JPH05109624A - 減圧気相成長装置内の未反応ガスの除去方法 - Google Patents
減圧気相成長装置内の未反応ガスの除去方法Info
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- JPH05109624A JPH05109624A JP26580691A JP26580691A JPH05109624A JP H05109624 A JPH05109624 A JP H05109624A JP 26580691 A JP26580691 A JP 26580691A JP 26580691 A JP26580691 A JP 26580691A JP H05109624 A JPH05109624 A JP H05109624A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】反応炉内に残留する未反応のシランガスを除去
し、発塵を抑制する。 【構成】気相成長による膜形成が終了しウェハーを反応
炉から出炉させた後に、反応炉内の真空引き工程と酸素
置換工程を複数回繰り返す。
し、発塵を抑制する。 【構成】気相成長による膜形成が終了しウェハーを反応
炉から出炉させた後に、反応炉内の真空引き工程と酸素
置換工程を複数回繰り返す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は減圧気相成長装置内の未
反応ガスの除去方法に関する。
反応ガスの除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程には、減圧気相成
長（ＬＰＣＶＤ）装置による膜形成工程が多く用いられ
ている。以下図３を用いて膜形成工程を説明する。
長（ＬＰＣＶＤ）装置による膜形成工程が多く用いられ
ている。以下図３を用いて膜形成工程を説明する。
【０００３】ＬＰＣＶＤ装置の反応炉にウェハーを搬送
した後、反応炉内を真空引きをしたのち、窒素置換を行
う。次に反応ガスであるシランガスを熱分解反応させて
ウェハー上にポリシリコン膜等の気相成長を行なう。膜
形成が終了した後再び反応炉内を窒素置換し、大気復帰
した後ウェハーを出炉させ、約２０分間かけて室温まで
冷却する。
した後、反応炉内を真空引きをしたのち、窒素置換を行
う。次に反応ガスであるシランガスを熱分解反応させて
ウェハー上にポリシリコン膜等の気相成長を行なう。膜
形成が終了した後再び反応炉内を窒素置換し、大気復帰
した後ウェハーを出炉させ、約２０分間かけて室温まで
冷却する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の気相成
長工程では、ウェハー上に膜形成を行った後に反応炉内
に残留する未反応のシランガスを除去するために窒素置
換を行なっている。しかし、反応炉内において窒素の流
れが不充分な部分では未反応のシランガスが残留して壁
面等に付着し、発塵の原因となる。この為次の工程にお
けるウェハー上にパーティクルが付着し、半導体装置の
信頼性及び歩留りを低下させるという問題点がある。
長工程では、ウェハー上に膜形成を行った後に反応炉内
に残留する未反応のシランガスを除去するために窒素置
換を行なっている。しかし、反応炉内において窒素の流
れが不充分な部分では未反応のシランガスが残留して壁
面等に付着し、発塵の原因となる。この為次の工程にお
けるウェハー上にパーティクルが付着し、半導体装置の
信頼性及び歩留りを低下させるという問題点がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の減圧気相成長装
置内の未反応ガスの除去方法は、反応炉内における気相
成長処理が終了したウェハーを出炉したのち、前記反応
炉内の真空引き工程と酸素置換または不活性ガス置換工
程とを複数回繰り返すものである。
置内の未反応ガスの除去方法は、反応炉内における気相
成長処理が終了したウェハーを出炉したのち、前記反応
炉内の真空引き工程と酸素置換または不活性ガス置換工
程とを複数回繰り返すものである。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の一実施例を説明するための
工程図である。
て説明する。図１は本発明の一実施例を説明するための
工程図である。
【０００７】まずＬＰＣＶＤ装置の反応炉内にウェハー
を入炉したのち真空引きを行なう。次で雰囲気を窒素で
置換したのち反応ガスであるシランガスを導入し、熱分
解反応によりウェハー上に、例えばポリシリコン膜を成
長させる。膜形成が終了したのち、再び雰囲気を窒素と
し、大気復帰を行ないウェハーを出炉させる。ここまで
は従来と同一である。
を入炉したのち真空引きを行なう。次で雰囲気を窒素で
置換したのち反応ガスであるシランガスを導入し、熱分
解反応によりウェハー上に、例えばポリシリコン膜を成
長させる。膜形成が終了したのち、再び雰囲気を窒素と
し、大気復帰を行ないウェハーを出炉させる。ここまで
は従来と同一である。
【０００８】次に、真空引きと酸素置換工程を複数回く
り返したのち、反応炉内を大気に復帰させる。この酸素
置換のくり返しにより反応炉内の未反応のシランガスは
分解されて除去される。この真空引きと酸素置換のくり
返しに要する時間は約２０分間で十分である。この時間
はウェハーの除冷に要する時間にほぼ等しいため、従来
に比べて処理工程が長くなることはない。
り返したのち、反応炉内を大気に復帰させる。この酸素
置換のくり返しにより反応炉内の未反応のシランガスは
分解されて除去される。この真空引きと酸素置換のくり
返しに要する時間は約２０分間で十分である。この時間
はウェハーの除冷に要する時間にほぼ等しいため、従来
に比べて処理工程が長くなることはない。
【０００９】このようにして未反応ガスを除去したＬＰ
ＣＶＤ装置を用いた場合のウェハー上に付着したパーテ
