JPH0513389B2 - - Google Patents
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- JPH0513389B2 JPH0513389B2 JP60284581A JP28458185A JPH0513389B2 JP H0513389 B2 JPH0513389 B2 JP H0513389B2 JP 60284581 A JP60284581 A JP 60284581A JP 28458185 A JP28458185 A JP 28458185A JP H0513389 B2 JPH0513389 B2 JP H0513389B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- plating
- amorphous silicon
- silicon solar
- cell substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
- H10F77/1692—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including only Group IV materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は表面に微細な凹凸をNiめつきにより
均一に形成して、その表面にアモルフアスシリコ
ン（以下ａ−Siと略記する）を蒸着したときａ−
Si層が凹凸になつて、入射光を表面で多重反射し
てエネルギー変換率を向上させるようにしたａ−
Si太陽電池基板の製造法に関する。 （従来技術） 従来よりａ−Si太陽電池基板にはガラス製の基
板とステンレス鋼板製の基板とが使用されている
が、基板は表面に1μｍ以内の薄いａ−Si層を蒸着
により均一かつ連続的に形成できなければならな
いので、いずれも製造の際表面が極めて平滑にな
るようにしている。例えばステンレス鋼板の場合
は仕上げに電解研摩やバフ研摩を施し鏡面仕上げ
にしている。 しかし表面をこのように平滑にすると、蒸着に
より表面にａ−Si層を形成しても、ａ−Si層表面
も平滑になるため、入射光はその表面で１次反射
しただけで、そのまま外部に反射されていつてし
まう。このため入射光を有効に活用できず、エネ
ルギー変換効率を向上させることができないもの
であつた。 （発明が解決しようとする問題点） そこで本発明者らはステンレス鋼板製基板のエ
ネルギー変換効率を向上させる方法について種々
検討した結果、ステンレス鋼板表面に薄いａ−Si
層を均一かつ連続的に蒸着することができる程度
の凹凸を形成すれば、ａ−Siを蒸着した場合ａ−
Si層表面も凹凸になり、入射光がａ−Si層表面で
多重反射するので、有効に利用できることを見出
したのである。 しかしステンレス鋼板表面に凹凸を形成するの
に従来一般的に行なわれている電解エツチング法
や機械研摩法を適用したのでは微細な凹凸を均一
に形成することができず、薄いａ−Si層を均一か
つ連続的に蒸着することが困難であることが判明
した。例えば電解エツチング法によると、鋼中に
介在物が存在する場合、介在物が優先的に溶解さ
れたり、脱落したりして、無数の不定形ピツトが
形成されるため、凹凸を均一にすることができ
ず、かつ炭化物のスマツトも付着して、表面が汚
れてしまう。また機械研摩法によると、凹凸が研
摩剤粒度の混合割合や研摩圧力により変化してし
まうため、凹凸を均一にすることができず、しか
も小さい粒度の研摩剤を使用するにも限界がある
ため、あまり微細にすることができない。このた
めａ−Si層を形成しても従来の表面が平滑なもの
よりエネルギー変換効率が低下するばかりでな
く、変動も大きいものであつた。 このため本発明者らは目的の凹凸を形成できる
方法について検討した結果、ステンレス鋼板とし
て表面が平滑なものを用いて、その表面に電気め
つきを施す方法の適用を試みたのである。すなわ
ちステンレス鋼板の表面にめつき層表面が粗くな
るめつきを施せば、鋼板表面に微細な凹凸が均一
に形成されるのではないかと推定したのである。
