JPH0416075B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は光記録材料に関する。 〔従来の技術〕 光記録方式は、安価、大容量の記録媒体が得ら
れるため開発がさかんな分野である。従来この分
野では無機系金属金属薄膜を記録膜として、半導
体レーザの近赤外出力を一度熱に変換し、その熱
を利用して記録膜に穴をあけ、或いは相変化を生
じさせてこれによる表面反射率の変化を読みとる
いわゆるヒートモードの光記録方式が実用化され
てきた。さらに近年有機染料を記録膜とするヒー
トモード光記録方式が新たに提案されている。し
かし、ヒートモードを用いた光記録方法では、半
導体レーザの出力を熱に変換する際に基板等を通
じて熱が発散するために感度に限界があり、又、
穴をあける方式に基づくものでは情報の消去が困
難である。これらの観点より、吸収した光を熱と
して発散することが少なく記録膜の変形をも防ぐ
方法として、吸収した光を光子エネルギーとして
そのまま利用し、引きつづき起こる光反応を情報
の記録再生に用いようという、フオトンモードの
光記録方法が提案されており、特に情報の消去が
可能な可逆型光記録材料を得るための手段として
精力的に研究が行われている。これらの目的のた
めにフオトクロミツク材料を記録膜材料とする提
案がなされており、例えば特開昭57−59956号公
報には直鎖アルキル基を有するスピロピラン誘導
体が、特開昭60−123838号公報には同様のスピロ
ピラン化合物の化学蒸着膜を記録層とする提案が
なされている。又同様の目的により、ヘラー
（A.Heller）らはジヤーナルオブケミカルソサエ
テイーパーキンＩ（J.Chem.Soc Perkin Ｉ），202
頁（1981）においてフルギドと称されるフオトク
ロミツク化合物の特性とその光記録材料への応用
につき述べている。これらの化合物の光記録方法
については種々提案されているか、一般的には紫
外光線を全面に照射してスピロピラン類、フルギ
ド化合物等のフオトクロミツク化合物を強く着色
させて初期化を行い、次いで、フオトクロミツク
化合物の変色域にあわせた可視光線照射によつて
情報の記録、読み出しを行つている。これらは一
般に紫外〜可視光線の領域で行われるが、最近、
半導体レーザの発振波長域にマツチングしたスピ
ロピラン類の発表（例えば日本化学会第50春季年
会予稿集Ｉ、P259（1985））もなされている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、従来のフオトクロミツク化合物
を光記録材料として用いる際の問題点としてあげ
られるものはこれらフオトクロミツク化合物によ
る情報の読み出し破壊である。これは、フオトク
ロミツク化合物の初期状態および着色状態は共通
ないしは高い確率で交差した励起状態を有してお
り、着色種の吸収に光照射をして情報を記録する
ことと、後に読み出し光による情報の読みとりと
は同値の励起状態に至り、読み出し破壊が避けら
れないことによる。この問題を回避する方法とし
て通常読み出し光の光強度を弱くする方法がとら
れるが、光励起そのものが唯一の反応過程である
ため、しきい値による区別は不可能であり、常に
一定程度の確率で読み出し破壊が起こりうるた
め、情報のくり返し読み出しの際に問題を生じ
る。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、光増感剤系、電子供与性物質及び電
子受容性物質を含有し、該光増感剤系が下記一般
式（）又は（′）であらわされる化合物及び
一般式（）で示されるキノン系化合物を含み、
かつ該電子供与性物質及び該電子受容性化合物の
うちの少なくとも一方を混合原子価状況をとりう
る遷移金属錯体としてなる光記録材料に関する。 〔ただし、式中、R₁₁、R₁₂、R₂₁、R₂₂、R₃₁、
R₃₂、R₄₁及びR₄₂は、水素、アルキル基又はアル
ケニル基であり、R₁₁とR₁₂、R₂₁とR₂₂、R₃₁と
R₃₂及びR₄₁とR₄₂は、それぞれ、併せて、芳香族
縮合環を形成していてもよく、Ｑは窒素、CH
又はＣ−φ（ここではφは置換基を有していて
