JPH0514973B2 - - Google Patents
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- JPH0514973B2 JPH0514973B2 JP60270476A JP27047685A JPH0514973B2 JP H0514973 B2 JPH0514973 B2 JP H0514973B2 JP 60270476 A JP60270476 A JP 60270476A JP 27047685 A JP27047685 A JP 27047685A JP H0514973 B2 JPH0514973 B2 JP H0514973B2
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、サンプルホールド回路に関する。[Detailed description of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a sample and hold circuit.
(従来技術)
入力信号を保持するモードと入力信号に追従し
て出力するモードとを持つサンプルホールド回路
を光磁気デイスクメモリ装置の光量制御装置にお
ける例を挙げて説明する。(Prior Art) A sample-and-hold circuit having a mode of holding an input signal and a mode of outputting an input signal following the input signal will be explained using an example of a light amount control device of a magneto-optical disk memory device.
光磁気デイスクメモリ装置は、膜面に垂直な方
向に磁化容易軸を持つ磁性膜を記録媒体とし、こ
れにレーザビームを照射して記録、再生又は消去
を行なう光学的な記録再生装置である。以下に光
磁気デイスクメモリ装置の記録再生方法について
説明する。 A magneto-optical disk memory device is an optical recording/reproducing device that uses a magnetic film having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to the film surface as a recording medium, and performs recording, reproduction, or erasing by irradiating the magnetic film with a laser beam. The recording and reproducing method of the magneto-optical disk memory device will be explained below.
記録時には、以下のように情報を記録する。
1μmφ程度に集光したレーザビームを、情報信
号に応じて強度変調し磁性膜面に照射すると、磁
性膜の温度が局所的に上昇する。その温度上昇し
た部分では保磁力が減少するため、同時に外部よ
り補助磁場を印加すると、磁化の向きが反転して
情報が記録される。 When recording, information is recorded as follows.
When a laser beam focused to a diameter of about 1 μm is intensity-modulated according to an information signal and irradiated onto the surface of a magnetic film, the temperature of the magnetic film locally increases. Since the coercive force decreases in the area where the temperature has increased, if an auxiliary magnetic field is applied from the outside at the same time, the direction of magnetization is reversed and information is recorded.
一方再生時には、記録された磁性膜面に記録時
よりも弱い光量のレーザの直線偏光を照射する。
すると、反射光は、磁性膜の磁気光学効果(カー
効果)により偏光面の傾きを生じる。この傾きを
検光子を通して光の強弱に変え、それを光検出器
で検出すると再生信号となる。 On the other hand, during reproduction, the recorded magnetic film surface is irradiated with linearly polarized laser light of a weaker intensity than during recording.
Then, the reflected light has a tilted plane of polarization due to the magneto-optical effect (Kerr effect) of the magnetic film. This slope is converted into the intensity of light through an analyzer, and when detected by a photodetector, it becomes a reproduced signal.
レーザビームの強度は、以上の様に高・低の2
つの出力レベルが必要である。記録(消去)時は
高出力強度レベル、再生時は低出力強度レベルで
ある。 The intensity of the laser beam is divided into two levels, high and low, as described above.
two output levels are required. The high output intensity level is used during recording (erasing), and the low output intensity level is used during playback.
レーザビームを射出する半導体レーザは温度特
性を有しており、周囲温度によつてその強度が変
動する。情報の記録時に高出力強度が変動すれ
ば、記録媒体に対して情報の書き込み不足や過多
を生じ、再生情報の信頼性が劣化する。一方情報
の再生時に低出力強度が変動すれば、再生信号の
S/N比が劣化する。従つて、高・低両出力レベ
ルにおいてレーザ光強度を安定化させる必要があ
る。 A semiconductor laser that emits a laser beam has temperature characteristics, and its intensity varies depending on the ambient temperature. If the high output intensity fluctuates during recording of information, insufficient or excessive information may be written to the recording medium, and the reliability of reproduced information deteriorates. On the other hand, if the low output intensity fluctuates during information reproduction, the S/N ratio of the reproduced signal deteriorates. Therefore, it is necessary to stabilize the laser light intensity at both high and low output levels.
