JPH0513348A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0513348A JPH0513348A JP18530191A JP18530191A JPH0513348A JP H0513348 A JPH0513348 A JP H0513348A JP 18530191 A JP18530191 A JP 18530191A JP 18530191 A JP18530191 A JP 18530191A JP H0513348 A JPH0513348 A JP H0513348A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction chamber
- reacting room
- pressure
- processing sequence
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 減圧気相成長を行う半導体製造装置の反応室
内に付着する塵埃を減少させる。 【構成】 処理シーケンス１４ａ，１４ｂを行った後
と、次の処理シーケンス１４ａ，１４ｂを行うまでの間
に、反応室内の減圧と昇圧を繰り返し行う動作を含むス
タンバイ・シーケンス１２を設ける。
内に付着する塵埃を減少させる。 【構成】 処理シーケンス１４ａ，１４ｂを行った後
と、次の処理シーケンス１４ａ，１４ｂを行うまでの間
に、反応室内の減圧と昇圧を繰り返し行う動作を含むス
タンバイ・シーケンス１２を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造装置に関
し、特に減圧気相成長装置の制御方式の改良を図ったも
のに関するものである。
し、特に減圧気相成長装置の制御方式の改良を図ったも
のに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は減圧気相成長装置（以下、ＬＰ−
ＣＶＤ装置と記す）の構成を表わす概略構成図であり、
図において、１は半導体ウエハ、２はこの半導体ウエハ
１を複数枚支持する、例えば石英製のボート、３はこの
ボート２を内部に収める反応室、４は前記ボート２を載
置して前記反応室３への出し入れを行うボートローダ
ー、５は前記反応室３の外部を囲むヒータ、６は前記反
応室３へ供給するガスの供給・停止を行う開閉弁、７は
前記反応室３へ供給するガスの流量を調整する流量調整
弁、８は前記反応室３の真空排気の排気・停止を行うた
めの開閉弁、９は真空排気能力を調整して前記反応室３
内の圧力の調整を行う排気制御弁、１０は真空排気を行
う真空ポンプである。また、１１ｂはヒータ５を制御す
る温度制御部、１１ｃは開閉弁８，排気制御弁９及び真
空ポンプ１０を制御する圧力制御部、１１ｄはボートロ
ーダー４を制御する機械制御部、１１ｅは開閉弁６及び
流量制御弁７を制御するガス制御部、１１ａは温度制御
部１１ｂ，圧力制御部１１ｃ，機械制御部１１ｄ及びガ
ス制御部１１ｅを制御するシーケンス制御部である。な
お、ＬＰ−ＣＶＤ装置は各部の状態（温度，圧力，機械
の動作，ガス流量）をステップごとに規定し、これをシ
ーケンシャルに変化させて動作させる。
ＣＶＤ装置と記す）の構成を表わす概略構成図であり、
図において、１は半導体ウエハ、２はこの半導体ウエハ
１を複数枚支持する、例えば石英製のボート、３はこの
ボート２を内部に収める反応室、４は前記ボート２を載
置して前記反応室３への出し入れを行うボートローダ
ー、５は前記反応室３の外部を囲むヒータ、６は前記反
応室３へ供給するガスの供給・停止を行う開閉弁、７は
前記反応室３へ供給するガスの流量を調整する流量調整
弁、８は前記反応室３の真空排気の排気・停止を行うた
めの開閉弁、９は真空排気能力を調整して前記反応室３
内の圧力の調整を行う排気制御弁、１０は真空排気を行
う真空ポンプである。また、１１ｂはヒータ５を制御す
る温度制御部、１１ｃは開閉弁８，排気制御弁９及び真
空ポンプ１０を制御する圧力制御部、１１ｄはボートロ
ーダー４を制御する機械制御部、１１ｅは開閉弁６及び
流量制御弁７を制御するガス制御部、１１ａは温度制御
部１１ｂ，圧力制御部１１ｃ，機械制御部１１ｄ及びガ
ス制御部１１ｅを制御するシーケンス制御部である。な
お、ＬＰ−ＣＶＤ装置は各部の状態（温度，圧力，機械
の動作，ガス流量）をステップごとに規定し、これをシ
ーケンシャルに変化させて動作させる。
【０００３】また、図４は従来の半導体製造装置のシー
ケンシャル制御の様子を示す図であり、図において、１
４ａ，１４ｂは処理シーケンス、１５は処理シーケンス
１４ａ，１４ｂにないときの装置状態を規定するスタン
バイ状態である。なお、図中の白丸は１つのステップ
を、矢印は次のステップへの移り変わりを示すものであ
る。
ケンシャル制御の様子を示す図であり、図において、１
４ａ，１４ｂは処理シーケンス、１５は処理シーケンス
１４ａ，１４ｂにないときの装置状態を規定するスタン
バイ状態である。なお、図中の白丸は１つのステップ
を、矢印は次のステップへの移り変わりを示すものであ
る。
