JPH05145169A - 半導体分布帰還型レーザ装置 - Google Patents
半導体分布帰還型レーザ装置Info
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- JPH05145169A JPH05145169A JP3224364A JP22436491A JPH05145169A JP H05145169 A JPH05145169 A JP H05145169A JP 3224364 A JP3224364 A JP 3224364A JP 22436491 A JP22436491 A JP 22436491A JP H05145169 A JPH05145169 A JP H05145169A
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- diffraction grating
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1228—DFB lasers with a complex coupled grating, e.g. gain or loss coupling
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 活性層の利得に周期分布をもたせて利得結合
による光分布帰還を得る。 【構成】 活性層のレーザ光軸方向に沿って周期的に導
電性が変化する構造を設け、活性層の電流密度に周期的
な分布を生じさせる。
による光分布帰還を得る。 【構成】 活性層のレーザ光軸方向に沿って周期的に導
電性が変化する構造を設け、活性層の電流密度に周期的
な分布を生じさせる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気光変換素子として
利用する半導体レーザ装置に関する。本発明は、光通信
装置、光情報処理装置、光記憶装置、光応用計測装置そ
の他光電子装置の光源として利用するに適する。
利用する半導体レーザ装置に関する。本発明は、光通信
装置、光情報処理装置、光記憶装置、光応用計測装置そ
の他光電子装置の光源として利用するに適する。
【０００２】
【従来の技術】半導体分布帰還型レーザ装置は、電子と
正孔との再結合により光を発生する活性層の近傍に回折
格子を設け、この回折格子により活性層に分布帰還を施
して誘導放出光を発生させる。このような半導体分布帰
還型レーザ装置を用いると、一般に、比較的簡単な構成
で優れた発振スペクトル特性の誘導放出光が得られる。
このため、従来から幾多の研究開発が進められており、
長距離大容量光通信、光情報処理、光記録、光応用計測
などに用いるのに好適な光源装置として、その有用性が
期待されている。
正孔との再結合により光を発生する活性層の近傍に回折
格子を設け、この回折格子により活性層に分布帰還を施
して誘導放出光を発生させる。このような半導体分布帰
還型レーザ装置を用いると、一般に、比較的簡単な構成
で優れた発振スペクトル特性の誘導放出光が得られる。
このため、従来から幾多の研究開発が進められており、
長距離大容量光通信、光情報処理、光記録、光応用計測
などに用いるのに好適な光源装置として、その有用性が
期待されている。
【０００３】従来の半導体分布帰還型レーザ装置として
は、活性層を透明なクラッド半導体層で挟み込んで効率
よく誘導放出光を発生、導波させるダブルヘテロ構造を
用い、活性層にごく近接して設けられた透明な導波路層
の活性層とは離れた側の表面に、例えば三角波状の断面
形状をもつ回折格子を形成したものが広く知られてい
る。この構造では、回折格子により導波路屈折率を周期
的に変化させることによって、活性層に沿って伝搬する
誘導放出光に光分布帰還を施している。
は、活性層を透明なクラッド半導体層で挟み込んで効率
よく誘導放出光を発生、導波させるダブルヘテロ構造を
用い、活性層にごく近接して設けられた透明な導波路層
の活性層とは離れた側の表面に、例えば三角波状の断面
形状をもつ回折格子を形成したものが広く知られてい
る。この構造では、回折格子により導波路屈折率を周期
的に変化させることによって、活性層に沿って伝搬する
誘導放出光に光分布帰還を施している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような屈
折率の周期変化に基づくいわゆる屈折率結合による光分
布帰還では、光導波路層の層厚変化の周期に対応した反
射が行われるブラッグ波長の光に対して、光位相につい
ての適正な帰還が行われなかった。このため、この波長
では安定なレーザ発振が得られず、ブラッグ波長の上下
に対称に離隔した二つの波長の縦モード発振が同時に生
じる可能性が高かった。
折率の周期変化に基づくいわゆる屈折率結合による光分
布帰還では、光導波路層の層厚変化の周期に対応した反
射が行われるブラッグ波長の光に対して、光位相につい
ての適正な帰還が行われなかった。このため、この波長
では安定なレーザ発振が得られず、ブラッグ波長の上下
に対称に離隔した二つの波長の縦モード発振が同時に生
じる可能性が高かった。
【０００５】また、このような二つの波長の縦モード発
振のうち一方のみが生じる場合にも、二つの波長のうち
いずれの波長の縦モード発振を行わせるかをあらかじめ
選定することは困難であり、発振波長設定の精度が著し
く損なわれる原因となっていた。
振のうち一方のみが生じる場合にも、二つの波長のうち
いずれの波長の縦モード発振を行わせるかをあらかじめ
選定することは困難であり、発振波長設定の精度が著し
く損なわれる原因となっていた。
【０００６】このような問題、すなわち、光導波路層に
おける屈折率の周期的摂動に基づく屈折率結合による光
分布帰還を行う場合に原理的に付随して発生する二波長
縦モード発振縮重の問題を解決するため、従来からも種
々の構造が検討されている。その一例として、回折格子
の中央においてその位相を１８０°だけ急変させるいわ
ゆる１／４波長シフト構造が知られている。しかし、レ
ーザ装置の構成が複雑になり、縮重解消のための上記特
殊構造を設けるためだけに特別の製造工程を付加する必
要があった。しかも、レーザ素子端面に反射防止膜を形
成する必要があった。
おける屈折率の周期的摂動に基づく屈折率結合による光
分布帰還を行う場合に原理的に付随して発生する二波長
縦モード発振縮重の問題を解決するため、従来からも種
々の構造が検討されている。その一例として、回折格子
の中央においてその位相を１８０°だけ急変させるいわ
ゆる１／４波長シフト構造が知られている。しかし、レ
ーザ装置の構成が複雑になり、縮重解消のための上記特
殊構造を設けるためだけに特別の製造工程を付加する必
要があった。しかも、レーザ素子端面に反射防止膜を形
成する必要があった。
【０００７】一方、分布帰還型レーザ装置では一般に、
上述のように屈折率結合により光分布帰還を行うとブラ
ッグ波長領域に発振阻止帯が生じるが、利得係数の周期
的摂動に基づくいわゆる利得結合による光分布帰還を行
えば、そのような発振阻止帯の出現を抑え、完全に単一
波長の縦モード発振が得られるはずである。この理論
は、コゲルニック他、「分布帰還レーザの結合波理論」 (Kogelnik et al.,"Coupled-Wave Theory of Distribut
ed Feedback Lasers",J.Appl.Phys. Vol.43, 1972, pp.
