JPH0514323B2 - - Google Patents
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- JPH0514323B2 JPH0514323B2 JP63148458A JP14845888A JPH0514323B2 JP H0514323 B2 JPH0514323 B2 JP H0514323B2 JP 63148458 A JP63148458 A JP 63148458A JP 14845888 A JP14845888 A JP 14845888A JP H0514323 B2 JPH0514323 B2 JP H0514323B2
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- JP
- Japan
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- insulating layer
- magnetoresistive element
- edges
- conductor
- transducer
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ 産業上の利用分野
本発明は磁気媒体から情報信号を読取るための
磁気変換器、特に、磁気抵抗効果型読取り変換器
に関するものである。
磁気変換器、特に、磁気抵抗効果型読取り変換器
に関するものである。
Ｂ 従来技術
磁気抵抗効果型読取り変換器、即ち、MR変換
器若しくはセンサは、高記録密度で磁気媒体に記
録されているデータを読取ることのできる磁気変
換器として従来から知られている。MR変換器
は、磁気抵抗効果を示す材料で造られたMR素子
の抵抗が磁束の量及び方向の関数として変化する
のを利用して磁界信号を検出するものである。
器若しくはセンサは、高記録密度で磁気媒体に記
録されているデータを読取ることのできる磁気変
換器として従来から知られている。MR変換器
は、磁気抵抗効果を示す材料で造られたMR素子
の抵抗が磁束の量及び方向の関数として変化する
のを利用して磁界信号を検出するものである。
種々のMR変換器が開発されており、これらは
従来設定された要件を満たしていた。しかしなが
ら、更に高く記録密度のために、記録トラツクの
幅がますます狭くされ且つトラツクに沿う直線記
録密度がますます高められている状況において、
従来技術では、狭いトラツク幅や高い記録密度に
適合したMR変換器を形成することは困難になつ
ている。
従来設定された要件を満たしていた。しかしなが
ら、更に高く記録密度のために、記録トラツクの
幅がますます狭くされ且つトラツクに沿う直線記
録密度がますます高められている状況において、
従来技術では、狭いトラツク幅や高い記録密度に
適合したMR変換器を形成することは困難になつ
ている。
特開昭57−198528号には、絶縁層によつてMR
素子をバイアス層から離隔した型のMRヘツドが
開発されている。但し、トラツク幅はヘツドの信
号検出導体間の距離によつて定められている。
素子をバイアス層から離隔した型のMRヘツドが
開発されている。但し、トラツク幅はヘツドの信
号検出導体間の距離によつて定められている。
米国特許第4504880号には、誘導性書込みサ
ブ・アセンブリ及びMR読取り素子を有する集積
磁気ヘツドが開発されている。MR読取り素子は
一対の導電体に電気的に接触しており、MR読取
り素子の有効幅は、この一対の導電体間の距離に
よつて定められている。
ブ・アセンブリ及びMR読取り素子を有する集積
磁気ヘツドが開発されている。MR読取り素子は
一対の導電体に電気的に接触しており、MR読取
り素子の有効幅は、この一対の導電体間の距離に
よつて定められている。
米国特許第4568906号には、磁界の傾斜を測定
するのに適した磁界検知素子が開発されている。
この素子の作用部分は、この素子に電気的に接触
している接続導電体によつて定められている。
するのに適した磁界検知素子が開発されている。
この素子の作用部分は、この素子に電気的に接触
している接続導電体によつて定められている。
Ｃ 発明が解決しようとする問題点
トラツク幅が狭くなるにつれ、一対の導電体を
所定の間隔で正確に配置することは、ますます困
難になつており、従つて、MR素子の有効幅を正
正確に定めることが困難になつている。
所定の間隔で正確に配置することは、ますます困
難になつており、従つて、MR素子の有効幅を正
正確に定めることが困難になつている。
本発明は、MR素子の有効幅を正確に定めるこ
とのできる新規な構成のMR変換器を提供するこ
とを目的としている。
とのできる新規な構成のMR変換器を提供するこ
とを目的としている。
Ｄ 問題点を解決するための手段
本発明によるMR変換器は、MR素子の中央領
域を覆う絶縁層を有することを特徴としている。
一対の導電体は、MR素子の中央領域の両側で絶
縁層によつて覆われていない２つの端領域の全体
をそれぞれ覆うように絶縁層の２つの縁部に接し
て設けられる。磁界の検出の際、MR素子の中央