【０００４】次に動作について図３，図４を用いて説明
する。従来のＬＰ−ＣＶＤ装置では図４に示すように、
成膜処理のためのシーケンス１４ａ，１４ｂを行ってい
ないときの装置状態として、温度，圧力，機械の動作，
ガス流量を静的に規定したスタンバイ状態１５をとって
いる。スタンバイ状態１５は、例えば温度は成膜温度と
同じ（５００℃〜９００℃）、圧力は排気をせずに常
圧、ボートローダー４はボート２が反応室３から引き出
された状態で停止とし、ガスは不活性ガス、例えば窒素
を供給している。
する。従来のＬＰ−ＣＶＤ装置では図４に示すように、
成膜処理のためのシーケンス１４ａ，１４ｂを行ってい
ないときの装置状態として、温度，圧力，機械の動作，
ガス流量を静的に規定したスタンバイ状態１５をとって
いる。スタンバイ状態１５は、例えば温度は成膜温度と
同じ（５００℃〜９００℃）、圧力は排気をせずに常
圧、ボートローダー４はボート２が反応室３から引き出
された状態で停止とし、ガスは不活性ガス、例えば窒素
を供給している。
【０００５】処理シーケンス１４ａ，１４ｂは、例えば
半導体ウエハ１をボート２に乗せ、ボート２をボートロ
ーダー４によって反応室３に収納し、真空ポンプ１０に
より反応室３を真空引きする。次に半導体ウエハ１をヒ
ータ５で成膜に適した温度（５００℃〜９００℃）に加
熱し、半導体ウエハ１の温度が均一となった後、半導体
ウエハ１表面に成膜をする。なお、成膜時の材料ガス
は、例えば多結晶シリコン膜を堆積させるときはシラン
を供給する。このときガス流量は流量制御弁７で制御さ
れ、反応室３内の圧力は成膜に適した圧力、例えば１０
０Ｐａになるように排気制御弁９で制御される。所望の
厚さの成膜が行われた後、材料ガスの供給を停止して、
反応室３内を真空排気して反応室３内に残留する材料ガ
ス及びその化学反応で生じたガスを除去する。次に真空
排気を停止して不活性ガス、例えば窒素ガスを反応室３
に導入して反応室３内の圧力が常圧となったらボート２
をボートローダー４で反応室３から取り出して、ボート
２から成膜を終えた半導体ウエハ１をおろす。
半導体ウエハ１をボート２に乗せ、ボート２をボートロ
ーダー４によって反応室３に収納し、真空ポンプ１０に
より反応室３を真空引きする。次に半導体ウエハ１をヒ
ータ５で成膜に適した温度（５００℃〜９００℃）に加
熱し、半導体ウエハ１の温度が均一となった後、半導体
ウエハ１表面に成膜をする。なお、成膜時の材料ガス
は、例えば多結晶シリコン膜を堆積させるときはシラン
を供給する。このときガス流量は流量制御弁７で制御さ
れ、反応室３内の圧力は成膜に適した圧力、例えば１０
０Ｐａになるように排気制御弁９で制御される。所望の
厚さの成膜が行われた後、材料ガスの供給を停止して、
反応室３内を真空排気して反応室３内に残留する材料ガ
ス及びその化学反応で生じたガスを除去する。次に真空
排気を停止して不活性ガス、例えば窒素ガスを反応室３
に導入して反応室３内の圧力が常圧となったらボート２
をボートローダー４で反応室３から取り出して、ボート
２から成膜を終えた半導体ウエハ１をおろす。
【０００６】このような処理シーケンスを繰り返し行う
と、反応室３の内部にも成膜反応の過程で膜が堆積する
が、ヒータによる加熱が十分でない部分では反応が十分
に行われず、容易にはがれてしまう膜が堆積したり、粉
状のものが堆積したりしていた。これらは塵埃となり、
処理中に半導体ウエハ１の表面に付着することにより、
このＬＰ−ＣＶＤ装置で作られる半導体装置の不良を引
き起こす。
と、反応室３の内部にも成膜反応の過程で膜が堆積する
が、ヒータによる加熱が十分でない部分では反応が十分
に行われず、容易にはがれてしまう膜が堆積したり、粉
状のものが堆積したりしていた。これらは塵埃となり、
処理中に半導体ウエハ１の表面に付着することにより、
このＬＰ−ＣＶＤ装置で作られる半導体装置の不良を引
き起こす。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体製造装置
は以上のように構成されているので、装置内の塵埃が半
導体ウエハに付着する量を減少させるために、真空排気
やガス導入による圧力変化を緩慢にして、その結果、処
理に要する時間が長くなったり、また装置の分解・洗浄
の回数を増やす結果、装置の稼働率が低下するなどの問
題点があった。
は以上のように構成されているので、装置内の塵埃が半
導体ウエハに付着する量を減少させるために、真空排気
やガス導入による圧力変化を緩慢にして、その結果、処
理に要する時間が長くなったり、また装置の分解・洗浄
の回数を増やす結果、装置の稼働率が低下するなどの問
題点があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、反応室内の塵埃を減少させ、上
記反応室内で製造される半導体装置の不良の発生を減少
させることのできる半導体製造装置を得ることを目的と
する。
ためになされたもので、反応室内の塵埃を減少させ、上
記反応室内で製造される半導体装置の不良の発生を減少
させることのできる半導体製造装置を得ることを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体製
