JPH0513559B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、コンピユータ等の電子機器に使用す
るのに適する多層回路基板の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

従来この種の多層回路基板には、装置の処理能
力の高速化を達成するため、配線の高速化と高密
度化にたいする努力がなされて来た。具体的に
は、高速化については、誘電率の低い有機樹脂な
どを絶縁材に使用したり、銅などの低抵抗の導電
材を使用し、高密度化について、配線パターンの
微細化、もしくは、配線層の高多層化を進めて来
た。（例えば、日経エレクトロニクス1984年８月
27日号P145〜P159、日経エレクトロニクス1985
年６月17日号P243〜P266） 〔解決すべき問題点〕 上記従来の多層回路基板における配線パターン
の微細化には、配線の断面積が小さくなるため、
導体抵抗が高くなり配線の高速化を阻害すると言
う欠点があつた。また、配線層の高多層化には、
全層をセラミツク・グリーンシートと厚膜印刷配
線の同時焼成で行う方法があるが、セラミツクの
比誘電率が低くないために配線の高速化には不適
当である。一方、有機樹脂を層間絶縁に用いて高
多層配線を形成した場合にはセラミツク基板上
に、配線層を下層より順次形成して行かねばなら
ず、製造日数が多くなり、設計変更に対する迅速
な対応ができない事と、製造コストが高くなると
言う欠点があつた。

〔問題点の解決手段〕

本発明は、上記従来の問題点に着目してなされ
たもので、積層に要する日数を短縮でき、かつ製
造欠陥に起因する損失工数を低減できる多層回路
基板の製造方法を提供せんとするものである。

そのために、本発明は、ポリイミド系樹脂を層
間絶縁として、セラミツク基板上に複数の配線層
を形成することにより構成される多層回路基板の
製造方法において、あらかじめ多層回路基板を下
層部を構成する第１の配線基板と、上層部を構成
する第２の配線基板とにわけ、セラミツク基板上
に下層より順次配線層を積層して第１の配線基板
を形成する第１の工程と、アルミニウム等の金属
板上に下層より順次もしくは上層より順次配線層
を積層して第２の配線基板を形成する第２の工程
と、第２の配線基板の金属板を希塩酸により溶解
除去する第３の工程と、第１の配線基板の表面に
形成された金属パツドと、第２の配線基板の表面
に形成された金属パツドとを半田付けもしくは導
電性接着剤で接着する第４の工程とを有すること
を特徴とする多層回路基板の製造方法を提供する
ものである。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。

第１図は、本発明の第一の実施例を示す縦断面
図である。この実施例では、多層回路基板をセラ
ミツク積層配線基板１を有する下層部用の第１の
配線基板１０と、金属板としてのアルミニウム板
３０を有する上層部用の第２の配線基板４０とに
あらかじめわけている。セラミツク積層配線基板
１は、一辺15センチメートルの正方形で、厚さ
は、３ミリメートルである。このセラミツク積層
配線基板は、酸化アルミニウムを主成分とする層
間絶縁層１１と、４種の、タングステンを用いて
形成された電源配線層１２，１３，１４，１５と
が交互に積層されている。また、このセラミツク
積層配線基板１には、表裏を貫通し、あるいは、
各電源配線層と基板表面に形成された金パツド１
６，１７とを接続するための、スルーホール２０
が形成されている。スルーホール配線は、タング
ステン、もしくはモリブデンで形成されている。

このセラミツク積層配線基板は、第１の工程に
先立つて、あらかじめ準備されているものであ
る。

第１の工程では、基板１の表面に電源配線１８
を金めつきで形成し、これを覆う第１のポリイミ
ド樹脂絶縁層１９を形成し、その上に第１の信号
配線２１を金めつきで形成し、続いて第２のポリ
イミド樹脂絶縁層２２をその上に形成し、さらに
第２の信号配線２３を金めつきで形成し、続いて
第３のポリイミド樹脂絶縁層２４を形成する。最
後に、金パツド２５と電源配線２６とを金めつき
で形成して第１の配線基板１０を得る。

第２の工程では、アルミニウム板３０の表面に
金パツド３１を形成し、次に第４のポリイミド樹
脂絶縁層３２を形成し、続いて第３の信号配線層
３３をその上に金めつきで形成し、さらに第５の
ポリイミド樹脂絶縁層３４を形成し、続いて第４
の信号配線層３５をその上に金めつきで形成し、
これを覆う第６のポリイミド樹脂絶縁層３６を形
成する。そして、最後に金パツド３７をその上に
形成する。

第３の工程では、第２の工程で用いられたアル
ミニウム板を希塩酸で溶解除去して第２の配線基
板４０を得る。この工程では図示せぬがアルミニ
ウム板３０の下面に上層より順次配線層を積層す
るようにしても良い。

