JPS6350094A - 多層回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明ｌよ、コンピュータ等の電子機器に使用するのに
適する多層回路基板の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

従来この種の多層回路基板には、装置の処理能力の高速
化を達成するため、配線の高速化と高密度−化にないす
る努力がなされて来た。具体的には、高速化については
、誘電率の低い有機樹脂などを絶縁材に使用したり、銅
などの低抵抗の導電材を使用し、高密度化については、
配線パターンの微細化、もしくは、配線層の高多層化を
進めて来た。

（例えば、日経エレクトロニクス１９８４年８月２７日
号Ｐ１４５〜Ｐ１５９、日経エレクトロニクス１９８５
年６月１７日号Ｐ２４３〜Ｐ２６６）〔解決すべき問題
点〕 上記従来の多層回路基板における配線パターンの微細化
には、配線の断面積が小さくなるため、導体抵抗が高く
なり配線の高速化を阻害すると言う欠点があった。また
、配線層の高多層化には、全層をセラミック・グリーン
シートと厚膜印刷配線の同時焼成で行う方法があるが、
セラミックの比誘電率が低くないために配線の高速化に
は不適当である。一方、有機樹脂を層間絶縁に用いて高
多層配線を形成した場合には、セラミック基板上に、配
線層を下層より順次形成して行かねばならず、製造日数
が多（なり、設計変更に対する迅速な対応ができない事
と、製造コストが高くなると言う欠点があった。

〔問題点の解決手段〕

本発明は、上記従来の問題点に着目してなされたもので
、積層に要する日数を短縮でき、かつ製造欠陥に起因す
る損失工数を低減できる多層回路基板の製造方法を提供
せんとするものである。

そのために、本発明は、ポリイミド系樹脂を層間絶縁と
して、セラミック基板上に複数の配線層を形成すること
により構成される多層回路基板の製造方法において、あ
らかじめ多層回路基板を下層部を構成する第１の配線基
板と、上層部を構成する第２の配線基板とにわけ、セラ
ミック基板上に下層より順次配線層を積層して第１の配
線基板を形成する第１の工程と、アルミニウム等の金属
板上に下層より順次もしくは上層より順次配線層を積層
して第２の配線基板を形成する第２の工程と、第２の配
線基板の金属板を希塩酸により溶解除去する第３の工程
と、第１の配線基板の表面に形成された金属パッドと、
第２の配線基板の表面に形成された金属パッドとを半田
付けもしくは導電性接着剤で接着する第４の工程とを有
することを特徴とする多層回路基板の製造方法を提供す
るものである。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図は、本発明の第一の実施例を示す縦断面図である
。この実施例では、多層回路基板をセラミック積層配線
基板１を有する下層部用の第１の配線基板１０と、金属
板としてのアルミニウム板３０を有する上層部用の第２
の配線基板４０とに　。

あらかじめわけている。セラミック積層配線基板１は、
−辺１５センチメートルの正方形で、厚さは、３ミリメ
ートルである。このセラミック積層配線基板は、酸化ア
ルミニウムを主成分とする層間絶縁層１１と、４種の、
タングステンを用いて形成された電源配線層１２，１３
，１４，１５とが交互に積層されている。また、乙のセ
ラミック積層配線基板１には、表裏を貫通し、あるいは
、各電源配線層と基板表面に形成された金パツド１６゜
１７とを接続するための、スルーホール配線２０が形成
されている。スルーホール配線は、タングステン、もし
くはモリブデンで形成されている。

このセラミック積層配線基板は、第１の工程に先立って
、あらかじめ準備されているものである。

第１の工程では、基板１の表面に電源配線１８を金めつ
きで形成し、これを覆う第１のポリイミド樹脂絶縁層１
．９を形成し、その上に第１の信号配線２１を金めつき
で形成し、続いて第２のポリイミド樹脂絶縁層２２をそ
の上に形成し、さらに第２の信号配線２３を金めつきで
形成し、続いて第３のポリイミド樹脂絶縁層２４を形成
する。最後に、金パツド２５と電源配線２６とを金めつ
きで形成して第１の配線基板１０を得る。

第２の工程ではアルミニウム板３０の表面に金パツド３
１を形成し、次に第４のポリイミド樹脂絶縁層３２を形
成し、続いて第３の信号配線層３３をその上に金めつき
で形成し、さらに第５のポリイミド樹脂絶縁層３４を形
成し、続いて第４の信号配線層３５をその上に金めつき
で形成し、これを覆う第６のポリイミド樹脂絶縁層３６
を形成する。そして、最後に金パツド３７をその上に形
成する。

