JPH05136062A - 多結晶シリコン薄膜およびその低温形成法 - Google Patents

多結晶シリコン薄膜およびその低温形成法

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 安価なガラス基板を用いてなる多結晶シリコ
ン薄膜及びその低温形成法を提供する。 【構成】 本発明の多結晶シリコン薄膜は、ガラス基板
３２は金属電極もしくは透明電極が形成されたガラス基
板３上に、水素量が５ａｔｏｍ％以下のものである。ま
た本発明の形成法は、多結晶シリコン薄膜を４００℃以
下の温度で形成するものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、安価なガラス基板上に
形成された多結晶シリコン薄膜（ポリシコン薄膜）およ
びその薄膜を大面積に形成する方法に関し、薄膜トラン
ジスタ−、薄膜太陽電池に利用可能なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の方法では、ポリシコン薄膜を形成
するには、６５０℃以上の高温を必要とし、軟化点が６
５０℃以下のガラス基板を用いることが出来ない。また
軟化点が６５０℃以上のものであっても、不純物の拡散
等から高純度の石英ガラス基板を用いる必要があった。
【０００３】また最近になりエキシマレ−ザ−を用いた
低温形成技術の研究が盛んになっているが、この方法で
は５ｍｍ角程度の小さな領域しか結晶化がおこらず、大
面積に結晶化するには基板を動かし全体を結晶化させる
必要がある。また基板を動かした場合には、基板を動か
すスピ−ドにより境界領域に結晶の不均一が生じ、大面
積に均一に多結晶シリコン膜を形成することが困難であ
るという欠点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術の欠点を解消するためになされたものであって、基板
として安価なガラス基板、例えば青板ガラスを用いるこ
とができる多結晶シリコン薄膜およびその低温形成法を
提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の多結晶シリコン
薄膜は、ガラス基板上に形成された多結晶シリコン薄膜
であって、該薄膜中の水素量が、５ａｔｏｍ％以下であ
ることを特徴としている。
【０００６】本発明の多結晶シリコン薄膜は、ガラス基
板の表面上に金属電極または透明電極が形成され、かつ
該金属電極または透明電極が形成された面に多結晶シリ
コン薄膜が形成されているのが好ましく、またＣＶＤ法
またはＰＶＤ法によりアモルファスシリコン膜が形成さ
れた後、水素プラズマにて一定時間暴露され、さらにア
モルファスシリコン膜が形成されるという繰り返しによ
り形成されたポリシコン薄膜であるのが好ましい。
【０００７】さらに、本発明においては、水素プラズマ
が永久磁石を用いたＥＣＲ放電により形成され、かつ該
圧力が１００ｍＴｏｒｒ以下であるのが好ましい。
【０００８】本発明の形成法は、ガラス基板上への多結
晶シリコン薄膜の形成法であって、前記シリコン薄膜が
４００℃以下の温度にて形成されることを特徴としてい
る。
【０００９】また、本発明の形成法においては、ＣＶＤ
法またはＰＶＤ法によりアモルファスシリコン膜を形成
し、しかるのち該アモルファスシリコン膜を水素プラズ
マにて一定時間暴露するという工程が複数回繰り返され
るのが好ましい。
【００１０】さらに、本発明の形成法においては、前記
ＣＶＤ法またはＰＶＤ法と前記水素プラズマによる暴露
とが同一チャンバ−にてなされるのが好ましい。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する
が、本発明はかかる実施例のみに限定されるものではな
い。
【００１２】多結晶シリコン薄膜を形成する基板として
は、ガラス基板、石英基板、サファイア基板等の絶縁性
基板、またはその上にITO、SnO2等の透明導電膜を形成
した基板を用いることができる。
【００１３】この中でもガラス基板、特に安価な青板ガ
ラス基板、もしくはその上に透明電電膜又は金属を蒸着
した基板が製品コストを低減する点から好ましい。
【００１４】この際最も重要なことは、多結晶シリコン
薄膜の形成温度を４００℃以下とし、ガラス基板内に存
在するＮａ等のアルカリ金属、Ｍｇ等のアルカリ土類金
属の拡散を防止することである。
【００１５】実施例１〜２および比較例 図１に示すＣＶＤ装置を用いてポリシコン薄膜をガラス
基板３上に堆積させた。作製手順は、ガラス基板３上に
まずＲＦ放電にてａ−Ｓｉ：Ｈを２０Å堆積させ、引き
続いて永久磁石５ａより構成されたＥＣＲプラズマ装置
５から生成されたＥＣＲプラズマに約２０〜３０秒間暴
露させる。このプロセスを約３００回繰返して約６００
０Åのポりシコン薄膜を得た（実施例１）。図におい
て、１はチャンバー、２は基板回転装置、４はＲＦ電極
を示す。
【００１６】ａ−Ｓｉ：Ｈ成膜時の条件は、基板温度３
５０℃、圧力０．５Ｔｏｒｒ、ＲＦパワ−密度０．４Ｗ
／ｃｍ2、ＳｉＨ4ガス４０ＳＣＣＭ、Ｈ2ガス２００Ｓ
ＣＣＭであった。またＥＣＲ条件としては、圧力０．０
２Ｔｏｒｒ、マイクロ波電力４００Ｗ、Ｈ2：２００Ｓ
ＣＣＭにて行った。作製した膜のラマンスペクトルを図
２に、Ｘ線回折の結果を図３に示した。図３のＸ線回折
より、（１１０）に強く配向したポリシコン膜であるこ
とがわかった。またこの膜をファンデルパウ法（Ｖａｎ
ｄｅｒ Ｐａｕｗ法）により移動度を測定したとこ
ろ、移動度として２０ｃｍ2／Ｖ・Ｓなる値を得た。基
板温度を２５０℃とした場合も同様に、前記方法をによ
りポリシコン膜が得られた（実施例２）。
【００１７】永久磁石５ａを用いたことの特徴は、その
磁界の方向でイオンが通常のＥＣＲ装置のように基板３
に向かって加速されるにではなく、径の中心方向に向っ
かって加速されるため、基板３に流入するイオンのエネ
ルギ−も少なく、その数も一般の電磁石を用いたＥＣＲ
ソ−スに比べて少ない。一方ラジカルは等方的に拡散す
るため、一般のＥＣＲソ−スと同量生成されている。
【００１８】Ｈ2のプラズマのパワ−の変化、つまり水
素ラジカル濃度の変化に対する影響を観察するため、マ
イクロ波電力を１００Ｗとして成膜を行った（比較
例）。しかしながら、比較例においては結晶化が認めら
れなかった。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の多結晶シ
リコン薄膜は安価なガラス基板上に成膜できるので、安
価に製造することができる。
【００２０】また、本発明の形成法によれば、低温で多
結晶シリコン薄膜を形成することができる。したがっ
て、安価なガラス基板を基板として用いることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の形成法に用いる成膜装置の概略図であ
る。
【図２】本発明の一実施例のラマンスペクトルのグラフ
である。
【図３】本発明の一実施例のＸ線回折のグラフである。
【符号の説明】
１ チャンバ− ２ 基板回転装置 ３ ガラス基板 ４ ＲＦ電極 ５ ＥＣＲ装置 ５ａ 永久磁石

