JPH0514904U - 異物検査装置 - Google Patents

異物検査装置

Info

Publication number
JPH0514904U
JPH0514904U JP067258U JP6725891U JPH0514904U JP H0514904 U JPH0514904 U JP H0514904U JP 067258 U JP067258 U JP 067258U JP 6725891 U JP6725891 U JP 6725891U JP H0514904 U JPH0514904 U JP H0514904U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
foreign matter
inspection
target substrate
inspection target
constant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP067258U
Other languages
English (en)
Other versions
JP2523227Y2 (ja
Inventor
実 谷口
正昭 石原
孝志 萩原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Horiba Ltd
Original Assignee
Horiba Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Horiba Ltd filed Critical Horiba Ltd
Priority to JP1991067258U priority Critical patent/JP2523227Y2/ja
Priority to US07/922,057 priority patent/US5311275A/en
Publication of JPH0514904U publication Critical patent/JPH0514904U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2523227Y2 publication Critical patent/JP2523227Y2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/002Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring two or more coordinates
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94Investigating contamination, e.g. dust
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/003Alignment of optical elements
    • G02B7/004Manual alignment, e.g. micromanipulators

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】検査ステージの傾きに起因して検査対象基板が
傾いていても、検査対象基板上の異物に対して焦点を常
に合わせた状態で異物を観察確認することができる安価
な異物検査装置を提供すること。 【構成】異物観察位置における検査ステージ14上に載置
された検査対象基板23表面上の任意の3点における3次
元的座標に基づいて検査対象基板23の平面の傾きを求め
て、これを装置の平面傾き定数として記憶し、検出され
た異物を拡大して観察確認する際、前記平面傾き定数に
基づいて、異物に対する顕微鏡の焦点合わせを行うよう
にしている。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、主としてLSI製造プロセスにおいて、半導体ウエハに回路パター ンを焼き付けるために用いられるレティクルやマスク、あるいは、回路パターン が形成された製品ウエハ、さらには、液晶用基板などの検査対象基板の表面に、 異物が付着しているか否かおよびその大きさや付着場所を特定することができる 異物検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
前記異物検査装置として、検査対象基板を載置する検査ステージを、異物検査 位置と異物観察位置との間を直線的に移動できるように構成すると共に、一定の 偏向角を有するレーザ光を光走査ミラーによって走査しながら検査対象基板の表 面にし、そのときの検査対象基板の表面からの反射散乱光を検出光学系に入射さ せ、この検出光学系による反射散乱光の検出結果に基づいて検査対象基板の表面 における異物の有無検出並びにその大きさの測定を行うと共に、異物観察位置に おいては、検出された異物を顕微鏡によって観察確認することができるようにし たものがある。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】
ところで、前記検査ステージは、部品の製作精度や組立精度を高めたりしても 、その平面に極めて僅かではあるが若干の傾きが生じるのを避けられない。この ような傾きのある検査ステージに検査対象基板を載置すると、検査対象基板が傾 くことになるが、従来においては、観察対象である検査対象基板を一様に平坦ま たは水平とみなし、検査対象基板上の一点のみで焦点を合わせるようにしていた ため、レーザ照射により検出された異物を、顕微鏡によって拡大して観察確認す る際に検査対象基板を移動すると、一つの異物においては焦点が合っていても、 他の異物においては焦点ズレが生ずることがある。
【0004】 そこで、従来においては、このような焦点ズレを解消するため、高度な光学的 手法によって焦点を検出するなどしていたが、装置の構成や制御が複雑にならざ るを得なかった。
【0005】 本考案は、上述の事柄に留意してなされたもので、その目的とするところは、 検査ステージの傾きに起因して検査対象基板が傾いていても、検査対象基板上の 異物に対して焦点を常に合わせた状態で異物を観察確認することができる安価な 異物検査装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本考案に係る異物検査装置は、異物観察位置におけ る検査ステージ上に載置された検査対象基板表面上の任意の3点における3次元 的座標に基づいて検査対象基板の平面の傾きを求めて、これを装置の平面傾き定 数として記憶し、検出された異物を拡大して観察確認する際、前記平面傾き定数 に基づいて、異物に対する顕微鏡の焦点合わせを行うように構成されている。
【0007】
【作用】
検査ステージの平面の傾きは、検査ステージ上に載置される検査対象基板の表 面の任意の3点の3次元的座標に基づいて得ることができる。従って、この平面 の傾きを装置特有の定数として記憶しておき、検出された異物を確認する際、前 記平面傾き定数に基づいて、異物に対する顕微鏡の焦点合わせを行うようにすれ ば、異物を常に正しい焦点位置で明確に確認することができる。そして、装置の 構成や制御が複雑になるといったこともない。
【0008】
【実施例】
以下、本考案の実施例を、図面に基づいて説明する。
【0009】 図1および図2において、1は固定ベースで、カム2のY方向(前後方向)へ の駆動に伴って、立設部材3に沿ってZ方向(上下方向)に昇降される架台4と 、顕微鏡5とが設けられている。すなわち、図3にも示すように、固定ベース1 には、一端側がパルスモータ6に結合されたねじ軸7がY方向に横設されており 、このねじ軸7と咬合するナット部材8がカム2に設けられると共に、架台4の 下方にカム2に対するカムフォロア9が枢着されている。そして、パルスモータ 6には、ロータリエンコーダ10が設けられている。
【0010】 11は架台4の上面に設けられたガイドレール12に沿ってX方向(左右方向)に 駆動されるスライドベースで、このスライドベース11の上面に設けられたガイド レール13に沿ってY方向に駆動される検査ステージ14が載置されている。この検 査ステージ14は、スライドベース11の移動に伴って異物検査位置と異物観察位置 とにわたって移動できるようにしてある。
【0011】 すなわち、図3にも示すように、架台4には、一端側がパルスモータ15に結合 されたねじ軸16がX方向に横設されており、このねじ軸16と咬合するナット部材 17がスライドベース11に設けられている。また、一端側がパルスモータ18に結合 され、Y方向に延設されたねじ軸19と咬合するナット部材20が検査ステージ14の 下面に設けられている。そして、パルスモータ15, 18には、それぞれロータリエ ンコーダ21, 22が設けられている。
【0012】 そして、検査ステージ14の上面には、例えば半導体ウエハーに回路パターンを 焼付けるために用いられるレティクルなどの検査対象基板23を所定位置で固定す るために、固定部材24と可動部材25とが設けられている。
【0013】 26は一定の偏向角を有するレーザ光LをX方向斜め上方から前記検査対象基板 23に対して走査しながら照射するための入射光学系で、レーザ光Lを発する例え ばHe−Neレーザ発振器27と、ビームエキスパンダ28と、レーザ光LをY方向 に走査させる光走査ミラー29と、光走査ミラー29からのレーザ光Lを集光させて 検査対象基板23の表面に照射させる集光レンズ30と、ミラー31とからなる。また 、32はレーザ光Lが検査対象基板23に照射されたときに生ずる反射散乱光Rを検 出するための2つの検出光学系で、各検出光学系32は、詳細には図示してないが 、集光レンズと、スリットと、特定の直線偏光成分をカットする検光子と、光検 出器をその順に備えてなり、Y方向斜め上方に適宜の間隔をおいて設けられてい る。
【0014】 従って、上記構成の異物検査装置によれば、図1に示すように、検査ステージ 14上に載置された検査対象基板23が異物検査位置にあるときは、一定の偏向角を 有するレーザ光Lを光走査ミラー29によって走査しながら検査対象基板23の表面 に照射し、そのときの検査対象基板23の表面からの反射散乱光Rを検出光学系32 に入射させ、この検出光学系32による反射散乱光Rの検出結果に基づいて検査対 象基板23の表面における異物の有無検出並びにその大きさの測定を行うことがで きる。そして、図3、図5においてそれぞれ仮想線で示すように、検査対象基板 23が異物観察位置にあるときは、検出された異物を顕微鏡5によって拡大して観 察確認することができる。
【0015】 ところで、検出された異物を拡大観察するには、検査対象基板23を載置した状 態で検査ステージ14を、顕微鏡5が設けられている異物観察位置に移動させると 共に、検査対象基板23上の異物の検出位置に合わせて、検査ステージ14を左右方 向および前後方向に移動させると共に、検査ステージ14を載置した架台4を上下 方向に移動して、前記異物に焦点を合わせる必要がある。
【0016】 このため、本考案では、検査ステージ14を異物観察位置にセットしたときの検 査対象基板23上の任意の3点を選び、それらの3次元的座標、すなわち、X方向 、Y方向およびZ方向の位置(縦、横、高さ)に基づいて検査対象基板23の平面 の傾きを求めて、これを装置の平面傾き定数として記憶する。ここで、縦、横の 座標は、それぞれY方向、X方向への移動量を示し、また、高さとは、顕微鏡5 の対物レンズまでの距離である。
【0017】 そして、検出された異物を拡大して観察確認する際、前記平面傾き定数に基づ いて、前記各方向において架台4を移動させるときの移動量に補正を加えるよう にするのである。なお、前記3点は、検査対象基板23上の広い範囲を選ぶのが好 ましく、このようにした場合、誤差をより小さくすることができる。
【0018】 このように、検査対象基板23の傾きを装置に予め入力しておくことにより、任 意のX方向およびY方向のそれぞれにおいて、架台4を正確に移動させることが でき、従って、検査対象基板23上の異物を常に正しい焦点位置のもとで明確に確 認することができる。
【0019】
【考案の効果】
以上説明したように、本考案によれば、検査ステージの傾きに起因して検査対 象基板が傾いていても、検査対象基板上の異物に対して焦点を常に合わせた状態 で異物を観察確認することができる。そして、本考案によれば、高度な光学的手 法によって焦点を検出する必要がないから、装置の構成や制御が簡単であり、装 置全体を安価に構成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案に係る異物検査装置の要部を示す斜視図
である。
【図2】前記異物検査装置における駆動系統を示す斜視
図である。
【図3】前記異物検査装置におけるX方向およびZ方向
における駆動系統の要部を示す図である。
【図4】前記異物検査装置におけるZ方向における駆動
系統の要部を示す図である。
【図5】前記異物検査装置におけるX方向およびY方向
における駆動系統の要部を示す図である。
【符号の説明】
5…顕微鏡、14…検査ステージ、23…検査対象基板、29
…光走査ミラー、32…検出光学系、L…レーザ光、R…
反射散乱光。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/66 J 7013−4M

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 検査対象基板を載置する検査ステージ
    を、異物検査位置と異物観察位置との間を直線的に移動
    できるように構成すると共に、異物検査位置において
    は、検査対象基板の表面に対して一定の偏向角を有する
    レーザ光を光走査ミラーによって走査しながら照射し、
    そのときの検査対象基板の表面からの反射散乱光を検出
    光学系に入射させ、この検出光学系による反射散乱光の
    検出結果に基づいて検査対象基板の表面における異物を
    検査すると共に、異物観察位置においては、検出された
    異物を顕微鏡によって観察確認するようにした異物検査
    装置において、前記異物観察位置における検査ステージ
    上に載置された検査対象基板表面上の任意の3点におけ
    る3次元的座標に基づいて検査対象基板の平面の傾きを
    求めて、これを装置の平面傾き定数として記憶し、検出
    された異物を拡大して観察確認する際、前記平面傾き定
    数に基づいて、異物に対する顕微鏡の焦点合わせを行う
    ようにしたことを特徴とする異物検査装置。
JP1991067258U 1991-07-30 1991-07-30 異物検査装置 Expired - Lifetime JP2523227Y2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1991067258U JP2523227Y2 (ja) 1991-07-30 1991-07-30 異物検査装置
US07/922,057 US5311275A (en) 1991-07-30 1992-07-29 Apparatus and method for detecting particles on a substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1991067258U JP2523227Y2 (ja) 1991-07-30 1991-07-30 異物検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0514904U true JPH0514904U (ja) 1993-02-26
JP2523227Y2 JP2523227Y2 (ja) 1997-01-22

Family

ID=13339750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1991067258U Expired - Lifetime JP2523227Y2 (ja) 1991-07-30 1991-07-30 異物検査装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5311275A (ja)
JP (1) JP2523227Y2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170008654A (ko) * 2015-07-14 2017-01-24 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 3d ic 범프 높이 계측 apc

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5517027A (en) * 1993-06-08 1996-05-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for detecting and examining slightly irregular surface states, scanning probe microscope therefor, and method for fabricating a semiconductor device or a liquid crystal display device using these
JP3258821B2 (ja) * 1994-06-02 2002-02-18 三菱電機株式会社 微小異物の位置決め方法、分析方法、これに用いる分析装置およびこれを用いた半導体素子もしくは液晶表示素子の製法
JPH09218163A (ja) * 1996-02-13 1997-08-19 Horiba Ltd 異物検査装置における信号処理方法
US6586193B2 (en) 1996-04-25 2003-07-01 Genicon Sciences Corporation Analyte assay using particulate labels
JP2000510582A (ja) 1996-04-25 2000-08-15 ゼニコン・サイエンシーズ・コーポレーション 微粒子標識を使用した分析物アッセイ
KR100274596B1 (ko) * 1997-06-05 2000-12-15 윤종용 반도체장치 제조용 노광설비의 스테이지 홀더 상의 파티클 감지방법과 이를 이용한 감지장치 및 그 제어방법
WO2002068932A2 (en) * 2001-02-23 2002-09-06 Genicon Sciences Corporation Methods for providing extended dynamic range in analyte assays
US20050141843A1 (en) * 2003-12-31 2005-06-30 Invitrogen Corporation Waveguide comprising scattered light detectable particles
US20110143378A1 (en) * 2009-11-12 2011-06-16 CyVek LLC. Microfluidic method and apparatus for high performance biological assays
US9500645B2 (en) 2009-11-23 2016-11-22 Cyvek, Inc. Micro-tube particles for microfluidic assays and methods of manufacture
ES2649559T3 (es) 2009-11-23 2018-01-12 Cyvek, Inc. Método y aparato para realizar ensayos
US9651568B2 (en) 2009-11-23 2017-05-16 Cyvek, Inc. Methods and systems for epi-fluorescent monitoring and scanning for microfluidic assays
US9759718B2 (en) 2009-11-23 2017-09-12 Cyvek, Inc. PDMS membrane-confined nucleic acid and antibody/antigen-functionalized microlength tube capture elements, and systems employing them, and methods of their use
US9700889B2 (en) 2009-11-23 2017-07-11 Cyvek, Inc. Methods and systems for manufacture of microarray assay systems, conducting microfluidic assays, and monitoring and scanning to obtain microfluidic assay results
US10065403B2 (en) 2009-11-23 2018-09-04 Cyvek, Inc. Microfluidic assay assemblies and methods of manufacture
WO2013134741A2 (en) 2012-03-08 2013-09-12 Cyvek, Inc. Methods and systems for manufacture of microarray assay systems, conducting microfluidic assays, and monitoring and scanning to obtain microfluidic assay results
US9855735B2 (en) 2009-11-23 2018-01-02 Cyvek, Inc. Portable microfluidic assay devices and methods of manufacture and use
WO2012129455A2 (en) 2011-03-22 2012-09-27 Cyvek, Inc Microfluidic devices and methods of manufacture and use
US10228367B2 (en) 2015-12-01 2019-03-12 ProteinSimple Segmented multi-use automated assay cartridge
CN107526194A (zh) * 2017-08-15 2017-12-29 大连益盛达智能科技有限公司 全自动aoi粒子压痕检测机
CN115763285B (zh) * 2021-09-03 2025-12-05 长鑫存储技术有限公司 一种夹具及封装颗粒失效点的定位方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4468120A (en) * 1981-02-04 1984-08-28 Nippon Kogaku K.K. Foreign substance inspecting apparatus
JPS5867093A (ja) * 1981-10-19 1983-04-21 株式会社東芝 印刷回路基板検査方法及びその装置
JPS59186324A (ja) * 1983-04-07 1984-10-23 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 異物検査装置
US4596467A (en) * 1984-03-16 1986-06-24 Hughes Aircraft Company Dissimilar superimposed grating precision alignment and gap measurement systems
JPS61105623A (ja) * 1984-10-29 1986-05-23 Toray Ind Inc 物体上の位置の認識装置
KR910000794B1 (ko) * 1985-03-28 1991-02-08 가부시끼가이샤 도오시바 기판의 표면검사방법 및 장치
US4829175A (en) * 1985-12-05 1989-05-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light beam scanning apparatus, method of correcting unevenness in scanning lines in light beam scanning apparatus, method of detecting deflection of rotational axis of light beam deflector and rotational axis deflection detecting device
US4889998A (en) * 1987-01-29 1989-12-26 Nikon Corporation Apparatus with four light detectors for checking surface of mask with pellicle
US4971445A (en) * 1987-05-12 1990-11-20 Olympus Optical Co., Ltd. Fine surface profile measuring apparatus
US4898471A (en) * 1987-06-18 1990-02-06 Tencor Instruments Particle detection on patterned wafers and the like
US4938600A (en) * 1989-02-09 1990-07-03 Interactive Video Systems, Inc. Method and apparatus for measuring registration between layers of a semiconductor wafer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170008654A (ko) * 2015-07-14 2017-01-24 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 3d ic 범프 높이 계측 apc

Also Published As

Publication number Publication date
JP2523227Y2 (ja) 1997-01-22
US5311275A (en) 1994-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2523227Y2 (ja) 異物検査装置
KR102720778B1 (ko) Oct 측정 빔 조정을 위한 방법 및 컴퓨터 프로그램 제품
US4769523A (en) Laser processing apparatus
JP3027241B2 (ja) 異物検査装置
TWI383854B (zh) A height position detecting means (b) of the workpiece to be held at the chuck
GB2220100A (en) Wafer inspection system
US10658210B2 (en) Apparatus and method for detecting overlay mark with bright and dark fields
JPH09223650A (ja) 露光装置
EP3316037A2 (en) An overlay measurement method and apparatus
JP3135063B2 (ja) 比較検査方法および装置
JPH0534128A (ja) 異物検査装置
JP2007113941A (ja) 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
JPH02114113A (ja) 平面度測定機能付き顕微鏡装置
JP2006010544A (ja) 異物検査装置および異物検査方法
JPH0711410B2 (ja) 部品検査装置
WO2016189651A1 (ja) 走査型プローブ顕微鏡
JP2861671B2 (ja) 重ね合せ精度測定装置
JPH07190735A (ja) 光学式測定装置およびその測定方法
JPH02268207A (ja) 形状認識装置
JP2728331B2 (ja) 平面度測定装置
Farell Principles of Laser Scanning Microscopes: Part I: Confocal optical systems, 2D and 3D scanning, confocal effect and extended focus image, and scanning mechanisms
JP2597711B2 (ja) 3次元位置測定装置
JP3255301B2 (ja) 位置検出方法及び装置
JPH0460201B2 (ja)
JPH06124866A (ja) パターン認識装置

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term