本発明者らはかかる推定のもとに種々の金属をス
テンレス鋼板に電気めつきして検討した結果、無
光沢Niめつきを施せば、ほぼ目的とする凹凸を
形成できることが判明した。 添付図面はステンレス鋼板表面にNiめつきを
施した基板にａ−Si層を形成したものの断面図を
示したもので、１がステンレス鋼板、２がこのス
テンレス鋼板１の表面に電気めつきしたNiめつ
き層で、表面が凹凸になつている。このように凹
凸が形成されたNiめつき層２の表面にａ−Siを
蒸着すると、ａ−Si層３がその凹凸に沿つて形成
される。従つて入射光はａ−Si層３の表面で多重
反射し、エネルギー変換効率は向上する。 しかしかかるNiめつきを従来の公知Niめつき
浴で電気めつきしたのでは電析粒の大きさがやや
不揃いになり、従来の基板よりエネルギー変換効
率は向上するが、その向上は約18％が限界であつ
た。 （発明が解決しようとする問題点） 本発明はこのように従来のNiめつき浴でステ
ンレス鋼板に電気Niめつきを施して表面に凹凸
を形成したのでは太陽電池にした場合エネルギー
変換効率に限界があつたので、電析粒の大きさが
揃つて凹凸が均一微細になる電気Niめつき方法
によりエネルギー変換効率が18％以上になるａ−
Si太陽電池基板の製造法を提供するものである。 （問題点を解決するための手段） 本発明者らは電析粒の大きさが揃つて凹凸が均
一微細になる電気Niめつき方法について種々検
討した結果、従来の公知Niめつき浴にFe2+、
Ca2+、Mg2+、Al3+、Cr3+、Mn6+、Co2+、Mo6+
のうちの１種または２種以上を少量添加すればよ
いことを見出したのである。本発明はかかる知見
に基づいてステンレス鋼板にNiめつきを施して
表面粗さを形成した基板を製造する際、ステンレ
ス鋼板をFe2+、Ca2+、Mg2+、Al3+、Cr3+、
Mn6+、Co2+、Mo6+の内の１種または２種以上を
添加したNiめつき浴で電気めつきしてエネルギ
ー変換効率が18％以上の基板製造を可能にしたの
である。 ここで少量とは具体的に述べれば、Fe2+＝0.05
〜５ｇ／、Ca2+＝0.05〜１ｇ／、Mg2+＝0.5
〜20ｇ／、Al3+＝0.5〜20ｇ／、Cr3+＝0.1〜
３ｇ／、Mn6+＝0.05〜３ｇ／、Co2+＝0.5〜
10ｇ／、Mo6+＝0.05〜２ｇ／の範囲である。
添加量がこれらの範囲の下限未満であると電析粒
を揃える効果が少なく、上限を越えると添加効果
が上限でほぼ飽和してしまうため、添加が無意味
となる。 上記のようなイオンを添加したNiめつき浴で
ステンレス鋼板に電気めつきを施す場合、電析粒
の大きさはめつき付着量の影響を受け、めつき付
着量が少ないと電析粒は小さくなり、めつき付着
量が多い程大きくなる。一方基板は電析粒の大き
さを0.01〜1.5μｍの範囲に、また表面粗さを
Rmaxで0.01〜0.6μｍの範囲にするのが好ましい。
これは電析粒および表面粗さが上記下限未満であ
ると凹凸によるエネルギー変換効率向上が認めら
れず、上限を越えるとａ−Siを蒸着した場合にａ
−Si層が均一かつ連続して形成されないためと思
われるが、エネルギー変換効率は表面が滑らかな
従来の基板よりむしろ低下するからである。そこ
で電析粒および表面粗さを上記の範囲にするめつ
き付着量の範囲を求めてみると、片面当り４〜50
ｇ／m2にするればよいことが判明した。 本発明によれば基板めつき層の電析粒の大きさ
や表面粗さは従来の基板に比べると大幅に改善さ
れていて、めつき付着量が一定であれば、どの部
位でも変化しない。 ところで電析粒は上記のようにめつき付着量の
増加に伴つて大きくなるが、これはNiめつきを
パルス電解により行えば、通常の整流電解により
行つた場合の大きさの約1/2〜1/5にすることがで
きる。この場合大きさも揃うので、表面粗さの凹
凸も均一微細になり、高さも低くなる。 このパルス電解は周期１〜10-2秒、デユーテイ
サイクル0.02〜0.5の条件で行うのが好ましい。
これは周期およびデユーテイサイクルがそれぞれ
10-2秒および0.02より短い領域で電気めつきすれ
ば、電析粒をさらに小さくすることができるが、
パルス電流をこのような領域にするには高価なパ