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ガラス基板上に形成された多結晶シリコ
    ン薄膜であって、該薄膜中の水素量が、５ａｔｏｍ％以
    下であることを特徴とする多結晶シリコン薄膜。
  2. 【請求項２】 前記ガラス基板の表面上に金属電極また
    は透明電極が形成され、かつ該金属電極または透明電極
    が形成された面に多結晶シリコン薄膜が形成されている
    ことを特徴とする請求項１記載の多結晶シリコン薄膜。
  3. 【請求項３】 前記多結晶シリコン薄膜が、ＣＶＤ法ま
    たはＰＶＤ法によりアモルファスシリコン膜が形成され
    た後、水素プラズマにて一定時間暴露され、さらにアモ
    ルファスシリコン膜が形成されるという繰り返しにより
    形成されたポリシコン薄膜であることを特徴とする請求
    項１または２記載の多結晶シリコン薄膜。
  4. 【請求項４】 前記水素プラズマが永久磁石を用いたＥ
    ＣＲ放電により形成され、かつ該圧力が１００ｍＴｏｒ
    ｒ以下であることを特徴とする請求項３記載の多結晶シ
    リコン薄膜。
  5. 【請求項５】 前記多結晶シリコン薄膜が（１１０）に
    配向した薄膜であって、Ｘ線回折にて測定した（１１
    １）と（２２０）の強度比（２２０）／（１１１）が１
    ０以上であることを特徴とする多結晶シリコン薄膜。
  6. 【請求項６】 前記多結晶シリコン薄膜が４００℃以下
    の温度にて形成されたことを特徴とする請求項１記載の
    多結晶シリコン薄膜。
  7. 【請求項７】 ガラス基板上への多結晶シリコン薄膜の
    形成法であって、前記シリコン薄膜が４００℃以下の温
    度にて形成されることを特徴とする多結晶シリコン薄膜
    の形成法。
  8. 【請求項８】 ＣＶＤ法またはＰＶＤ法によりアモルフ
    ァスシリコン膜を形成し、しかるのち該アモルファスシ
    リコン膜を水素プラズマにて一定時間暴露するという工
    程が複数回繰り返されてなることを特徴とする請求項７
    記載の多結晶シリコン薄膜の形成法。
  9. 【請求項９】 前記ＣＶＤ法またはＰＶＤ法と前記水素
    プラズマによる暴露とが同一チャンバ−にてなされるこ
    とを特徴とする請求項８記載の多結晶シリコン薄膜の形
    成法。
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US08/087,759 US5387542A (en) 1991-11-14 1992-11-16 Polycrystalline silicon thin film and low temperature fabrication method thereof
EP92923561A EP0571632B1 (en) 1991-11-14 1992-11-16 Process for forming a polycrystalline silicon thin film at low temperature
PCT/JP1992/001491 WO1993010555A1 (fr) 1991-11-14 1992-11-16 Couche mince en silicium polycristallin et son procede de formation a basse temperature