領域における抵抗変化が出力信号の変化をもたら
す。
域を覆う絶縁層を有することを特徴としている。
一対の導電体は、MR素子の中央領域の両側で絶
縁層によつて覆われていない２つの端領域の全体
をそれぞれ覆うように絶縁層の２つの縁部に接し
て設けられる。磁界の検出の際、MR素子の中央
領域における抵抗変化が出力信号の変化をもたら
す。
Ｅ 実施例
第１図乃至第４図に示す本発明の実施例につい
て説明する前に、本発明によつて解決しようとす
る問題点を含む従来技術について触れておくこと
にする。
て説明する前に、本発明によつて解決しようとす
る問題点を含む従来技術について触れておくこと
にする。
第５図及び第６図は従来の典型的なMR変換器
を示している。MR変換器は適当な基板（図示せ
ず）の上に形成されたMR素子１０を有する。
MR変換器には、１つ以上のバイアス層や非磁性
層も含まれているが、これらは省略されている。
MR素子１０の作用領域１２は、導電体１４によ
つて覆われていない中央領域である。作用領域１
２は磁界に応じた出力信号を生じるように機能す
る。導電体１４によつて覆われていないMR素子
１０の端領域１６は、導電体１４によつて電気的
に短絡されているので、磁気抵抗効果の観点から
は、役立たなくされている。端領域１６は磁界に
応じた出力信号を生じることについて、ほとんど
寄与しないので、非作用領域と呼ばる。
を示している。MR変換器は適当な基板（図示せ
ず）の上に形成されたMR素子１０を有する。
MR変換器には、１つ以上のバイアス層や非磁性
層も含まれているが、これらは省略されている。
MR素子１０の作用領域１２は、導電体１４によ
つて覆われていない中央領域である。作用領域１
２は磁界に応じた出力信号を生じるように機能す
る。導電体１４によつて覆われていないMR素子
１０の端領域１６は、導電体１４によつて電気的
に短絡されているので、磁気抵抗効果の観点から
は、役立たなくされている。端領域１６は磁界に
応じた出力信号を生じることについて、ほとんど
寄与しないので、非作用領域と呼ばる。
このMR変換器の場合、作用領域１２の幅の精
度、換言すれば、MR変換器の有効幅（トラツク
対応幅）の精度は、導電体１４の配置精度に依存
している。MR変換器が小さくなるにつれて、有
効幅に対する導電体１４の配置精度の公差の割合
は、ますます大きくなる。又、導電体１４の縁部
が第６図に示すように傾斜することも、有効幅の
正確な決定を妨げている。
度、換言すれば、MR変換器の有効幅（トラツク
対応幅）の精度は、導電体１４の配置精度に依存
している。MR変換器が小さくなるにつれて、有
効幅に対する導電体１４の配置精度の公差の割合
は、ますます大きくなる。又、導電体１４の縁部
が第６図に示すように傾斜することも、有効幅の
正確な決定を妨げている。
本発明によるMR変換器は、第１図乃至第４図
に示す構成を採用しており、これによつて有効幅
の正確で厳密な決定が可能になつている。第１図
及び第２図は完成したMR変換器を示し、第３図
及び第４図は一対の導電体２４を付着させる前の
MR変換器を示している。本発明によるMR変換
器の特徴は、MR素子２０の作用領域２３となる
べき部分の上に絶縁層２２を設けたことである。
導電体２４は、その縁部が絶縁層２２の上に乗り
上げるように設けられる。従つて、作用領域２３
の幅、即ち、有効幅は導電体２４ではなく、絶縁
層２２によつて定められている。磁界の検出の際
に、電流が導電体２４に供給されるとき、磁界に
応じた作用領域２３の抵抗変化だけが電流の変化
をもたらす。
に示す構成を採用しており、これによつて有効幅
の正確で厳密な決定が可能になつている。第１図
及び第２図は完成したMR変換器を示し、第３図
及び第４図は一対の導電体２４を付着させる前の
MR変換器を示している。本発明によるMR変換
器の特徴は、MR素子２０の作用領域２３となる
べき部分の上に絶縁層２２を設けたことである。
導電体２４は、その縁部が絶縁層２２の上に乗り
上げるように設けられる。従つて、作用領域２３
の幅、即ち、有効幅は導電体２４ではなく、絶縁
層２２によつて定められている。磁界の検出の際
に、電流が導電体２４に供給されるとき、磁界に
応じた作用領域２３の抵抗変化だけが電流の変化
をもたらす。
絶縁層２２は誘電体材料又は高抵抗材料で造ら
れる。MR素子２０に流れる電流をほとんどバイ
パスすることのないほどの高い抵抗をもつ材料で
あれば、任意のものを有効長決定のための絶縁層
２２として用いることが可能である。
れる。MR素子２０に流れる電流をほとんどバイ
パスすることのないほどの高い抵抗をもつ材料で
あれば、任意のものを有効長決定のための絶縁層
２２として用いることが可能である。
製造の際には、先ずMR素子２０全体を覆うよ
うに絶縁層を付着させてから、第３図及び第４図
に示すように所定の幅を有する部分だけを絶縁層
２２として残すように、他の部分をエツチングに
よつて除去することが望ましい。その結果、MR
素子２０の非作用領域となるべき領域２６が露出
する。絶縁層２２の縁部２８及び３０が所定の幅
の領域２３の境界を定める。次に、第１図及び第