2327-2335) に示されている。これを半導体レーザ装置で実現した例
としては、本願発明者らによる特許出願 特願昭６３−１８９５９３、昭和６３年７月３０日出願 特開平３−３４４８９（特願平１−１６８７２９、平成
１年６月３０日出願） 特開平３−４９２８３〜４９２８７（特願平１−１８５
００１〜１８５００５、平成１年７月１８日出願） があるが、コゲルニック他の理論があくまで原理的なも
のであるため、実際の構造としてそれほど研究されてい
るわけではない。
上述のように屈折率結合により光分布帰還を行うとブラ
ッグ波長領域に発振阻止帯が生じるが、利得係数の周期
的摂動に基づくいわゆる利得結合による光分布帰還を行
えば、そのような発振阻止帯の出現を抑え、完全に単一
波長の縦モード発振が得られるはずである。この理論
は、コゲルニック他、「分布帰還レーザの結合波理論」 (Kogelnik et al.,"Coupled-Wave Theory of Distribut
ed Feedback Lasers",J.Appl.Phys. Vol.43, 1972, pp.
2327-2335) に示されている。これを半導体レーザ装置で実現した例
としては、本願発明者らによる特許出願 特願昭６３−１８９５９３、昭和６３年７月３０日出願 特開平３−３４４８９（特願平１−１６８７２９、平成
１年６月３０日出願） 特開平３−４９２８３〜４９２８７（特願平１−１８５
００１〜１８５００５、平成１年７月１８日出願） があるが、コゲルニック他の理論があくまで原理的なも
のであるため、実際の構造としてそれほど研究されてい
るわけではない。
【０００８】本発明は、利得結合を半導体レーザ装置に
適用して具体化し、装置の構成を複雑化することなく、
完全に単一の縦モードによる発振がブラッグ波長上に得
られる新たな半導体分布帰還型レーザ装置を提供するこ
とを目的とする。
適用して具体化し、装置の構成を複雑化することなく、
完全に単一の縦モードによる発振がブラッグ波長上に得
られる新たな半導体分布帰還型レーザ装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体分布帰還
型レーザ装置は、活性層の少なくとも一方の表面に近接
して、導電性がレーザ光軸方向に沿って周期的に変化す
る分布帰還用の周期構造を備えたことを特徴とする。
型レーザ装置は、活性層の少なくとも一方の表面に近接
して、導電性がレーザ光軸方向に沿って周期的に変化す
る分布帰還用の周期構造を備えたことを特徴とする。
【００１０】半導体レーザ装置は一般に、活性層を挟ん
で互いに導電型の異なる二組の半導体層を備える。そこ
で本発明の一つの実施態様として、活性層の一方の側に
近接する半導体層中に、その層と導電型ないしは導電性
の異なる半導体材料で回折格子を形成する。回折格子の
材料としては、その回折格子が設けられる側の半導体層
と導電型ないしは導電性だけが異なり屈折率が同じ材料
を用いることが望ましい。回折格子は、その回折格子を
構成する半導体材料の層が周期的に切断された形状であ
ることが望ましい。
で互いに導電型の異なる二組の半導体層を備える。そこ
で本発明の一つの実施態様として、活性層の一方の側に
近接する半導体層中に、その層と導電型ないしは導電性
の異なる半導体材料で回折格子を形成する。回折格子の
材料としては、その回折格子が設けられる側の半導体層
と導電型ないしは導電性だけが異なり屈折率が同じ材料
を用いることが望ましい。回折格子は、その回折格子を
構成する半導体材料の層が周期的に切断された形状であ
ることが望ましい。
【００１１】このような構造の半導体分布帰還型レーザ
装置を製造するには、活性層の一方の表面に０．１μｍ
程度の極めて薄い緩衝層を設け、この緩衝層の活性層と
反対側の表面に緩衝層と同一組成で導電型ないしは導電
性の異なる半導体層を設け、この半導体層を回折格子パ
ターンにしたがって緩衝層に達するまでエッチングする
ことにより回折格子を形成し、この回折格子を緩衝層と
同一屈折率かつ同じ導電性の半導体材料で埋め込む。
装置を製造するには、活性層の一方の表面に０．１μｍ
程度の極めて薄い緩衝層を設け、この緩衝層の活性層と
反対側の表面に緩衝層と同一組成で導電型ないしは導電
性の異なる半導体層を設け、この半導体層を回折格子パ
ターンにしたがって緩衝層に達するまでエッチングする
ことにより回折格子を形成し、この回折格子を緩衝層と
同一屈折率かつ同じ導電性の半導体材料で埋め込む。
【００１２】また、この方法とは別に、回折格子を形成
した後にその回折格子の上に緩衝層を介して活性層を成
長させてもよい。
した後にその回折格子の上に緩衝層を介して活性層を成
長させてもよい。
【００１３】回折格子を形成してから活性層を成長させ
ると、回折格子の周期的な凹凸形状が活性層の形状、特
に厚み分布に影響する場合がある。本発明は、これを積
極的に利用することもできる。すなわち、回折格子はレ
ーザ光軸方向に沿って周期的な凹凸形状として形成さ
れ、この凹凸形状に対応して活性層の厚み分布に変化が
設けられた構造とすることもできる。この構造は、上述
の特許出願、特に特願昭６３−１８９５９３、特開平３
−３４４８９、３−４９２８３、３−４９２８４にそれ
ぞれ添付された明細書および図面に示された構造に、本
発明の特徴である導電性の周期分布を組み合わせたもの
に相当する。
ると、回折格子の周期的な凹凸形状が活性層の形状、特
に厚み分布に影響する場合がある。本発明は、これを積
極的に利用することもできる。すなわち、回折格子はレ
ーザ光軸方向に沿って周期的な凹凸形状として形成さ
れ、この凹凸形状に対応して活性層の厚み分布に変化が
設けられた構造とすることもできる。この構造は、上述
の特許出願、特に特願昭６３−１８９５９３、特開平３
−３４４８９、３−４９２８３、３−４９２８４にそれ
ぞれ添付された明細書および図面に示された構造に、本
発明の特徴である導電性の周期分布を組み合わせたもの
に相当する。
【００１４】いずれの場合も、回折格子は導電性の異な
る層が周期的に切断された形状であることが最も望まし
い。
る層が周期的に切断された形状であることが最も望まし
い。
【００１５】また、回折格子をイオン注入や拡散により
形成することもできる。すなわち、活性層の一方の側に