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6706335B2 (en) 2000-05-31 2004-03-16 Canon Kabushiki Kaisha Method of forming silicon-based thin film
US6706336B2 (en) 2001-02-02 2004-03-16 Canon Kabushiki Kaisha Silicon-based film, formation method therefor and photovoltaic element
US6812499B2 (en) 2000-10-24 2004-11-02 Canon Kabushiki Kaisha Silicon-based film and photovoltaic element
US6855621B2 (en) 2000-10-24 2005-02-15 Canon Kabushiki Kaisha Method of forming silicon-based thin film, method of forming silicon-based semiconductor layer, and photovoltaic element
WO2022158001A1 (ja) * 2021-01-25 2022-07-28 日本電信電話株式会社 光導波路およびその製造方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0697070A (ja) * 1992-09-11 1994-04-08 Sanyo Electric Co Ltd 多結晶シリコン膜の製造方法
US5624873A (en) * 1993-11-12 1997-04-29 The Penn State Research Foundation Enhanced crystallization of amorphous films
US5956581A (en) * 1995-04-20 1999-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6933182B1 (en) * 1995-04-20 2005-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device and manufacturing system thereof
US5808318A (en) * 1996-03-03 1998-09-15 Ag Technology Co., Ltd. Polycrystalline semiconductor thin film for semiconductor TFT on a substrate having a mobility in a longitudinal direction greater than in a width direction
JP2000058839A (ja) 1998-08-05 2000-02-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法
DE19935046C2 (de) 1999-07-26 2001-07-12 Schott Glas Plasma-CVD-Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer mikrokristallinen Si:H-Schicht auf einem Substrat sowie deren Verwendung
US6830994B2 (en) * 2001-03-09 2004-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device having a crystallized semiconductor film
US6858308B2 (en) * 2001-03-12 2005-02-22 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor element, and method of forming silicon-based film
EP1921178A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-14 Dow Corning Corporation Film deposition of amorphous films by electron cyclotron resonance
ES2522582T3 (es) 2007-08-31 2014-11-17 Aperam Alloys Imphy Sustrato metálico texturizado cristalográficamente, dispositivo texturizado cristalográficamente, célula y módulo fotovoltaico que comprenden un dispositivo de este tipo, y procedimiento de depósito de capas finas
JP2011119397A (ja) * 2009-12-02 2011-06-16 Canon Inc 半導体装置及びその製造方法
US20110290288A1 (en) * 2010-05-28 2011-12-01 Joen-Shen Ma Power generation umbrella

