JPH05142694A - 光記録材料 - Google Patents
光記録材料Info
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- JPH05142694A JPH05142694A JP30188191A JP30188191A JPH05142694A JP H05142694 A JPH05142694 A JP H05142694A JP 30188191 A JP30188191 A JP 30188191A JP 30188191 A JP30188191 A JP 30188191A JP H05142694 A JPH05142694 A JP H05142694A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】金属ポルフィンや金属ポルフィリンをゲスト分
子として用いて、１光子ホールバーニングの反応効率
（量子効率）が低い有機系の光記録材料を提供する。 【構成】金属ポルフィリン化合物を充填密度０．７００
以上のポリマーマトリクス中にドープした。
子として用いて、１光子ホールバーニングの反応効率
（量子効率）が低い有機系の光記録材料を提供する。 【構成】金属ポルフィリン化合物を充填密度０．７００
以上のポリマーマトリクス中にドープした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光記録材料に係り、特に
フォトケミカルホールバーニング現象を利用して情報記
録を行う有機系の光記録材料に関する。
フォトケミカルホールバーニング現象を利用して情報記
録を行う有機系の光記録材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】マトリクス（ホスト）中にドープされた
光化学的に活性な分子（ゲスト分子）の光互変異性、光
解離、ホスト−ゲスト分子間の水素結合の再配位等に伴
うフォトケミカルホールバーニング（以下、ＰＨＢと略
記する）現象を利用した光メモリは、光磁気効果や相転
移現象等を利用した光メモリよりも記録密度を飛躍的に
向上させることが原理的に可能である。このため、ＰＨ
Ｂ現象を利用して情報記録を行う種々の光記録材料（以
下、単に光記録材料という）の開発が進められている。
このような光記録材料に記録された情報は、光を照射し
て吸収スペクトルまたは蛍光スペクトルとして読出され
るため、読出し時の情報破壊（ホールの破壊）を防ぐう
えからは、書込み時には反応効率を高くし、読出し時に
は反応効率を低くすることが必要である。そして、高い
反応効率の下で情報を書込む方法として、段階的２光子
励起によって生じる光化学反応（２光子光化学反応）に
よりホールを生成させる方法が提案されている。この方
法では、読出し光によるホールの破壊が原理的にないた
め、高い読出し安定性が期待できる。
光化学的に活性な分子（ゲスト分子）の光互変異性、光
解離、ホスト−ゲスト分子間の水素結合の再配位等に伴
うフォトケミカルホールバーニング（以下、ＰＨＢと略
記する）現象を利用した光メモリは、光磁気効果や相転
移現象等を利用した光メモリよりも記録密度を飛躍的に
向上させることが原理的に可能である。このため、ＰＨ
Ｂ現象を利用して情報記録を行う種々の光記録材料（以
下、単に光記録材料という）の開発が進められている。
このような光記録材料に記録された情報は、光を照射し
て吸収スペクトルまたは蛍光スペクトルとして読出され
るため、読出し時の情報破壊（ホールの破壊）を防ぐう
えからは、書込み時には反応効率を高くし、読出し時に
は反応効率を低くすることが必要である。そして、高い
反応効率の下で情報を書込む方法として、段階的２光子
励起によって生じる光化学反応（２光子光化学反応）に
よりホールを生成させる方法が提案されている。この方
法では、読出し光によるホールの破壊が原理的にないた
め、高い読出し安定性が期待できる。
【０００３】２光子光化学反応により情報の書込みが可
能な有機系の光記録材料としては、金属ポルフィリンを
電子供与体（ゲスト分子）として用い、この金属ポルフ
ィリンを電子受容体（クロロホルム）とともにポリメチ
ルメタクリレート中にドープしたものが知られている
［T.P.Carter et al.,Opt.Lett.,1987,12(5),370］。こ
の光記録材料では、２光子光電子移動反応により、高効
率で情報の書込みを行うことが可能である。
能な有機系の光記録材料としては、金属ポルフィリンを
電子供与体（ゲスト分子）として用い、この金属ポルフ
ィリンを電子受容体（クロロホルム）とともにポリメチ
ルメタクリレート中にドープしたものが知られている
［T.P.Carter et al.,Opt.Lett.,1987,12(5),370］。こ
の光記録材料では、２光子光電子移動反応により、高効
率で情報の書込みを行うことが可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属ポ
