JPH05144744A - 半導体薄膜形成方法 - Google Patents
半導体薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPH05144744A JPH05144744A JP32839291A JP32839291A JPH05144744A JP H05144744 A JPH05144744 A JP H05144744A JP 32839291 A JP32839291 A JP 32839291A JP 32839291 A JP32839291 A JP 32839291A JP H05144744 A JPH05144744 A JP H05144744A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- film
- type
- doping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜質の劣化につながる複雑なプロセス技術を
用いること無く、基板面内方向の膜のドーピング量と伝
導型とを制御可能とする事を目的とする。 【構成】 有機金属分子線エピタキシャル装置を用い
て、基板温度５００℃のＧａＡｓ基板上にアルゴンレー
ザ（波長５１４．５ｎｍ、強度５Ｗ）をビームスキャン
方により線条（スキャン長５ｃｍ）に照射しながらＧａ
Ａｓ薄膜を成長させている最中にジエチルテルルを供給
する。その結果、レーザ照射部では図５（ａ）に示すよ
うに電子濃度に６×１０17ｃｍ-3から２×１０19ｃｍ-3
の分布をもつ膜が形成される。
用いること無く、基板面内方向の膜のドーピング量と伝
導型とを制御可能とする事を目的とする。 【構成】 有機金属分子線エピタキシャル装置を用い
て、基板温度５００℃のＧａＡｓ基板上にアルゴンレー
ザ（波長５１４．５ｎｍ、強度５Ｗ）をビームスキャン
方により線条（スキャン長５ｃｍ）に照射しながらＧａ
Ａｓ薄膜を成長させている最中にジエチルテルルを供給
する。その結果、レーザ照射部では図５（ａ）に示すよ
うに電子濃度に６×１０17ｃｍ-3から２×１０19ｃｍ-3
の分布をもつ膜が形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体薄膜を形成する
半導体基板の面内方向（半導体基板表面と水平方向）
に、ドーピング量が変化した、また面内方向に異なった
電気伝導性を有する半導体薄膜を成長させる方法に関す
る。
半導体基板の面内方向（半導体基板表面と水平方向）
に、ドーピング量が変化した、また面内方向に異なった
電気伝導性を有する半導体薄膜を成長させる方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ディバイスの高度化，高機能化に
伴い、より高度な半導体薄膜の形成技術が望まれてい
る。その１つに半導体薄膜のドーピング量を面内方向に
変化させたり、面内方向に異なった伝導型の半導体薄膜
を形成させる薄膜成長技術がある。
伴い、より高度な半導体薄膜の形成技術が望まれてい
る。その１つに半導体薄膜のドーピング量を面内方向に
変化させたり、面内方向に異なった伝導型の半導体薄膜
を形成させる薄膜成長技術がある。
【０００３】従来の技術では、たとえばジャーナルオブ
クリスタルグロース（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｃｒｙｓ
ｔａｌ ｇｒｏｗｔｈ）１０５巻（１９９０年）３８３
頁にあるように、有機金属分子線エピタキシ（ＭＯＭＢ
Ｅ）法などをもちいてＧａＡｓあるいはＩｎＰの薄膜を
成長させている最中に１種類のドーピング用有機金属材
料を導入し、基板上で熱分解させＰ型あるいはＮ型の不
純物原子を混入させることによってＰ型あるいはＮ型の
半導体薄膜の形成を行っていた。
クリスタルグロース（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｃｒｙｓ
ｔａｌ ｇｒｏｗｔｈ）１０５巻（１９９０年）３８３
頁にあるように、有機金属分子線エピタキシ（ＭＯＭＢ
Ｅ）法などをもちいてＧａＡｓあるいはＩｎＰの薄膜を
成長させている最中に１種類のドーピング用有機金属材
料を導入し、基板上で熱分解させＰ型あるいはＮ型の不
純物原子を混入させることによってＰ型あるいはＮ型の
半導体薄膜の形成を行っていた。
【０００４】しかしながらこの方法では、導入するドー
ピング用有機金属材料の種類を変えたり、その供給量を
変化させることによって、膜厚方向の伝導型とドーピン
グ量の制御は可能であるが、面内方向のドーピング量や
伝導型制御のためには、膜形成後に不純物イオンを打ち
込みその後アニールで不純物原子を活性化することでド
ーピングしたり、高度なリソグラフィを用いて膜をエッ
チングした後にドーピング量や伝導型の異なった膜を埋
め込み、再度膜を成長させることが必要であった。
ピング用有機金属材料の種類を変えたり、その供給量を
変化させることによって、膜厚方向の伝導型とドーピン
グ量の制御は可能であるが、面内方向のドーピング量や
伝導型制御のためには、膜形成後に不純物イオンを打ち
込みその後アニールで不純物原子を活性化することでド
ーピングしたり、高度なリソグラフィを用いて膜をエッ
チングした後にドーピング量や伝導型の異なった膜を埋
め込み、再度膜を成長させることが必要であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしそれらの方法で
は、プロセスが複雑であったり膜質が劣化する等の問題
があった。そのため、例えば縦型トランジスタや電流の
横注入型面発光レーザのような高機能な半導体ディバイ
スを製造するためには、多くのプロセスを経る必要があ
り、歩留りや再現性の向上が要求されていた。
は、プロセスが複雑であったり膜質が劣化する等の問題
があった。そのため、例えば縦型トランジスタや電流の
横注入型面発光レーザのような高機能な半導体ディバイ
スを製造するためには、多くのプロセスを経る必要があ
り、歩留りや再現性の向上が要求されていた。
【０００６】以上のことより本発明では、膜質の劣化に
つながる複雑なプロセス技術を用いること無く、基板面
内方向の膜のドーピング量と伝導型とを制御可能とする
事を目的とする。
つながる複雑なプロセス技術を用いること無く、基板面
内方向の膜のドーピング量と伝導型とを制御可能とする
事を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では、半導体薄膜
成長中にドーピング用ガス原料を導入させ同時にレーザ
光を膜を成長させている半導体基板上に照射して温度分
布を形成する。また、異なった伝導型用の２種類のドー
ピング用ガス原料を導入させ同時にレーザ光を膜を成長
させている半導体基板上に照射して温度分布を形成す
る。
成長中にドーピング用ガス原料を導入させ同時にレーザ
光を膜を成長させている半導体基板上に照射して温度分
布を形成する。また、異なった伝導型用の２種類のドー
ピング用ガス原料を導入させ同時にレーザ光を膜を成長
させている半導体基板上に照射して温度分布を形成す
る。
【０００８】
【作用】半導体基板上でレーザ光を照射した部分としな
い部分で、成長した半導体薄膜へのドーピング用ガス原
料のドーピング量に差が生じる。
い部分で、成長した半導体薄膜へのドーピング用ガス原
料のドーピング量に差が生じる。
【０００９】
【実施例】分子線エピタキシ装置を用いてＧａＡｓ基板
上にＧａＡｓ膜を成長させる際に、Ｎ型ドーパントのジ
エチルテルル、あるいはＰ型ドーパントのジエチル亜鉛
を供給する場合の、成長するＧａＡｓの薄膜へのドーピ
ング量の基板温度依存性を図１，２に示す。
上にＧａＡｓ膜を成長させる際に、Ｎ型ドーパントのジ
エチルテルル、あるいはＰ型ドーパントのジエチル亜鉛
を供給する場合の、成長するＧａＡｓの薄膜へのドーピ
ング量の基板温度依存性を図１，２に示す。
【００１０】図１のジエチルテルルの場合は基板温度が
増加するにしたがってドーピング量は指数関数的に増加
している。これは、基板温度上昇によるジエチルテルル
の、熱分解の促進によるものである。図２のジエチル亜
鉛の場合は、基板温度の上昇による亜鉛原子の基板から
の再蒸発によるものである。
増加するにしたがってドーピング量は指数関数的に増加
している。これは、基板温度上昇によるジエチルテルル
の、熱分解の促進によるものである。図２のジエチル亜
鉛の場合は、基板温度の上昇による亜鉛原子の基板から
の再蒸発によるものである。
【００１１】次に分子線エピタキシ装置を用いて、Ｉｎ
Ｐ基板上にＩｎＰ膜を成長させる際に、Ｎ型ドーパント
のテトラエチル錫、あるいはＰ型ドーパントのジエチル
亜鉛を供給したそれぞれの場合におけるドーピング量の
基板温度依存性を図３，４に示す。
Ｐ基板上にＩｎＰ膜を成長させる際に、Ｎ型ドーパント
のテトラエチル錫、あるいはＰ型ドーパントのジエチル
亜鉛を供給したそれぞれの場合におけるドーピング量の
基板温度依存性を図３，４に示す。
【００１２】図３のテトラエチル錫，図４のジエチル亜
鉛の両方の場合において、基板温度が増加するとドーピ
ング量が減少している。これは、基板温度の上昇による
亜鉛原子あるいは錫原子の基板からの再蒸発によるもの
である。
鉛の両方の場合において、基板温度が増加するとドーピ
ング量が減少している。これは、基板温度の上昇による
亜鉛原子あるいは錫原子の基板からの再蒸発によるもの
である。
【００１３】有機金属気相成長法においても同様なドー
ピング量の基板温度依存性が得られている。これらの内
の１種類のドーピング用ガス原料を導入しながら、基板
内にビームスキャン法や回折格子，フォトマスク等を用
いてレーザ光照射を行い、面内方向にドーピング量が変
化するだけの基板温度分布を作れば、レーザ光照射部に
おいてドーピング量に分布ができる。
ピング量の基板温度依存性が得られている。これらの内
の１種類のドーピング用ガス原料を導入しながら、基板
内にビームスキャン法や回折格子，フォトマスク等を用
いてレーザ光照射を行い、面内方向にドーピング量が変
化するだけの基板温度分布を作れば、レーザ光照射部に
おいてドーピング量に分布ができる。
【００１４】なお、照射するレーザ光は、用いた基板ま
たは半導体膜が吸収する波長を有すればどの様なもので
もよい。
たは半導体膜が吸収する波長を有すればどの様なもので
もよい。
【００１５】また伝導型の異なる２種類のドーピングガ
ス原料を同時に供給した場合、基板温度によってＮ型の
方が多くなり、あるいはＰ型のドーピング量の方が多く
なり、また両者が等しくなり、膜の伝導型はＮ型あるい
はＰ型、または半絶縁性になる。このことから、レーザ
光照射により基板温度を変化させることでドーピング量
と伝導型が面内で部分的に制御可能となることは明かで
ある。
ス原料を同時に供給した場合、基板温度によってＮ型の
方が多くなり、あるいはＰ型のドーピング量の方が多く
なり、また両者が等しくなり、膜の伝導型はＮ型あるい
はＰ型、または半絶縁性になる。このことから、レーザ
光照射により基板温度を変化させることでドーピング量
と伝導型が面内で部分的に制御可能となることは明かで
ある。
【００１６】以上はＧａＡｓ膜についてであるが、他の
周期律表の III族−Ｖ族の半導体を始め、II族−VI族の
半導体など全般においても同様な効果が得られることは
言うまでもない。
周期律表の III族−Ｖ族の半導体を始め、II族−VI族の
半導体など全般においても同様な効果が得られることは
言うまでもない。
【００１７】以下本発明の具体的な実施例を説明する。 （実施例１）有機金属分子線エピタキシャル装置を用い
て、基板温度５００℃のＧａＡｓ基板上にアルゴンレー
ザ（波長５１４．５ｎｍ、強度５Ｗ）をビームスキャン
法により線状（スキャン長５ｃｍ）に照射しながらＧａ
Ａｓ薄膜を成長させている最中にジエチルテルルを供給
する。
て、基板温度５００℃のＧａＡｓ基板上にアルゴンレー
ザ（波長５１４．５ｎｍ、強度５Ｗ）をビームスキャン
法により線状（スキャン長５ｃｍ）に照射しながらＧａ
Ａｓ薄膜を成長させている最中にジエチルテルルを供給
する。
【００１８】レーザ光のスキャン速度を線上で一定の加
速度で変化させることによって、基板上に温度分布をつ
ける。Ｇａ源にはトリエチルガリウム、Ａｓ源には熱分
解したアルシンを用いる。
速度で変化させることによって、基板上に温度分布をつ
ける。Ｇａ源にはトリエチルガリウム、Ａｓ源には熱分
解したアルシンを用いる。
【００１９】レーザ照射部では図５（ｂ）に示すように
基板温度の分布が形成される。その結果、レーザ照射部
では図５（ａ）に示すように電子濃度に６×１０17ｃｍ
-3から２×１０19ｃｍ-3の分布をもつ膜が形成される。
基板温度の分布が形成される。その結果、レーザ照射部
では図５（ａ）に示すように電子濃度に６×１０17ｃｍ
-3から２×１０19ｃｍ-3の分布をもつ膜が形成される。
【００２０】（実施例２）有機金属分子線エピタキシャ
ル装置を用いて、基板温度５００℃のＩｎＰ基板上にア
ルゴンレーザ（波長５１４．５ｎｍ、強度１０Ｗ）をス
ポット照射しながらジエチル亜鉛を供給する。Ｉｎ源に
はトリメチルインジウム、Ｐ源には熱分解したホスフィ
ンを用いる。
ル装置を用いて、基板温度５００℃のＩｎＰ基板上にア
ルゴンレーザ（波長５１４．５ｎｍ、強度１０Ｗ）をス
ポット照射しながらジエチル亜鉛を供給する。Ｉｎ源に
はトリメチルインジウム、Ｐ源には熱分解したホスフィ
ンを用いる。
【００２１】レーザ照射部では１００℃の温度上昇があ
り、その結果正孔濃度がレーザ照射部で３×１０17ｃｍ
-3、非照射部で５×１０18ｃｍ-3となる。
り、その結果正孔濃度がレーザ照射部で３×１０17ｃｍ
-3、非照射部で５×１０18ｃｍ-3となる。
【００２２】（実施例３）有機金属分子線エピタキシャ
ル装置を用いて、基板温度５００℃のＩｎＰ基板上にア
ルゴンレーザ（波長５１４．５ｎｍ、強度１０Ｗ）をス
ポット照射しながらトリエチル錫を供給する。Ｉｎ源に
はトリメチルインジウム、Ｐ源には熱分解したホスフィ
ンを用いる。
ル装置を用いて、基板温度５００℃のＩｎＰ基板上にア
ルゴンレーザ（波長５１４．５ｎｍ、強度１０Ｗ）をス
ポット照射しながらトリエチル錫を供給する。Ｉｎ源に
はトリメチルインジウム、Ｐ源には熱分解したホスフィ
ンを用いる。
【００２３】レーザ照射部では基板温度が１００℃上昇
し、その結果電子濃度は、レーザ照射部で４×１０17ｃ
ｍ-3、非照射部で２×１０18ｃｍ-3となる。
し、その結果電子濃度は、レーザ照射部で４×１０17ｃ
ｍ-3、非照射部で２×１０18ｃｍ-3となる。
【００２４】（実施例４）分子線エピタキシャル装置を
用いて、基板温度５００℃のＧａＡｓ基板上にＹＡＧレ
ーザ（波長１．０８μｍ、強度５Ｗ）をスポットで照射
しながら、ＧａＡｓ薄膜を成長させている最中にジエチ
ルテルルとジエチル亜鉛の２種類のドーピングガス原料
を供給する。
用いて、基板温度５００℃のＧａＡｓ基板上にＹＡＧレ
ーザ（波長１．０８μｍ、強度５Ｗ）をスポットで照射
しながら、ＧａＡｓ薄膜を成長させている最中にジエチ
ルテルルとジエチル亜鉛の２種類のドーピングガス原料
を供給する。
【００２５】Ｇａ源には金属Ｇａ、Ａｓ源には金属Ａｓ
を用いる。ＹＡＧレーザ照射部は約１００℃温度上昇
し、その結果、ＹＡＧレーザ照射部では、電子濃度１×
１０19ｃｍ-3のＮ型となり、非照射部では正孔濃度２×
１０16ｃｍ-3のＰ型となる。
を用いる。ＹＡＧレーザ照射部は約１００℃温度上昇
し、その結果、ＹＡＧレーザ照射部では、電子濃度１×
１０19ｃｍ-3のＮ型となり、非照射部では正孔濃度２×
１０16ｃｍ-3のＰ型となる。
【００２６】（実施例５）有機金属エピタキシャル装置
を用いて、基板温度５００℃のＩｎＰ基板上にアルゴン
レーザ（波長５１４．５ｎｍ、強度５Ｗ）をスポットで
照射しながらＩｎＰ薄膜を成長させている最中にテトラ
エチル錫，ジエチルベリリウムの２種類のドーピングガ
ス原料を供給する。
を用いて、基板温度５００℃のＩｎＰ基板上にアルゴン
レーザ（波長５１４．５ｎｍ、強度５Ｗ）をスポットで
照射しながらＩｎＰ薄膜を成長させている最中にテトラ
エチル錫，ジエチルベリリウムの２種類のドーピングガ
ス原料を供給する。
【００２７】ジエチルベリリウムは、Ｐ型ドーパントで
ＩｎＰへのドーピング量は基板温度によらず一定で２×
１０18ｃｍ-3である。インジウム源にはトリメチルイン
ジウム、Ｐ源には熱分解したホスフィンを用いる。
ＩｎＰへのドーピング量は基板温度によらず一定で２×
１０18ｃｍ-3である。インジウム源にはトリメチルイン
ジウム、Ｐ源には熱分解したホスフィンを用いる。
【００２８】レーザ照射部では１００℃温度上昇し、そ
の結果非照射部では半絶縁性となりレーザ照射部では正
孔濃度１．５×１０18ｃｍ-3のＰ型となる。
の結果非照射部では半絶縁性となりレーザ照射部では正
孔濃度１．５×１０18ｃｍ-3のＰ型となる。
【００２９】（実施例６）有機金属気相成長装置を用い
て、基板温度５５０℃のＧａＡｓ基板上にエキシマレー
ザ（波長２９３ｎｍ、強度１０Ｗ）をビームスキャン法
により線状に照射しながらＧａＡｓ薄膜を成長している
最中に、ジエチルテルルとジエチル亜鉛の２種類のドー
ピングガス原料を供給する。Ｇａ源にはトリメチルガリ
ウム、Ａｓ源にはアルシンを用いる。
て、基板温度５５０℃のＧａＡｓ基板上にエキシマレー
ザ（波長２９３ｎｍ、強度１０Ｗ）をビームスキャン法
により線状に照射しながらＧａＡｓ薄膜を成長している
最中に、ジエチルテルルとジエチル亜鉛の２種類のドー
ピングガス原料を供給する。Ｇａ源にはトリメチルガリ
ウム、Ａｓ源にはアルシンを用いる。
【００３０】レーザ照射部では一様に約５０℃上昇し、
その結果レーザ照射部の膜は一様に電子濃度１×１０19
ｃｍ-3のＮ型となり非照射部ではＰ型とＮ型のドープ量
がほぼ等しくなり半絶縁性となる。
その結果レーザ照射部の膜は一様に電子濃度１×１０19
ｃｍ-3のＮ型となり非照射部ではＰ型とＮ型のドープ量
がほぼ等しくなり半絶縁性となる。
【００３１】（実施例７）ガスソース分子線エピタキシ
装置を用いて、基板温度４５０℃のＩｎＰ基板上にＹＡ
Ｇレーザ（波長１．０８μｍ、強度５Ｗ）をスポットで
照射しながらＩｎＰ薄膜を成長させている最中にＰ型ド
ーパントとして金属ベリリウムを原料とした分子線（分
子線セルの温度１０００℃）とＮ型ドーパントにジエチ
ルテルルを供給する。
装置を用いて、基板温度４５０℃のＩｎＰ基板上にＹＡ
Ｇレーザ（波長１．０８μｍ、強度５Ｗ）をスポットで
照射しながらＩｎＰ薄膜を成長させている最中にＰ型ド
ーパントとして金属ベリリウムを原料とした分子線（分
子線セルの温度１０００℃）とＮ型ドーパントにジエチ
ルテルルを供給する。
【００３２】ドーピング用有機金属ガス原料はジエチル
テルル１種類であり、インジウム源には金属インジウ
ム、Ｐ源には熱分解したホスフィンを用いる。図６にジ
エチルテルルによるＮ型ドーピング量の基板温度依存性
を示す。レーザ照射部では約１００℃の温度上昇があ
る。
テルル１種類であり、インジウム源には金属インジウ
ム、Ｐ源には熱分解したホスフィンを用いる。図６にジ
エチルテルルによるＮ型ドーピング量の基板温度依存性
を示す。レーザ照射部では約１００℃の温度上昇があ
る。
【００３３】金属ベリリウムの場合、ドーピング量は基
板温度によらず１×１０19ｃｍ-3で一定である。そのた
めレーザ照射部では、Ｎ型とＰ型のドーピング領域がほ
ぼ等しくなり相殺され膜は半絶縁性となり、非照射部で
は正孔濃度１×１０19ｃｍ-3のＰ型となる。
板温度によらず１×１０19ｃｍ-3で一定である。そのた
めレーザ照射部では、Ｎ型とＰ型のドーピング領域がほ
ぼ等しくなり相殺され膜は半絶縁性となり、非照射部で
は正孔濃度１×１０19ｃｍ-3のＰ型となる。
【００３４】
【発明の効果】以上のように本発明では、半導体薄膜へ
のドーピング量と伝導型を面内方向に制御することが可
能となる。したがって、縦型トランジスタ，横注入型面
発光レーザ，縦型ドーピング超格子の製造に有用である
ばかりでなく、ＯＥＩＣのような高機能な半導体ディバ
イスの製造にも有効であるという効果がある。
のドーピング量と伝導型を面内方向に制御することが可
能となる。したがって、縦型トランジスタ，横注入型面
発光レーザ，縦型ドーピング超格子の製造に有用である
ばかりでなく、ＯＥＩＣのような高機能な半導体ディバ
イスの製造にも有効であるという効果がある。
【図１】ジエチルテルルを用いてＧａＡｓの薄膜中にＮ
型ドーピングするときのドーピング量と基板温度の関係
を示す相関図である。
型ドーピングするときのドーピング量と基板温度の関係
を示す相関図である。
【図２】ジエチル亜鉛を用いてＧａＡｓの薄膜中にＰ型
ドーピングするときのドーピング量と基板温度の関係を
示す相関図である。
ドーピングするときのドーピング量と基板温度の関係を
示す相関図である。
【図３】テトラエチル錫を用いてＩｎＰの薄膜中にＮ型
ドーピングするときのドーピング量と基板温度の関係を
示す相関図である。
ドーピングするときのドーピング量と基板温度の関係を
示す相関図である。
【図４】ジエチル亜鉛を用いてＩｎＰの薄膜中にＰ型ド
ーピングするときのドーピング量と基板温度の関係を示
す相関図である。
ーピングするときのドーピング量と基板温度の関係を示
す相関図である。
【図５】基板温度５００℃のＧａＡｓ基板上にＧａＡｓ
の薄をの成長させている最中にジエチルテルルを供給し
ながらその基板上にアルゴンレーザを線状に照射し、基
板温度に分布を形成したときのレーザ照射部の位置と基
板温度及び電子濃度の関係を示す相関図である。
の薄をの成長させている最中にジエチルテルルを供給し
ながらその基板上にアルゴンレーザを線状に照射し、基
板温度に分布を形成したときのレーザ照射部の位置と基
板温度及び電子濃度の関係を示す相関図である。
【図６】ジエチルテルルを用いてＩｎＰの薄膜中にＮ型
ドーピングするときのドーピング量と基板温度の関係を
示す相関図である。
ドーピングするときのドーピング量と基板温度の関係を
示す相関図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体薄膜の形成方法において、 前記半導体薄膜を半導体基板上に成長させている最中に
ドーピング用ガス原料を導入し、 前記ドーピング用ガス原料を導入するのと同時に前記半
導体基板上にレーザ光を照射して温度分布を形成するこ
とを特徴とする半導体薄膜形成方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体薄膜形成方法にお
いて、前記ドーピング用ガス原料の導入は、異なった伝
導型用の２種類のドーピングガス原料を導入することを
特徴とする半導体薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32839291A JPH05144744A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | 半導体薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32839291A JPH05144744A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | 半導体薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144744A true JPH05144744A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=18209744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32839291A Pending JPH05144744A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | 半導体薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05144744A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7046708B2 (en) | 2002-11-28 | 2006-05-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device including cladding layer having stripe portion different in conductivity type from adjacent portions |
| JP2009255013A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-05 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 光触媒 |
| US7923313B1 (en) | 2010-02-26 | 2011-04-12 | Eastman Kodak Company | Method of making transistor including reentrant profile |
| US7985684B1 (en) | 2011-01-07 | 2011-07-26 | Eastman Kodak Company | Actuating transistor including reduced channel length |
| US8304347B2 (en) | 2011-01-07 | 2012-11-06 | Eastman Kodak Company | Actuating transistor including multiple reentrant profiles |
| US8338291B2 (en) | 2011-01-07 | 2012-12-25 | Eastman Kodak Company | Producing transistor including multiple reentrant profiles |
| US8383469B2 (en) | 2011-01-07 | 2013-02-26 | Eastman Kodak Company | Producing transistor including reduced channel length |
| US8409937B2 (en) | 2011-01-07 | 2013-04-02 | Eastman Kodak Company | Producing transistor including multi-layer reentrant profile |
| US8492769B2 (en) | 2011-01-07 | 2013-07-23 | Eastman Kodak Company | Transistor including multi-layer reentrant profile |
| US8592909B2 (en) | 2011-08-26 | 2013-11-26 | Eastman Kodak Company | Transistor including single layer reentrant profile |
| US8617942B2 (en) | 2011-08-26 | 2013-12-31 | Eastman Kodak Company | Producing transistor including single layer reentrant profile |
| US8637355B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-01-28 | Eastman Kodak Company | Actuating transistor including single layer reentrant profile |
| US8803227B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-08-12 | Eastman Kodak Company | Vertical transistor having reduced parasitic capacitance |
| US8803203B2 (en) | 2010-02-26 | 2014-08-12 | Eastman Kodak Company | Transistor including reentrant profile |
| US8847226B2 (en) | 2011-01-07 | 2014-09-30 | Eastman Kodak Company | Transistor including multiple reentrant profiles |
| US8847232B2 (en) | 2011-01-07 | 2014-09-30 | Eastman Kodak Company | Transistor including reduced channel length |
| US8865576B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-10-21 | Eastman Kodak Company | Producing vertical transistor having reduced parasitic capacitance |
-
1991
- 1991-11-18 JP JP32839291A patent/JPH05144744A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7046708B2 (en) | 2002-11-28 | 2006-05-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device including cladding layer having stripe portion different in conductivity type from adjacent portions |
| JP2009255013A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-05 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 光触媒 |
| US7923313B1 (en) | 2010-02-26 | 2011-04-12 | Eastman Kodak Company | Method of making transistor including reentrant profile |
| US9337828B2 (en) | 2010-02-26 | 2016-05-10 | Eastman Kodak Company | Transistor including reentrant profile |
| US8803203B2 (en) | 2010-02-26 | 2014-08-12 | Eastman Kodak Company | Transistor including reentrant profile |
| US8492769B2 (en) | 2011-01-07 | 2013-07-23 | Eastman Kodak Company | Transistor including multi-layer reentrant profile |
| US8383469B2 (en) | 2011-01-07 | 2013-02-26 | Eastman Kodak Company | Producing transistor including reduced channel length |
| US8409937B2 (en) | 2011-01-07 | 2013-04-02 | Eastman Kodak Company | Producing transistor including multi-layer reentrant profile |
| US8338291B2 (en) | 2011-01-07 | 2012-12-25 | Eastman Kodak Company | Producing transistor including multiple reentrant profiles |
| US8304347B2 (en) | 2011-01-07 | 2012-11-06 | Eastman Kodak Company | Actuating transistor including multiple reentrant profiles |
| US8847226B2 (en) | 2011-01-07 | 2014-09-30 | Eastman Kodak Company | Transistor including multiple reentrant profiles |
| US8847232B2 (en) | 2011-01-07 | 2014-09-30 | Eastman Kodak Company | Transistor including reduced channel length |
| US7985684B1 (en) | 2011-01-07 | 2011-07-26 | Eastman Kodak Company | Actuating transistor including reduced channel length |
| US8592909B2 (en) | 2011-08-26 | 2013-11-26 | Eastman Kodak Company | Transistor including single layer reentrant profile |
| US8617942B2 (en) | 2011-08-26 | 2013-12-31 | Eastman Kodak Company | Producing transistor including single layer reentrant profile |
| US8637355B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-01-28 | Eastman Kodak Company | Actuating transistor including single layer reentrant profile |
| US8803227B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-08-12 | Eastman Kodak Company | Vertical transistor having reduced parasitic capacitance |
| US8865576B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-10-21 | Eastman Kodak Company | Producing vertical transistor having reduced parasitic capacitance |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05144744A (ja) | 半導体薄膜形成方法 | |
| GB2162862A (en) | Process for forming monocrystalline thin film of compound semiconductor | |
| US5061643A (en) | Method of doping a growing crystalline semiconductor film | |
| Saidov et al. | Structural Studies of the Epitaxial Layer of a Substitutional Solid Solution (GaAs) 1− x (ZnSe) x with Nanocrystals | |
| US4847216A (en) | Process for the deposition by epitaxy of a doped material | |
| JP2946280B2 (ja) | 半導体結晶成長方法 | |
| KR960004591B1 (ko) | 도우프된 결정 성장 방법 | |
| JP2821557B2 (ja) | 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法 | |
| JP2549835B2 (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JP3402425B2 (ja) | 半導体微細構造の作製方法 | |
| JPH0337186A (ja) | 化合物半導体薄膜の形成方法 | |
| Iga et al. | Selective growth of III-V semiconductor compounds by laser-assisted epitaxy | |
| JP3047523B2 (ja) | 選択エピタキシャル成長方法 | |
| JPH04306821A (ja) | 化合物半導体結晶成長方法 | |
| JP3082444B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP4041887B2 (ja) | アンチモン系量子ドットの形成方法 | |
| JP2646966B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の薄膜成長方法 | |
| KR100464814B1 (ko) | 결정 성장법, 반도체 미세구조의 형성방법, 반도체 장치및 시스템 | |
| JPH0590160A (ja) | 結晶成長方法 | |
| JPH0267721A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JP3396317B2 (ja) | 化合物半導体結晶成長方法及び不純物ドーピング方法 | |
| JPH0581197B2 (ja) | ||
| JPH05254984A (ja) | エピタキシャル結晶成長方法及びその装置 | |
| JPH04279023A (ja) | ３−５族化合物半導体の選択成長方法 | |
| JPH0722344A (ja) | 気相成長法 |