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4358326A (en) * 1980-11-03 1982-11-09 International Business Machines Corporation Epitaxially extended polycrystalline structures utilizing a predeposit of amorphous silicon with subsequent annealing
JPS5821324A (ja) * 1981-07-30 1983-02-08 Agency Of Ind Science & Technol 水素添加した半導体薄膜成長用金属表面基板の前処理方法
DE3206413A1 (de) * 1982-02-23 1983-09-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von aus silizium oder aus siliziden hochschmelzender metalle bestehenden schichten unter verwendung einer planar-magnetron-zerstaeubungsanlage
US4664937A (en) * 1982-09-24 1987-05-12 Energy Conversion Devices, Inc. Method of depositing semiconductor films by free radical generation
JPS61136220A (ja) * 1984-12-07 1986-06-24 Fuji Electric Co Ltd 微結晶シリコン膜の形成方法
US4741964A (en) * 1986-07-17 1988-05-03 International Business Machines Corporation Structure containing hydrogenated amorphous silicon and process
US5221643A (en) * 1989-02-21 1993-06-22 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing polycrystalline semiconductor material by plasma-induced vapor phase deposition using activated hydrogen
EP0407088B1 (en) * 1989-06-28 1998-05-06 Mitsui Chemicals, Inc. Method of forming an amorphous semiconductor film
JPH0388321A (ja) * 1989-08-31 1991-04-12 Tonen Corp 多結晶シリコン薄膜
JPH03139824A (ja) * 1989-10-25 1991-06-14 Agency Of Ind Science & Technol 半導体薄膜の堆積方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6706335B2 (en) 2000-05-31 2004-03-16 Canon Kabushiki Kaisha Method of forming silicon-based thin film
US6812499B2 (en) 2000-10-24 2004-11-02 Canon Kabushiki Kaisha Silicon-based film and photovoltaic element
US6855621B2 (en) 2000-10-24 2005-02-15 Canon Kabushiki Kaisha Method of forming silicon-based thin film, method of forming silicon-based semiconductor layer, and photovoltaic element
US6706336B2 (en) 2001-02-02 2004-03-16 Canon Kabushiki Kaisha Silicon-based film, formation method therefor and photovoltaic element
WO2022158001A1 (ja) * 2021-01-25 2022-07-28 日本電信電話株式会社 光導波路およびその製造方法
JPWO2022158001A1 (ja) * 2021-01-25 2022-07-28

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Publication number Publication date
EP0571632A1 (en) 1993-12-01
DE69226168D1 (de) 1998-08-13
DE69226168T2 (de) 1999-01-21
JP3197036B2 (ja) 2001-08-13
EP0571632B1 (en) 1998-07-08
WO1993010555A1 (fr) 1993-05-27
US5387542A (en) 1995-02-07
EP0571632A4 (en) 1994-03-21

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