造装置は、処理シーケンスを行った後と、次の処理シー
ケンスを行うまでの間に、反応室内を減圧させる動作
と、反応室内を昇圧させる動作からなる繰り返し動作を
含むスタンバイ・シーケンスを行うようにしたものであ
る。
造装置は、処理シーケンスを行った後と、次の処理シー
ケンスを行うまでの間に、反応室内を減圧させる動作
と、反応室内を昇圧させる動作からなる繰り返し動作を
含むスタンバイ・シーケンスを行うようにしたものであ
る。
【００１０】
【作用】この発明における半導体製造装置は、スタンバ
イ・シーケンスにおいて、半導体ウエハが反応室にない
状態で反応室内の減圧と昇圧とを繰り返し行うようにし
て、装置内に付着している塵埃を舞い上げて装置外へ排
出するようにしたので、処理シーケンスを長くしたり、
稼働率を低下させることなく、半導体ウエハに付着する
塵埃の量を減らすことができる。
イ・シーケンスにおいて、半導体ウエハが反応室にない
状態で反応室内の減圧と昇圧とを繰り返し行うようにし
て、装置内に付着している塵埃を舞い上げて装置外へ排
出するようにしたので、処理シーケンスを長くしたり、
稼働率を低下させることなく、半導体ウエハに付着する
塵埃の量を減らすことができる。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。この発明の一実施例による半導体製造装置は、そ
の装置のブロック構成は従来のものと同様であるが、シ
ーケンシャル制御の様子が異なるものである。図１はこ
の発明の一実施例による半導体製造装置のシーケンシャ
ル制御の様子を示す図である。図において、１２はスタ
ンバイ・シーケンス、１３は前記スタンバイ・シーケン
ス１２中の繰り返し部分、１４ａ，１４ｂは処理シーケ
ンスである。なお、図中の白丸・矢印は従来例と同じで
ある。図２はこの発明の一実施例によるスタンバイ・シ
ーケンスを示すフローチャートである。
する。この発明の一実施例による半導体製造装置は、そ
の装置のブロック構成は従来のものと同様であるが、シ
ーケンシャル制御の様子が異なるものである。図１はこ
の発明の一実施例による半導体製造装置のシーケンシャ
ル制御の様子を示す図である。図において、１２はスタ
ンバイ・シーケンス、１３は前記スタンバイ・シーケン
ス１２中の繰り返し部分、１４ａ，１４ｂは処理シーケ
ンスである。なお、図中の白丸・矢印は従来例と同じで
ある。図２はこの発明の一実施例によるスタンバイ・シ
ーケンスを示すフローチャートである。
【００１２】次に動作について説明する。半導体ウエハ
１の表面に成膜を行う処理シーケンス１４ａ，１４ｂは
従来例と同様であるので説明は省略し、スタンバイ・シ
ーケンスについて説明する。
１の表面に成膜を行う処理シーケンス１４ａ，１４ｂは
従来例と同様であるので説明は省略し、スタンバイ・シ
ーケンスについて説明する。
【００１３】半導体ウエハ１をボート２からおろして処
理シーケンス１４ａまたは１４ｂが終了（ステップ２
１）した後、スタンバイ・シーケンス１２を開始する。
まず、ボートローダー４を上昇させて反応室３を密閉す
る。（ステップ２２）。
理シーケンス１４ａまたは１４ｂが終了（ステップ２
１）した後、スタンバイ・シーケンス１２を開始する。
まず、ボートローダー４を上昇させて反応室３を密閉す
る。（ステップ２２）。
【００１４】次に反応室３内へ供給する全てのガスの開
閉弁６を閉じ、真空引き用の開閉弁８を開いて真空ポン
プ１０により反応室３内を、例えば１Ｐａ以下まで真空
引きする（ステップ２３）。
閉弁６を閉じ、真空引き用の開閉弁８を開いて真空ポン
プ１０により反応室３内を、例えば１Ｐａ以下まで真空
引きする（ステップ２３）。
【００１５】１Ｐａ以下で、例えば１分間保持した後、
不活性ガス、例えば窒素を供給する開閉弁６を開き、反
応室３内の圧力を上昇させる。この時は、通常の処理シ
ーケンスとは違い、反応室３に付着している塵埃が反応
室３内に舞い上がるように毎分１リットル以上の大量の
ガスを供給して、急激な圧力変化を起こす（ステップ２
４）。
不活性ガス、例えば窒素を供給する開閉弁６を開き、反
応室３内の圧力を上昇させる。この時は、通常の処理シ
ーケンスとは違い、反応室３に付着している塵埃が反応
室３内に舞い上がるように毎分１リットル以上の大量の
ガスを供給して、急激な圧力変化を起こす（ステップ２
４）。
【００１６】次に、その時点において、処理シーケンス
１４ａまたは１４ｂを行うのかどうかを判断し（ステッ
プ２５）、もし処理シーケンス１４ａまたは１４ｂを行
わないのであればステップ２３へ戻る。また、もし処理
シーケンス１４ａまたは１４ｂを行うのであればステッ
プ２６へ進み、窒素供給用の開閉弁６を閉じて、反応室
３内の真空引きを行う。
１４ａまたは１４ｂを行うのかどうかを判断し（ステッ
プ２５）、もし処理シーケンス１４ａまたは１４ｂを行
わないのであればステップ２３へ戻る。また、もし処理
シーケンス１４ａまたは１４ｂを行うのであればステッ
プ２６へ進み、窒素供給用の開閉弁６を閉じて、反応室
３内の真空引きを行う。
【００１７】次に、真空引きを停止して、窒素を供給し