２図に示すように、MR素子２４の領域２６を覆
い、絶縁層２２の縁部２８及び３０に密着するよ
うに、一対の導電体２４を付着させる。絶縁層２
２がその下のMR素子２０の領域２３と導電体２
４との接触を阻止することにより、領域２３が作
用領域として定められ、導電体２４を通る電流を
流すように機能する。２つの導電体２４が互いに
接食しない限り、これらの形状や寸法についての
制限はない。第２図に示すように導電体２４の縁
部が傾斜していても、それによつてMR変換器の
有効幅が影響されることはない。
うに絶縁層を付着させてから、第３図及び第４図
に示すように所定の幅を有する部分だけを絶縁層
２２として残すように、他の部分をエツチングに
よつて除去することが望ましい。その結果、MR
素子２０の非作用領域となるべき領域２６が露出
する。絶縁層２２の縁部２８及び３０が所定の幅
の領域２３の境界を定める。次に、第１図及び第
２図に示すように、MR素子２４の領域２６を覆
い、絶縁層２２の縁部２８及び３０に密着するよ
うに、一対の導電体２４を付着させる。絶縁層２
２がその下のMR素子２０の領域２３と導電体２
４との接触を阻止することにより、領域２３が作
用領域として定められ、導電体２４を通る電流を
流すように機能する。２つの導電体２４が互いに
接食しない限り、これらの形状や寸法についての
制限はない。第２図に示すように導電体２４の縁
部が傾斜していても、それによつてMR変換器の
有効幅が影響されることはない。
絶縁層２２としては、スパツタリングによつて
付着させるアルミナ等の真の絶縁材料又はタンタ
ル等の高抵抗材料が用いられている。これらの材
料は、前述のようにMR素子２０の全体に付着さ
せられてから、MR素子２０や他の構成要素に悪
影響を及ぼすことなく選択的なエツチングを受け
るのに適したものであることが必要である。結
局、絶縁層２２として用いるための材料の要件
は、絶縁耐力、固有抵抗（大きい方がよい）、及
びエンチング可能性である。１つの実施例の場
合、約1000オングストロームの厚さまでスパツタ
リングによつて付着させたアルミナが、十分な絶
縁耐力を有し、十分に制御可能で選択的なエツチ
ングが可能であり、且つ他の構成要素との適合性
もあるという理由で、絶縁層２２として用いられ
た。
付着させるアルミナ等の真の絶縁材料又はタンタ
ル等の高抵抗材料が用いられている。これらの材
料は、前述のようにMR素子２０の全体に付着さ
せられてから、MR素子２０や他の構成要素に悪
影響を及ぼすことなく選択的なエツチングを受け
るのに適したものであることが必要である。結
局、絶縁層２２として用いるための材料の要件
は、絶縁耐力、固有抵抗（大きい方がよい）、及
びエンチング可能性である。１つの実施例の場
合、約1000オングストロームの厚さまでスパツタ
リングによつて付着させたアルミナが、十分な絶
縁耐力を有し、十分に制御可能で選択的なエツチ
ングが可能であり、且つ他の構成要素との適合性
もあるという理由で、絶縁層２２として用いられ
た。
前述のように、本発明によるMR変換器の場
合、導電体の形状や寸法を精密に制御することは
必要でなくなつている。従つて、導電体の形成の
ために使用することのできる技術の範囲も広くな
つている。導電体の縁部の傾斜は、もはやMR変
換器の有効幅の法定に影響しないので、例えば、
二重層を用いる剥離技術によつて導電体を形成す
ることができる。導電体の縁部の傾斜は、第６図
に示すように絶縁層２２の上に生じるだけであ
る。絶縁層２２はMR素子２０のための保護層と
しても働くので、従来用いられなかつた技術も使
用可能になつている。例えば、サブトラクテイ
ブ・イオン・ミリング技術によつて導電体の形状
を定めることができる。又、電着法等の化学的技
法も使用可能である。その場合、電着により形成
したベース導電体の一部をスパツタ・エツチング
により除去するとき、絶縁層２２がMR素子２０
の能動領域２３を保護する。
合、導電体の形状や寸法を精密に制御することは
必要でなくなつている。従つて、導電体の形成の
ために使用することのできる技術の範囲も広くな
つている。導電体の縁部の傾斜は、もはやMR変
換器の有効幅の法定に影響しないので、例えば、
二重層を用いる剥離技術によつて導電体を形成す
ることができる。導電体の縁部の傾斜は、第６図
に示すように絶縁層２２の上に生じるだけであ
る。絶縁層２２はMR素子２０のための保護層と
しても働くので、従来用いられなかつた技術も使
用可能になつている。例えば、サブトラクテイ
ブ・イオン・ミリング技術によつて導電体の形状
を定めることができる。又、電着法等の化学的技
法も使用可能である。その場合、電着により形成
したベース導電体の一部をスパツタ・エツチング
により除去するとき、絶縁層２２がMR素子２０
の能動領域２３を保護する。
Ｆ 発明の効果
MR素子の作用領域の幅、即ち有効幅を比較的
容易に且つ正確に定めることができる。
容易に且つ正確に定めることができる。
第１図は本発明によるMR変換器の平面図、第
２図は第１図の線６−６に沿うMR変換器の断面
図、第３図は導電体を設ける前の本発明による