第４の工程では、第１の工程で得られた、第１
と第２の信号配線を有する第１の配線基板１０の
表面の金パツド２５と、第３の工程で得られた、
第３と第４の信号配線を有する第２の配線基板４
０の表面の金パツド３１とを金−エポキシ系接着
剤を用いて接着することにより、第１から第４ま
での４層の信号配線と２層の電源配線１８，２６
と表層の金パツド３７の合計７層の配線層を有す
る高多層化された回路基板を得る。

本実施例では、第２の工程でアルミニウム板を
用いているが、これを亜鉛板に替えることも可能
である。

第２図は、本発明の第２の実施例を示す縦断面
図である。

本実施例は、第１図に示した第１の実施例とほ
ぼ同じ構成であるが、各配線に金めつきの代りに
銅めつきを用いている点と、第２の配線基板が複
数の配線基板群５０，５１，５２，５３に分割さ
れている点と、第１の配線基板と第２の配線基板
（群）との接着に錫−鉛共晶半田を用いている点
とが異なる。

次に本発明に係る多層回路基板の製造方法にお
ける製造欠陥に起因する損失工数について例をも
つて説明する。

（例）１層あたり、10％の製造欠陥による廃棄品
がでる配線層を、８層、積層する場合 各層での廃棄率が等しく10％であり、各層の所
要工数も等しくＭであると仮定すれば、１枚の基
板が良品である期待値K1は、 K1＝0.9⁸＝0.430 １枚の基板の損失工数の期待値L1は、１層目
で廃棄されるものから８層目で廃棄されるものま
での累積であるから、 L1＝₈ 〓ⁿ⁼¹ （0.1×ｎ×Ｍ×0.9^n-1）＝0.1M₈ 〓ⁿ⁼¹ （ｎ×0.9^n-1）＝2.252M 従つてこの場合の、良品基板１枚あたりの損失
工数L1／K1は、 L1／K1＝5.24M である。

つぎに、本発明の方法にしたがつて、４層づつ
の２枚の基板に分割して積層し、最後に接着を行
う場合は、 １枚の基板が良品である期待値K2は、 K2＝0.9⁴＝0.656 １枚の基板の損失工数の期待値L2は、 L2＝₄ 〓ⁿ⁼¹ （0.1×ｎ×Ｍ×0.9^n-1）＝0.1M₄ 〓ⁿ⁼¹ （ｎ×0.9^n-1）＝0.815M ４層基板が２枚必要であるから、最終的な良品
基板１枚あたりの損失工数は、 ２×L2／K2＝2.48M である。

実際には、この他に、接着の工程と、接着工程
における製造欠陥に起因する損失工数が加えられ
る。

これらから製造欠陥に起因する損失工数の低減
がなし得ることが判明する。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明は、多層にわたる
積層配線を下層の第１の配線基板と上層の配線基
板とに分け、それらを同時に積層して行くことに
より、積層に要する日数をほぼ半減できるという
効果がある。

また、別個に積層した第１及び第２の配線基板
を接着することとしたため、上述した如く、製造
欠陥に起因する損失工数を低減できるという効果
がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の第１の実施例を示す縦断面
図、第２図は、本発明の第２の実施例を示す縦断
面図である。 １：セラミツク積層配線基板、１０：第１の配
線基板、１１：層間絶縁層、１２，１３，１４，
１５：電源配線層、１６，１７，２５，３１，３
７：金属パツド、１９，２２，２４，３２，３
４，３６：ポリイミド樹脂絶縁層、３０：金属板
としてのアルミニウム板、４０：第２の配線基
板、４１：金−エポキシ系接着剤、５０，５１，
５２，５３：第２の配線基板群、５４：錫鉛共晶
半田。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ ポリイミド系樹脂を層間絶縁として、セラミ
   ツク基板上に複数の配線層を形成することにより
   構成される多層回路基板の製造方法において、あ
   らかじめ多層回路基板を下層部を構成する第１の
   配線基板と、上層部を構成する第２の配線基板と
   にわけ、セラミツク基板上に下層より順次配線層
   を積層して第１の配線基板を形成する第１の工程
   と、アルミニウム等の金属板上に下層より順次も
   しくは上層より順次配線層を積層して第２の配線
   基板を形成する第２の工程と、第２の配線基板の
   金属板を希塩酸により溶解除去する第３の工程
   と、第１の配線基板の表面に形成された金属パツ
   ドと、第２の配線基板の表面に形成された金属パ
   ツドとを半田付けもしくは導電性接着剤で接着す
   る第４の工程とを有することを特徴とする多層回
   路基板の製造方法。