JPH05145266A - スイツチング電源の実装構造 - Google Patents
スイツチング電源の実装構造Info
- Publication number
- JPH05145266A JPH05145266A JP30778491A JP30778491A JPH05145266A JP H05145266 A JPH05145266 A JP H05145266A JP 30778491 A JP30778491 A JP 30778491A JP 30778491 A JP30778491 A JP 30778491A JP H05145266 A JPH05145266 A JP H05145266A
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- Japan
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- switching power
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波でのノイズ抑制特性が良く、かつ低周
波での磁気シールドを容易に施すことのできるスイッチ
ング電源の実装構造を提供する。 【構成】 交流電流を入力して直流電流に変換する整流
平滑化回路１０と、この整流平滑化回路の出力する直流
電流をスイッチングして所定電圧の直流電流を負荷側に
供給するＤＣ−ＤＣコンバータ部２０と、これら整流平
滑化回路とＤＣ−ＤＣコンバータ部を搭載する金属コア
基板３０と有するスイッチング電源の実装構造におい
て、金属コア基板は、電気抵抗が低く非磁性材料よりな
る非磁性層と、この非磁性層に比較して大きな電気抵抗
を有するとともに強磁性材料よりなる強磁性層を有し、
前記整流平滑化回路並びにＤＣ−ＤＣコンバータ部の回
路パターンを非磁性層上に設けたことを特徴とするもの
である．
波での磁気シールドを容易に施すことのできるスイッチ
ング電源の実装構造を提供する。 【構成】 交流電流を入力して直流電流に変換する整流
平滑化回路１０と、この整流平滑化回路の出力する直流
電流をスイッチングして所定電圧の直流電流を負荷側に
供給するＤＣ−ＤＣコンバータ部２０と、これら整流平
滑化回路とＤＣ−ＤＣコンバータ部を搭載する金属コア
基板３０と有するスイッチング電源の実装構造におい
て、金属コア基板は、電気抵抗が低く非磁性材料よりな
る非磁性層と、この非磁性層に比較して大きな電気抵抗
を有するとともに強磁性材料よりなる強磁性層を有し、
前記整流平滑化回路並びにＤＣ−ＤＣコンバータ部の回
路パターンを非磁性層上に設けたことを特徴とするもの
である．
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は金属コア基板をプリント
基板とするスイッチング電源に係り、特にＥＭＩ特性に
おいて高周波のノイズを低減し、かつ低周波の磁界シー
ルドを施せる実装構造の改良に関する。
基板とするスイッチング電源に係り、特にＥＭＩ特性に
おいて高周波のノイズを低減し、かつ低周波の磁界シー
ルドを施せる実装構造の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】本出願人は、実開昭６１−１７１２５８
号公報や実開昭６３−１３８８８６号公報でスイッチン
グ電源の実装構造を提案している。このような装置で
は、プリント基板の材料としてガラスエポキシ樹脂など
が用いられている。また近年、金属コア基板を用いたス
イッチング電源装置が利用されている。この場合、部品
の放熱を目的として、コア金属にアルミニウムや銅など
の熱伝導のよい金属が用いられている。
号公報や実開昭６３−１３８８８６号公報でスイッチン
グ電源の実装構造を提案している。このような装置で
は、プリント基板の材料としてガラスエポキシ樹脂など
が用いられている。また近年、金属コア基板を用いたス
イッチング電源装置が利用されている。この場合、部品
の放熱を目的として、コア金属にアルミニウムや銅など
の熱伝導のよい金属が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、コア金
属に非磁性材を用いると、直流磁界や低周波磁界に対す
るシールド効果が得られないという課題があった。そこ
で、低周波磁界に対するシールド効果を高めるために、
鉄などの強磁性材料をコア金属として用いることが考え
られるが、今度はヒステリシス損が増加して電源の効率
が低下するという課題があった。
属に非磁性材を用いると、直流磁界や低周波磁界に対す
るシールド効果が得られないという課題があった。そこ
で、低周波磁界に対するシールド効果を高めるために、
鉄などの強磁性材料をコア金属として用いることが考え
られるが、今度はヒステリシス損が増加して電源の効率
が低下するという課題があった。
【０００４】本発明はこのような課題を解決したもの
で、高周波でのノイズ抑制特性が良く、かつ低周波での
磁気シールドを容易に施すことのできるスイッチング電
源の実装構造を提供することを目的とする。
で、高周波でのノイズ抑制特性が良く、かつ低周波での
磁気シールドを容易に施すことのできるスイッチング電
源の実装構造を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
る本発明は、交流電流を入力して直流電流に変換する整
流平滑化回路１０と、この整流平滑化回路の出力する直
流電流をスイッチングして所定電圧の直流電流を負荷側
に供給するＤＣ−ＤＣコンバータ部２０と、これら整流
平滑化回路とＤＣ−ＤＣコンバータ部を搭載する金属コ
ア基板３０と有するスイッチング電源の実装構造におい
て、前記金属コア基板は、電気抵抗が低く非磁性材料よ
りなる非磁性層と、この非磁性層に比較して大きな電気
抵抗を有するとともに強磁性材料よりなる強磁性層を有
し、前記整流平滑化回路並びにＤＣ−ＤＣコンバータ部
の回路パターンを非磁性層上に設けたことを特徴とする
ものである．
る本発明は、交流電流を入力して直流電流に変換する整
流平滑化回路１０と、この整流平滑化回路の出力する直
流電流をスイッチングして所定電圧の直流電流を負荷側
に供給するＤＣ−ＤＣコンバータ部２０と、これら整流
平滑化回路とＤＣ−ＤＣコンバータ部を搭載する金属コ
ア基板３０と有するスイッチング電源の実装構造におい
て、前記金属コア基板は、電気抵抗が低く非磁性材料よ
りなる非磁性層と、この非磁性層に比較して大きな電気
抵抗を有するとともに強磁性材料よりなる強磁性層を有
し、前記整流平滑化回路並びにＤＣ−ＤＣコンバータ部
の回路パターンを非磁性層上に設けたことを特徴とする
ものである．
【０００６】好ましくは、非磁性層並びに強磁性層の厚
さを、回路パターン程度の厚さとすると、これらの層を
回路パターンを製造するのと同様の方法で製造でき、都
合がよい。また、非磁性層並びに強磁性層の厚さを、そ
れぞれの表皮厚さ以上とするば、十分なシールド効果を
得ることができる。
さを、回路パターン程度の厚さとすると、これらの層を
回路パターンを製造するのと同様の方法で製造でき、都
合がよい。また、非磁性層並びに強磁性層の厚さを、そ
れぞれの表皮厚さ以上とするば、十分なシールド効果を
得ることができる。
【０００７】
【作用】整流平滑化回路とＤＣ−ＤＣコンバータ部で
は、回路電流により磁界が発生する。非磁性層では、高
周波磁界により渦電流が流れ、しかして高周波のシール
ド効果をもたらす。また非磁性層は強磁性層よりも表面
側にあるので、強磁性層に侵入する磁界が減少して、強
磁性層でのヒステリシス損の発生を抑える。低周波磁界
は非磁性層を透過して、強磁性層にそのまま侵入する。
強磁性層は磁気抵抗が低いため侵入した磁束線が外部に
漏れるのを防止し、しかして低周波のシールド効果をも
たらす。
は、回路電流により磁界が発生する。非磁性層では、高
周波磁界により渦電流が流れ、しかして高周波のシール
ド効果をもたらす。また非磁性層は強磁性層よりも表面
側にあるので、強磁性層に侵入する磁界が減少して、強
磁性層でのヒステリシス損の発生を抑える。低周波磁界
は非磁性層を透過して、強磁性層にそのまま侵入する。
強磁性層は磁気抵抗が低いため侵入した磁束線が外部に
漏れるのを防止し、しかして低周波のシールド効果をも
たらす。
【０００８】
【実施例】以下、図面を用いて本発明を詳細に説明す
る。図１は本発明の一実施例を示す構成図で、（Ａ）は
全体の配置図、（Ｂ）は金属コア基板の断面図である。
図において、金属コア基板３０上には整流平滑化回路１
０とＤＣ−ＤＣコンバータ部２０が隣接して実装されて
いる。整流平滑化回路１０は公知の回路であって、ダイ
オードブリッジ回路や平滑用コンデンサを用いて商用電
源より供給される交流電流を直流化している。ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータ部２０も公知回路であって、トランス２２
の一次巻線ｎ１に整流平滑化回路１０で直流化された直
流電流が印可され、パワートランジスタ等のスイッチン
グ素子２１によりオンオフされている。するとトランス
２２の二次巻線ｎ２にスイッチング信号が誘起されるの
で、整流器２３により整流する。整流器２３はアノード
端子がそれぞれ二次巻線ｎ２の陽極側若しくはコモン側
に接続されたダイオードＤ１，Ｄ２よりなり、両者のカ
ソード端子は突き合わせられている。チョークコイル２
４は二次巻線ｎ２と出力コンデンサ２５のコモン側に挿
入されたもので、高周波数成分を除去する。出力コンデ
ンサ２５は整流器２３で整流された電流を平滑化するも
ので、負荷に直流電圧を供給する。負荷に安定な直流電
圧を供給する場合には、直流安定化回路を設ける。金属
コア基板３０は、上層に非磁性層３１、下層に強磁性層
３２の二層構造になっている。非磁性層３１にはアルミ
ニウムや銅などの電気抵抗が低く、非磁性金属材料が用
いられる。強磁性層３２は鉄、ニッケル或いはフェライ
ト等の非磁性層３１の材料に比較して電気抵抗が高い強
磁性材料を使用する。
る。図１は本発明の一実施例を示す構成図で、（Ａ）は
全体の配置図、（Ｂ）は金属コア基板の断面図である。
図において、金属コア基板３０上には整流平滑化回路１
０とＤＣ−ＤＣコンバータ部２０が隣接して実装されて
いる。整流平滑化回路１０は公知の回路であって、ダイ
オードブリッジ回路や平滑用コンデンサを用いて商用電
源より供給される交流電流を直流化している。ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータ部２０も公知回路であって、トランス２２
の一次巻線ｎ１に整流平滑化回路１０で直流化された直
流電流が印可され、パワートランジスタ等のスイッチン
グ素子２１によりオンオフされている。するとトランス
２２の二次巻線ｎ２にスイッチング信号が誘起されるの
で、整流器２３により整流する。整流器２３はアノード
端子がそれぞれ二次巻線ｎ２の陽極側若しくはコモン側
に接続されたダイオードＤ１，Ｄ２よりなり、両者のカ
ソード端子は突き合わせられている。チョークコイル２
４は二次巻線ｎ２と出力コンデンサ２５のコモン側に挿
入されたもので、高周波数成分を除去する。出力コンデ
ンサ２５は整流器２３で整流された電流を平滑化するも
ので、負荷に直流電圧を供給する。負荷に安定な直流電
圧を供給する場合には、直流安定化回路を設ける。金属
コア基板３０は、上層に非磁性層３１、下層に強磁性層
３２の二層構造になっている。非磁性層３１にはアルミ
ニウムや銅などの電気抵抗が低く、非磁性金属材料が用
いられる。強磁性層３２は鉄、ニッケル或いはフェライ
ト等の非磁性層３１の材料に比較して電気抵抗が高い強
磁性材料を使用する。
【０００９】図２は高周波のシールド特性の説明図であ
る。回路パターン３３は非磁性層３１の上に形成されて
いる。この回路パターン３３に流れる回路電流ｉ0 を中
心として高周波磁界Ｈ0 及び低周波磁界Ｈ2が発生す
る。ここで、両者の区別は周波数１０〜１００ｋＨｚで
行い、この区別は非磁性層３１で発生する渦電流ｉ1 に
より定める。高周波磁界Ｈ0 は、非磁性層３１と鎖交す
ることにより渦電流ｉ1が流れると共に、その磁界を打
ち消す方向に磁界Ｈ1 が発生する。しかして、高周波磁
界Ｈ0 と磁界Ｈ1 が互いに打ち消しあい、高周波のシー
ルド効果をもたらす。また、強磁性層３２に到来する磁
界も低減されることから、ヒステリシス損の発生が抑制
される。以上は、吸収性の損失について述べたものであ
るが、反射性の損失についても、非磁性層３１と強磁性
層３２の多層構造とすることにより電界の反射面が増加
し、しかして反射損失によるシールド効果も増加する。
る。回路パターン３３は非磁性層３１の上に形成されて
いる。この回路パターン３３に流れる回路電流ｉ0 を中
心として高周波磁界Ｈ0 及び低周波磁界Ｈ2が発生す
る。ここで、両者の区別は周波数１０〜１００ｋＨｚで
行い、この区別は非磁性層３１で発生する渦電流ｉ1 に
より定める。高周波磁界Ｈ0 は、非磁性層３１と鎖交す
ることにより渦電流ｉ1が流れると共に、その磁界を打
ち消す方向に磁界Ｈ1 が発生する。しかして、高周波磁
界Ｈ0 と磁界Ｈ1 が互いに打ち消しあい、高周波のシー
ルド効果をもたらす。また、強磁性層３２に到来する磁
界も低減されることから、ヒステリシス損の発生が抑制
される。以上は、吸収性の損失について述べたものであ
るが、反射性の損失についても、非磁性層３１と強磁性
層３２の多層構造とすることにより電界の反射面が増加
し、しかして反射損失によるシールド効果も増加する。
【００１０】図３は低周波のシールド特性の説明図であ
る。低周波磁界Ｈ2 は、非磁性層３１で発生する渦電流
ｉ1 が小さく、磁界Ｈ1 も小さい。そこで低周波磁界Ｈ
2 は非磁性層３１での減衰を受けずに強磁性層３２に侵
入する。強磁性層３２は磁気抵抗が低いところから、低
周波磁界Ｈ2 は外部に漏れること無く強磁性層３２内を
通過し、シールド効果を生ずる。
る。低周波磁界Ｈ2 は、非磁性層３１で発生する渦電流
ｉ1 が小さく、磁界Ｈ1 も小さい。そこで低周波磁界Ｈ
2 は非磁性層３１での減衰を受けずに強磁性層３２に侵
入する。強磁性層３２は磁気抵抗が低いところから、低
周波磁界Ｈ2 は外部に漏れること無く強磁性層３２内を
通過し、シールド効果を生ずる。
【００１１】非磁性層３１並びに強磁性層３２の厚さ
は、少なくとも表皮の厚さ以上あることが望ましい。表
皮の厚さδは、電磁場の強さが表面の１／ｅとなる厚さ
を言い、次の式で表される。 δ＝（２／μσω）1/2 (1) ここで、μは透磁率、σは電気伝導度、ωは電磁波の角
周波数であり、非磁性層３１並びに強磁性層３２の材料
についてそれぞれ定められる。一般には、回路パターン
３３の厚さ程度あれば表皮の厚さδを充足することが多
いから、製造上の便宜も考慮して非磁性層３１並びに強
磁性層３２の厚さを回路パターン３３の厚さ程度にす
る。構造的な強度を得る場合には、金属板などの上に非
磁性層３１並びに強磁性層３２を設けるとよい。渦電流
によるシールド効果は電気抵抗の低い導体ほど大きく、
かつ磁界の周波数が高いほど大きくなる性質がある。逆
に強磁性層３２では、高透磁率材料であるため電気抵抗
が大きく、渦電流による高周波のシールド効果は低い。
また高周波での透磁率は低下するから、強磁性層３２の
シールド効果は直流磁界や低周波磁界にあらわれる。
は、少なくとも表皮の厚さ以上あることが望ましい。表
皮の厚さδは、電磁場の強さが表面の１／ｅとなる厚さ
を言い、次の式で表される。 δ＝（２／μσω）1/2 (1) ここで、μは透磁率、σは電気伝導度、ωは電磁波の角
周波数であり、非磁性層３１並びに強磁性層３２の材料
についてそれぞれ定められる。一般には、回路パターン
３３の厚さ程度あれば表皮の厚さδを充足することが多
いから、製造上の便宜も考慮して非磁性層３１並びに強
磁性層３２の厚さを回路パターン３３の厚さ程度にす
る。構造的な強度を得る場合には、金属板などの上に非
磁性層３１並びに強磁性層３２を設けるとよい。渦電流
によるシールド効果は電気抵抗の低い導体ほど大きく、
かつ磁界の周波数が高いほど大きくなる性質がある。逆
に強磁性層３２では、高透磁率材料であるため電気抵抗
が大きく、渦電流による高周波のシールド効果は低い。
また高周波での透磁率は低下するから、強磁性層３２の
シールド効果は直流磁界や低周波磁界にあらわれる。
【００１２】図４は金属コア基板に搭載される他のスイ
ッチング電源の構成ブロック図である。ここでは交流電
源と整流平滑化回路１０との間に入力ノイズフィルタ回
路４０が設けられている。入力ノイズフィルタ回路４０
は、高周波スイッチングノイズが外部に伝達されるのを
防止する。
ッチング電源の構成ブロック図である。ここでは交流電
源と整流平滑化回路１０との間に入力ノイズフィルタ回
路４０が設けられている。入力ノイズフィルタ回路４０
は、高周波スイッチングノイズが外部に伝達されるのを
防止する。
【００１３】図５は本発明の変形実施例を示す構成図
で、（Ａ）は全体の配置図、（Ｂ）は金属コア基板の断
面図である。ここでは、金属コア基板３０が三層構造に
なっており、上側から非磁性層３１、強磁性層３２並び
に低熱抵抗層３４よりなる。低熱抵抗層３４はアルミニ
ウム等のような熱伝導性の良好な材料を用いる。これに
より、スイッチング電源の発熱性電子部品の熱を伝導
し、しかして電子部品の温度上昇を低く抑えることがで
きる。また三層になっているので、図１の二層構造に比
較して、反射損失によるシールド効果がよくなる。
で、（Ａ）は全体の配置図、（Ｂ）は金属コア基板の断
面図である。ここでは、金属コア基板３０が三層構造に
なっており、上側から非磁性層３１、強磁性層３２並び
に低熱抵抗層３４よりなる。低熱抵抗層３４はアルミニ
ウム等のような熱伝導性の良好な材料を用いる。これに
より、スイッチング電源の発熱性電子部品の熱を伝導
し、しかして電子部品の温度上昇を低く抑えることがで
きる。また三層になっているので、図１の二層構造に比
較して、反射損失によるシールド効果がよくなる。
【００１４】図６は本発明の第３実施例の構成図であ
る。金属コア基板３０をシールドケース５０で覆ってい
る。シールドケース５０は非磁性層５１の単層構造にな
っており、入力ノイズフィルタ回路に対する電界シール
ド効果を高めている。このようにすると、スイッチング
電源全体が隙間なく覆われ、高周波電界のシールドが完
全に行われ、ＥＭＩ特性が向上する。
る。金属コア基板３０をシールドケース５０で覆ってい
る。シールドケース５０は非磁性層５１の単層構造にな
っており、入力ノイズフィルタ回路に対する電界シール
ド効果を高めている。このようにすると、スイッチング
電源全体が隙間なく覆われ、高周波電界のシールドが完
全に行われ、ＥＭＩ特性が向上する。
【００１５】図７は本発明の第４実施例の構成図であ
る。金属コア基板３０をシールドケース５０で覆ってい
る。シールドケース５０は非磁性層５１と強磁性層５２
の二層構造になっており、非磁性層５１が電子部品搭載
面側を向いている。このようにすると、高周波並びに低
周波の電界が金属コア基板３０とシールドケース５０に
より完全にシールドされ、ＥＭＩ特性が図６の場合より
も更に向上する。
る。金属コア基板３０をシールドケース５０で覆ってい
る。シールドケース５０は非磁性層５１と強磁性層５２
の二層構造になっており、非磁性層５１が電子部品搭載
面側を向いている。このようにすると、高周波並びに低
周波の電界が金属コア基板３０とシールドケース５０に
より完全にシールドされ、ＥＭＩ特性が図６の場合より
も更に向上する。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば非
磁性層３１に発生する渦電流により高周波のシールド効
果をもたらしている。また強磁性層で空間を囲うことに
より、低周波の磁界が強磁性層を通過して外部に漏れる
磁界が少なくなり、低周波や直流磁界のシールド効果を
得ている。
磁性層３１に発生する渦電流により高周波のシールド効
果をもたらしている。また強磁性層で空間を囲うことに
より、低周波の磁界が強磁性層を通過して外部に漏れる
磁界が少なくなり、低周波や直流磁界のシールド効果を
得ている。
【図１】本発明の一実施例を示す構成図である。
【図２】高周波のシールド特性の説明図である。
【図３】低周波のシールド特性の説明図である。
【図４】金属コア基板に搭載される他のスイッチング電
源の構成ブロック図である。
源の構成ブロック図である。
【図５】本発明の変形実施例を示す構成図である。
【図６】本発明の第３実施例の構成図である。
【図７】本発明の第４実装例の構成図である。
Claims (4)
- 【請求項１】交流電流を入力して直流電流に変換する整
流平滑化回路１０と、この整流平滑化回路の出力する直
流電流をスイッチングして所定電圧の直流電流を負荷側
に供給するＤＣ−ＤＣコンバータ部２０と、これら整流
平滑化回路とＤＣ−ＤＣコンバータ部を搭載する金属コ
ア基板３０と有するスイッチング電源の実装構造におい
て、 前記金属コア基板は、電気抵抗が低く非磁性材料よりな
る非磁性層と、この非磁性層に比較して大きな電気抵抗
を有するとともに強磁性材料よりなる強磁性層を有し、
前記整流平滑化回路並びにＤＣ−ＤＣコンバータ部の回
路パターンを非磁性層上に設けたことを特徴とするスイ
ッチング電源の実装構造。 - 【請求項２】前記非磁性層並びに強磁性層の厚さを、前
記回路パターン程度の厚さとすることを特徴とする請求
項１記載のスイッチング電源の実装構造。 - 【請求項３】前記非磁性層並びに強磁性層の厚さを、そ
れぞれの表皮厚さ以上とすることを特徴とする請求項１
記載のスイッチング電源の実装構造。 - 【請求項４】請求項１記載のスイッチング電源をシール
ドケース５０で覆ったことを特徴とするスイッチング電
源の実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30778491A JPH05145266A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | スイツチング電源の実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30778491A JPH05145266A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | スイツチング電源の実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05145266A true JPH05145266A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17973217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30778491A Pending JPH05145266A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | スイツチング電源の実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05145266A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2724527A1 (fr) * | 1994-09-13 | 1996-03-15 | Alsthom Cge Alcatel | Dispositions pour la reduction du champ electromagnetique emis par un equipement d'electronique de puissance |
| WO2004004435A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-01-08 | Motorola Inc. A Corporation Of The State Of Delaware | Magnetic shielding for electronic circuits which include magnetic materials |
| JP2014155265A (ja) * | 2013-02-06 | 2014-08-25 | Fujitsu Telecom Networks Ltd | Ｄｃ−ｄｃコンバータのトランス配線構造 |
| JP2019054059A (ja) * | 2017-09-13 | 2019-04-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JPWO2021145245A1 (ja) * | 2020-01-14 | 2021-07-22 | ||
| JP2023181318A (ja) * | 2020-01-23 | 2023-12-21 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電源装置、照明装置及び照明器具 |
-
1991
- 1991-11-22 JP JP30778491A patent/JPH05145266A/ja active Pending
Cited By (12)
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| FR2724527A1 (fr) * | 1994-09-13 | 1996-03-15 | Alsthom Cge Alcatel | Dispositions pour la reduction du champ electromagnetique emis par un equipement d'electronique de puissance |
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