ルス電源を使用しなければならず、表面粗さを確
保するうえであまり小さくするのは問題があり、
一方周期およびデユーテイサイクルが１秒および
0.05より長い領域で電気めつきすると電析粒の微
細化効果が認められないからである。 本発明はステンレス鋼板であれば、鋼種に関係
なく適用できるものであり、また本発明により製
造した基板がａ−Si蒸着までの保管中にめつき層
が酸化されるようであれば、後処理を追加するこ
とも可能である。この場合の後処理としては、
Crめつきを電気めつきにより片面当り0.07〜4.0
ｇ／m2施すのが好ましい。 以下実施例により本発明を説明する。 （実施例） ブライト仕上げのSUS430ステンレス鋼板
（0.2t×100W×100Lmm）に通常のNiめつき前処
理（脱脂→酸洗→電解還元→Niストライクめつ
き）を施した後、組成が硫酸ニツケル240ｇ／、
塩化ニツケル45ｇ／、ホウ酸30ｇ／であるワ
ツト浴に第１表に示すようなイオンを添加して、
Niめつきを施し、その後超音波湯水洗した。水
洗後は試料を十分乾燥した後、第２表に示す条件
でプラズマCVD法によりａ−Si層を形成し、エ
ネルギー変換効率を測定した。なおエネルギー変
換効率の測定は予めａ−Si層上に透明電導性膜
（1000Å程度）を被覆したものを被測定用サンプ
ルに用い、入射エネルギーが100ｍｗ／cm2の光源
にて入射光をA.M.1.5にして行つた。第３表にめ
つき層表面の形態とともにエネルギー変換効率を
示す。なお第１表の比較例１はNiめつきを施さ
ない従来の表面が平滑なステンレス鋼板製基板で
ある。 第３表に示すごとく、本発明により製造した基
板はFe2+、Ca2+、Mg2+などのイオンを添加しな
いNiめつき浴を使用して製造したもののエネル
ギー変換効率上限である18％より向上する。
均一に形成して、その表面にアモルフアスシリコ
ン（以下ａ−Siと略記する）を蒸着したときａ−
Si層が凹凸になつて、入射光を表面で多重反射し
てエネルギー変換率を向上させるようにしたａ−
Si太陽電池基板の製造法に関する。 （従来技術） 従来よりａ−Si太陽電池基板にはガラス製の基
板とステンレス鋼板製の基板とが使用されている
が、基板は表面に1μｍ以内の薄いａ−Si層を蒸着
により均一かつ連続的に形成できなければならな
いので、いずれも製造の際表面が極めて平滑にな
るようにしている。例えばステンレス鋼板の場合
は仕上げに電解研摩やバフ研摩を施し鏡面仕上げ
にしている。 しかし表面をこのように平滑にすると、蒸着に
より表面にａ−Si層を形成しても、ａ−Si層表面
も平滑になるため、入射光はその表面で１次反射
しただけで、そのまま外部に反射されていつてし
まう。このため入射光を有効に活用できず、エネ
ルギー変換効率を向上させることができないもの
であつた。 （発明が解決しようとする問題点） そこで本発明者らはステンレス鋼板製基板のエ
ネルギー変換効率を向上させる方法について種々
検討した結果、ステンレス鋼板表面に薄いａ−Si
層を均一かつ連続的に蒸着することができる程度
の凹凸を形成すれば、ａ−Siを蒸着した場合ａ−
Si層表面も凹凸になり、入射光がａ−Si層表面で
多重反射するので、有効に利用できることを見出
したのである。 しかしステンレス鋼板表面に凹凸を形成するの
に従来一般的に行なわれている電解エツチング法
や機械研摩法を適用したのでは微細な凹凸を均一
に形成することができず、薄いａ−Si層を均一か
つ連続的に蒸着することが困難であることが判明
した。例えば電解エツチング法によると、鋼中に
介在物が存在する場合、介在物が優先的に溶解さ
れたり、脱落したりして、無数の不定形ピツトが
形成されるため、凹凸を均一にすることができ
ず、かつ炭化物のスマツトも付着して、表面が汚
れてしまう。また機械研摩法によると、凹凸が研
摩剤粒度の混合割合や研摩圧力により変化してし
まうため、凹凸を均一にすることができず、しか
も小さい粒度の研摩剤を使用するにも限界がある
ため、あまり微細にすることができない。このた
めａ−Si層を形成しても従来の表面が平滑なもの
よりエネルギー変換効率が低下するばかりでな
く、変動も大きいものであつた。 このため本発明者らは目的の凹凸を形成できる