ィクルの数を測定した結果（平均値）を従来例の場合と
共に図２に示す。図２から明らかなように、本実施例に
よれば、気相成長の処理をくり返しても残留シランによ
る発塵がなくなるため、ウェハー上のパーティクルの数
を大幅に減少させることができる。
ＣＶＤ装置を用いた場合のウェハー上に付着したパーテ
ィクルの数を測定した結果（平均値）を従来例の場合と
共に図２に示す。図２から明らかなように、本実施例に
よれば、気相成長の処理をくり返しても残留シランによ
る発塵がなくなるため、ウェハー上のパーティクルの数
を大幅に減少させることができる。
【００１０】尚、上記実施例においては、ウェハーを出
炉した後の置換ガスに酸素を用いた場合について説明し
たが、窒素等の不活性ガスを用いてもよい。ただし酸素
のようにシランガスの分解作用がないため、不活性ガス
置換の回数は酸素置換の場合より多くする必要がある。
炉した後の置換ガスに酸素を用いた場合について説明し
たが、窒素等の不活性ガスを用いてもよい。ただし酸素
のようにシランガスの分解作用がないため、不活性ガス
置換の回数は酸素置換の場合より多くする必要がある。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ウェハー
を除冷している時間を利用して反応炉内の真空引き工程
と酸素置換または不活性ガス置換の工程を繰り返すこと
により、処理能力を低下させることなくかつ反応炉内に
残留する未反応シランガスを効率よく除去できるため、
ウェハーに付着するパーティクルの数を大幅に削減でき
るという効果を有する。従って半導体装置の信頼性及び
歩留りを向上させることができる。
を除冷している時間を利用して反応炉内の真空引き工程
と酸素置換または不活性ガス置換の工程を繰り返すこと
により、処理能力を低下させることなくかつ反応炉内に
残留する未反応シランガスを効率よく除去できるため、
ウェハーに付着するパーティクルの数を大幅に削減でき
るという効果を有する。従って半導体装置の信頼性及び
歩留りを向上させることができる。
【図１】本発明の一実施例を説明するための工程図。
【図２】実施例の効果を説明するための処理回数とパー
ティクル数との関係を示す図。
ティクル数との関係を示す図。
【図３】従来例を説明するための工程図。
Claims (1)
- 【請求項１】 反応炉内における気相成長処理が終了し
たウェハーを出炉したのち、前記反応炉内の真空引き工
程と酸素置換または不活性ガス置換工程とを複数回繰り
返すことを特徴とする減圧気相成長装置内の未反応ガス
の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3265806A JP2766100B2 (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 減圧気相成長装置内の未反応ガスの除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3265806A JP2766100B2 (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 減圧気相成長装置内の未反応ガスの除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109624A true JPH05109624A (ja) | 1993-04-30 |
| JP2766100B2 JP2766100B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=17422310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3265806A Expired - Lifetime JP2766100B2 (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 減圧気相成長装置内の未反応ガスの除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2766100B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019110274A (ja) * | 2017-12-20 | 2019-07-04 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6049623A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-18 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0513348A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
-
1991
- 1991-10-15 JP JP3265806A patent/JP2766100B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6049623A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-18 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0513348A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019110274A (ja) * | 2017-12-20 | 2019-07-04 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2766100B2 (ja) | 1998-06-18 |
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