MR変換器の平面図、第４図は第３図の線４−４
に沿うMR変換器の断面図、第５図は従来のMR
変換器の平面図、第６図は第５図の線２−２に沿
うMR変換器の断面図である。 ２０……MR変換器、２２……絶縁層、２３…
…作用領域、２４……導電体、２６……非作用領
域。
２図は第１図の線６−６に沿うMR変換器の断面
図、第３図は導電体を設ける前の本発明による
MR変換器の平面図、第４図は第３図の線４−４
に沿うMR変換器の断面図、第５図は従来のMR
変換器の平面図、第６図は第５図の線２−２に沿
うMR変換器の断面図である。 ２０……MR変換器、２２……絶縁層、２３…
…作用領域、２４……導電体、２６……非作用領
域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気抵抗効果素子と、 上記磁気抵抗効果素子の所定の表面に付着した
絶縁層であつて、ほぼ平行な第１及び第２の縁部
を有し、両縁部間の幅が上記磁気抵抗効果素子に
ついて望まれる有効幅と等しくなるように定めら
れており、且つ上記第１及び第２の縁部によつて
上記磁気抵抗効果素子の中央領域とその両側の２
つの端領域との間の境界を定めるように、上記中
央領域のみを覆うように形成されているものと、 上記磁気抵抗効果素子の上記２つの端領域に接
触して上記２つの端領域を別々に覆い且つ関連す
る上記縁部を越えて上記絶縁層の上に部分的にか
ぶさるように、上記絶縁層の形成後に形成された
一対の分離した導電体と を有し、上記磁気抵抗効果素子の中央領域が磁界
の検出のために作用する磁気抵抗効果型読取り変
換器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/078,739 US4782414A (en) | 1987-07-28 | 1987-07-28 | Magnetoresistive read transducer with insulator defined trackwidth |
| SG151194A SG151194G (en) | 1987-07-28 | 1994-10-17 | A magnetoresistive read transducer with insulator defined trackwidth |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6435717A JPS6435717A (en) | 1989-02-06 |
| JPH0514323B2 true JPH0514323B2 (ja) | 1993-02-24 |
Family
ID=26664439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63148458A Granted JPS6435717A (en) | 1987-07-28 | 1988-06-17 | Magnetoresistance effect type reader/converter |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4782414A (ja) |
| EP (1) | EP0301294B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6435717A (ja) |
| CA (1) | CA1304499C (ja) |
| DE (1) | DE3868449D1 (ja) |
| HK (1) | HK139094A (ja) |
| SG (1) | SG151194G (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5018037A (en) * | 1989-10-10 | 1991-05-21 | Krounbi Mohamad T | Magnetoresistive read transducer having hard magnetic bias |
| US5256249A (en) * | 1991-09-17 | 1993-10-26 | Seagate Technology, Inc. | Method of manufacturing a planarized magnetoresistive sensor |
| US5296987A (en) * | 1992-06-05 | 1994-03-22 | Hewlett-Packard Company | Tapered conductors for magnetoresistive transducers |
| MY108956A (en) * | 1992-11-12 | 1996-11-30 | Quantum Peripherals Colorado Inc | Magnetoresistive device and method having improved barkhausen noise suppression |
| EP0650156A1 (en) * | 1993-10-21 | 1995-04-26 | Seagate Technology International | Contact scheme for minimizing inductive pickup in magnetoresistive read heads |
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| US5532892A (en) * | 1995-06-05 | 1996-07-02 | Quantum Peripherals Colorado, Inc. | Soft adjacent layer biased magnetoresistive device incorporating a natural flux closure design utilizing coplanar permanent magnet thin film stabilization |
| US5654854A (en) * | 1995-11-30 | 1997-08-05 | Quantum Corporation | Longitudinally biased magnetoresistive sensor having a concave shaped active region to reduce Barkhausen noise by achieving a substantially single magnetic domain state |
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| US5936814A (en) * | 1996-06-03 | 1999-08-10 | Seagate Technology, Inc. | Magnetic recording head using a last insulator to obtain an adjustable take off angle |
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| US6287476B1 (en) | 1999-06-14 | 2001-09-11 | Headway Technologies, Inc. | Electrochemical method to improve MR reader edge definition and device reliability |
| US6274025B1 (en) * | 1999-06-14 | 2001-08-14 | Headway Technologies, Inc. | Chemical approach to develop lift-off photoresist structure and passivate MR sensor |
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| JPS5782224A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-22 | Canon Inc | Magnetic resistance effect type thin film magnetic head |
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| US4504880A (en) * | 1982-08-09 | 1985-03-12 | International Business Machines Corporation | Integrated magnetic recording head assembly including an inductive write subassembly and a magnetoresistive read subassembly |
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| JPH0760490B2 (ja) * | 1983-08-29 | 1995-06-28 | ソニー株式会社 | 多素子薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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1987
- 1987-07-28 US US07/078,739 patent/US4782414A/en not_active Ceased
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1988
- 1988-06-17 JP JP63148458A patent/JPS6435717A/ja active Granted
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1994
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