ルフィリンをゲスト分子として用いた従来の有機系光記
録材料では、実際問題として１光子ホールバーニングが
起こり、読出し光によるホールの破壊が生じる。このた
め、読出し安定性という点では、未だ不十分であった。
したがって本発明の目的は、金属ポルフィリンをゲスト
分子として用いて、１光子ホールバーニングの反応効率
（量子効率）が低い有機系の光記録材料を提供すること
にある。
ルフィリンをゲスト分子として用いた従来の有機系光記
録材料では、実際問題として１光子ホールバーニングが
起こり、読出し光によるホールの破壊が生じる。このた
め、読出し安定性という点では、未だ不十分であった。
したがって本発明の目的は、金属ポルフィリンをゲスト
分子として用いて、１光子ホールバーニングの反応効率
（量子効率）が低い有機系の光記録材料を提供すること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、金属ポル
フィリンにおける１光子ホールバーニングについて鋭意
研究した結果、金属ポルフィリンでは２種類の１光子ホ
ールバーニング現象が起こり得ることを明らかにした。
すなわち、金属ポルフィリンとして亜鉛テトラベンゾポ
ルフィリン（以下、ＴＺＴと略記することがある）を用
い、このＴＺＴを種々の電子受容性分子と組合わせてポ
リマーマトリクス（ポリメチルメタクリレート）にドー
プして得た光記録材料（ＴＺＴの濃度：３×１０-4 mol
／ｌ，電子受容性分子の濃度：２．０〜２．５ mol／
ｌ）について、波長６５０ｎｍ、平均光強度２０μＷ／
ｍｍ2 のレーザー光による１光子ホールバーニングの量
子効率を算出したところ、表１に示す結果が得られた。
フィリンにおける１光子ホールバーニングについて鋭意
研究した結果、金属ポルフィリンでは２種類の１光子ホ
ールバーニング現象が起こり得ることを明らかにした。
すなわち、金属ポルフィリンとして亜鉛テトラベンゾポ
ルフィリン（以下、ＴＺＴと略記することがある）を用
い、このＴＺＴを種々の電子受容性分子と組合わせてポ
リマーマトリクス（ポリメチルメタクリレート）にドー
プして得た光記録材料（ＴＺＴの濃度：３×１０-4 mol
／ｌ，電子受容性分子の濃度：２．０〜２．５ mol／
ｌ）について、波長６５０ｎｍ、平均光強度２０μＷ／
ｍｍ2 のレーザー光による１光子ホールバーニングの量
子効率を算出したところ、表１に示す結果が得られた。
【０００６】
【表１】
【０００７】上記表１およびこの結果をグラフ化した図
１から明らかなように、自由エネルギーの変化量△Ｇが
負の場合には１光子ホールバーニングの量子効率が低
く、かつ、その効率は殆ど一定であることから、△Ｇが
負の場合にはポリマーマトリクスへの力学的なひずみの
蓄積による１光子ホールバーニング（１光子光物理ホー
ルバーニング，光物理ホールバーニングを以下ＮＰＨＢ
と略記する）が起こっていることがわかる。一方、△Ｇ
が正の場合には１光子ホールバーニングの量子効率が極
めて高いことから、この場合には、金属ポルフィリン
（ＴＺＴ）から電子受容性分子への１光子光電子移動反
応によるＰＨＢが上記ＮＰＨＢと並行して起こっている
ことがわかる。
１から明らかなように、自由エネルギーの変化量△Ｇが
負の場合には１光子ホールバーニングの量子効率が低
く、かつ、その効率は殆ど一定であることから、△Ｇが
負の場合にはポリマーマトリクスへの力学的なひずみの
蓄積による１光子ホールバーニング（１光子光物理ホー
ルバーニング，光物理ホールバーニングを以下ＮＰＨＢ
と略記する）が起こっていることがわかる。一方、△Ｇ
が正の場合には１光子ホールバーニングの量子効率が極
めて高いことから、この場合には、金属ポルフィリン
（ＴＺＴ）から電子受容性分子への１光子光電子移動反
応によるＰＨＢが上記ＮＰＨＢと並行して起こっている
ことがわかる。
【０００８】したがって、金属ポルフィリンをゲスト分
子として用いた光記録材料における１光子ホールバーニ
ングを抑制するためには、１光子ＮＰＨＢを抑制するこ
とが必要である。ＮＰＨＢはゲスト分子まわりの環境の
変化に起因するので、極低温下で分子運動性の低いポリ
マーをマトリクス（ホスト）として用いることにより抑
制できる。そこで、極低温下での分子運動性が低いポリ
マーとして充填密度の高いポリマーを用いることに着目
し、充填密度の高いポリマーをマトリクス（ホスト）と
して用いてＴＺＴの１光子ホールバーニングに適用した
ところ、１光子ＮＰＨＢを抑制することができた。この
ことは、金属ポルフィリン化合物をゲスト分子として用
いた有機系の光記録材料について広く適用することがで
きる。
子として用いた光記録材料における１光子ホールバーニ
ングを抑制するためには、１光子ＮＰＨＢを抑制するこ
とが必要である。ＮＰＨＢはゲスト分子まわりの環境の
変化に起因するので、極低温下で分子運動性の低いポリ
マーをマトリクス（ホスト）として用いることにより抑
制できる。そこで、極低温下での分子運動性が低いポリ
マーとして充填密度の高いポリマーを用いることに着目
し、充填密度の高いポリマーをマトリクス（ホスト）と