方法について検討した結果、ステンレス鋼板とし
て表面が平滑なものを用いて、その表面に電気め
つきを施す方法の適用を試みたのである。すなわ
ちステンレス鋼板の表面にめつき層表面が粗くな
るめつきを施せば、鋼板表面に微細な凹凸が均一
に形成されるのではないかと推定したのである。
本発明者らはかかる推定のもとに種々の金属をス
テンレス鋼板に電気めつきして検討した結果、無
光沢Niめつきを施せば、ほぼ目的とする凹凸を
形成できることが判明した。 添付図面はステンレス鋼板表面にNiめつきを
施した基板にａ−Si層を形成したものの断面図を
示したもので、１がステンレス鋼板、２がこのス
テンレス鋼板１の表面に電気めつきしたNiめつ
き層で、表面が凹凸になつている。このように凹
凸が形成されたNiめつき層２の表面にａ−Siを
蒸着すると、ａ−Si層３がその凹凸に沿つて形成
される。従つて入射光はａ−Si層３の表面で多重
反射し、エネルギー変換効率は向上する。 しかしかかるNiめつきを従来の公知Niめつき
浴で電気めつきしたのでは電析粒の大きさがやや
不揃いになり、従来の基板よりエネルギー変換効
率は向上するが、その向上は約18％が限界であつ
た。 （発明が解決しようとする問題点） 本発明はこのように従来のNiめつき浴でステ
ンレス鋼板に電気Niめつきを施して表面に凹凸
を形成したのでは太陽電池にした場合エネルギー
変換効率に限界があつたので、電析粒の大きさが
揃つて凹凸が均一微細になる電気Niめつき方法
によりエネルギー変換効率が18％以上になるａ−
Si太陽電池基板の製造法を提供するものである。 （問題点を解決するための手段） 本発明者らは電析粒の大きさが揃つて凹凸が均
一微細になる電気Niめつき方法について種々検
討した結果、従来の公知Niめつき浴にFe2+、
Ca2+、Mg2+、Al3+、Cr3+、Mn6+、Co2+、Mo6+
のうちの１種または２種以上を少量添加すればよ
いことを見出したのである。本発明はかかる知見
に基づいてステンレス鋼板にNiめつきを施して
表面粗さを形成した基板を製造する際、ステンレ
ス鋼板をFe2+、Ca2+、Mg2+、Al3+、Cr3+、
Mn6+、Co2+、Mo6+の内の１種または２種以上を
添加したNiめつき浴で電気めつきしてエネルギ
ー変換効率が18％以上の基板製造を可能にしたの
である。 ここで少量とは具体的に述べれば、Fe2+＝0.05
〜５ｇ／、Ca2+＝0.05〜１ｇ／、Mg2+＝0.5
〜20ｇ／、Al3+＝0.5〜20ｇ／、Cr3+＝0.1〜
３ｇ／、Mn6+＝0.05〜３ｇ／、Co2+＝0.5〜
10ｇ／、Mo6+＝0.05〜２ｇ／の範囲である。
添加量がこれらの範囲の下限未満であると電析粒
を揃える効果が少なく、上限を越えると添加効果
が上限でほぼ飽和してしまうため、添加が無意味
となる。 上記のようなイオンを添加したNiめつき浴で
ステンレス鋼板に電気めつきを施す場合、電析粒
の大きさはめつき付着量の影響を受け、めつき付
着量が少ないと電析粒は小さくなり、めつき付着
量が多い程大きくなる。一方基板は電析粒の大き
さを0.01〜1.5μｍの範囲に、また表面粗さを
Rmaxで0.01〜0.6μｍの範囲にするのが好ましい。
これは電析粒および表面粗さが上記下限未満であ
ると凹凸によるエネルギー変換効率向上が認めら
れず、上限を越えるとａ−Siを蒸着した場合にａ
−Si層が均一かつ連続して形成されないためと思
われるが、エネルギー変換効率は表面が滑らかな
従来の基板よりむしろ低下するからである。そこ
で電析粒および表面粗さを上記の範囲にするめつ
き付着量の範囲を求めてみると、片面当り４〜50
ｇ／m2にするればよいことが判明した。 本発明によれば基板めつき層の電析粒の大きさ
や表面粗さは従来の基板に比べると大幅に改善さ
れていて、めつき付着量が一定であれば、どの部
位でも変化しない。 ところで電析粒は上記のようにめつき付着量の
増加に伴つて大きくなるが、これはNiめつきを
パルス電解により行えば、通常の整流電解により
行つた場合の大きさの約1/2〜1/5にすることがで
きる。この場合大きさも揃うので、表面粗さの凹
凸も均一微細になり、高さも低くなる。 このパルス電解は周期１〜10-2秒、デユーテイ