て反応室３を常圧に戻し（ステップ２７）、ボートロー
ダー４を下降させて、反応室３を開放する（ステップ２
８）。
て反応室３を常圧に戻し（ステップ２７）、ボートロー
ダー４を下降させて、反応室３を開放する（ステップ２
８）。
【００１８】以上でスタンバイ・シーケンス１２が終わ
り、処理シーケンス１４ａまたは１４ｂを開始する（ス
テップ２９）。
り、処理シーケンス１４ａまたは１４ｂを開始する（ス
テップ２９）。
【００１９】なお、ステップ２４において舞い上げられ
た塵埃は、ステップ２３あるいはステップ２６の真空引
きのときに反応室３外に排出される。
た塵埃は、ステップ２３あるいはステップ２６の真空引
きのときに反応室３外に排出される。
【００２０】このように、この実施例によれば、処理シ
ーケンスを行った後と、次の処理シーケンスが始まるま
での間、スタンバイ・シーケンスによって、繰り返し反
応室内の塵埃の除去を行うので、装置の稼働率を低下さ
せることなく、不良の発生の少ない半導体装置を製造す
ることができる。
ーケンスを行った後と、次の処理シーケンスが始まるま
での間、スタンバイ・シーケンスによって、繰り返し反
応室内の塵埃の除去を行うので、装置の稼働率を低下さ
せることなく、不良の発生の少ない半導体装置を製造す
ることができる。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る半導体製
造装置によれば、処理シーケンスを行った後と、次の処
理シーケンスが始まるまでの間、スタンバイ・シーケン
スによって、反応室内で減圧・昇圧を繰り返し行うよう
にしたので、反応室内の塵埃を減少でき、この装置で製
造する半導体装置の不良の発生を減らすことができると
いう効果がある。
造装置によれば、処理シーケンスを行った後と、次の処
理シーケンスが始まるまでの間、スタンバイ・シーケン
スによって、反応室内で減圧・昇圧を繰り返し行うよう
にしたので、反応室内の塵埃を減少でき、この装置で製
造する半導体装置の不良の発生を減らすことができると
いう効果がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体製造装置のシ
ーケンシャル制御の様子を示す図である。
ーケンシャル制御の様子を示す図である。
【図２】この発明の一実施例によるスタンバイ・シーケ
ンスを示すフローチャートである。
ンスを示すフローチャートである。
【図３】減圧気相成長を行う半導体製造装置の概略構成
図である。
図である。
【図４】従来の半導体製造装置のシーケンシャル制御の
様子を示す図である。
様子を示す図である。
１ 半導体ウエハ ２ ボート ３ 反応室 ４ ボートローダー ５ ヒータ ６ 開閉弁 ７ 流量制御弁 ８ 開閉弁 ９ 排気制御弁 １０ 真空ポンプ １２ スタンバイ・シーケンス １３ スタンバイ・シケンスの繰り返し部分 １４ａ 処理シーケンス １４ｂ 処理シーケンス
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体ウエハを反応室に収納し、該反応
室を減圧状態にしながら材料ガスを供給し、上記半導体
ウエハを加熱して半導体ウエハ表面に膜を堆積し、上記
半導体ウエハを反応室から取り出す処理シーケンスを少
なくとも２通り設定できる半導体製造装置において、 上記処理シーケンスを行った後と、次の処理シーケンス
を行うまでの間に、反応室内を減圧させる動作と、反応
室内に不活性ガスを導入して昇圧させる動作とからなる
繰り返し動作を含むスタンバイ・シーケンスを行うこと
を特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18530191A JPH0513348A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18530191A JPH0513348A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513348A true JPH0513348A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16168464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18530191A Pending JPH0513348A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513348A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05109624A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Nec Yamaguchi Ltd | 減圧気相成長装置内の未反応ガスの除去方法 |
| JP2009272367A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2013138217A (ja) * | 2013-02-01 | 2013-07-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法、及び異物除去方法 |