近接する半導体層中に、この半導体層の導電型ないし導
電性を変化させるような材料を回折格子の周期にイオン
注入または拡散させる。
形成することもできる。すなわち、活性層の一方の側に
近接する半導体層中に、この半導体層の導電型ないし導
電性を変化させるような材料を回折格子の周期にイオン
注入または拡散させる。
【００１６】
【作用】活性層に近接して（活性層から０．１μｍ程度
離れて）導電性が周期的に変化する層を設けると、活性
層における電流密度の分布が生じ、これによりキャリア
密度の周期分布が生成される。さらに、この周期分布に
より利得係数の周期的摂動が誘起され、この周期的摂動
に基づいて光分布帰還が行われる。
離れて）導電性が周期的に変化する層を設けると、活性
層における電流密度の分布が生じ、これによりキャリア
密度の周期分布が生成される。さらに、この周期分布に
より利得係数の周期的摂動が誘起され、この周期的摂動
に基づいて光分布帰還が行われる。
【００１７】すなわち、活性層にキャリア密度分布が形
成されると、レーザ光軸方向に伝搬する光波に対する利
得係数が回折格子の周期に一致した周期で変化すること
になり、利得結合による光分布帰還が実現される。
成されると、レーザ光軸方向に伝搬する光波に対する利
得係数が回折格子の周期に一致した周期で変化すること
になり、利得結合による光分布帰還が実現される。
【００１８】利得結合による光分布帰還は、短い光パル
スの発生、高速直接変調、低チャープ動作などを実現す
るうえにおいても有利であることが実証されつつある。
スの発生、高速直接変調、低チャープ動作などを実現す
るうえにおいても有利であることが実証されつつある。
【００１９】
【実施例】図１は本発明第一実施例の半導体分布帰還型
レーザ装置を示す。
レーザ装置を示す。
【００２０】この実施例はダブルヘテロ構造のレーザ装
置であり、誘導放出光を発生する活性層４を備え、この
活性層４に沿って配置されこの活性層４が発生した誘導
放出光に光分布帰還を施す周期構造として回折格子７を
備える。
置であり、誘導放出光を発生する活性層４を備え、この
活性層４に沿って配置されこの活性層４が発生した誘導
放出光に光分布帰還を施す周期構造として回折格子７を
備える。
【００２１】さらに詳しく説明すると、基板１上にバッ
ファ層２、クラッド層３、活性層４、緩衝層５、回折格
子７、クラッド層８およびコンタクト層９が積層され、
コンタクト層９には絶縁層１０のストライプ状の窓を通
して電極層１１が接続され、基板１の裏面には電極層１
２が設けられる。活性層４を挟む二組の半導体層は互い
に導電型が異なり、例えば基板１、バッファ層２および
クラッド層３がｐ型の場合には、緩衝層５、クラッド層
８およびコンタクト層９をｎ型とする。
ファ層２、クラッド層３、活性層４、緩衝層５、回折格
子７、クラッド層８およびコンタクト層９が積層され、
コンタクト層９には絶縁層１０のストライプ状の窓を通
して電極層１１が接続され、基板１の裏面には電極層１
２が設けられる。活性層４を挟む二組の半導体層は互い
に導電型が異なり、例えば基板１、バッファ層２および
クラッド層３がｐ型の場合には、緩衝層５、クラッド層
８およびコンタクト層９をｎ型とする。
【００２２】各層の導電型、組成および厚さの例を以下
に示す。
に示す。
【００２３】 基板１ ｐ+ −ＧａＡｓ バッファ層２ ｐ+ −ＧａＡｓ ０．５μｍ クラッド層３ ｐ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ １μｍ 活性層４ 低不純物濃度ＧａＡｓ ０．１μｍ 緩衝層５ ｎ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ ０．１μｍ 回折格子７ ｐ+ −Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ ０．１μｍ クラッド層８ ｎ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ １μｍ コンタクト層９ ｎ+ −ＧａＡｓ ０．５μｍ 絶縁層１０ ＳｉＯ2 電極層１１ Ａｕ／Ａｕ−Ｇｅ 電極層１２ Ａｕ／Ｃｒ
【００２４】回折格子７の厚さは周期的に変化している
が、ここでは最も厚い部分の厚さを示した。最も薄い部
分は、この例では完全に除去されている。回折格子７の
周期は例えば２５５ｎｍであり、そのときの発振光波長
は８８０ｎｍである。また、絶縁層１０に設けられるス
トライプ状の窓の幅は、例えば１０μｍとする。
が、ここでは最も厚い部分の厚さを示した。最も薄い部
分は、この例では完全に除去されている。回折格子７の
周期は例えば２５５ｎｍであり、そのときの発振光波長
は８８０ｎｍである。また、絶縁層１０に設けられるス
トライプ状の窓の幅は、例えば１０μｍとする。
【００２５】ここで本実施例の特徴とするところは、回
折格子７が、緩衝層５とクラッド層８との間に、これら
と異なる導電型で形成されたことにある。すなわち、緩
衝層５とクラッド層８とがｎ型半導体で形成されている
のに対し、回折格子７は高濃度のｐ型半導体で形成され
ている。ただし、それらは不純物ドーピングが互いに異
なるだけで、材料の基本組成は同一であり、屈折率も等
しい。
折格子７が、緩衝層５とクラッド層８との間に、これら
と異なる導電型で形成されたことにある。すなわち、緩
衝層５とクラッド層８とがｎ型半導体で形成されている
のに対し、回折格子７は高濃度のｐ型半導体で形成され
ている。ただし、それらは不純物ドーピングが互いに異
なるだけで、材料の基本組成は同一であり、屈折率も等
しい。
【００２６】この構造により、回折格子７を含む面を垂
直に通過する電流の密度が、レーザ光軸方向に沿って周
期的に変化する。このため、活性層４にキャリア密度分
布が形成され、レーザ光軸方向に伝搬する光波に対する
利得係数が、回折格子７の周期に一致した周期で変化す
る。このため、利得結合による分布帰還が実現される。
直に通過する電流の密度が、レーザ光軸方向に沿って周
期的に変化する。このため、活性層４にキャリア密度分
布が形成され、レーザ光軸方向に伝搬する光波に対する
利得係数が、回折格子７の周期に一致した周期で変化す
る。このため、利得結合による分布帰還が実現される。