して用いてＴＺＴの１光子ホールバーニングに適用した
ところ、１光子ＮＰＨＢを抑制することができた。この
ことは、金属ポルフィリン化合物をゲスト分子として用
いた有機系の光記録材料について広く適用することがで
きる。
【０００９】本発明は上記知見に基づいて成されたもの
であり、前記目的を達成する本発明の光記録材料は、金
属ポルフィリン化合物が充填密度０．７００以上のポリ
マーマトリクス中にドープされていることを特徴とする
ものである。
であり、前記目的を達成する本発明の光記録材料は、金
属ポルフィリン化合物が充填密度０．７００以上のポリ
マーマトリクス中にドープされていることを特徴とする
ものである。
【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
光記録材料では、上述したように、金属ポルフィリン化
合物を充填密度０．７００以上のポリマーマトリクス中
にドープしている。ここで、本明細書における金属ポル
フィリン化合物とはポルフィリンの金属錯体を意味し、
ＮＰＨＢを示すものであれば特に限定されない。このよ
うな金属ポルフィリン化合物としては、例えば下式
光記録材料では、上述したように、金属ポルフィリン化
合物を充填密度０．７００以上のポリマーマトリクス中
にドープしている。ここで、本明細書における金属ポル
フィリン化合物とはポルフィリンの金属錯体を意味し、
ＮＰＨＢを示すものであれば特に限定されない。このよ
うな金属ポルフィリン化合物としては、例えば下式
【００１１】
【化１】
【００１２】で示される化合物が挙げられる。
【００１３】一般式（Ｉ）において、Ｍの金属としては
Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｖ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｐ
ｂ、Ａｌ、Ｃｄ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｂｅ、Ｎ
ｉ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｂ、Ｔｉ等が挙げられ
る。また、上記一般式（Ｉ）中のＲ1 として示した、０
または１個の窒素原子、酸素原子またはイオウ原子を含
む炭素数４〜１８のアリール基とは、フェニル基、ナフ
チル基、アントラセニル基、フェナンスレニル基、テト
ラセニル基等のような、ベンゼン環または縮合環（２個
以上のベンゼン環が縮合したもの）によって構成される
基の他に、フリル基、チエニル基、ピリジル基、チオフ
ェニル基等のような、複素環により構成される基をも含
む。そして、これらのアリール基は、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基等の炭素数１〜８のアルキル
基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数１〜８のアルコキシ基、フェノキシ基等の
アリールオキシ基、あるいは塩素、臭素等のハロゲン基
を環上に有していてもよい。一般式（Ｉ）におけるＲ1
の炭素数１〜８のアルキル基としては、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。
Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｖ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｐ
ｂ、Ａｌ、Ｃｄ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｂｅ、Ｎ
ｉ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｂ、Ｔｉ等が挙げられ
る。また、上記一般式（Ｉ）中のＲ1 として示した、０
または１個の窒素原子、酸素原子またはイオウ原子を含
む炭素数４〜１８のアリール基とは、フェニル基、ナフ
チル基、アントラセニル基、フェナンスレニル基、テト
ラセニル基等のような、ベンゼン環または縮合環（２個
以上のベンゼン環が縮合したもの）によって構成される
基の他に、フリル基、チエニル基、ピリジル基、チオフ
ェニル基等のような、複素環により構成される基をも含
む。そして、これらのアリール基は、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基等の炭素数１〜８のアルキル
基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数１〜８のアルコキシ基、フェノキシ基等の
アリールオキシ基、あるいは塩素、臭素等のハロゲン基
を環上に有していてもよい。一般式（Ｉ）におけるＲ1
の炭素数１〜８のアルキル基としては、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。
【００１４】一般式（Ｉ）におけるＲ2 の炭素数１〜８
の有機基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基等の炭素数１〜８のアルキル基；メトキシ基、
エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜
８のアルコキシ基；フェノキシ基等のアリールオキシ基
等が挙げられる。また、一般式（Ｉ）におけるＲ2 のハ
ロゲン基としては、塩素、臭素、弗素、沃素が挙げられ
る。一般式（Ｉ）においては、相隣の２つのＲ2 がピロ
ール環と縮合したベンゼン環を形成していてもよく、こ
の場合、ベンゼン環は前述したアリール基または上述し
た炭素数１〜８のアルキル基等の置換基を環上に有して
いてもよい。
の有機基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基等の炭素数１〜８のアルキル基；メトキシ基、
エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜
８のアルコキシ基；フェノキシ基等のアリールオキシ基
等が挙げられる。また、一般式（Ｉ）におけるＲ2 のハ
ロゲン基としては、塩素、臭素、弗素、沃素が挙げられ
る。一般式（Ｉ）においては、相隣の２つのＲ2 がピロ
ール環と縮合したベンゼン環を形成していてもよく、こ
の場合、ベンゼン環は前述したアリール基または上述し
た炭素数１〜８のアルキル基等の置換基を環上に有して
いてもよい。
【００１５】一般式（Ｉ）で示される化合物の具体例と
しては以下のものが挙げられる。 (a) 金属テトラアリールポルフィリン（Ｍ＝Ｚｎ，Ｍ
ｇ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｖ，Ｒｕ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ａｌ，
Ｃｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｂｅ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｃ
ｏ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｂ，Ｔｉ等、Ｒ1 ＝フェニル基、ナ
フチル基、ピリジル基等のアリール基、Ｒ2 ＝Ｈ） (b) 金属テトラアリールテトラベンゾポルフィリン（Ｍ
＝Ｚｎ，Ｍｇ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｖ，Ｒｕ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｐ
ｂ，Ａｌ，Ｃｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｂｅ，Ｎ
ｉ，Ａｇ，Ｃｏ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｂ，Ｔｉ等、Ｒ1 ＝フ
ェニル基、ナフチル、ピリジル基等のアリール基、２×
Ｒ2 ＝ピロール環に縮合されたベンゼン環） (c) 金属オクタアルキルポルフィリン（Ｍ＝Ｚｎ，Ｍ
ｇ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｖ，Ｒｕ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ａｌ，
Ｃｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｂｅ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｃ
ｏ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｂ，Ｔｉ等、Ｒ1 ＝アルキル基、Ｒ
2 ＝Ｈ） (d) 金属テトラベンゾポルフィリン（Ｍ＝Ｚｎ，Ｍｇ，
Ｃｕ，Ｍｎ，Ｖ，Ｒｕ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ａｌ，Ｃ
ｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｂｅ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｃ
ｏ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｂ，Ｔｉ等、Ｒ1 ＝Ｈ、２×Ｒ2＝
ピロール環に縮合されたベンゼン環） (e) 金属オクタアルキルベンゾポルフィリン（Ｍ＝Ｚ
ｎ，Ｍｇ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｖ，Ｒｕ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｐｂ，
Ａｌ，Ｃｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｂｅ，Ｎｉ，Ａ
