JPH05135564A - メモリーカード - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】メモリーカードの制御信号線に大電流防止用抵
抗を介して接続する電源系を、電源線の接続・遮断が可
能なメモリーカード内部の複数の電源系から選択するこ
とにより、メモリーカード外部から制御信号が直接入力
されていないときに、制御信号を無効状態とする設定が
有効状態の設定に限定されず、容易に行い、メモリーカ
ード内部のＲＡＭが誤動作を起こすのを防止する。 【構成】メモリーカードのカード制御信号線１０３を、
プルアップ抵抗１０４とプルアップ用スイッチ１０７を
介して外部電源１００に接続する。同時に、プルダウン
抵抗１０８とプルダウン用スイッチ１０９を介して地面
にも接地する。各々のスイッチには、電源線の接続・遮
断を行う制御信号を与えるスイッチの制御信号線１１１
を接続する。なお、プルアップ用スイッチ１０７とプル
ダウン用スイッチ１０９はどちらか一方が接続状態にあ
るよう制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、メモリーカードにおけ
る制御信号線を大電流防止用抵抗を介して電源系と接続
する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の少なくとも、ＲＡＭと電池と、電
源切り換え素子と、ＲＡＭを制御する素子と、メモリー
カードの制御信号線と電源系を接続する大電流防止用抵
抗により構成されるメモリーカードのブロック図は図２
である。

【０００３】従来のメモリーカードにおいては、図２に
示すようにメモリーカードの制御信号線２０３（以下、
カード制御信号線２０３と略す。）が、メモリーカード
外部から供給される電源２００（以下、外部電源２００
と略す。）に大電流防止用抵抗２０４を介して接続され
ている。。

【０００４】これにより、従来のメモリーカードのカー
ド制御信号線２０３の電圧は、メモリーカード外部から
制御信号が直接入力されていない時、外部電源２００の
電圧と同じ電圧になり、制御信号を無効状態とし、メモ
リーカード内部のＲＡＭ２０６が誤動作を起こすのを防
止する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術によるメモリーカードのカード制御信号線２０３には
大電流防止用抵抗を介して外部電源２００を与えるの
で、メモリーカード外部から制御信号が直接入力されて
いないときに、制御信号を無効状態とする設定は有効状
態が低電位電圧の制御信号の場合に限定されるものとな
る。

【０００６】このため、メモリーカードの製造後、制御
信号の有効状態を高電位電圧、あるいは低電位電圧に設
定することができないという問題があった。

【０００７】そこで本発明は、このような問題点を解決
するためになされるもので、メモリーカードの制御信号
線を大電流防止用抵抗を介して電源系に接続する場合、
制御信号の有効状態の設定に限定されず、容易にできる
制御信号線と電源系の接続方法を提供することを目的と
する。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明のメモリーカード
はカードの制御信号線に大電流防止用抵抗を介して接続
する電源系を、電源線の接続・遮断が可能な複数の電源
系から選択できることを特徴とする。

【０００９】

【実施例】以下、本発明について、実施例に基づき詳細
に説明する。

【００１０】図１は、本発明の実施例を示すメモリーカ
ードのブロック図である。

【００１１】図１において、メモリーカードの制御信号
線１０３（以下、カード制御信号線１０３と略す。）
は、高電位電源に接続する大電流防止用抵抗１０４（以
下、プルアップ抵抗１０４と称す。）と電源線の接続・
遮断が可能な素子１０７（以下、プルアップ用スイッチ
１０７と称す。）を介して外部電源１００に接続されて
いる。

【００１２】また同時に、カード制御信号線１０３は、
低電位電源に接続する大電流防止用抵抗１０８（以下、
プルダウン抵抗１０８と称す。）と電源線の接続・遮断
が可能な素子１０９（以下、プルダウン用スイッチ１０
９と称す。）を介して地面に接地されている。