【００２７】緩衝層５は、回折格子７の印刻時に生じる
各種の結晶欠陥が活性層４に伝搬することを防止するも
のである。
各種の結晶欠陥が活性層４に伝搬することを防止するも
のである。
【００２８】この半導体分布帰還型レーザ装置の製造方
法について説明する。この方法では、ダブルヘテロ構造
を構成する各層が、二段階のエピタキシャル成長工程で
基板１上に形成される。
法について説明する。この方法では、ダブルヘテロ構造
を構成する各層が、二段階のエピタキシャル成長工程で
基板１上に形成される。
【００２９】第一段階のエピタキシャル成長工程では、
有機金属気相エピタキシャル成長法により、基板１上に
バッファ層２、クラッド層３、活性層４、緩衝層５およ
び電流阻止層６を連続して成長させる。
有機金属気相エピタキシャル成長法により、基板１上に
バッファ層２、クラッド層３、活性層４、緩衝層５およ
び電流阻止層６を連続して成長させる。
【００３０】続いて、この成長工程で形成された最上層
の電流阻止層６に、干渉露光法および化学エッチングあ
るいはドライエッチングを適用して、周期的なパターン
を印刻する。このとき、選択的に除去される部分の厚さ
を電流阻止層６の厚さと同じかそれ以上とし、除去され
ずに残った部分を回折格子７とする。
の電流阻止層６に、干渉露光法および化学エッチングあ
るいはドライエッチングを適用して、周期的なパターン
を印刻する。このとき、選択的に除去される部分の厚さ
を電流阻止層６の厚さと同じかそれ以上とし、除去され
ずに残った部分を回折格子７とする。
【００３１】この後に、第二段階のエピタキシャル成長
を実行し、緩衝層５および電流阻止層６上にクラッド層
８およびコンタクト層９を連続して成長させ、回折格子
７を埋め込む。この成長も有機金属気相エピタキシャル
成長法により行う。これにより、ダブルヘテロ構造が完
成する。
を実行し、緩衝層５および電流阻止層６上にクラッド層
８およびコンタクト層９を連続して成長させ、回折格子
７を埋め込む。この成長も有機金属気相エピタキシャル
成長法により行う。これにより、ダブルヘテロ構造が完
成する。
【００３２】次に、コンタクト層９の上面に絶縁層１０
を堆積させ、この絶縁層１０にストライプ状の窓を形成
した後、全面に電極層１１を蒸着する。また、基板１の
裏面に電極層１２を蒸着する。
を堆積させ、この絶縁層１０にストライプ状の窓を形成
した後、全面に電極層１１を蒸着する。また、基板１の
裏面に電極層１２を蒸着する。
【００３３】以上の工程により、半導体ウェハ上にレー
ザ構造をもつ半導体ブロックが形成される。この半導体
ブロックを劈開して、個々の半導体レーザ素子を完成す
る。
ザ構造をもつ半導体ブロックが形成される。この半導体
ブロックを劈開して、個々の半導体レーザ素子を完成す
る。
【００３４】この実施例では、回折格子７として導電型
がｐ+ 型の材料を用いている。これは、クラッド層８が
ｎ型であり、これと導電性が大きく異なるようにするに
は、導電型が異なるｐ+ 型の材料が最も有効だからであ
る。しかし、ｎ型のクラッド層８に対して、回折格子７
としてｐ型、真性型（ｉ型）あるいは弱いｎ型（ｎ
- 型）を用いても本発明を実施できる。さらに、高抵抗
の材料や、場合によっては低抵抗の材料を用いることも
できる。
がｐ+ 型の材料を用いている。これは、クラッド層８が
ｎ型であり、これと導電性が大きく異なるようにするに
は、導電型が異なるｐ+ 型の材料が最も有効だからであ
る。しかし、ｎ型のクラッド層８に対して、回折格子７
としてｐ型、真性型（ｉ型）あるいは弱いｎ型（ｎ
- 型）を用いても本発明を実施できる。さらに、高抵抗
の材料や、場合によっては低抵抗の材料を用いることも
できる。
【００３５】また、ｐｎの導電型を逆にしても本発明を
同様に実施できる。その場合の各層の導電型、組成およ
び厚さの例を以下に示す。なお、この場合の回折格子７
の導電型は、クラッド層８（この場合にはｐ型）と導電
性が大きく異なるようにｎ+ 型とするのが最も有効であ
るが、ｎ型、ｉ型またはｐ- 型でも実施でき、高抵抗の
材料や、場合によっては低抵抗の材料を用いても実施で
きる。
同様に実施できる。その場合の各層の導電型、組成およ
び厚さの例を以下に示す。なお、この場合の回折格子７
の導電型は、クラッド層８（この場合にはｐ型）と導電
性が大きく異なるようにｎ+ 型とするのが最も有効であ
るが、ｎ型、ｉ型またはｐ- 型でも実施でき、高抵抗の
材料や、場合によっては低抵抗の材料を用いても実施で
きる。
【００３６】 基板１ ｎ+ −ＧａＡｓ バッファ層２ ｎ+ −ＧａＡｓ ０．５μｍ クラッド層３ ｎ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ １μｍ 活性層４ 低不純物濃度ＧａＡｓ ０．１μｍ 緩衝層５ ｐ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ ０．１μｍ 回折格子７ ｎ+ −Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ ０．１μｍ クラッド層８ ｐ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ １μｍ コンタクト層９ ｐ+ −ＧａＡｓ ０．５μｍ 絶縁層１０ ＳｉＯ2 電極層１１ Ａｕ／Ｃｒ 電極層１２ Ａｕ／Ａｕ−Ｇｅ
【００３７】図２は本発明第二実施例の半導体分布帰還
型レーザ装置を示す。
型レーザ装置を示す。
【００３８】この実施例が第一実施例と異なる点は、導
電性を周期的に変化させる回折格子が基板と活性層との
間に設けられ、この回折格子の周期的な凹凸形状に対応
して、活性層の厚みにも周期的変化が設けられたことに
ある。
電性を周期的に変化させる回折格子が基板と活性層との
間に設けられ、この回折格子の周期的な凹凸形状に対応
して、活性層の厚みにも周期的変化が設けられたことに
ある。
【００３９】基板２１上にはバッファ層２２、クラッド
層２３、回折格子２７、緩衝層２５、活性層２４、クラ
ッド層２８およびコンタクト層２９が積層され、コンタ
クト層２９には絶縁層３０のストライプ状の窓をとおし
て電極層３１が接続され、基板２１の裏面には電極層３