ｇ，Ｃｏ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｂ，Ｔｉ等、Ｒ1 ＝アルキル
基、２×Ｒ2 ＝ピロール環に縮合されたベンゼン環）
しては以下のものが挙げられる。 (a) 金属テトラアリールポルフィリン（Ｍ＝Ｚｎ，Ｍ
ｇ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｖ，Ｒｕ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ａｌ，
Ｃｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｂｅ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｃ
ｏ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｂ，Ｔｉ等、Ｒ1 ＝フェニル基、ナ
フチル基、ピリジル基等のアリール基、Ｒ2 ＝Ｈ） (b) 金属テトラアリールテトラベンゾポルフィリン（Ｍ
＝Ｚｎ，Ｍｇ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｖ，Ｒｕ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｐ
ｂ，Ａｌ，Ｃｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｂｅ，Ｎ
ｉ，Ａｇ，Ｃｏ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｂ，Ｔｉ等、Ｒ1 ＝フ
ェニル基、ナフチル、ピリジル基等のアリール基、２×
Ｒ2 ＝ピロール環に縮合されたベンゼン環） (c) 金属オクタアルキルポルフィリン（Ｍ＝Ｚｎ，Ｍ
ｇ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｖ，Ｒｕ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ａｌ，
Ｃｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｂｅ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｃ
ｏ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｂ，Ｔｉ等、Ｒ1 ＝アルキル基、Ｒ
2 ＝Ｈ） (d) 金属テトラベンゾポルフィリン（Ｍ＝Ｚｎ，Ｍｇ，
Ｃｕ，Ｍｎ，Ｖ，Ｒｕ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ａｌ，Ｃ
ｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｂｅ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｃ
ｏ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｂ，Ｔｉ等、Ｒ1 ＝Ｈ、２×Ｒ2＝
ピロール環に縮合されたベンゼン環） (e) 金属オクタアルキルベンゾポルフィリン（Ｍ＝Ｚ
ｎ，Ｍｇ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｖ，Ｒｕ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｐｂ，
Ａｌ，Ｃｄ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｂｅ，Ｎｉ，Ａ
ｇ，Ｃｏ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｂ，Ｔｉ等、Ｒ1 ＝アルキル
基、２×Ｒ2 ＝ピロール環に縮合されたベンゼン環）
【００１６】一方、上記金属ポルフィリン化合物がドー
プされるポリマーマトリクスは、充填密度が０．７００
以上のものに限定される。ここで、本明細書でいう充填
密度は、下式 ρ＝Ｖw ／Ｖ （ρ：充填密度、Ｖw ：モノマー１モルあたりのファン
デルワールス体積、Ｖ：モノマー１モルを重合したとき
の体積）により求めた値である。なお、上記式による充
填密度の算出は、A.Bondi,J.Phys.Chem.Solids,1967,2
8,649 に詳述されている。
プされるポリマーマトリクスは、充填密度が０．７００
以上のものに限定される。ここで、本明細書でいう充填
密度は、下式 ρ＝Ｖw ／Ｖ （ρ：充填密度、Ｖw ：モノマー１モルあたりのファン
デルワールス体積、Ｖ：モノマー１モルを重合したとき
の体積）により求めた値である。なお、上記式による充
填密度の算出は、A.Bondi,J.Phys.Chem.Solids,1967,2
8,649 に詳述されている。
【００１７】本発明においてポリマーマトリクスの充填
密度を０．７００以上に限定する理由は、充填密度が