【００１３】前記プルアップ用スイッチ１０７にはスイ
ッチの制御信号線１１１が接続されており、プルアップ
用スイッチ１０７の接続・遮断を行う。

【００１４】同様に、前記プルダウン用スイッチ１０９
にはスイッチの制御信号線１１１がインバータ１１０を
介して接続されており、プルダウン用スイッチ１０９の
接続・遮断を行う。

【００１５】従って、メモリーカードの制御信号を低電
位電圧で有効状態とする場合、スイッチの制御信号によ
りプルアップ用スイッチ１０７を接続状態にし、プルダ
ウン用スイッチ１０９を遮断状態にする。

【００１６】これにより、カード制御信号線１０３はプ
ルアップ抵抗１０４を介して、高電位電源である外部電
源１００と接続される。

【００１７】この場合、メモリカード外部から制御信号
が直接入力されていないとき、制御信号には高電位電圧
が加えられ、無効状態になる。

【００１８】一方、メモリーカードの制御信号を高電位
電源で有効状態とする場合、スイッチの制御信号により
プルアップ用スイッチ１０７を遮断状態にし、プルダウ
ン用スイッチ１０９を接続状態にする。

【００１９】これにより、カード制御信号線１０３はプ
ルダウン抵抗を介して、低電位電源である地面と接続さ
れる。

【００２０】この場合、メモリーカード外部から制御信
号が直接入力されていないとき、制御信号には低電位電
圧が加えられ、無効状態になる。

【００２１】以上より、メモリーカードのカード制御信
号線１０３は、制御信号の有効状態の設定に従い、プル
アップ用スイッチ１０７及び、プルダウン用スイッチ１
０９により接続・遮断された電源系に接続される。

【００２２】このため、メモリーカード外部から制御信
号が直接入力されていない場合に、制御信号を無効状態
とする電圧電源が、メモリーカードの内部回路により容
易に選択することができ、メモリーカード内部のＲＡＭ
１０６が誤動作を起こすのを防止することができる。

【００２３】尚、ここに挙げた実施例はあくまでも一実
施例にすぎない。

【００２４】

【発明の効果】以上述べたように、本発明のメモリーカ
ードは、メモリーカードの制御信号線に大電流防止用抵
抗を介して接続する電源系を、電源線の接続・遮断が可
能なメモリーカード内部の複数の電源系から選択するこ
とができるので、メモリーカード外部から制御信号が直
接入力されていないときに、制御信号を無効状態とする
設定が有効状態の設定に限定されず、容易にでき、メモ
リーカード内部のＲＡＭが誤動作を起こすのを防止する
効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のメモリーカードの内部回路構成の実施
例を示すブロック図。

【図２】従来のメモリーカードの内部回路構成を示すブ
ロック図。

【符号の説明】

１００ メモリーカード外部から供給される電源 １０１ 電池 １０２ 外部電源と電池電圧を切り換える素子 １０３ メモリーカードの制御信号線 １０４ プルアップ抵抗 １０５ ＲＡＭを制御する素子 １０６ ＲＡＭ １０７ プルアップ用スイッチ １０８ プルダウン抵抗 １０９ プルダウン用スイッチ １１０ インバータ １１１ スイッチの制御信号線 ２００ メモリーカード外部から供給される電源 ２０１ 電池 ２０２ 外部電源と電池電圧を切り換える素子 ２０３ メモリーカードの制御信号線 ２０４ プルアップ抵抗 ２０５ ＲＡＭを制御する素子 ２０６ ＲＡＭ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも、ＲＡＭと電池と、メモリー
   カード外部から供給される電源と電池電圧を切り換える
   素子（以下、電源切り換え素子と略す。）と、ＲＡＭを
   制御する素子と、メモリーカードの制御信号線と電源系
   を接続する大電流防止用抵抗により構成されるメモリー
   カードにおいて、前記大電流防止用抵抗を接続する電源
   系を、電源線の接続・遮断が可能なメモリーカード内部
   の複数の電源系から選択できることを特徴とするメモリ
   ーカード。