で
ある。特に、LSIチップには、その製造方法に起因し
てLSIの背面10、側面11、およびエッジ端面12
は絶縁処理がなされていない(LSIチップ2の底面は
パッシベーション膜14(図7参照)によって絶縁保護
がなされている)。したがって、LSIチップ2のエッ
ジ端面12と基板の回路パターン5とが異方性導電テー
プコネクタ3の導電性フィラー9によっ電気的にショー
トを起こす危険性が高い問題がある。図7は、エッジ端
面12と回路パターン5とが導電性フィラー9によって
電気的にショートした状態を示している。また、同時に
異方性導電テープコネクタの加圧,加熱時に、導電性フ
ィラー9が横方向に流動し凝集してしまい、その凝集位
置によっては隣接端子間のショートも引き起こすおそれ
がある。さらに、LSIチップ2の中央部と基板1との
間に隙間18が形成され、この部分に水分が進入するこ
とによってLSIチップの誤動作や破壊を引き起こすお
それもある。
【0004】本発明の目的は、異方性導電テープコネク
タ内の導電性フィラーによって、電気的にショートして
はならない部分の絶縁性を安定かつ高性能に保持すると
ともに、実装部の隙間をなくすことによって電子部品の
信頼性の向上を図る実装構造を提供することにある。
タ内の導電性フィラーによって、電気的にショートして
はならない部分の絶縁性を安定かつ高性能に保持すると
ともに、実装部の隙間をなくすことによって電子部品の
信頼性の向上を図る実装構造を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上の回路
と電子部品の端子間が異方性導電テープコネクタを介し
て接続され、この異方性導電テープコネクタと前記電子
部品底面間が光硬化した絶縁性樹脂と加圧,加熱処理し
た前記異方性導電テープコネクタで固定されていること
を特徴とするものである。
と電子部品の端子間が異方性導電テープコネクタを介し
て接続され、この異方性導電テープコネクタと前記電子
部品底面間が光硬化した絶縁性樹脂と加圧,加熱処理し
た前記異方性導電テープコネクタで固定されていること
を特徴とするものである。
【0006】
【作用】基板上の回路と電子部品の端子間に異方性導電
テープコネクタが配置されることによって、両者が電気
的に接続される。また、この異方性導電テープコネクタ
と電子部品底面間に光硬化性の絶縁性樹脂が配置される
ことによって、電子部品の底面と基板上の回路との間の
絶縁性が保持される。また、電子部品実装部では、異方
性導電テープコネクタと光硬化した絶縁性樹脂とが積層
構造となっているためにこの部分における隙間が生じな
い。したがって、実装の接着力が強固なものとなる。
テープコネクタが配置されることによって、両者が電気
的に接続される。また、この異方性導電テープコネクタ
と電子部品底面間に光硬化性の絶縁性樹脂が配置される
ことによって、電子部品の底面と基板上の回路との間の
絶縁性が保持される。また、電子部品実装部では、異方
性導電テープコネクタと光硬化した絶縁性樹脂とが積層
構造となっているためにこの部分における隙間が生じな
い。したがって、実装の接着力が強固なものとなる。
【0007】
【実施例】図1は本発明の実施例の電子部品実装構造を
示す図である。
示す図である。
【0008】回路パターン5と絶縁性基材4からなる回
路基板1と、底部にバンプ電極7を有するLSIチップ
2との間には、異方性導電テープコネクタ3と光硬化性
樹脂15とが配置されている。バンプ電極7は、異方性
導電テープコネクタ3を介して回路パターン5と電気的
に接続されており、LSIチップ2の底部と回路基板1
とは、光硬化性樹脂15および異方性導電テープコネク
タ3によって強固に接着されている。図に示すように、
LSIチップ2のエッジ端面12と異方性導電テープコ
ネクタ3との間には光硬化性の絶縁樹脂15があるため
にこのエッジ端面12の絶縁が保持されている。
路基板1と、底部にバンプ電極7を有するLSIチップ
2との間には、異方性導電テープコネクタ3と光硬化性
樹脂15とが配置されている。バンプ電極7は、異方性
導電テープコネクタ3を介して回路パターン5と電気的
に接続されており、LSIチップ2の底部と回路基板1
とは、光硬化性樹脂15および異方性導電テープコネク
タ3によって強固に接着されている。図に示すように、
LSIチップ2のエッジ端面12と異方性導電テープコ
ネクタ3との間には光硬化性の絶縁樹脂15があるため
にこのエッジ端面12の絶縁が保持されている。
【0009】次に、上記の実装構造の形成方法について
図2および図3を参照して説明する。
図2および図3を参照して説明する。
【0010】まず、図2(A)に示すように、回路基板
1に、厚さ約10μmの異方性導電テープコネクタ3を
LSIチップ2の実装位置に配置する(配置する方法
は、一般に、軽く熱と圧力を加えて転写して形成す
る)。この回路基板1の回路パターン5とLSIチップ
2のバンプ電極7とを位置合わせし、軽く熱と圧力を加
えて、LSIチップ2を回路基板上に仮固定する。仮固
定条件は、ほぼ120〜150度の温度で1〜3秒程
度、200〜1000gr/LSIの荷重とする。この
時、高さ20〜25μmのバンプ電極7は、異方性導電
テープコネクタの中に含まれる導電性フィラー9に届く
まで埋め込まれる。その量は、異方性導電テープコネク
タの導電性フィラーの粒子系約5μmに相当し、約5μ
mほど、テープコネクタ内に沈み込む。この時の接続部
分の導通抵抗は100mΩ〜500mΩになる。しか
し、異方性導電テープコネクタ3内に沈み込むのはバン
プ電極7のみで、それ以外の部分のテープコネクタは全
く熱反応硬化をしていない状態にあり、LSIチップ2
のバンプ電極部分以外は、すなわちLSIチップ2の底
面と異方性導電テープコネクタ3との間の隙間は最低で
も5μm以上の厚さで保持される(図2(B)参照)。
次にLSIチップ2の側面斜め方向より、液状の光硬化
性樹脂15を摘下した樹脂は、毛細管現象によりLSI
チップ2と異方性導電テープコネクタ3との隙間にそっ
て優先的に浸透していき、隙間全体が光硬化性樹脂15
によって充填される(図2(C)参照)。次に、紫外線
(UV)ランプ16を照射し、光反応硬化をさせる。光
硬化のために温度を上げる必要もなく、仮固定されたL
SIチップ2の接続部分(バンプ電極部分)は全く熱的
なダメージを受けないままで保持された状態にある。最
後に、異方性導電テープコネクタ3の硬化反応を完全に
行うために、本圧着を行う。本圧着条件としては、温度
150〜200度で10秒〜20秒間の間、2kg〜6
kg/LSIの加圧力とする。この本圧着時の加圧力は
仮固定時の加圧力の二倍以上であることが望ましい。
1に、厚さ約10μmの異方性導電テープコネクタ3を
LSIチップ2の実装位置に配置する(配置する方法
は、一般に、軽く熱と圧力を加えて転写して形成す
る)。この回路基板1の回路パターン5とLSIチップ
2のバンプ電極7とを位置合わせし、軽く熱と圧力を加
えて、LSIチップ2を回路基板上に仮固定する。仮固
定条件は、ほぼ120〜150度の温度で1〜3秒程
度、200〜1000gr/LSIの荷重とする。この
時、高さ20〜25μmのバンプ電極7は、異方性導電
テープコネクタの中に含まれる導電性フィラー9に届く
まで埋め込まれる。その量は、異方性導電テープコネク
タの導電性フィラーの粒子系約5μmに相当し、約5μ
mほど、テープコネクタ内に沈み込む。この時の接続部
分の導通抵抗は100mΩ〜500mΩになる。しか
し、異方性導電テープコネクタ3内に沈み込むのはバン
プ電極7のみで、それ以外の部分のテープコネクタは全
く熱反応硬化をしていない状態にあり、LSIチップ2
のバンプ電極部分以外は、すなわちLSIチップ2の底
面と異方性導電テープコネクタ3との間の隙間は最低で
も5μm以上の厚さで保持される(図2(B)参照)。
次にLSIチップ2の側面斜め方向より、液状の光硬化
性樹脂15を摘下した樹脂は、毛細管現象によりLSI
チップ2と異方性導電テープコネクタ3との隙間にそっ
て優先的に浸透していき、隙間全体が光硬化性樹脂15
によって充填される(図2(C)参照)。次に、紫外線
(UV)ランプ16を照射し、光反応硬化をさせる。光
硬化のために温度を上げる必要もなく、仮固定されたL
SIチップ2の接続部分(バンプ電極部分)は全く熱的
なダメージを受けないままで保持された状態にある。最
後に、異方性導電テープコネクタ3の硬化反応を完全に
行うために、本圧着を行う。本圧着条件としては、温度
150〜200度で10秒〜20秒間の間、2kg〜6
kg/LSIの加圧力とする。この本圧着時の加圧力は
仮固定時の加圧力の二倍以上であることが望ましい。
【0011】この本圧着によって、接続部分は10mΩ
以下の低抵抗で導通が確保されるようになる。
以下の低抵抗で導通が確保されるようになる。
【0012】図3は図1の実装構造を実現する別の方法
を示している。
を示している。
【0013】まず、同図(A)に示すように、LSIチ
ップ面に光硬化性樹脂15を摘下する。LSIチップを
約80〜100度に加熱すると光硬化性樹脂15の液粘
度が急速に低下し、LSIチップの底面(図では上方に
なっている)全体に樹脂液が広がる(同図(B)参
照)。この後UVランプ16を照射して、LSIチップ
底面に広がった樹脂を光硬化させる(同図(C)参
照)。予めここまで処理されたLSIチップ2を、既に
異方性導電テープコネクタが転写された回路基板1に位
置合わせし(同図(D)参照)、熱圧着を行って接続と
接着を同時に行う(同図(E)参照)。
ップ面に光硬化性樹脂15を摘下する。LSIチップを
約80〜100度に加熱すると光硬化性樹脂15の液粘
度が急速に低下し、LSIチップの底面(図では上方に
なっている)全体に樹脂液が広がる(同図(B)参
照)。この後UVランプ16を照射して、LSIチップ
底面に広がった樹脂を光硬化させる(同図(C)参
照)。予めここまで処理されたLSIチップ2を、既に
異方性導電テープコネクタが転写された回路基板1に位
置合わせし(同図(D)参照)、熱圧着を行って接続と
接着を同時に行う(同図(E)参照)。
【0014】なお、本実施例では、異方性導電テープコ
ネクタ3の厚さが基板回路段差(回路厚さ)に略等し
く、光硬化性樹脂の塗布厚さがLSIバンプ電極7の高
さに略等しくなるようにして、実装後に間隙が生じない
ように十分な充填量を確保することが必要である。光硬
化性樹脂は、アクリル系をベースに変性されたもので、
硬化後の樹脂はガラス転移点が100度以下に設定され
ており、一般の有機材料がガラス転移点を超えたときに
軟化してゴム状になるのと同様に、150〜200度と
いった高温ではゴム状の柔らかい性質に変わる。熱圧着
時の温度は上記光硬化性樹脂のガラス転移温度に比べて
はるかに高いために、そのときの光硬化性樹脂はかなり
軟化している。一方、異方性導電テープコネクタ3は熱
圧着温度で硬化反応する際に光硬化性樹脂よりも溶融温
度が一般に低くなる。これは、接着剤が硬化反応をする
ときの性質と硬化した後の物質を温度を上げてガラス転
移点を超える温度に上げたときとでは物質の分子構造が
全く異なることによる。
ネクタ3の厚さが基板回路段差(回路厚さ)に略等し
く、光硬化性樹脂の塗布厚さがLSIバンプ電極7の高
さに略等しくなるようにして、実装後に間隙が生じない
ように十分な充填量を確保することが必要である。光硬
化性樹脂は、アクリル系をベースに変性されたもので、
硬化後の樹脂はガラス転移点が100度以下に設定され
ており、一般の有機材料がガラス転移点を超えたときに
軟化してゴム状になるのと同様に、150〜200度と
いった高温ではゴム状の柔らかい性質に変わる。熱圧着
時の温度は上記光硬化性樹脂のガラス転移温度に比べて
はるかに高いために、そのときの光硬化性樹脂はかなり
軟化している。一方、異方性導電テープコネクタ3は熱
圧着温度で硬化反応する際に光硬化性樹脂よりも溶融温
度が一般に低くなる。これは、接着剤が硬化反応をする
ときの性質と硬化した後の物質を温度を上げてガラス転
移点を超える温度に上げたときとでは物質の分子構造が
全く異なることによる。
【0015】上記の光硬化性樹脂については、熱硬化性
のエポキシ変性樹脂等を添加し、光硬化性樹脂15がま
だ未硬化の状態の時のヤング率を低く押さえ、硬化した
後にはヤング率を大幅に向上させて本圧着後の接着,固
着力を上げることも可能である。
のエポキシ変性樹脂等を添加し、光硬化性樹脂15がま
だ未硬化の状態の時のヤング率を低く押さえ、硬化した
後にはヤング率を大幅に向上させて本圧着後の接着,固
着力を上げることも可能である。
【0016】また、光硬化反応を阻害させない程度の絶
縁性微粒子(アルミナやシリカといった無機物でもプラ
スチック粒子等の有機物でも可能)を予め配合してお
き、本圧着の際のショート防止をより確実にする手段も
講じることが可能である。
縁性微粒子(アルミナやシリカといった無機物でもプラ
スチック粒子等の有機物でも可能)を予め配合してお
き、本圧着の際のショート防止をより確実にする手段も
講じることが可能である。
【0017】
【発明の効果】異方性導電テープコネクタの上方に絶縁
性樹脂である光硬化性樹脂が介在する為に、電子部品の
底面と異方性導電テープコネクタ間の電気的なショート
を確実に防ぐことができる。電子部品の底面と基板間
が、異方性導電テープコネクタと光硬化性の樹脂との二
層構造で埋められるためにこの部分に隙間ができにく
く、強力な接着固定を可能にするとともに、水分等が浸
入することによって電子部品に対して悪影響が及ぶのを
防ぐことができる。また、異方性導電テープコネクタと
光硬化性の樹脂とは相互に影響を及ぼすことなく硬化す
ることができるために実装部の品質が低下するというこ
とがない。
性樹脂である光硬化性樹脂が介在する為に、電子部品の
底面と異方性導電テープコネクタ間の電気的なショート
を確実に防ぐことができる。電子部品の底面と基板間
が、異方性導電テープコネクタと光硬化性の樹脂との二
層構造で埋められるためにこの部分に隙間ができにく
く、強力な接着固定を可能にするとともに、水分等が浸
入することによって電子部品に対して悪影響が及ぶのを
防ぐことができる。また、異方性導電テープコネクタと
光硬化性の樹脂とは相互に影響を及ぼすことなく硬化す
ることができるために実装部の品質が低下するというこ
とがない。
【図1】本発明の実施例の電子部品実装構造を示す図
【図2】上記電子部品実装構造を実現する方法の具体例
を工程順に示す図
を工程順に示す図
【図3】上記電子部品実装構造を実現する他の方法の具
体例を工程順に示す図
体例を工程順に示す図
【図4】LSIチップの実装形態を示す外観斜視図
【図5】X−X´一部断面図
【図6】Y−Y´一部断面図
【図7】従来の電子部品実装構造の欠点を示す図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】基板上の回路と電子部品の端子間が異方性
導電テープコネクタを介して接続され、この異方性導電
テープコネクタと前記電子部品底面間が光硬化した絶縁
性樹脂と加圧,加熱処理した前記異方性導電テープコネ
クタで固定されていることを特徴とする、異方性導電テ
ープコネクタと光硬化性樹脂を用いた電子部品実装構
造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3164483A JPH0513120A (ja) | 1991-07-04 | 1991-07-04 | 異方性導電テープコネクタと光硬化性樹脂を用いた電子部品実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3164483A JPH0513120A (ja) | 1991-07-04 | 1991-07-04 | 異方性導電テープコネクタと光硬化性樹脂を用いた電子部品実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513120A true JPH0513120A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15794032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3164483A Pending JPH0513120A (ja) | 1991-07-04 | 1991-07-04 | 異方性導電テープコネクタと光硬化性樹脂を用いた電子部品実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513120A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002075065A (ja) * | 2000-06-14 | 2002-03-15 | Sekisui Chem Co Ltd | 微粒子配置フィルム、導電接続フィルム、導電接続構造体及び微粒子の配置方法 |
| WO2003001586A1 (fr) * | 2001-06-20 | 2003-01-03 | Toray Engineering Co., Ltd. | Procede et dispositif de montage |
| JP2009021595A (ja) * | 2008-07-08 | 2009-01-29 | Hitachi Chem Co Ltd | リワーク方法 |
-
1991
- 1991-07-04 JP JP3164483A patent/JPH0513120A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002075065A (ja) * | 2000-06-14 | 2002-03-15 | Sekisui Chem Co Ltd | 微粒子配置フィルム、導電接続フィルム、導電接続構造体及び微粒子の配置方法 |
| WO2003001586A1 (fr) * | 2001-06-20 | 2003-01-03 | Toray Engineering Co., Ltd. | Procede et dispositif de montage |
| JP2009021595A (ja) * | 2008-07-08 | 2009-01-29 | Hitachi Chem Co Ltd | リワーク方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3994262B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JPH08186156A (ja) | 電子部品の接続方法 | |
| JP3654116B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| US6528889B1 (en) | Electronic circuit device having adhesion-reinforcing pattern on a circuit board for flip-chip mounting an IC chip | |
| JP3436170B2 (ja) | 異方性導電フィルム、これを用いた半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3725300B2 (ja) | Acf接合構造 | |
| JP2000243864A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP3269390B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH114064A (ja) | 異方性導電樹脂及びこれを用いた電子部品の実装構造 | |
| JP2001068604A (ja) | 固定樹脂、異方性導電樹脂、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP3438583B2 (ja) | 異方導電性フィルムの接続方法 | |
| JP3120837B2 (ja) | 電気的接続用の樹脂フィルムおよび樹脂フィルムを用いた電気的接続方法 | |
| JPH10125725A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0951018A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2000058597A (ja) | 電子部品実装方法 | |
| JP2002118148A (ja) | プリント配線基板に半導体チップを装着する方法及びその方法の実施に用いる装着用シート | |
| JP3547270B2 (ja) | 実装構造体およびその製造方法 | |
| JPH06163746A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2705658B2 (ja) | 電子デバイス組立体およびその製造方法 | |
| JP2002016104A (ja) | 半導体装置の実装方法および半導体装置実装体の製造方法 | |
| JP2002252326A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3337922B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3598058B2 (ja) | 回路基板 | |
| JP3383774B2 (ja) | 半導体素子の実装方法 | |
| JP2841822B2 (ja) | 混成集積回路の製造方法 |