０．７００未満のポリマーマトリクスでは力学的なひず
みの蓄積に起因する金属ポルフィリン化合物の１光子Ｎ
ＰＨＢを十分に抑制することができないからである。充
填密度が０．７００以上のポリマーの具体例としては、
ポリエチレン（ρ＝０．７１０）、ポリイソブチレン
（ρ＝０．７１５）等が挙げられる。
密度を０．７００以上に限定する理由は、充填密度が
０．７００未満のポリマーマトリクスでは力学的なひず
みの蓄積に起因する金属ポルフィリン化合物の１光子Ｎ
ＰＨＢを十分に抑制することができないからである。充
填密度が０．７００以上のポリマーの具体例としては、
ポリエチレン（ρ＝０．７１０）、ポリイソブチレン
（ρ＝０．７１５）等が挙げられる。
【００１８】上述したポリマーに前述の金属ポルフィリ
ン化合物をドープするにあたっては、例えば下記〜 前述した金属ポルフィリン化合物と上述したポリマー
とをキシレン、トルエン、ヘキサン、ヘプタン等の適当
な有機溶媒に溶解させた後に乾燥する、 軟化または溶融させた上記ポリマー中に、前述した金
属ポルフィリン化合物を分散させる、 粉末状にした上記ポリマーに前述した金属ポルフィリ
ン化合物を機械的に分散させた後、加熱、加圧成形す
る、 等の公知の方法を適用することができる。このときの金
属ポルフィリン化合物の濃度は、ホールの検出方法（例
えば蛍光検出法、ＦＭ分光法等）に応じて、最終濃度が
１０-1〜１０-6 mol／ｌとなる範囲内で適宜選択可能で
ある。
ン化合物をドープするにあたっては、例えば下記〜 前述した金属ポルフィリン化合物と上述したポリマー
とをキシレン、トルエン、ヘキサン、ヘプタン等の適当
な有機溶媒に溶解させた後に乾燥する、 軟化または溶融させた上記ポリマー中に、前述した金
属ポルフィリン化合物を分散させる、 粉末状にした上記ポリマーに前述した金属ポルフィリ
ン化合物を機械的に分散させた後、加熱、加圧成形す
る、 等の公知の方法を適用することができる。このときの金
属ポルフィリン化合物の濃度は、ホールの検出方法（例
えば蛍光検出法、ＦＭ分光法等）に応じて、最終濃度が
１０-1〜１０-6 mol／ｌとなる範囲内で適宜選択可能で
ある。
【００１９】なお、上記の方法のように溶媒を用いる
場合は、溶媒が残留するとポリマーマトリクスの局所的
な充填密度が変化するおそれがあるため、乾燥処理を十
分に行って残留溶媒量をできるだけ少なくすることが好
ましい。また、本発明の光記録材料は、金属ポルフィリ
ン化合物および充填密度０．７００以上のポリマー以外
に、ゲスト分子（金属ポルフィリン化合物）周辺の局所
的な充填密度を低下させない範囲内で、任意の低分子化
合物あるいは高分子化合物を含有していてもよい。
場合は、溶媒が残留するとポリマーマトリクスの局所的
な充填密度が変化するおそれがあるため、乾燥処理を十
分に行って残留溶媒量をできるだけ少なくすることが好
ましい。また、本発明の光記録材料は、金属ポルフィリ
ン化合物および充填密度０．７００以上のポリマー以外
に、ゲスト分子（金属ポルフィリン化合物）周辺の局所
的な充填密度を低下させない範囲内で、任意の低分子化
合物あるいは高分子化合物を含有していてもよい。
【００２０】このようにして得られる本発明の光記録材
料では、極低温下でのポリマーマトリクスの分子運動性
が低いため、力学的なひずみの蓄積に起因する１光子Ｎ
ＰＨＢが抑制される。すなわち、金属ポルフィリン化合
物における１光子ホールバーニングが抑制される。した
がって、本発明の光記録材料では読出し安定性が向上す
る。なお、本発明の光記録材料を用いた光記録媒体は、
例えば、前述のようにしてポリマー中に金属ポルフィリ
ン化合物をドープした後、またはドープしつつ、ドープ
の方法に応じてキャスト法、スピンコート法、プレス
法、射出成形法等の公知の方法により所定の基材上に所
望形状に成形することにより、得ることができる。
料では、極低温下でのポリマーマトリクスの分子運動性
が低いため、力学的なひずみの蓄積に起因する１光子Ｎ
ＰＨＢが抑制される。すなわち、金属ポルフィリン化合
物における１光子ホールバーニングが抑制される。した
がって、本発明の光記録材料では読出し安定性が向上す
る。なお、本発明の光記録材料を用いた光記録媒体は、
例えば、前述のようにしてポリマー中に金属ポルフィリ
ン化合物をドープした後、またはドープしつつ、ドープ
の方法に応じてキャスト法、スピンコート法、プレス
法、射出成形法等の公知の方法により所定の基材上に所
望形状に成形することにより、得ることができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 実施例１ 亜鉛テトラベンゾポルフィリン（以下、ＴＺＴと略記す
る）１ｍｇと再沈精製したポリエチレン［充填密度０．
７１０、出光石油化学（株）製，以下ＰＥと略記する］
１．１ｇとを還流下で１０ｍｌのキシレンに溶解させた
後、キシレンを留去し、真空乾燥器により６０℃で１晩
乾燥して、ＴＺＴがＰＥ中にドープされている本発明の
光記録材料を得た。
る）１ｍｇと再沈精製したポリエチレン［充填密度０．