サイクル0.02〜0.5の条件で行うのが好ましい。
これは周期およびデユーテイサイクルがそれぞれ
10-2秒および0.02より短い領域で電気めつきすれ
ば、電析粒をさらに小さくすることができるが、
パルス電流をこのような領域にするには高価なパ
ルス電源を使用しなければならず、表面粗さを確
保するうえであまり小さくするのは問題があり、
一方周期およびデユーテイサイクルが１秒および
0.05より長い領域で電気めつきすると電析粒の微
細化効果が認められないからである。 本発明はステンレス鋼板であれば、鋼種に関係
なく適用できるものであり、また本発明により製
造した基板がａ−Si蒸着までの保管中にめつき層
が酸化されるようであれば、後処理を追加するこ
とも可能である。この場合の後処理としては、
Crめつきを電気めつきにより片面当り0.07〜4.0
ｇ／m2施すのが好ましい。 以下実施例により本発明を説明する。 （実施例） ブライト仕上げのSUS430ステンレス鋼板
（0.2t×100W×100Lmm）に通常のNiめつき前処
理（脱脂→酸洗→電解還元→Niストライクめつ
き）を施した後、組成が硫酸ニツケル240ｇ／、
塩化ニツケル45ｇ／、ホウ酸30ｇ／であるワ
ツト浴に第１表に示すようなイオンを添加して、
Niめつきを施し、その後超音波湯水洗した。水
洗後は試料を十分乾燥した後、第２表に示す条件
でプラズマCVD法によりａ−Si層を形成し、エ
ネルギー変換効率を測定した。なおエネルギー変
換効率の測定は予めａ−Si層上に透明電導性膜
（1000Å程度）を被覆したものを被測定用サンプ
ルに用い、入射エネルギーが100ｍｗ／cm2の光源
にて入射光をA.M.1.5にして行つた。第３表にめ
つき層表面の形態とともにエネルギー変換効率を
示す。なお第１表の比較例１はNiめつきを施さ
ない従来の表面が平滑なステンレス鋼板製基板で
ある。 第３表に示すごとく、本発明により製造した基
板はFe2+、Ca2+、Mg2+などのイオンを添加しな
いNiめつき浴を使用して製造したもののエネル
ギー変換効率上限である18％より向上する。
【表】
【表】
(注) 整流波形の列の○印は使用した波形である。
【表】
【表】
【表】
(注) 電析粒の大きさおよび表面粗さで
測定困難なものは電析粒が極めて
小さいためである。
（効果） 以上のごとく、本発明の方法によりステンレス
製ａ−Si太陽電池基板を製造すればNiめつき層
が微細均一になるので、太陽電池にした場合エネ
ルギー変換効率を従来のものより18％以上向上さ
せることができる。
測定困難なものは電析粒が極めて
小さいためである。
（効果） 以上のごとく、本発明の方法によりステンレス
製ａ−Si太陽電池基板を製造すればNiめつき層
が微細均一になるので、太陽電池にした場合エネ
ルギー変換効率を従来のものより18％以上向上さ
せることができる。
添付図面は本発明により製造する基板にａ−Si
層を形成したものの断面図である。 １……ステンレス鋼板、２……Niめつき層、
３……ａ−Si層。
層を形成したものの断面図である。 １……ステンレス鋼板、２……Niめつき層、
３……ａ−Si層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ステンレス鋼板にNiめつきを施して表面粗
さを形成した基板を製造する際、ステンレス鋼板
をFe2+、Ca2+、Mg2+、Al3+、Cr3+、Mn6+、
Co2+、Mo6+の内の１種または２種以上を添加し
たNiめつき浴で電気めつきして製造することを
特徴とするアモルフアスシリコン太陽電池基板の
製造法。 ２ Fe2+の添加を0.05〜５ｇ／の範囲にするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のア
モルフアスシリコン太陽電池基板の製造法。 ３ Ca2+の添加を0.05〜１ｇ／の範囲にするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のア
モルフアスシリコン太陽電池基板の製造法。 ４ Mg2+の添加を0.5〜20ｇ／の範囲にするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のア