もよいフエニル基を示す）である。〕 （ただし、式中、R₁₁、R₁₂、R₂₁、R₂₂、R₃₁、
R₃₂、R₄₁、R₄₂及びＱは一般式（）におけると
同じであり、Ｍは遷移金属又は遷移金属イオンを
示す。） （ただし、式中、R₅₁、R₅₂、R₆₁、R₆₂は水素、
アルキル基、アルケニル基、ハロゲン、シアノ基
又は置換基を有していてもよいフエニル基であ
り、R₅₁とR₅₂及びR₆₁とR₆₂は、それぞれ、併せ
て芳香族縮合環を形成していてもよい。） 本発明になる光記録媒体においては書き込み光
によつて記録を行う分子となる光増感剤系と、読
みとり分子となる電子供与性物質および／又は電
子受容性物質並びにそれらが光増感剤の光励起状
態との相互作用によつて、電子供与性物質から電
子受容性物質に電子を移動した反応生成物とは異
なる分子であり、両者の励起状態は区別でき、読
み出し光は書き込み光と完全に区別することがで
き、読み出し破壊は原理的に回避される。これを
図示したのが第１図である。第１図では光増感剤
系のうち一般式（）又は（′）で示される化
合物〔以下、化合物（）という〕が書き込み光
により励起型の光増感剤（）＊となる。（）
＊は活性であり、引き続き光増感剤系のうちの化
合物（）に電子を受けわたしてそれぞれ酸化型
（）＋・還元型（）−・となる。（）＋・はま
だ活性であり、引き続き電子供与性物質Ｄと反応
してその酸化型Ｄ＋・を与え、自身は（）とな
つて光増感剤を再生する。一方、還元型（）
−・は、電子受容性物質Ａに電子を引きわたし
て、電子受容性物質の還元型Ａ−・と化合物
（）を再生する。このようにして再生された化
合物（）て化合物（）は引き続き書き込み光
を吸収して光増感剤系の周辺に存在する電子供与
性物質と電子受容性物質との間の酸化還元反応を
逐次、連続して行う。このときＤ＋・及びＡ−・
のうちの少なくとも一方に生じた物理的・光学的
変化を先の書き込みの際に用いた波長と異なる波
長で光学的に読みとることにより、非破壊の読み
出しが達成される。 このように光励起反応の中心過程を化合物
（）と化合物（）によつて協奏的にとりおこ
なわせることにより、高い電子移動効率となり、
高感度化が達成される。 これら電荷移動によつて生じた反応生成物は一
般に不安定であるが本発明ではこの問題を克服す
るために、光増感酸化還元反応における電子供与
性物質および電子受容性物質のいずれか一方又は
両方を混合原子価状態をとりうる物質とすること
で対処している。ここで混合原子価状態とは中性
状態及び複数の荷電状態のうち二種以上の状態が
混存している状態をさす。混合原子価状態をとり
うる物質では一つの物質に二種以上のとりうる酸
化状態が存在し、混合原子価状態をとりうる物質
はこれらの状態で安定に又は準安定に存在しう
る。従つて光照射前および光照射後の電荷分離し
た生成物のそれぞれの熱力学的安定性には問題が
ない。更に混合原子価状態をとりうる物質を用い
ることは他の動力学的安定性の問題をも解決する
糸口となりうる。一般に混合原子価状態をとりう
る物質ではその酸化還元電位は狭い幅に集中して
おり、特に大気中でも異なる酸化状態が安定に混
在しうる条件を加味するとその幅は更にせばま
る。このような系における光照射と他の一般系の
光照射とを比較して第２図に示した。第２図で１
は一般の光照射系である。通常光化学反応では何
らかの意味での光エネルギーの蓄積が行われてお
り、光エネルギー（太陽エネルギー）の貯蔵変換
をめざしたものとして光合成モデル実験系が多数
知られている。従つて生成物は高エネルギー状態
となつており、このことから先述の不安定性が生
ずる。又、一般に電荷移動後の電子供与性物質と
電子受容性物質との酸化還元電位差は大きく（通
常1.0V以上）このことは熱力学的推進力ととも
に動力学的にも逆反応を推進しやすくしている。
これに対して本発明では混合原子価状態をとりう
る物質を電子供与性物質および／又は電子受容性
物質として用いることにより、電子供与性物質と
電子受容性物質とのエネルギー差を小さくするこ
とができる。第２図２及び３はこの状態をあらわ
しており、光照射後も、高エネルギーが系に蓄積