第３の工程では、第２の工程で用いられたアルミニウム
板を希塩酸で溶解除去して第２の配線基板４０を得る。

この工程では図示せぬがアルミニウム板３０の下面に上
層より順次配線層を積層するようにしても良い。

第４の工程では、第１の工程で得られた、第１と第２の
信号配線を有する第１の配線基板１０の表面の金パツド
２５と、第３の工程で得られた、第３と第４の信号配線
を有する第２の配線基板４０の表面の金パツド３１とを
金−エポキシ系接着剤を用いて接着することにより、第
１から第４までの４層の信号配線と２層の電源配線１ｇ
、２６と表層の金パツド３７の合計７層の配線層を有す
る高多層化された回路基板を得る。

本実施例では、第２の工程でアルミニウム板を用いてい
るが、これを亜鉛板に替えることも可能である。

第２図は、本発明の第２の実施例を示す縦断面図である
。

本実施例は、第１図に示した第１の実施例とほぼ同じ構
成であるが、各配線に金めつきの代りに銅めっきを用い
ている点と、第２の配線基板が複数の配線基板群５０，
５１，５２，５３に分割されている点と、第１の配線基
板と第２の配線基板（群）との接着に錫−鉛共晶半田を
用いている点とが異なる。

次に本発明に係る多層回路基板の製造方法における製造
欠陥に起因する損失工数について例をもって説明する。

（例）１層あたり、１０％の製造欠陥による廃棄量がで
る配線層を、８層、積層する場合 各層での廃棄率が等しく１０％であり、各層の所要工数
も等しくＭであると仮定すれば、１枚の基板が良品であ
る期待値に１は、 Ｋ１＝０．９　　＝０．４３０ １枚の基板の損失工数の期待値Ｌ１は、１層目で廃棄さ
れるものから８層目で廃棄されるものまでの累積である
から、 Ｌ　１　＝　”ｉ　（Ｃ１，ＩＸｎＸＭＸｏ、　９ｒ′
−’）　＝ＯＩＭ　ｌ　（ｎ　ｘｏ、　９”）　＝２．
２５２Ｍ従ってこの場合の、良品基板１枚あたりの損失
工数Ｌｌ／Ｋｌは、 Ｌｌ／に１＝５．２４Ｍ　　　である。

つぎに、本発明の方法にしたがって、４層づつの２枚の
基板に分割して積層し、最後に接着を行う場合は、 １枚の基板が良品である期待値に２は、Ｋ２＝０．９　
　＝０．６５６ １枚の基板の損失工数の期待値Ｌ２は、Ｌ　２　＝　：
Ｅ　（０，ＩＸｎＸＭＸｏ、　９’−’）　＝Ｏ，ＩＭ
　７　（ｎ　ｘｏ、　９”）＝０．８１５Ｍ４層基板が
２枚必要であるから、最終的な良品基板１枚あたりの損
失工数は、 ２ｘＬ２／に２＝２．４８Ｍ　　　である。

実際には、この他に、接着の工数と、接着工程における
製造欠陥に起因する損失工数が加えられる。

これらから製造欠陥に起因する損失工数の低減がなし得
る乙とが判明する。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明は、多層にわたる積層配線
を下層の第１の配線基板と上層の配線基板とに分け、そ
れらを同時に積層して行くことにより、積層に要する日
数をほぼ半減できるという効果がある。

また、別個に積層した第１及び第２の配線基板を接着す
ることとしたため、上述した如く、製造欠陥に起因する
損失工数を低減できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の第１の実施例を示す縦断面図、第２
図は、本発明の第２の実施例を示す縦断面図である。 １：セラミック積層配線基板 １０：第１の配線基板 １１：層間絶縁層 １２．１３，１４，１５：電源配線層 １６．１７，２５，３１，３７：金属パッド１９、２２
．２４．３２．３４．３６　：ポリイミド樹脂絶縁層３
０：金属板としてのアルミニウム板 ４０：第２の配線基板 ４１：金−エポキシ系接着剤 ５０．５１，５２，５３：第２の配線基板群５４：錫鉛
共晶半田

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　ポリイミド系樹脂を層間絶縁として、セラミック基板
   上に複数の配線層を形成することにより構成される多層
   回路基板の製造方法において、あらかじめ多層回路基板
   を下層部を構成する第１の配線基板と、上層部を構成す
   る第２の配線基板とにわけ、セラミック基板上に下層よ
   り順次配線層を積層して第１の配線基板を形成する第１
   の工程と、アルミニウム等の金属板上に下層より順次も
   しくは上層より順次配線層を積層して第２の配線基板を
   形成する第２の工程と、第２の配線基板の金属板を希塩
   酸により溶解除去する第３の工程と、第１の配線基板の
   表面に形成された金属パッドと、第２の配線基板の表面
   に形成された金属パッドとを半田付けもしくは導電性接
   着剤で接着する第４の工程とを有することを特徴とする
   多層回路基板の製造方法。