そこで、第3図に示す光量制御装置が提案され
た。これは半導体レーザ1に駆動電流を供給する
2つの電流源8,9が設けられたものである。情
報再生時には、低出力用のバイアス電流源8によ
る駆動電流IRのみにより半導体レーザ1を駆動す
るものである。また情報記録(消去)時には、高
出力用のパルス電流源9からの駆動電流IWを駆動
電流IRに付加することにより、高出力強度を得て
いる。 Therefore, a light amount control device shown in FIG. 3 was proposed. This is provided with two current sources 8 and 9 that supply driving current to the semiconductor laser 1. During information reproduction, the semiconductor laser 1 is driven only by the drive current I R from the low-output bias current source 8. Further, when recording (erasing) information, high output intensity is obtained by adding the drive current I W from the high output pulse current source 9 to the drive current I R.
さて、一定出力光強度を得るための自動光出力
制御(いわゆるAPC)は、以下のようにして行
なわれる。まず低出力の光強度について光量の自
動光出力制御を行なう。次に高出力時には、この
低出力時の電流値IRを保持し、これに高出力用の
電流IWを付加すれば、高出力時にも自動光出力制
御が見かけ上実現される。なぜならば、半導体レ
ーザの駆動電流対光出力カーブにおいて、周囲温
度の変動に対してしきい値のみが変動し、しきい
値以上の傾きは変わらないで、低出力用電流のみ
をしきい値以上のある値に制御すれば、これに高
出力用の定電流を付加するだけで高出力時の自動
光出力制御も実現されるからである。 Now, automatic light output control (so-called APC) for obtaining a constant output light intensity is performed as follows. First, automatic light output control of the light amount is performed for low output light intensity. Next, when the output is high, by holding the current value I R at the low output and adding the current I W for high output to this, automatic light output control is apparently realized even when the output is high. This is because in the drive current vs. optical output curve of a semiconductor laser, only the threshold value changes with changes in ambient temperature, the slope above the threshold does not change, and only the low output current exceeds the threshold. This is because if it is controlled to a certain value, automatic light output control at high output can be realized simply by adding a constant current for high output.
自動光出力制御には、サンプルホールド回路を
用いたものがある。次に、従来のサンプルホール
ド回路を用いた時の自動光出力制御(APC)の
例について図面を用いて以下に説明する。まず情
報再生時すなわち低出力時の制御について説明す
る。第3図において半導体レーザ1の出力光強度
P2は、光検出器2で常時モニターされ、電圧信
号Va2に変換される。このモニター信号Va2は、
差動アンプ3で基準電圧Vb2と比較されて出力電
圧VC2(=Vb2−Va2)となり、ローパスフイルタ
5を介して電圧Vd2となり、スイツチング回路7
を介して、電圧Ve2(=Vd2)がバイアス電流源8
に導びかれる。低出力時には、スイツチング回路
7は、ローパスフイルタ5の出力電圧Vd2をその
まま出力する側にスイツチされている。バイアス
電流源8では、この光強度のデータVe2に基づい
て差動アンプ3の出力Vc2が0になるようにバイ
アス電流IRを制御し、半導体レーザ1の低出力強
度P2を一定に保つ。 Some automatic light output control uses a sample and hold circuit. Next, an example of automatic optical output control (APC) using a conventional sample and hold circuit will be described below with reference to the drawings. First, control during information reproduction, ie, low output, will be explained. In Fig. 3, the output light intensity of the semiconductor laser 1
P 2 is constantly monitored by the photodetector 2 and converted into a voltage signal V a2 . This monitor signal V a2 is
The differential amplifier 3 compares the reference voltage V b2 with the output voltage V C2 (=V b2 - V a2 ), which passes through the low-pass filter 5 and becomes the voltage V d2 , which is then output to the switching circuit 7.
The voltage V e2 (=V d2 ) is applied to the bias current source 8 via
be guided by At low output, the switching circuit 7 is switched to output the output voltage V d2 of the low-pass filter 5 as is. The bias current source 8 controls the bias current I R based on this optical intensity data V e2 so that the output V c2 of the differential amplifier 3 becomes 0, and keeps the low output intensity P 2 of the semiconductor laser 1 constant. keep.
次に情報記録(消去)時、すなわち高出力時に
は、あらかじめ低出力強度のデータとしてローパ
スフイルタ5の出力電圧Vd2をメモリ回路6で記
憶しておき、スイツチング回路7をメモリ回路6
側にスイツチする。そして高出力用のパルス電流
源9により記録パルス電流(消去電流)IWをバイ
アス電流IRに付加する。情報記録(消去)時には
低出力の自動光出力制御を凍結するが、これは高
出力強度に応答して低出力強度が下がるのを避け
るためである。そして、高出力用電流を付加する
ことで、高出力時にも自動光出力制御が実現され
る。 Next, when recording (erasing) information, that is, at high output, the output voltage V d2 of the low-pass filter 5 is stored in advance in the memory circuit 6 as data with low output intensity, and the switching circuit 7 is connected to the memory circuit 6.
Switch to the side. Then, a recording pulse current (erase current) I W is added to the bias current I R by a high-output pulse current source 9 . When recording (erasing) information, the automatic light output control for low output is frozen in order to avoid lowering the low output intensity in response to the high output intensity. By adding a current for high output, automatic light output control can be realized even at high output.
ここでローパスフイルタ5、メモリ回路6及び
スイツチング回路7で構成される回路10は、2
つのモードすなわち1つは入力信号にローパスフ
イルタを介して信号を出力するモードと、もう1
つはこれをメモリ回路6で記憶させ、その出力を
保持するモードを備えたいわゆるサンプルホール
ド回路である。 Here, a circuit 10 consisting of a low-pass filter 5, a memory circuit 6, and a switching circuit 7 is composed of two
There are two modes: one is to pass the input signal through a low-pass filter and the other is to output the signal.
One is a so-called sample-and-hold circuit which has a mode in which this is stored in a memory circuit 6 and its output is held.
(発明の解決しようとする問題点)
従来のサンプルホールド回路10の構成では、
ローパスフイルタ5の過渡応答特性が残るため、
高・低両出力の光量制御が瞬時に達成できない。
このことを第4図を用いて説明する。(Problems to be Solved by the Invention) In the configuration of the conventional sample and hold circuit 10,
Since the transient response characteristics of the low-pass filter 5 remain,
Light intensity control for both high and low output cannot be achieved instantly.
This will be explained using FIG. 4.
まず第3図における半導体レーザ1の光出力強
度P2は再生時にあらかじめ自動光出力制御によ
り安定化されており、記録(消去)時に高出力強
度が付加され、第4図に示すような波形になる。
第4図に示す波形Va2,Vb2,Vc2,Vd2,Ve2及び
タイミング信号S1,S2は、第3図に示す同一符号
のものに対応する。光検出器2の出力Va2は光強
度P2を電圧信号に変換したものであり、差動ア
ンプ3において基準電圧Vb2と比較され、その差
Vc2(=Vb2−Va2)が出力される。この差Vc2は、
サンプルホールド回路10におけるローパスフイ
ルタ5に入力される。ローパスフイルタ5は、半
導体レーザの温度特性による強度変動に対応した
低周波域を通すものである。ローパスフイルタ5
の出力電圧Vd2は、第4図に示すように過渡応答
を示す。この出力電圧は、メモリ回路6とスイツ
チング回路7に導びかれる。メモリ回路6では、
メモリタイミング信号S1がハイレベルの時に入力
信号を記録すると同時に、それを出力し保持す
る。スイツチング回路7では、スイツチタイミン
グ信号S2がハイレベルの時(再生時)、ローパス
フイルタ5の出力電圧Vd2をそのまま通すので自
動光出力制御が行なわれ、ローレベルの時(記録
(消去)時)は、メモリ回路6の出力信号を通す。
従つて、スイツチング回路の出力信号すなわちサ
ンプルホールド回路10の出力電圧Ve2は、第4
図に示す様に記録(消去)時から再生時に移つた
後に、ローパスフイルタ5による過渡応答成分が
残るため、この電圧Ve2に従つて制御される半導
体レーザ1の出力光強度P2も過渡応答成分が残
り、安定化するのに応答時間だけ時間がかかる。 First, the optical output intensity P2 of the semiconductor laser 1 in Fig. 3 is stabilized in advance by automatic optical output control during playback, and high output intensity is added during recording (erasing), resulting in a waveform as shown in Fig. 4. Become.
Waveforms V a2 , V b2 , V c2 , V d2 , V e2 and timing signals S 1 , S 2 shown in FIG. 4 correspond to those with the same symbols shown in FIG. 3. The output V a2 of the photodetector 2 is the optical intensity P 2 converted into a voltage signal, and is compared with the reference voltage V b2 in the differential amplifier 3, and the difference is calculated.
V c2 (=V b2 −V a2 ) is output. This difference V c2 is
The signal is input to the low-pass filter 5 in the sample-and-hold circuit 10. The low-pass filter 5 passes a low frequency range corresponding to intensity fluctuations due to temperature characteristics of the semiconductor laser. low pass filter 5
The output voltage V d2 exhibits a transient response as shown in FIG. This output voltage is guided to a memory circuit 6 and a switching circuit 7. In the memory circuit 6,
When the memory timing signal S1 is at a high level, the input signal is recorded and simultaneously output and held. In the switching circuit 7, when the switch timing signal S2 is at a high level (during reproduction), the output voltage Vd2 of the low-pass filter 5 is passed through as is, so automatic optical output control is performed, and when the switch timing signal S2 is at a low level (during recording (erasing)), automatic optical output control is performed. ) passes the output signal of the memory circuit 6.
Therefore, the output signal of the switching circuit, that is, the output voltage V e2 of the sample and hold circuit 10 is
As shown in the figure, after the transition from recording (erase) to reproduction, the transient response component caused by the low-pass filter 5 remains, so the output light intensity P2 of the semiconductor laser 1, which is controlled according to this voltage V e2 , also has a transient response. The components remain and take the response time to stabilize.
すなわち第3図において破線で囲まれたサンプ
ルホールド回路10では、サンプルホールド回路
の出力信号自体にローパスフイルタ5の過渡応答
成分が残るため、良好な出力光強度の制御ができ
ない。従つて過渡応答を含まないようなサンプル
ホールド回路が必要不可欠である。 That is, in the sample-and-hold circuit 10 surrounded by the broken line in FIG. 3, the transient response component of the low-pass filter 5 remains in the output signal of the sample-and-hold circuit itself, so that good control of the output light intensity cannot be performed. Therefore, a sample and hold circuit that does not include transient response is essential.
本発明の目的は、上述の従来技術の問題点に鑑
み、フイルタ回路の過渡応答が生じない入力信号
を保持するモードと入力信号に追従するモードと
を備えたサンプルホールド回路を提供することに
ある。 SUMMARY OF THE INVENTION In view of the problems of the prior art described above, an object of the present invention is to provide a sample-and-hold circuit that has a mode for holding an input signal and a mode for following the input signal in which no transient response of the filter circuit occurs. .
(問題点を解決するための手段)
本発明に係るサンプルホールド回路は、入力さ
れる信号を格納するメモリ手段と、一方の入力端
子には入力信号を、他方の入力端子にはメモリ回
路の出力信号を入力し、入力されるタイミング信
号によりメモリ手段の出力信号と入力信号とを切
り換えて出力するスイツチング手段と、このスイ
ツチング手段の出力信号を処理して外部へ出力す
るフイルタ手段とを具備し、このフイルタ手段の
出力信号が、さらに上記のメモリ手段の入力端子
に接続され、入力信号を保持するモードではメモ
リ回路の出力を、入力信号に追従するモードでは
入力信号を、上記フイルタ回路を介して出力す
る。(Means for Solving the Problems) A sample hold circuit according to the present invention includes a memory means for storing an input signal, an input signal at one input terminal, and an output of the memory circuit at the other input terminal. comprising switching means for inputting a signal and switching and outputting the output signal of the memory means and the input signal according to the input timing signal; and filter means for processing the output signal of the switching means and outputting the processed signal to the outside; The output signal of this filter means is further connected to the input terminal of the above-mentioned memory means, and in the mode of holding the input signal, the output of the memory circuit is transmitted, and in the mode of following the input signal, the input signal is transmitted through the above-mentioned filter circuit. Output.
(作用)
本発明では、スイツチング手段の後にフイルタ
手段を配置する。いま、入力信号に追従するモー
ドにおけるサンプルホールド回路の出力値をメモ
リ手段に格納しておくと、スイツチング手段を両
モードの間で切り換えたときに、スイツチング手
段の出力信号がほとんど同じなので、切り換えの
際にサンプルホールド回路の出力信号は、過渡応
答の影響をほとんどうけない。(Function) In the present invention, filter means is arranged after the switching means. Now, if the output value of the sample and hold circuit in the mode that follows the input signal is stored in the memory means, when the switching means is switched between both modes, the output signal of the switching means will be almost the same, so it will be easier to switch between the two modes. In this case, the output signal of the sample and hold circuit is hardly affected by the transient response.
(実施例)
以下に、本発明に係る入力信号を保持するモー
ドと入力信号に追従するモードとを備えたサンプ
ルホールド回路の実施例を図面を用いて詳細に説
明する。(Example) Hereinafter, an example of a sample and hold circuit according to the present invention having a mode for holding an input signal and a mode for following the input signal will be described in detail with reference to the drawings.
第1図に、光磁気デイスクメモリ装置の光量制
御装置における適用例として、破線で囲まれた部
分に本発明におけるサンプルホールド回路の一実
施例を示す。第2図は、第1図に示した回路にお
ける波形及びタイミング信号を説明するための図
である。 FIG. 1 shows an embodiment of a sample and hold circuit according to the present invention in a portion surrounded by a broken line as an example of application to a light amount control device for a magneto-optical disk memory device. FIG. 2 is a diagram for explaining waveforms and timing signals in the circuit shown in FIG. 1.
第1図において、半導体レーザ1より射出され
た出力光の強度P1は、光検出器2において電圧
信号Va1に変換される。この信号は差動アンプ3
において基準電圧Vb1と比較され、電圧Vc1(=
Vb1−Va1)が出力される。電圧Vc1はサンプルホ
ールド回路4におけるスイツチング回路7に入力
され、その出力Vd1はローパスフイルタ5を介し
て電圧Ve1に変換され、バイアス電流源8とメモ
リ回路6に導びかれる。 In FIG. 1, the intensity P 1 of output light emitted from a semiconductor laser 1 is converted into a voltage signal V a1 by a photodetector 2 . This signal is the differential amplifier 3
is compared with the reference voltage V b1 at the voltage V c1 (=
V b1 −V a1 ) is output. The voltage V c1 is input to the switching circuit 7 in the sample and hold circuit 4 , and its output V d1 is converted to the voltage V e1 via the low-pass filter 5 and guided to the bias current source 8 and the memory circuit 6 .
情報再生時には、スイツチング回路7は差動ア
ンプ3の出力信号Vc1を通し、これに従つてバイ
アス電流源8の出力電流IRが制御され、低出力強
度の自動光出力制御が行なわれる。メモリ回路6
においてあらかじめ低出力強度のデータとして
Ve1を記憶しておく。一方情報記録時に、スイツ
チング回路7はこれに切り換わり、メモリ回路6
のデータを通す。これにより低出力の自動光出力
制御を凍結し、高出力強度に応答するのを避け
る。そしてパルス電流源9より高出力用のパルス
電流IWを付加し、安定な記録(消去)用の高出力
光を射出する。 During information reproduction, the switching circuit 7 passes the output signal V c1 of the differential amplifier 3, and accordingly the output current I R of the bias current source 8 is controlled, thereby performing automatic optical output control with low output intensity. Memory circuit 6
as low output intensity data in advance.
Remember V e1 . On the other hand, when recording information, the switching circuit 7 switches to this, and the memory circuit 6
Pass the data. This freezes the automatic light output control at low powers and avoids responding to high power intensities. Then, a pulse current IW for high output is added from the pulse current source 9, and high output light for stable recording (erasing) is emitted.
波形及びタイミング信号を示す第2図における
符号は、第1図における同一符号のものに対応し
ている。半導体レーザ1から射出された出力光強
度P1は、図に示すように、情報再生時は自動光
出力制御により低出力強度で安定化されており、
情報記録(消去)時は高出力強度になる。これを
光検出器2で電圧信号Va1に変換し、基準電圧
Vb1と比較しVc1が出力される。 The symbols in FIG. 2 showing waveforms and timing signals correspond to the same symbols in FIG. As shown in the figure, the output light intensity P1 emitted from the semiconductor laser 1 is stabilized at a low output intensity by automatic light output control during information reproduction.
When recording (erasing) information, the output intensity is high. This is converted into a voltage signal V a1 by photodetector 2, and the reference voltage is
Compared with V b1 , V c1 is output.
このVc1を入力とするサンプルホールド回路4
の出力Ve1には過渡応答が生じないことを以下に
示す
まず情報再生時は、サンプルホールド回路4は
スイツチタイミング信号S2に従つて電圧Vc1を通
じて自動光出力制御(APC)が行なわれる。次
に情報記録時は、メモリ回路6がメモリタイミン
グ信号S1に従つて情報再生時の低出力強度のデー
タVe1を記憶する。そしてスイツチング回路7
は、スイツチタイミング信号S2の負進行トリガに
従つて切り換わり、メモリ回路6の出力を通す。
(なお再び情報再生時には、またVc1を通す。)す
るとスイツチング回路7の出力Vd1は第2図に示
す様になり、ローパスフイルタ5を介して出力し
たすなわちサンプルホールド回路4の出力Ve1は
過渡応答性が生じない波形となる。従つて半導体
レーザ1の出力光強度P1に過渡応答は現われず、
高低の両出力レベルにおいて瞬時に安定な出力光
強度を得ることができる。 Sample and hold circuit 4 that inputs this V c1
It will be shown below that no transient response occurs in the output V e1 . First, during information reproduction, the sample and hold circuit 4 performs automatic optical output control (APC) through the voltage V c1 in accordance with the switch timing signal S2. Next, during information recording, the memory circuit 6 stores data V e1 of low output intensity during information reproduction in accordance with the memory timing signal S 1 . and switching circuit 7
is switched in accordance with the negative progression trigger of the switch timing signal S2 , and passes the output of the memory circuit 6.
(When reproducing information, V c1 is passed through again.) Then, the output V d1 of the switching circuit 7 becomes as shown in FIG . This results in a waveform that does not cause transient response. Therefore, no transient response appears in the output light intensity P1 of the semiconductor laser 1,
Stable output light intensity can be obtained instantaneously at both high and low output levels.
以上の様に本発明によるサンプルホールド回路
を用いると、ローパスフイルタによる過渡応答は
生じず、安定な出力光強度を瞬時に得ることが可
能となる。またこの実施例では低出力強度のデー
タに限つてサンプルホールド回路を用いたが、高
出力強度の自動光出力制御を別途行なう場合で
も、同様に高出力強度のデータについてサンプル
ホールド回路として用いられる。 As described above, when the sample and hold circuit according to the present invention is used, a transient response due to a low-pass filter does not occur, and stable output light intensity can be instantaneously obtained. Further, in this embodiment, the sample and hold circuit is used only for data of low output intensity, but even when automatic light output control of high output intensity is performed separately, it can be similarly used as a sample and hold circuit for data of high output intensity.
尚、本実施例においては、光メモリ装置として
光磁気デイスクメモリを例に説明したが、他の光
メモリ装置にも使用できる。 In this embodiment, a magneto-optical disk memory is used as an example of the optical memory device, but other optical memory devices can also be used.
また光量制御装置に限つて説明したが、本発明
は、これらに限らず、レベルの異なる信号を取り
除くために用いられるサンプルホールド回路なら
ば適用可能である。たとえば、同じく光メモリ装
置において、再生信号の自動利得制御を例に上げ
る。この場合、利得制御なので温度変化等のゆつ
くりした変化について制御すればよいので、ロー
パスフイルタの過渡応答が問題になる。すなわ
ち、再生信号レベルから自動利得制御を行う場合
に、記録(消去)時には再生信号レベルに記録
(消去)光量に対応した大きなレベルのパルスが
付加される。したがつて、記録(消去)のレベル
に自動利得制御が応答しないように、パルスを取
り除く必要がある。この場合も、本実施例のサン
プルホールド回路を適用すると、利得に対するロ
ーパスフイルタの過渡応答の影響を除去できる。 Although the present invention has been described with reference to a light amount control device, the present invention is not limited to these devices, and can be applied to any sample-and-hold circuit used to remove signals having different levels. For example, in the same optical memory device, automatic gain control of a reproduced signal will be taken as an example. In this case, since the gain is controlled, it is sufficient to control slow changes such as temperature changes, so the transient response of the low-pass filter becomes a problem. That is, when performing automatic gain control from the reproduction signal level, a pulse of a large level corresponding to the recording (erasing) light amount is added to the reproduction signal level during recording (erasing). Therefore, it is necessary to remove the pulses so that the automatic gain control does not respond to the recording (erase) level. Also in this case, by applying the sample and hold circuit of this embodiment, the influence of the transient response of the low-pass filter on the gain can be removed.
またフイルタの過渡応答として、ローパスフイ
ルタについて例を示したが、ハイパスフイルタ等
でも同様である。 Further, as an example of the transient response of a filter, a low-pass filter has been shown as an example, but the same applies to a high-pass filter and the like.
(発明の効果)
本発明によれば、フイルタ回路による過渡応答
が生じないサンプルホールド回路を提供すること
ができる。(Effects of the Invention) According to the present invention, it is possible to provide a sample and hold circuit in which no transient response occurs due to a filter circuit.
第1図は、本発明の実施例によるサンプルホー
ルド回路を用いた光量制御装置の回路図である。
第2図は、第1図の回路における波形及びタイミ
ング信号を示す図である。第3図は、従来のサン
プルホールド回路を用いた光量制御装置の回路図
である。第4図は、第3図の回路における波形及
びタイミング信号を示す図である。
1……半導体レーザ、2……光検出器、3……
差動アンプ、4……サンプルホールド回路、5…
…ローパスフイルタ、6……メモリ回路、7……
スイツチング回路、8……バイアス電流源、9…
…パルス電流源。
FIG. 1 is a circuit diagram of a light amount control device using a sample and hold circuit according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing waveforms and timing signals in the circuit of FIG. 1. FIG. 3 is a circuit diagram of a light amount control device using a conventional sample and hold circuit. FIG. 4 is a diagram showing waveforms and timing signals in the circuit of FIG. 3. 1... Semiconductor laser, 2... Photodetector, 3...
Differential amplifier, 4...Sample hold circuit, 5...
...Low pass filter, 6...Memory circuit, 7...
Switching circuit, 8...Bias current source, 9...
...Pulse current source.
Claims (1)
子にはメモリ回路の出力信号を入力し、入力され
るタイミング信号によりメモリ手段の出力信号と
入力信号とを切り換えて出力するスイツチング手
段と、 このスイツチング手段の出力信号を処理して外
部へ出力するフイルタ手段とを具備し、 このフイルタ手段の出力信号が、さらに上記の
メモリ手段の入力端子に接続され、入力信号を保
持するモードではメモリ回路の出力を、入力信号
に追従するモードでは入力信号を、上記フイルタ
回路を介して出力するサンプルホールド回路。[Scope of Claims] 1. A memory means for storing an input signal, an input signal is input to one input terminal, an output signal of a memory circuit is input to the other input terminal, and the memory is stored by an input timing signal. The switching means switches and outputs the output signal and the input signal of the means, and the filter means processes the output signal of the switching means and outputs the processed signal to the outside. a sample and hold circuit connected to the input terminal of the means for outputting the output of the memory circuit in a mode of holding the input signal and the input signal in a mode of following the input signal through the filter circuit;
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60270476A JPS62129943A (en) | 1985-11-30 | 1985-11-30 | Sample holding circuit |
| EP86114312A EP0219124B1 (en) | 1985-10-16 | 1986-10-16 | Beam controller for magneto-optical disc memory system |
| US06/919,672 US4843604A (en) | 1985-10-16 | 1986-10-16 | Beam controller for magneto-optical disc memory system |
| DE8686114312T DE3688276T2 (en) | 1985-10-16 | 1986-10-16 | CONTROL DEVICE OF THE BUNDLE FOR MAGNETO-OPTICAL DISK STORAGE SYSTEM. |
| US07/324,458 US4935915A (en) | 1985-10-16 | 1989-03-16 | Beam controller for magneto-optical disc memory system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60270476A JPS62129943A (en) | 1985-11-30 | 1985-11-30 | Sample holding circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62129943A JPS62129943A (en) | 1987-06-12 |
| JPH0514973B2 true JPH0514973B2 (en) | 1993-02-26 |
Family
ID=17486833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60270476A Granted JPS62129943A (en) | 1985-10-16 | 1985-11-30 | Sample holding circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62129943A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2754735B2 (en) * | 1989-06-05 | 1998-05-20 | 松下電器産業株式会社 | Optical data storage and playback device |
-
1985
- 1985-11-30 JP JP60270476A patent/JPS62129943A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62129943A (en) | 1987-06-12 |
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