２が設けられる。活性層２４を挟む二組の半導体層、す
なわち基板２１、バッファ層２２、クラッド層２３およ
び緩衝層２５からなる半導体層と、クラッド層２８およ
びコンタクト層２９からなる半導体層とは、互いに導電
型が異なる。
層２３、回折格子２７、緩衝層２５、活性層２４、クラ
ッド層２８およびコンタクト層２９が積層され、コンタ
クト層２９には絶縁層３０のストライプ状の窓をとおし
て電極層３１が接続され、基板２１の裏面には電極層３
２が設けられる。活性層２４を挟む二組の半導体層、す
なわち基板２１、バッファ層２２、クラッド層２３およ
び緩衝層２５からなる半導体層と、クラッド層２８およ
びコンタクト層２９からなる半導体層とは、互いに導電
型が異なる。
【００４０】回折格子２７は、クラッド層２３および緩
衝層２５とは導電型ないしは導電性の異なる材料によ
り、レーザ光軸方向に沿って周期的に切断された凹凸形
状に形成される。
衝層２５とは導電型ないしは導電性の異なる材料によ
り、レーザ光軸方向に沿って周期的に切断された凹凸形
状に形成される。
【００４１】回折格子２７は緩衝層２５により埋め込ま
れるが、この緩衝層２５は、半導体結晶構造の欠陥が活
性層２４に及ばないように、かつ回折格子２７の凹凸形
状を保つように形成される。
れるが、この緩衝層２５は、半導体結晶構造の欠陥が活
性層２４に及ばないように、かつ回折格子２７の凹凸形
状を保つように形成される。
【００４２】活性層２４は、緩衝層２５の凹凸形状の凹
部を埋めるように形成される。
部を埋めるように形成される。
【００４３】この実施例は、二段階のエピタキシャル成
長工程を含む製造方法により形成される。
長工程を含む製造方法により形成される。
【００４４】第一段階のエピタキシャル成長工程では、
有機金属気相エピタキシャル成長法により、基板２１上
にバッファ層２２、クラッド層２３および電流阻止層を
連続して成長させる。
有機金属気相エピタキシャル成長法により、基板２１上
にバッファ層２２、クラッド層２３および電流阻止層を
連続して成長させる。
【００４５】続いて、この成長工程で形成された最上層
の電流阻止層に、干渉露光法および化学エッチングある
いはドライエッチングを適用して回折格子のパターンを
印刻する。このとき、選択的に削られた部分の厚さを電
流阻止層の厚さと同じかそれ以上とし、残った部分を回
折格子２７とする。
の電流阻止層に、干渉露光法および化学エッチングある
いはドライエッチングを適用して回折格子のパターンを
印刻する。このとき、選択的に削られた部分の厚さを電
流阻止層の厚さと同じかそれ以上とし、残った部分を回
折格子２７とする。
【００４６】この後に、第二段階のエピタキシャル成長
を実行し、回折格子２７の上に緩衝層２５、活性層２
４、クラッド層２８およびコンタクト層２９を連続して
成長させる。この成長も有機金属気相エピタキシャル成
長法により行う。これにより、ダブルヘテロ構造が完成
する。このとき、緩衝層２５については、回折格子２７
の凹凸形状が保存されるように、かつ印刻により発生し
た半導体結晶構造の欠陥の影響が活性層２４に及ばない
ように成長させる。また、活性層２４については、凹凸
形状の凹部が埋められるように成長させる。
を実行し、回折格子２７の上に緩衝層２５、活性層２
４、クラッド層２８およびコンタクト層２９を連続して
成長させる。この成長も有機金属気相エピタキシャル成
長法により行う。これにより、ダブルヘテロ構造が完成
する。このとき、緩衝層２５については、回折格子２７
の凹凸形状が保存されるように、かつ印刻により発生し
た半導体結晶構造の欠陥の影響が活性層２４に及ばない
ように成長させる。また、活性層２４については、凹凸
形状の凹部が埋められるように成長させる。
【００４７】次に、コンタクト層２９の上面に絶縁層３
０を堆積させ、この絶縁層３０にストライプ状の窓を形
成した後、全面に電極層３１を蒸着する。また、基板２
１の裏面に電極層３２を蒸着する。
０を堆積させ、この絶縁層３０にストライプ状の窓を形
成した後、全面に電極層３１を蒸着する。また、基板２
１の裏面に電極層３２を蒸着する。
【００４８】以上の工程により、半導体ウェハ上にレー
ザ構造をもつ半導体ブロックが形成される。この半導体
ブロックを劈開して、個々の半導体レーザ素子を完成す
る。
ザ構造をもつ半導体ブロックが形成される。この半導体
ブロックを劈開して、個々の半導体レーザ素子を完成す
る。
【００４９】はじめの回折格子２７の断面形状は矩形波
状とし、緩衝層２５はその表面が三角波状になるように
成長させ、これに活性層２４をその表面が平面状になる
ように成長させることもできる。
状とし、緩衝層２５はその表面が三角波状になるように
成長させ、これに活性層２４をその表面が平面状になる
ように成長させることもできる。
【００５０】基板２１、バッファ層２２、クラッド層２
３および緩衝層２５の導電型をｐ型、クラッド層２８お
よびコンタクト層２９をｎ型とする場合の各層の組成
と、逆の導電型とする場合との各層の組成の一例を以下
に示す。
３および緩衝層２５の導電型をｐ型、クラッド層２８お
よびコンタクト層２９をｎ型とする場合の各層の組成
と、逆の導電型とする場合との各層の組成の一例を以下
に示す。
【００５１】 基板２１ ｐ+ −ＧａＡｓ バッファ層２２ ｐ+ −ＧａＡｓ クラッド層２３ ｐ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ 回折格子２７ ｎ+ −Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ 緩衝層２５ ｐ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ 活性層２４ 低不純物濃度ＧａＡｓ クラッド層２８ ｎ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ コンタクト層２９ ｎ+ −ＧａＡｓ 絶縁層３０ ＳｉＯ2 電極層３１ Ａｕ−Ｇｅ 電極層３２ Ａｕ−Ｚｎ
【００５２】基板２１ ｎ+ −ＧａＡｓ バッファ層２２ ｎ+ −ＧａＡｓ クラッド層２３ ｎ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ 回折格子２７ ｐ+ −Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ 緩衝層２５ ｎ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ 活性層２４ 低不純物濃度ＧａＡｓ クラッド層２８ ｐ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ コンタクト層２９ ｐ+ −ＧａＡｓ 絶縁層３０ ＳｉＯ2 電極層３１ Ａｕ−Ｚｎ 電極層３２ Ａｕ−Ｇｅ
【００５３】この実施例の場合にも、回折格子２７の導
電型をその周囲の層の導電型と異なるものを用いること
が有効であるが、導電性が異なるのであれば、同じ導電
型のものや、高抵抗のものを用いることもできる。
電型をその周囲の層の導電型と異なるものを用いること
が有効であるが、導電性が異なるのであれば、同じ導電
型のものや、高抵抗のものを用いることもできる。
【００５４】以上の実施例では活性層としてバルク結晶
を用いた例を説明したが、単一量子井戸または多重量子
井戸を用いても本発明を同様に実施できる。
を用いた例を説明したが、単一量子井戸または多重量子
井戸を用いても本発明を同様に実施できる。
【００５５】また、基板、クラッド層および活性層の材
料としては、上述したＧａＡｓ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ
−ＧａＡｓの組み合わせの他に、ＧａＡｓ−Ａｌx Ｇａ
1-x Ａｓ−Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ、ＩｎＰ−ＩｎＰ−Ｉｎ
x Ｇａ1-x Ａｓy Ｐ1-y など、現在実用化されている半
導体レーザ装置の材料の組み合わせでも本発明を同様に
実施でき、さらに、これ以外の材料を用いた場合でも本
発明を実施できる。以下にＩｎＰに格子整合して１．６
５μｍで発振する場合の組成例を示す。一番目の例は第
一実施例の構造を用いる場合の組成例であり、二番目の
例は図２に示した第二実施例の構造を用いる場合の組成
例である。
料としては、上述したＧａＡｓ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ
−ＧａＡｓの組み合わせの他に、ＧａＡｓ−Ａｌx Ｇａ
1-x Ａｓ−Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ、ＩｎＰ−ＩｎＰ−Ｉｎ
x Ｇａ1-x Ａｓy Ｐ1-y など、現在実用化されている半
導体レーザ装置の材料の組み合わせでも本発明を同様に
実施でき、さらに、これ以外の材料を用いた場合でも本
発明を実施できる。以下にＩｎＰに格子整合して１．６
５μｍで発振する場合の組成例を示す。一番目の例は第
一実施例の構造を用いる場合の組成例であり、二番目の
例は図２に示した第二実施例の構造を用いる場合の組成
例である。
【００５６】 基板１ ｐ+ またはｎ+ −ＩｎＰ バッファ層２ ｐ+ またはｎ+ −ＩｎＰ クラッド層３ ｐ またはｎ −ＩｎＰ 活性層４ 低不純物濃度 Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ 緩衝層５ ｎ またはｐ −Ｉｎ0.82Ｇａ0.18Ａｓ0.40Ｐ0.60 回折格子７ ｐ+ またはｎ+ −Ｉｎ0.72Ｇａ0.28Ａｓ0.61Ｐ0.39 クラッド層８ ｎ またはｐ −ＩｎＰ コンタクト層９ ｎ+ またはｐ+ −Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ
【００５７】 基板２１ ｐ+ またはｎ+ −ＩｎＰ バッファ層２２ ｐ+ またはｎ+ −ＩｎＰ クラッド層２３ ｐ またはｎ −ＩｎＰ 回折格子２７ ｎ+ またはｐ+ −Ｉｎ0.72Ｇａ0.28Ａｓ0.61Ｐ0.39 （λg ＝１．３μｍ） 緩衝層２５ ｐ またはｎ −Ｉｎ0.82Ｇａ0.18Ａｓ0.40Ｐ0.60 （λg ＝１．１５μｍ） 活性層２４ 低不純物濃度 Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ クラッド層２８ ｎ またはｐ −ＩｎＰ コンタクト層２９ ｎ+ またはｐ+ −Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ
【００５８】以上の実施例では周期構造として周期的凹
凸が設けられた回折格子を用いていたが、イオン注入や
拡散により周期的な導電性変化を設けることもできる。
そのような例として、イオン注入を利用する場合の実施
例を以下に説明する。
凸が設けられた回折格子を用いていたが、イオン注入や
拡散により周期的な導電性変化を設けることもできる。
そのような例として、イオン注入を利用する場合の実施
例を以下に説明する。
【００５９】図３は本発明第三実施例の半導体分布帰還
型レーザ装置を示す。
型レーザ装置を示す。
【００６０】この実施例は、活性層に近接する半導体層
に、導電性を変化させる材料が周期的にイオン注入され
ていることが第一実施例と大きく異なる。すなわち、基
板１上にバッファ層２、クラッド層３、半導体層３６、
緩衝層５、活性層４、クラッド層８、コンタクト層９が
積層され、コンタクト層９には絶縁層１０のストライプ
状の窓をとおして電極層１１が接続され、基板１の裏面
には電極層１２が設けられる。半導体層３６からクラッ
ド層３にかけては、周期的に、イオン注入領域３７が設
けられる。
に、導電性を変化させる材料が周期的にイオン注入され
ていることが第一実施例と大きく異なる。すなわち、基
板１上にバッファ層２、クラッド層３、半導体層３６、
緩衝層５、活性層４、クラッド層８、コンタクト層９が
積層され、コンタクト層９には絶縁層１０のストライプ
状の窓をとおして電極層１１が接続され、基板１の裏面
には電極層１２が設けられる。半導体層３６からクラッ
ド層３にかけては、周期的に、イオン注入領域３７が設
けられる。
【００６１】このレーザ装置を製造するには、まず、基
板１にバッファ層２、クラッド層３および半導体層３６
を結晶成長させ、さらに、イオン注入マスク層を成長さ
せる。続いて、干渉露光法と、反応性イオンエッチング
などの異方性エッチングとにより、表面のイオン注入マ
スク層に凹凸の形状を形成する。これにイオン注入を行
うと、イオン注入マスク層の凸部がマスクとなり、半導
体層３６に周期的にイオン注入領域３７が形成される。
この後、イオン注入マスク層を選択エッチングにより除
去し、緩衝層５ないしコンタクト層９を結晶成長させ
る。
板１にバッファ層２、クラッド層３および半導体層３６
を結晶成長させ、さらに、イオン注入マスク層を成長さ
せる。続いて、干渉露光法と、反応性イオンエッチング
などの異方性エッチングとにより、表面のイオン注入マ
スク層に凹凸の形状を形成する。これにイオン注入を行
うと、イオン注入マスク層の凸部がマスクとなり、半導
体層３６に周期的にイオン注入領域３７が形成される。
この後、イオン注入マスク層を選択エッチングにより除
去し、緩衝層５ないしコンタクト層９を結晶成長させ
る。
【００６２】ＩｎＰ系での組成例を以下に示す。
【００６３】 基板１ ｐ+ またはｎ+ −ＩｎＰ バッファ層２ ｐ+ またはｎ+ −ＩｎＰ クラッド層３ ｐ またはｎ −ＩｎＰ 半導体層３６ ｐ またはｎ−Ｉｎ0.72Ｇａ0.28Ａｓ0.61Ｐ0.39 （λg ＝１．３μｍ） 緩衝層５ ｐ またはｎ −ＩｎＰ 活性層４ 低不純物濃度Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓと ＩｎＧａＡｓＰ（λg ＝１．３μｍ）との 多重量子井戸（等価的なλg ＝１．５５μｍ） クラッド層８ ｎ またはｐ −ＩｎＰ コンタクト層９ ｎ+ またはｐ+ −Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ
【００６４】活性層４としては、多重量子井戸の他に、
単一量子井戸やバルクを用いることもできる。
単一量子井戸やバルクを用いることもできる。
【００６５】イオン注入領域３７を高抵抗化するには、
ＩｎＰ系の場合には酸素をイオン注入する。また、鉄を
イオン注入してもよい。ＧａＡｓ系の場合には、酸素や
水素をイオン注入する。また、半導体層３６の導電型を
変化させる材料をイオン注入することもできる。例えば
ＧａＡｓ系であれば、ｐ型の半導体層３６に対して、Ｓ
ｉをイオン注入してｎ型化することができる。
ＩｎＰ系の場合には酸素をイオン注入する。また、鉄を
イオン注入してもよい。ＧａＡｓ系の場合には、酸素や
水素をイオン注入する。また、半導体層３６の導電型を
変化させる材料をイオン注入することもできる。例えば
ＧａＡｓ系であれば、ｐ型の半導体層３６に対して、Ｓ
ｉをイオン注入してｎ型化することができる。
【００６６】この例ではイオン注入マスク層として半導
体の層を用いた例を示したが、他の材料を用いることも
できる。また、イオン注入の代わりに熱拡散を用いても
よい。
体の層を用いた例を示したが、他の材料を用いることも
できる。また、イオン注入の代わりに熱拡散を用いても
よい。
【００６７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体分
布帰還型レーザ装置は、従来の屈折率結合型半導体分布
帰還型レーザ装置とは異なり、完全に単一の波長の縦モ
ード発振が行われ、従来装置におけるような発振波長の
不確定性は原理的に生じない。しかも、従来の半導体分
布帰還型レーザ装置で完全単一縦モード化を実現する場
合のように装置の構成が複雑化することがなく、反射防
止膜も不要であり、簡単に完全単一縦モード化を実現で
きる。
布帰還型レーザ装置は、従来の屈折率結合型半導体分布
帰還型レーザ装置とは異なり、完全に単一の波長の縦モ
ード発振が行われ、従来装置におけるような発振波長の
不確定性は原理的に生じない。しかも、従来の半導体分
布帰還型レーザ装置で完全単一縦モード化を実現する場
合のように装置の構成が複雑化することがなく、反射防
止膜も不要であり、簡単に完全単一縦モード化を実現で
きる。
【００６８】また、本発明の半導体分布帰還型レーザ装
置では、利得結合によって光分布帰還を達成しているの
で、近端あるいは遠端からの反射戻り光などによって誘
起される干渉性雑音は、たとえ生じたとしても、従来の
屈折率結合による場合に比較して格段に小さくなること
が期待される。
置では、利得結合によって光分布帰還を達成しているの
で、近端あるいは遠端からの反射戻り光などによって誘
起される干渉性雑音は、たとえ生じたとしても、従来の
屈折率結合による場合に比較して格段に小さくなること
が期待される。
【００６９】さらに、本発明の半導体分布帰還型レーザ
装置では、周期的に分布した電流を注入してはじめて光
共振器が構成されるので、高速電流変調において超短光
パルス発生が可能であり、さらに発振波長のチャーピン
グも小さいと期待される。
装置では、周期的に分布した電流を注入してはじめて光
共振器が構成されるので、高速電流変調において超短光
パルス発生が可能であり、さらに発振波長のチャーピン
グも小さいと期待される。
【００７０】したがって本発明の半導体分布帰還型レー
ザ装置は、長距離光通信用、波長多重光通信用などに必
要な高性能光源として有望であるばかりでなく、光情報
処理および記録や、光応用計測、高速光学現象の光源な
どの分野で、従来用いられていた気体レーザ装置や固体
レーザ装置に代替し得る高性能の小型光源として利用で
きる可能性が高い。
ザ装置は、長距離光通信用、波長多重光通信用などに必
要な高性能光源として有望であるばかりでなく、光情報
処理および記録や、光応用計測、高速光学現象の光源な
どの分野で、従来用いられていた気体レーザ装置や固体
レーザ装置に代替し得る高性能の小型光源として利用で
きる可能性が高い。
【図１】本発明第一実施例の半導体分布帰還型レーザ装
置を示す斜視図。
置を示す斜視図。
【図２】本発明第二実施例の半導体分布帰還型レーザ装
置を示す斜視図。
置を示す斜視図。
【図３】本発明第三実施例の半導体分布帰還型レーザ装
置を示す斜視図。
置を示す斜視図。
１、２１ 基板 ２、２２ バッファ層 ３、８、２３、２８ クラッド層 ４、２４ 活性層 ５、２５ 緩衝層 ６ 電流阻止層 ７、２７ 回折格子 ９、２９ コンタクト層 １０、３０ 絶縁層 １１、１２、３１、３２ 電極層 ３６ 半導体層 ３７ イオン注入領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 羅 毅 東京都武蔵野市中町２丁目11番13号 光計 測技術開発株式会社内 (72)発明者 井上 武史 東京都武蔵野市中町２丁目11番13号 光計 測技術開発株式会社内 (72)発明者 細松 春夫 東京都武蔵野市中町２丁目11番13号 光計 測技術開発株式会社内 (72)発明者 岩岡 秀人 東京都武蔵野市中町２丁目11番13号 光計 測技術開発株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 誘導放出光を発生する活性層と、 この活性層に沿って配置されこの活性層が発生した誘導
放出光に光分布帰還を施す周期構造とを備えた半導体分
布帰還型レーザ装置において、 前記周期構造はその導電性が前記活性層に平行なレーザ
光軸方向に沿って周期的に変化する構造であることを特
徴とする半導体分布帰還型レーザ装置。 - 【請求項２】 活性層を挟んで互いに導電性の異なる二
組の半導体層を備え、 周期構造はこの二組の半導体層の少なくとも一方の半導
体層中に埋め込まれたその半導体層と異なる導電性の回
折格子を含む請求項１記載の半導体分布帰還型レーザ装
置。 - 【請求項３】 回折格子はレーザ光軸方向に沿って周期
的な凹凸形状に形成され、 この凹凸形状に対応して前記活性層の厚みにも周期的変
化が設けられた請求項２記載の半導体分布帰還型レーザ
装置。 - 【請求項４】 回折格子は導電性の異なる層が周期的に
切断された形状である請求項２または３に記載の半導体
分布帰還型レーザ装置。 - 【請求項５】 回折格子はその導電型がその回折格子を
埋め込む半導体層の導電型と異なる請求項２ないし４の
いずれかに記載の半導体分布帰還型レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3224364A JPH05145169A (ja) | 1990-09-05 | 1991-09-04 | 半導体分布帰還型レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-235235 | 1990-09-05 | ||
| JP23523590 | 1990-09-05 | ||
| JP3224364A JPH05145169A (ja) | 1990-09-05 | 1991-09-04 | 半導体分布帰還型レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05145169A true JPH05145169A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=26526012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3224364A Pending JPH05145169A (ja) | 1990-09-05 | 1991-09-04 | 半導体分布帰還型レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05145169A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0614254A1 (en) * | 1993-03-01 | 1994-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Gain-coupling distributed feedback semiconductor laser and method of producing the same |
| JPH0969671A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-11 | Canon Inc | 偏波変調可能な分布帰還型半導体レーザ |
| EP0895323A1 (en) * | 1997-08-01 | 1999-02-03 | Lucent Technologies Inc. | Distributed feedback laser with loss coupling |
| JP2002111125A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-12 | Fujitsu Ltd | 分布帰還型半導体レーザ |
| WO2003073570A1 (fr) * | 2002-02-27 | 2003-09-04 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Laser a semi-conducteurs nanocomposite quantique et reseau nanocomposite quantique |
| EP1265326A4 (en) * | 2000-03-13 | 2005-12-07 | Sharp Kk | SEMICONDUCTOR LASER DEVICE WITH DISTRIBUTED RETROACTION AND GAIN COUPLING AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME |
| JP2009200133A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Anritsu Corp | 波長走査型光源およびそれを用いた波長走査型光コヒーレンストモグラフィ装置 |
| JP2010278329A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
| JP6702523B1 (ja) * | 2019-10-15 | 2020-06-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-09-04 JP JP3224364A patent/JPH05145169A/ja active Pending
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