７１０、出光石油化学（株）製，以下ＰＥと略記する］
１．１ｇとを還流下で１０ｍｌのキシレンに溶解させた
後、キシレンを留去し、真空乾燥器により６０℃で１晩
乾燥して、ＴＺＴがＰＥ中にドープされている本発明の
光記録材料を得た。
【００２２】このようにして得られた光記録材料におけ
る１光子ＮＰＨＢの量子効率を、以下のようにして測定
した。まず、得られた光記録材料をスライドガラスにと
り、ホットプレート上でガラス転移温度以上に加熱して
光記録材料中の溶媒を十分にとばした後（溶媒を十分に
とばした後のものも本発明の光記録材料である）、加熱
したまま別のスライドガラスを上からかぶせ、手で押し
つぶして厚みが３００μｍ程度の薄板にした。次いで、
この薄板を室温下に放置することにより自然冷却して、
測定用試料を得た。
る１光子ＮＰＨＢの量子効率を、以下のようにして測定
した。まず、得られた光記録材料をスライドガラスにと
り、ホットプレート上でガラス転移温度以上に加熱して
光記録材料中の溶媒を十分にとばした後（溶媒を十分に
とばした後のものも本発明の光記録材料である）、加熱
したまま別のスライドガラスを上からかぶせ、手で押し
つぶして厚みが３００μｍ程度の薄板にした。次いで、
この薄板を室温下に放置することにより自然冷却して、
測定用試料を得た。
【００２３】得られた測定用試料をガスフロー型クライ
オスタット中で７Ｋに冷却し、エキシマレーザー励起色
素レーザーからのパルス光（波長６５０ｎｍ、平均出力
１５μＷ／ｍｍ2 ）を２０Ｈｚで繰り返し照射して、下
式 ［ｈはプランク定数、νはバーニング光（色素レーザー
からのパルス光）の周波数、△Ｓはホール面積、ｆはホ
ールバーニング可能なＱバンドの面積と濃度とから算出
した振動子強度、Ａはバーニング波長（色素レーザーか
らのパルス光の波長）における吸光度、Ｉはバーニング
光（色素レーザーからのパルス光）の強度、ｔはバーニ
ング光（色素レーザーからのパルス光）の照射時間］に
より１光子ＮＰＨＢの量子効率を求めた。結果を表２に
示す。
オスタット中で７Ｋに冷却し、エキシマレーザー励起色
素レーザーからのパルス光（波長６５０ｎｍ、平均出力
１５μＷ／ｍｍ2 ）を２０Ｈｚで繰り返し照射して、下
式 ［ｈはプランク定数、νはバーニング光（色素レーザー
からのパルス光）の周波数、△Ｓはホール面積、ｆはホ
ールバーニング可能なＱバンドの面積と濃度とから算出
した振動子強度、Ａはバーニング波長（色素レーザーか
らのパルス光の波長）における吸光度、Ｉはバーニング
光（色素レーザーからのパルス光）の強度、ｔはバーニ
ング光（色素レーザーからのパルス光）の照射時間］に
より１光子ＮＰＨＢの量子効率を求めた。結果を表２に
示す。
【００２４】実施例２ ＴＺＴ １ｍｇと再沈精製したポリイソブチレン（充填
密度０．７１５、アルドリッチ社製、平均分子量１３０
万，以下ＰＩＢと略記する）１．２ｇとを室温下で１０
ｍｌのｎ−ヘキサンに溶解させた後にｎ−ヘキサンを留
去し、真空乾燥器によりｎ−ヘキサンの沸点以上である
８０℃に加熱し、この温度で１５時間乾燥して、ＴＺＴ
がＰＩＢ中にドープされている本発明の光記録材料を得
た。このようにして得られた光記録材料を２枚のスライ
ドガラスに挾んで厚み３００μｍ程度の測定用試料を作
製し、この測定用試料を用いて実施例１と同様にして１
光子ＮＰＨＢの量子効率を測定した。結果を表２に示
す。
密度０．７１５、アルドリッチ社製、平均分子量１３０
万，以下ＰＩＢと略記する）１．２ｇとを室温下で１０
ｍｌのｎ−ヘキサンに溶解させた後にｎ−ヘキサンを留
去し、真空乾燥器によりｎ−ヘキサンの沸点以上である
８０℃に加熱し、この温度で１５時間乾燥して、ＴＺＴ
がＰＩＢ中にドープされている本発明の光記録材料を得
た。このようにして得られた光記録材料を２枚のスライ
ドガラスに挾んで厚み３００μｍ程度の測定用試料を作
製し、この測定用試料を用いて実施例１と同様にして１
光子ＮＰＨＢの量子効率を測定した。結果を表２に示
す。
【００２５】比較例１ ＴＺＴ １ｍｇと再沈精製したポリメチルメタクリレー
ト［和光純薬（株）製、品番１３８−０２７３５、充填
密度０．６６０，以下ＰＭＭＡと略記する］１．１ｇと
を室温下で１０ｍｌのアセトンに溶解させた後、真空乾
燥器により６０℃で３０分乾燥して、ＴＺＴがＰＭＭＡ
中にドープされている光記録材料を得た。このようにし
て得られた光記録材料について、実施例１と同様にして
測定用試料を作製し、実施例１と同様にして１光子ＮＰ
ＨＢの量子効率を測定した。結果を表２に示す。
ト［和光純薬（株）製、品番１３８−０２７３５、充填
密度０．６６０，以下ＰＭＭＡと略記する］１．１ｇと
を室温下で１０ｍｌのアセトンに溶解させた後、真空乾
燥器により６０℃で３０分乾燥して、ＴＺＴがＰＭＭＡ
中にドープされている光記録材料を得た。このようにし
て得られた光記録材料について、実施例１と同様にして
測定用試料を作製し、実施例１と同様にして１光子ＮＰ
ＨＢの量子効率を測定した。結果を表２に示す。
【００２６】比較例２ ＴＺＴ ０．４ｍｇと再沈精製したポリスチレン［出光