モルフアスシリコン太陽電池基板の製造法。 ５ Al3+の添加を0.5〜20ｇ／の範囲にするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のア
モルフアスシリコン太陽電池基板の製造法。 ６ Cr3+の添加を0.1〜３ｇ／の範囲にするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のア
モルフアスシリコン太陽電池基板。 ７ Mn6+の添加を0.05〜３ｇ／の範囲にする
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
アモルフアスシリコン太陽電池基板の製造法。 ８ Co2+の添加を0.5〜10ｇ／の範囲にするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のア
モルフアスシリコン太陽電池基板の製造法。 ９ Mo6+の添加を0.05〜２ｇ／の範囲にする
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
アモルフアスシリコン太陽電池基板の製造法。 １０ Niめつきをパルス電解にて周期１〜10-2
秒、デユーテイサイクル0.02〜0.5の条件で行う
ことを特徴とする特許請求の範囲第１〜９項に記
載のいずれかのアモルフアスシリコン太陽電池基
板の製造法。 １１ 片面当り４〜50ｇ／m2のNiめつきを施し、
めつき層表面のNi電析粒の大きさを0.01〜1.5μｍ
の範囲に、また表面粗さをRmaxで0.01〜0.6μｍ
の範囲にすることを特徴とする特許請求の範囲第
１〜１０項に記載のいずれかのアモルフアスシリ
コン太陽電池基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60284581A JPS62143482A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | アモルフアスシリコン太陽電池基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60284581A JPS62143482A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | アモルフアスシリコン太陽電池基板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62143482A JPS62143482A (ja) | 1987-06-26 |
| JPH0513389B2 true JPH0513389B2 (ja) | 1993-02-22 |
Family
ID=17680310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60284581A Granted JPS62143482A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | アモルフアスシリコン太陽電池基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62143482A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2952660B2 (ja) * | 1996-09-05 | 1999-09-27 | 日新製鋼株式会社 | 太陽電池基板用ステンレス鋼の製造方法、太陽電池用基板，太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
-
1985
- 1985-12-18 JP JP60284581A patent/JPS62143482A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62143482A (ja) | 1987-06-26 |
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