されておらず、系の安定性に寄与する。また電子
供与性物質と電子受容性物質とのエネルギー差も
小さい（約1.0eV以内）ために逆反応速度がおそ
くなる。特にこの差を小さくすれば（0.5eV以
内）逆反応の推進力そのものも小さくなり、系の
安定性に大きく寄与する。第２図３は極端な例で
あり、この系では熱力学的には光を用いる必要も
なく、本来自発的に反応が進みうる系であるが、
電子受容性物質と電子供与性物質との間のエネル
ギー差が小さい場合は、自発的な反応の速度は遅
く、光を用いての電子移動制御が可能となること
を示している。このように、光エネルギーが、そ
れをあまり蓄積することなく、書き込みの際の単
なるスイツチング手段として利用されることによ
つてこのような光増感酸化還元系の安定性を大き
く改善でき、記録材料として用いることが可能と
なる。なお動力学的安定性は単にエネルギーレベ
ルだけの問題ではなく、系の環境によつても制御
しうることは可能であり、後にもまたふれる。 このような光増感酸化還元反応により、系に生
じた物理的、光学的変化を光学的に読み取る手段
としては、屈折率変化、誘電率変化、反射率変
化、透過率変化等種々あるが、検知手段が容易で
あるという点で、光反射率変化又は光透過率変化
を読みとることが好ましい。 また、電子供与性物質及び／又は電子受容性物
質に生じた物理的、光学的変化、特に光反射率変
化及び光透過率変化は書き込みの際の光増感剤の
光吸収領域と重複しない範囲であるならば特にど
の波長領域に生じても構わないが、特に近赤外領
域に生ずることが好ましい。この領域では読み出
しに半導体レーザを用いることができるため、シ
ステムの簡素化が図れる。また、現行の光デイス
クがこの領域で半導体レーザによる書き込み／読
み出しを行つており、これらの既存技術が使え、
記録媒体からの情報読み出しに互換性が確保され
ることは極めて重要である。なおここでいう近赤
外領域は700nｍ〜1600nｍであり、好ましくは
750nｍ〜1100nｍである。この様に近赤外領域の
吸収に幅をもたせておくことは情報の多重記録化
を考える上で重要である。 以上のような特性を満たす電子供与性物質及
び／又は電子受容性物質としては、有機染料、有
機顔料、無機顔料、遷移金属錯体等が挙げられる
が、混合原子価状態が得られる物質としては遷移
金属錯体が特に望ましい。それは遷移金属錯体は
金属の原子価及び配位子との相互作用により、
種々の原子価状態をとることと相まつて、近赤外
領域に特性吸収が得られやすいからである。また
これらの物質には熱的に安定なものが多く含まれ
ることも重要である。 下記の一般式（）、（）、（）で示される化
合物が好ましい。 式（）および（）において、ＺはＯ、Ｓ及
びNR（Ｒは水素又はアルキル基）から選ばれる
原子又は原子団であり、各位置において相違して
いてもよく、Ｘ及びX′は水素、アルキル基、置
換アルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基、アル
キルアミノ基、ニトロ基又は／及びシアノ基から
選ばれ、Ｘ及びX′は同一でもよく、ｎは１〜４
の整数、ｍは＋２〜２の整数、Ａはｍによつて規
定される電荷を中和するに必要な電荷数を有する
アニオン、カチオン又はその群およびＭは遷移金
属イオンを表わし（ただし、ｍが０の場合にはＡ
は存在しない）。 式（）において、Z′はＳ及びNR（Ｒは水素
又はアルキル基）から選ばれ各位置において相異
してもよく、Ｙは水素、アルキル基、置換アルキ
ル基、フエニル基、置換フエニル基及びシアノ基
から選ばれ、各位置において相異してもよく、ｍ
は＋２〜−２の整数、Ａはｍによつて規定される
電荷を中和するに必要な電荷数を有するアニオン
又はカチオン、又はその群およびＭは遷移金属イ
オンを表わす（ただしｍが０の場合にはＡは存在
しない）。 これらの化合物は例えば、マクレバテイ（J.A.
Mcleverty）ら、プログレスインインオーガニツ
クケミストリー（Prog.Inorg.Chem.）10巻、49
頁（1968）、シユラウツアー（G.N.Schrauzer）
ら、アカウンツオブケミカルリサーチ（Acc.
Chem.Res）２巻、72頁（1969）、インオーガニ
ツクシンセシス（Inorg.Syn.）10巻、２頁にはそ
の合成法、特性が詳しくまとめられており、通常
の状態では−２価のアニオンから０価中性物質の
状態で空気中で安定に単離でき、その荷電状態は
中心金属イオンの種類、配位子の種類によつて異
なる。これらの化合物には２価のアニオンから２
価のカチオンの範囲の全部又はその一部につき
種々の酸化状態が確認されており、その一部につ
いては異なる酸化状態のまま空気中で安定に単離
できることが知られている。例えばニツケルビス
（ジチオマレオニトリル）錯体である化合物ａ
については次の両者の錯体ａ−１、ａ−２が
単離されており、異なる物性を示す。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を示す。 実施例 １ 次に組成からなる溶液を調整した。 (1) 〔ニツケルビス（１，２−フエニレンジイミ
ン〕⁰（［Ni（PDA）₂］⁰） １×10^-4mole／lDMF溶液 １ml (2) ニツケルビス（ジチオマレオニトリル）テト
ラブチルアンモニウム（［Ni（MNT）₂］^-・
TBA＋） ５×10^-4mole／ｌアセトニトリル溶液 0.3ml (3) 亜鉛テトラフエニルポルフイリン（ZnTPP） ２×10^-4mole／ｌベンゼン溶液 １ml (4) 1.4−ベンゾキノン ５×10^-3mole／ｌアセトニトリル溶液 0.5ml (5) テトラブチルアンモニウムパークロレート ５×10^-3mole／ｌアセトニトリル溶液 0.5ml これらを石英セルにいれ、干渉フイルターによ
り560nｍ〜590nｍに制限した500Wキセノン灯を
光源としてレンズ系により導いた光を照射し、主
として［Ni（PDA）₂］⁰の吸収から成る780nｍでの
吸光度を照射時間毎にモニタし、その吸光度減少
を測定した。 比較例 １ １，４−ベンゾキノンを含まない試料を実施例
１と同様にして光照射を行つた。 これの結果を第３図に示した。 第３図より、１，４−ベンゾキノンを含む本発
明系（実施例１）では、１，４−ベンゾキノンを
含まない系（比較例１）に比し、780nｍでの有
機金属錯体の吸光度減少速度が大幅に増大し、記
録材料としての感度向上がなされている。 実施例 ２ ニツケルビス（ジチオマレオニトリル）テトラ
ブチルアンモニウム Ni（NMT）₂ ^-TBA＋1.3×10^-4mole／ｌ亜鉛テト
ラフエニルポルフイリン 1.3×10^-4mole／ｌ デユロキノン 1.7×10^-4mole／ｌ トリエタノールアミン 4.2×10^-3mole／ｌ テトラブチルアンモニウムパークロレート
1.7×10^-3mole／ｌ からなる組成の溶液を調整した（アセトニトリ
ル／ベンゼン＝4/1：重量比の混合溶剤を溶媒と
した）。 実施例１と同様に光照射を行い、850nｍにお
けるNi（NMT）₂ ^-の吸収減少を調べた。 結果を第４図に示した。光照射後反応液にヨウ
素アセトニトリル溶液をごく少量添加したとこ
ろ、850nｍの吸収が再び観察されることを確認
した。このことにより、本反応でトリエタノール
アミンを電子供与体として Ni（MNT）₂ ^-＋e^- ――→ Ni（MNT）^2- への電子移動反応が起きていることを確認した。 比較例 ２ 実施例２において、デユロキノンを用いないこ
と以外は、実施例２と同様にして850nｍにおけ
るNi（MNT）₂ ^-の吸収減少を調べた。この結果を
第４図に示す。 実施例 ３ ニツケルビス（ジチオスチリベン）錯体（Ni
（DTSB）₂ 0.05部 亜鉛テトラフエニルポルフイリンZnTPP 0.02部 デユロキノン（DQ） 0.15部 トリエタノールアミン（TEOA） 0.4部 ポリビニルピロリドンPVP １部 及び テトラブチルアンモニウムパークロレート
（TBA ClO₄） 0.3部 をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（DMF）７ml
に溶解した。このものを厚さ1.2mmのガラス（コ
ーニング＃7059）基板にスピナーを用いて塗付、
乾燥して膜厚約1.5μｍの均一な薄膜を得た。この
ものに500Wキセノン灯から干渉フイルターで分
光した560〜590mmの光をスポツト状態に約60ｍ
Ｊ／cm²の照射エネルギーで照射したところ照射し
た部分が暗縁色から赤かつ色に変化した。この変
化は780mm半導体レーザを光源とし、PINフオト
ダイオード（ユナイテツドデイテクターテクノロ
ジー社製PIN−10DF、同社製増幅器UDT−101C
により増幅）により充分検知可能であつた。 なお、この後も上記赤かつ色は保たれた。書き
込み後の基板を、ヨウ素蒸気下にさらし、大気中
で放置したものは有機金属錯体の暗縁色の吸収が
復活し、このものは再書き込みが可能であつた。 実施例 ４ 100mlナス型フラスコ中にＮ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド（DMF）４ml、テトラブチルアンモ
ニウムパークロレート30mgを加え、さらにナフイ
オン（Nafion）フツ素含有ポリマー、イー・
アイ・デユポン・ネモアース・アンド・カンパニ
ー商品名の低級アルコール溶液（5wt％、アルド
リツチケミカル社製）５mlを加えて30分間撹拌し
た。その後60℃でエバポレータにより低級アルコ
ール分を除去した。得られたナフイオン溶液にニ
ツケルビス（ジチオマレオニトリル）モノテトラ
ブチルアンモニウム0.15ｇを１mlのＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミドに溶解したもの及びクロラニル
0.1ｇを加えた。 得られた溶液を透明電極を有するガラス基板
（厚さ約1.1mm、アルバツク成膜(株)製）に回転塗付
器を用いて塗付し均一な膜を得た。 次いで以下の手順により、この塗付膜の上に亜
鉛フタロシアニン膜を、蒸着した。真空蒸着は以
下の手順により行つた。 日本真空技術(株)製高真空蒸着機EBH−６を用
い、モリブデンボートに亜鉛フタロシアニン適量
をいれ、５×10^-6Torrまで真空排気を行つた。
次いで抵抗加熱法によりボード温度を徐々に上
げ、450℃付近に維持した。ボート温度は設置し
た熱電対を通してモニタした。蒸着膜厚は水晶発
振式膜厚計CRTM−１日本真空技術(株)製をモニ
タとして用いた。真空蒸着中の真空度は２×10^-5
まで低下した。得られた亜鉛フタロシアニン蒸着
膜の膜厚は100〜150Åであつた。 このようにして得られたナフイオン／有機金属
錯体／亜鉛ナフロシアニン積層膜に重ねてトリエ
タノールアミン0.1ｇ塩化リチウム0.2ｇポリビニ
ルピロリドン１ｇ、ジメチルホルムアミド２mlか
らなる溶液を塗付し乾燥し、記録膜とした。 光照射実験は、第５図に示す検出系を用いて次
のように行つた。すなわち、スペクトラフイジク
ス社製アルゴンイオンレーザ2020−５をポンピン
グレーザ１としDCM（エキシトン社製、４−（ジ
シアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチ
ルアミノスチリル−4H−ピラン）をレーザ色素
とした色素レーザ（375B、スペクトラフイジク
ス社製）２で675nｍに同調させたレーザ光を反
射ミラー３及び４で反射し、前述の記録膜５に照
射した。レーザ光の出力は60mWとした。色素レ
ーザの光軸に対し約20度斜方向から780nｍの検
出光を半導体レーザ６を用いて照射し、その透過
光を780nｍの干渉フイルタを通し、前述のPINフ
オトダイオード８、増幅器９及びデイジタルボル
トメータ１０を含む検出系で透過光の強度変化を
読みとつた。色素レーザ照射と同時にPINフオト
ダイオードの出力が上昇し、有機金属錯体の
850nｍ付近の吸収が減少していることを容易に
検知できた。 このときの検出器の出力変化の概略を第６図に
示した。 〔発明の効果〕 本発明になる光記録媒体によれば、情報の書き
込み、読み出しがすべて光によつて非破壊的に行
なわれ、高感度で、かつ幅広い波長範囲の材料が
使用可能であるため、システムの光源、検出器に
合せた幅広い設計が可能となる、また、使用材料
の吸収波長をずらすことにより、多重記録への応
用も予想される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明における光励起によつて引き起
こされる電子の移動を説明する模式図、第２図
１，２及び３は本発明における電子の流れをエネ
ルギー的に示した図、第３図は実施例１及び比較
例１の系における吸光度の変化を示す図、第４図
は実施例２及び比較例２の系における吸光度の変
化を示す図、第５図は実施例４で行なつた光照射
実験に用いた検出系の模式図並びに第６図は実施
例４で行なつた光照射実験における検出器の出力
変化を示す図である。 １……アルゴンイオンレーザ（ポンピングレー
ザ）、２……色素レーザ、３，４……全反射ミラ
ー、５……記録膜、６……半導体レーザ、７……
780nｍ干渉フイルタ、８……PINフオトダイオー
ド。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 光増感剤系、電子供与性物質及び電子受容性
   物質を含有し、該増感剤系が下記一般式（）又
   は（′）であらわされる化合物及び一般式（）
   で示されるキノン系化合物を含み、かつ該電子供
   与性物質及び該電子受容性物質のうちの少なくと
   も一方を混合原子価状態をとりうる遷移金属錯体
   としてなる光記録材料。 〔ただし、式中、R₁₁、R₁₂、R₂₁、R₂₂、R₃₁、
   R₃₂、R₄₁及びR₄₂は、水素、アルキル基又はアル
   ケニル基であり、R₁₁とR₁₂、R₂₁とR₂₂、R₃₁と
   R₃₂及びR₄₁とR₄₂は、それぞれ、併せて、芳香族
   縮合環を形成していてもよく、Ｑは窒素、CH
   又はＣ−φ（ここでφは置換基を有していても
   よいフエニル基を示す）である。〕 （ただし、式中、R₁₁、R₁₂、R₂₁、R₂₂、R₃₁、
   R₃₂、R₄₁、R₄₂及びＱは一般式（）におけると
   同じであり、Ｍは遷移金属又は遷移金属イオンを
   示す。） （ただし、式中、R₅₁、R₅₂、R₆₁及びR₆₂は、水
   素、アルキル基、アルケニル基、ハロゲン、シア
   ノ基又は置換基を有していてもよいフエニル基で
   あり、R₅₁とR₅₂及びR₆₁とR₆₂は、それぞれ、併
   せて芳香族縮合環を形成していてもよい。） ２ 電子供与性物質及び電子受容性物質のうちの
   少なくとも一方が下記の一般式（）、（）又は
   （）で示される化合物の中から選ばれる遷移金
   属錯体である特許請求の範囲第１項記載の光記録
   材料。 式（）及び（）において、ＺはＯ、Ｓ及び
   NR（ここでＲは水素又はアルキル基を示す）か
   ら選ばれる原子又は原子団であり各位置において
   相違していてもよく、Ｘ及びX′は水素、アルキ
   ル基、置換アルキル基、ハロゲン、アルコキシ
   基、アルキルアミノ基、ニトロ基及びシアノ基か
   ら選ばれＸ及びX′は同一でもよく、ｎは１〜４
   の整数、ｍは＋２〜−２の整数、Ａはｍによつて
   規定されるアニオン、カチオン又はその群及びＭ
   は遷移金属イオンを表わす（ただし、ｍが０の場
   合にはＡは存在しない）。 式（）において、Z′はＳ及びNR（ここでＲ
   は水素又はアルキル基を示す）から選ばれ各位置
   において相違していてもよく、Ｙは水素、アルキ
   ル基、置換アルキル基、フエニル基、置換フエニ
   ル基及びシアノ基から選ばれ、各位置において相
   違していてもよく、ｍは＋２〜−２の整数、Ａは
   ｍによつて規定される電荷を中和するに必要な電
   荷数を有するアニオン、カチオン又はその群及び
   Ｍは遷移金属イオンを表わす（ただし、ｍが０の
   場合にはＡは存在しない）。 ３ 電子供与性物質及び電子受容性物質が実質的
   に分離されている特許請求の範囲第１項又は第２
   項記載の光記録材料。 ４ 光記録材料が電子供与性物質又はこれを含有
   する層、光増感剤系又はこれを含有する層及び電
   子受容性物質又はこれを含有する層をこの順に積
   層したものである特許請求の範囲第１項、第２項
   又は第３項記載の光記録材料。 ５ 光記録材料が、反射層を有する特許請求の範
   囲第１項、第２項、第３項又は第４項記載の光記
   録材料。