| JP2014143421A (ja) * | 2014-02-12 | 2014-08-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP18530191A patent/JPH0513348A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05109624A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Nec Yamaguchi Ltd | 減圧気相成長装置内の未反応ガスの除去方法 |
| JP2009272367A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2013138217A (ja) * | 2013-02-01 | 2013-07-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法、及び異物除去方法 |
| JP2014143421A (ja) * | 2014-02-12 | 2014-08-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6672864B2 (en) | Method and apparatus for processing substrates in a system having high and low pressure areas | |
| KR101132237B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| JP3386651B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
| JP5208756B2 (ja) | Ｔｉ系膜の成膜方法および記憶媒体 | |
| JPH1116858A (ja) | 成膜装置のクリーニング方法及び処理方法 | |
| WO2004003995A1 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2670515B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| EP1167568B1 (en) | Heat treatment apparatus and cleaning method of the same | |
| CN113396469B (zh) | 气相成长装置 | |
| JP2002302770A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP4348835B2 (ja) | クリーニング方法 | |
| JP2008255386A (ja) | 基板処理装置 | |
| US8932405B2 (en) | Apparatus for low-temperature epitaxy on a plurality semiconductor substrates | |
| JP4677088B2 (ja) | グラファイトナノファイバー薄膜形成用熱ｃｖｄ装置 | |
| JP3122883B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| US7972961B2 (en) | Purge step-controlled sequence of processing semiconductor wafers | |
| JP3738494B2 (ja) | 枚葉式の熱処理装置 | |
| JP2024022660A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、およびプログラム | |
| JP7507619B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| JP2009272367A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP7179962B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム | |
| JP2009289807A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3754157B2 (ja) | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 | |
| JPH07297127A (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
| JP4498503B2 (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |