JPH05145177A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
- Publication number
- JPH05145177A JPH05145177A JP32821291A JP32821291A JPH05145177A JP H05145177 A JPH05145177 A JP H05145177A JP 32821291 A JP32821291 A JP 32821291A JP 32821291 A JP32821291 A JP 32821291A JP H05145177 A JPH05145177 A JP H05145177A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- stripe
- laser device
- alignment mark
- alignment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マウント時におけるストライプの位置合せ精
度を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供す
る。 【構成】 基板上に積層された活性層にストライプを形
成し、そのストライプをレーザ発光部とする半導体レー
ザ素子において、その半導体レーザ素子の上下面の一方
をマウント時の融着面としたもので、その融着面とは反
対側の面Ｒに、ストライプ１２の形成位置を示す位置合
せマーク１１ａを設けた。
度を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供す
る。 【構成】 基板上に積層された活性層にストライプを形
成し、そのストライプをレーザ発光部とする半導体レー
ザ素子において、その半導体レーザ素子の上下面の一方
をマウント時の融着面としたもので、その融着面とは反
対側の面Ｒに、ストライプ１２の形成位置を示す位置合
せマーク１１ａを設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ素子の構
造に関するものである。
造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザ素子には図６に示す
ような構成のものがあり、図示した半導体レーザ素子３
０の基板３１上には、光閉じ込め層３２ａ、活性層３
３、光閉じ込め層３２ｂ、電流阻止層３４、コンタクト
層３５、電極３６が順に積層されている。そして、それ
ら各層の中で、素子の上面Ｆに形成された電極３６には
ストライプパターン３６ａが形成され、そのストライプ
パターン３６ａに対応して、活性層３３にストライプ３
３ａが形成されている。また、素子の下面Ｒには、図示
せぬ電極が形成されている。
ような構成のものがあり、図示した半導体レーザ素子３
０の基板３１上には、光閉じ込め層３２ａ、活性層３
３、光閉じ込め層３２ｂ、電流阻止層３４、コンタクト
層３５、電極３６が順に積層されている。そして、それ
ら各層の中で、素子の上面Ｆに形成された電極３６には
ストライプパターン３６ａが形成され、そのストライプ
パターン３６ａに対応して、活性層３３にストライプ３
３ａが形成されている。また、素子の下面Ｒには、図示
せぬ電極が形成されている。
【０００３】このような構成からなる従来の半導体レー
ザ素子３０においては、活性層３３に形成されたストラ
イプ３３ａがレーザ発光部となる。すなわち、半導体レ
ーザ素子３０の上面Ｆに形成された電極３６と下面Ｒに
形成された電極（不図示）との間に電流を流すと、活性
層３３に形成されたストライプ３３ａからレーザ光が放
射され、しかも、その光軸はストライプ３３ａの中心軸
と同軸となる。
ザ素子３０においては、活性層３３に形成されたストラ
イプ３３ａがレーザ発光部となる。すなわち、半導体レ
ーザ素子３０の上面Ｆに形成された電極３６と下面Ｒに
形成された電極（不図示）との間に電流を流すと、活性
層３３に形成されたストライプ３３ａからレーザ光が放
射され、しかも、その光軸はストライプ３３ａの中心軸
と同軸となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体レーザ素子３０をマウントする際は、レーザ
光の放射によって生じる発光部の温度上昇を抑えるた
め、図７に示すように、ストライプパターン（不図示）
が形成された上面Ｆをサブマウント３７への融着面と
し、反対側の下面Ｒを真空吸着コレット３８への吸着面
とする場合があり、このような場合は、半導体レーザ素
子３０の上面Ｆが下向きになって隠れてしまうため、ス
トライプ（図６）の形成位置を目視確認することができ
なくなる。
来の半導体レーザ素子３０をマウントする際は、レーザ
光の放射によって生じる発光部の温度上昇を抑えるた
め、図７に示すように、ストライプパターン（不図示）
が形成された上面Ｆをサブマウント３７への融着面と
し、反対側の下面Ｒを真空吸着コレット３８への吸着面
とする場合があり、このような場合は、半導体レーザ素
子３０の上面Ｆが下向きになって隠れてしまうため、ス
トライプ（図６）の形成位置を目視確認することができ
なくなる。
【０００５】そこで、サブマウント３７に対する半導体
レーザ素子３０の位置合せ作業は、図８に示すように、
半導体レーザ素子の幅Ｗ1 から推定されるストライプの
形成位置の仮想中心を、サブマウント３７のメタル部分
３７ａ（図７）の幅Ｗ2 から算定される中心軸Ｌに一致
させることで行われていた。しかし、この方法では、半
導体レーザ素子３０の幅Ｗ1 寸法の加工精度が低いため
にストライプの形成位置が正確に把握されず、このこと
が、サブマウント３７に対するストライプの位置合せ精
度を向上する上でネックになっていた。
レーザ素子３０の位置合せ作業は、図８に示すように、
半導体レーザ素子の幅Ｗ1 から推定されるストライプの
形成位置の仮想中心を、サブマウント３７のメタル部分
３７ａ（図７）の幅Ｗ2 から算定される中心軸Ｌに一致
させることで行われていた。しかし、この方法では、半
導体レーザ素子３０の幅Ｗ1 寸法の加工精度が低いため
にストライプの形成位置が正確に把握されず、このこと
が、サブマウント３７に対するストライプの位置合せ精
度を向上する上でネックになっていた。
【０００６】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、マウント時におけるストライプの位置合せ
精度を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供
することを目的とする。
れたもので、マウント時におけるストライプの位置合せ
精度を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたもので、基板上に積層された活性
層にストライプを形成し、そのストライプをレーザ発光
部とする半導体レーザ素子において、その半導体レーザ
素子の上下面の一方をマウント時の融着面としたもの
で、その融着面とは反対側の面に、ストライプの形成位
置を示す位置合せマークを設けた半導体レーザ素子であ
る。
成するためになされたもので、基板上に積層された活性
層にストライプを形成し、そのストライプをレーザ発光
部とする半導体レーザ素子において、その半導体レーザ
素子の上下面の一方をマウント時の融着面としたもの
で、その融着面とは反対側の面に、ストライプの形成位
置を示す位置合せマークを設けた半導体レーザ素子であ
る。
【０００８】
【作用】本発明の半導体レーザ素子においては、マウン
ト時に融着面が下向きに保持され、その融着面とは反対
側の面が上向きに保持されるため、ストライプの形成位
置を示す位置合せマークを容易に確認することができ
る。よって、その位置合せマークを基準に位置合せ作業
を行うことで、活性層に形成されたストライプは、精度
良く位置合せされる。
ト時に融着面が下向きに保持され、その融着面とは反対
側の面が上向きに保持されるため、ストライプの形成位
置を示す位置合せマークを容易に確認することができ
る。よって、その位置合せマークを基準に位置合せ作業
を行うことで、活性層に形成されたストライプは、精度
良く位置合せされる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図に基づいて説明す
る。尚、本実施例では、従来例と重複する説明は省略す
る。本実施例の半導体レーザ素子１０の構成において
は、図１に示す通り、その下面Ｒに形成された電極１１
に位置合せマーク１１ａが設けられている。そして、こ
の位置合せマーク１１ａは、電極１１のパターンを略三
角形に切り欠いた状態で形成されている。その際、位置
合せマーク１１ａの頂点Ｐは、図示せぬ活性層に形成さ
れたストライプ１２の中心位置を示している。
る。尚、本実施例では、従来例と重複する説明は省略す
る。本実施例の半導体レーザ素子１０の構成において
は、図１に示す通り、その下面Ｒに形成された電極１１
に位置合せマーク１１ａが設けられている。そして、こ
の位置合せマーク１１ａは、電極１１のパターンを略三
角形に切り欠いた状態で形成されている。その際、位置
合せマーク１１ａの頂点Ｐは、図示せぬ活性層に形成さ
れたストライプ１２の中心位置を示している。
【００１０】ここで、位置合せマークが設けられた半導
体レーザ素子の製造工程の一例を、図６を参照しながら
説明すると、まず、所定寸法に切り出された基板上に、
結晶成長、ストライプ形成、電流阻止層形成、上面側の
電極形成を行う。次いで、先の工程で形成した上面側の
電極とは反対側の面を研磨し、素子自体の厚さを所定寸
法にするとともに、その研磨された面に電極形成を行
う。その際、図１に示すように電極１１のパターンに位
置合せマーク１１ａを形成しておくことにより、新たに
工程を追加することなく、半導体レーザ素子に位置合せ
マークを設けることができる。
体レーザ素子の製造工程の一例を、図６を参照しながら
説明すると、まず、所定寸法に切り出された基板上に、
結晶成長、ストライプ形成、電流阻止層形成、上面側の
電極形成を行う。次いで、先の工程で形成した上面側の
電極とは反対側の面を研磨し、素子自体の厚さを所定寸
法にするとともに、その研磨された面に電極形成を行
う。その際、図１に示すように電極１１のパターンに位
置合せマーク１１ａを形成しておくことにより、新たに
工程を追加することなく、半導体レーザ素子に位置合せ
マークを設けることができる。
【００１１】次に、上記構成からなる本実施例の半導体
レーザ素子をマウントする際の位置合せ作業について説
明する。まず、半導体レーザ素子１０のマウント時に
は、図２に示すように、ストライプパターン（不図示）
が形成されている上面Ｆがサブマウント１３への融着面
となるため、その上面Ｆを下向きに保持した状態で、電
極１１が形成された下面Ｒを、真空吸着コレット１４の
先端部にて吸着する。このような状態では、下面Ｒに設
けられた位置合せマーク１１ａを容易に目視できるた
め、その位置合せマーク１１ａを介してストライプ（不
図示）の形成位置を正確に把握することができる。よっ
て、半導体レーザ素子１０をサブマウント１３上に融着
する際は、サブマウント１３の上面に設けられた基準マ
ーク１３ａ（サブマウント１３の中心位置を示してい
る）と半導体レーザ素子１０の下面Ｒに設けられた位置
合せマーク１１ａとを、図３のように位置合せすること
により、マウント時におけるストライプの位置合せ精度
を格段に向上させることが可能となる。
レーザ素子をマウントする際の位置合せ作業について説
明する。まず、半導体レーザ素子１０のマウント時に
は、図２に示すように、ストライプパターン（不図示）
が形成されている上面Ｆがサブマウント１３への融着面
となるため、その上面Ｆを下向きに保持した状態で、電
極１１が形成された下面Ｒを、真空吸着コレット１４の
先端部にて吸着する。このような状態では、下面Ｒに設
けられた位置合せマーク１１ａを容易に目視できるた
め、その位置合せマーク１１ａを介してストライプ（不
図示）の形成位置を正確に把握することができる。よっ
て、半導体レーザ素子１０をサブマウント１３上に融着
する際は、サブマウント１３の上面に設けられた基準マ
ーク１３ａ（サブマウント１３の中心位置を示してい
る）と半導体レーザ素子１０の下面Ｒに設けられた位置
合せマーク１１ａとを、図３のように位置合せすること
により、マウント時におけるストライプの位置合せ精度
を格段に向上させることが可能となる。
【００１２】また、上記のようにストライプの位置合せ
精度が向上することで、サブマウント１３上の基準マー
ク１３ａからストライプの形成位置を正確に把握するこ
とが可能となるため、サブマウントを図示せぬメインマ
ウントに融着する場合にも、そのメインマウントにおけ
るストライプの位置合せ精度が向上することになる。
精度が向上することで、サブマウント１３上の基準マー
ク１３ａからストライプの形成位置を正確に把握するこ
とが可能となるため、サブマウントを図示せぬメインマ
ウントに融着する場合にも、そのメインマウントにおけ
るストライプの位置合せ精度が向上することになる。
【００１３】尚、上記実施例においては、半導体レーザ
素子の下面に設けられる位置合せマークとして、略三角
形の位置合せマーク１１ａを一個だけ設けた例を挙げて
説明したが、本発明はこれに限定されるものでなく、例
えば、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、位置合せマー
ク１１ａを複数個設け、より正確にストライプの形成位
置を把握できるようにしてもよく、更に、位置合せマー
クの態様としても三角形に限ることなく、例えば、図５
（ａ）に示すように方形の位置合せマーク１１ａを設け
たもの、或いは図５（ｂ）に示すように、ストライプの
形成位置に対応させて電極１１のパターンを分割し、そ
の分割部分を位置合せマーク１１ａとするものであって
もよい。
素子の下面に設けられる位置合せマークとして、略三角
形の位置合せマーク１１ａを一個だけ設けた例を挙げて
説明したが、本発明はこれに限定されるものでなく、例
えば、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、位置合せマー
ク１１ａを複数個設け、より正確にストライプの形成位
置を把握できるようにしてもよく、更に、位置合せマー
クの態様としても三角形に限ることなく、例えば、図５
（ａ）に示すように方形の位置合せマーク１１ａを設け
たもの、或いは図５（ｂ）に示すように、ストライプの
形成位置に対応させて電極１１のパターンを分割し、そ
の分割部分を位置合せマーク１１ａとするものであって
もよい。
【００１４】また、本実施例においては、電極１１のパ
ターン形状により位置合せマーク１１ａを設けたが、本
発明はこれに限らず、例えば、図示はしないがエッチン
グ等の方法で半導体レーザ素子の下面に凹凸部分を形成
し、その凹凸部分を位置合せマークとしたものであって
もよい。
ターン形状により位置合せマーク１１ａを設けたが、本
発明はこれに限らず、例えば、図示はしないがエッチン
グ等の方法で半導体レーザ素子の下面に凹凸部分を形成
し、その凹凸部分を位置合せマークとしたものであって
もよい。
【００１５】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
半導体レーザ素子をマウントする際、ストライプの形成
位置を示す位置合せマークが容易に確認できるため、そ
の位置合せマークを基準に位置合せ作業を行うことによ
り、マウント時におけるストライプの位置合せ精度を格
段に向上させることができ、もって、ストライプから放
射されるレーザ光の光軸を正確に方向設定することが可
能となる。
半導体レーザ素子をマウントする際、ストライプの形成
位置を示す位置合せマークが容易に確認できるため、そ
の位置合せマークを基準に位置合せ作業を行うことによ
り、マウント時におけるストライプの位置合せ精度を格
段に向上させることができ、もって、ストライプから放
射されるレーザ光の光軸を正確に方向設定することが可
能となる。
【００１６】更に、本発明においては、従来例のように
半導体レーザ素子の幅寸法などを基に位置合せする場合
と比較すると、製造工程での作業内容が非常に容易で且
つ簡略化されるため、作業効率の向上が期待できる。
半導体レーザ素子の幅寸法などを基に位置合せする場合
と比較すると、製造工程での作業内容が非常に容易で且
つ簡略化されるため、作業効率の向上が期待できる。
【図１】本発明の一実施例を示す要部平面図である。
【図２】実施例におけるマウント状態を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】実施例における位置合せ状態を示す平面図であ
る。
る。
【図４】他の実施例を示す要部平面図である。
【図５】更に他の実施例を示す要部平面図である。
【図６】半導体レーザ素子の構成図である。
【図７】従来例におけるマウント状態を示す斜視図であ
る。
る。
【図８】従来例における位置合せ状態を示す平面図であ
る。
る。
１０ 半導体レーザ素子 １１ａ 位置合せマーク １２ ストライプ Ｆ 上面 Ｒ 下面
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に積層された活性層にストライプ
を形成し、そのストライプをレーザ発光部とする半導体
レーザ素子において、 前記半導体レーザ素子の上下面の一方をマウント時の融
着面としたものであって、 前記融着面とは反対側の面に、前記ストライプの形成位
置を示す位置合せマークを設けたことを特徴とする半導
体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32821291A JPH05145177A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32821291A JPH05145177A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05145177A true JPH05145177A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=18207705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32821291A Pending JPH05145177A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05145177A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6882668B2 (en) | 1998-09-03 | 2005-04-19 | Nec Corporation | Semiconductor laser diode chip and its positioning and mouting method |
| JP2015231038A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | 株式会社フジクラ | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の位置調整方法 |
| JP2017147301A (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
-
1991
- 1991-11-15 JP JP32821291A patent/JPH05145177A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6882668B2 (en) | 1998-09-03 | 2005-04-19 | Nec Corporation | Semiconductor laser diode chip and its positioning and mouting method |
| JP2015231038A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | 株式会社フジクラ | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の位置調整方法 |
| JP2017147301A (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
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