石油化学（株）製、製品名ＮＦ２０、充填密度０．６３
６，以下ＰＳと略記する］０．８ｇとを室温下で１０ｍ
ｌのトルエンに溶解させた後、真空乾燥器により８０℃
で１時間乾燥して、ＴＺＴがＰＳ中にドープされている
光記録材料を得た。このようにして得られた光記録材料
について、実施例１と同様にして測定用試料を作製し、
実施例１と同様にして１光子ＮＰＨＢの量子効率を測定
した。結果を表２に示す。
石油化学（株）製、製品名ＮＦ２０、充填密度０．６３
６，以下ＰＳと略記する］０．８ｇとを室温下で１０ｍ
ｌのトルエンに溶解させた後、真空乾燥器により８０℃
で１時間乾燥して、ＴＺＴがＰＳ中にドープされている
光記録材料を得た。このようにして得られた光記録材料
について、実施例１と同様にして測定用試料を作製し、
実施例１と同様にして１光子ＮＰＨＢの量子効率を測定
した。結果を表２に示す。
【００２７】
【表２】
【００２８】表２から明らかなように、実施例１および
実施例２で得られた本発明の各光記録材料における１光
子ＮＰＨＢの量子効率は、比較例１および比較例２で得
られた各光記録材料における１光子ＮＰＨＢの量子効率
よりも１〜３桁低い。このことから、本発明の光記録材
料においては読出し光による１光子ホールバーニングが
抑制されることがわかる。
実施例２で得られた本発明の各光記録材料における１光
子ＮＰＨＢの量子効率は、比較例１および比較例２で得
られた各光記録材料における１光子ＮＰＨＢの量子効率
よりも１〜３桁低い。このことから、本発明の光記録材
料においては読出し光による１光子ホールバーニングが
抑制されることがわかる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光記録材
料における１光子ＮＰＨＢの量子効率は、従来の光記録
材料における１光子ＮＰＨＢの量子効率より低い。した
がって、本発明によれば、金属ポルフィリン化合物を用
いて従来よりも読出し安定性の高い光記録材料を提供す
ることが可能となる。
料における１光子ＮＰＨＢの量子効率は、従来の光記録
材料における１光子ＮＰＨＢの量子効率より低い。した
がって、本発明によれば、金属ポルフィリン化合物を用
いて従来よりも読出し安定性の高い光記録材料を提供す
ることが可能となる。
【図１】は、自由エネルギーの変化量△Ｇと１光子ホー
ルバーニングの量子効率との関係を示す図である。
ルバーニングの量子効率との関係を示す図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 金属ポルフィリン化合物が充填密度０．
７００以上のポリマーマトリクス中にドープされている
ことを特徴とする光記録材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30188191A JPH05142694A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | 光記録材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30188191A JPH05142694A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | 光記録材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05142694A true JPH05142694A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17902267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30188191A Withdrawn JPH05142694A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | 光記録材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05142694A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009274225A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-26 | Sony Corp | 光情報記録媒体及び２光子吸収材料 |
-
1991
- 1991-11-18 JP JP30188191A patent/JPH05142694A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009274225A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-26 | Sony Corp | 光情報記録媒体及び２光子吸収材料 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |